JP2007013189A - 半導体デバイスの反り防止ヒートスプレッダ - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体デバイスの反り防止ヒートスプレッダを提供する。
【解決手段】ヒートスプレッダは、厚さがほぼ一定の金属薄板からなり、少なくとも1つの開口部が形成されており、この開口部から接着剤または樹脂が浸出可能になる。このヒートスプレッダは、パッケージの構成要素(つまり、回路基板、ダイ、ヒートスプレッダ、および、補強枠)同士をしっかりと接着することによりパッケージを補強する。同時に、このヒートスプレッダはダイから生じた熱を放散する。またヒートスプレッダを配置しモールド樹脂を充填することによりヒートスプレッダをダイに簡単に装着することができる。モールド樹脂は、開口部を通って容易に流れ、ヒートスプレッダとダイとの隙間を充填する。また、該モールド樹脂は、隙間から開口部を通って抜ける空気を入れ替える。
【選択図】なし
【解決手段】ヒートスプレッダは、厚さがほぼ一定の金属薄板からなり、少なくとも1つの開口部が形成されており、この開口部から接着剤または樹脂が浸出可能になる。このヒートスプレッダは、パッケージの構成要素(つまり、回路基板、ダイ、ヒートスプレッダ、および、補強枠)同士をしっかりと接着することによりパッケージを補強する。同時に、このヒートスプレッダはダイから生じた熱を放散する。またヒートスプレッダを配置しモールド樹脂を充填することによりヒートスプレッダをダイに簡単に装着することができる。モールド樹脂は、開口部を通って容易に流れ、ヒートスプレッダとダイとの隙間を充填する。また、該モールド樹脂は、隙間から開口部を通って抜ける空気を入れ替える。
【選択図】なし
Description
本願は、アメリカ仮出願番号60/695,640(発明の名称:「Anti-Warp Heat Spreader for Semiconductor Devices」、出願日:2005年6月30日)の利点を主張するものである。本願は、この出願を引用することにより、その一部をなすものとする。
〔技術分野〕
本発明は、集積回路(「IC」)、半導体チップなどといった半導体デバイスの、反り防止ヒートスプレッダ、および、そのようなヒートスプレッダを含む半導体デバイスに関するものである。
本発明は、集積回路(「IC」)、半導体チップなどといった半導体デバイスの、反り防止ヒートスプレッダ、および、そのようなヒートスプレッダを含む半導体デバイスに関するものである。
〔背景〕
反り防止ヒートスプレッダについては、先行技術としての特許に記載されている。例えば、米国特許6,848,172号公報(Fitzgerald他)、米国特許5,998,241号公報(Niwa)、特開平7−302866号公報(Japanese Patent No. 07302866 A)(Okikawa他)、特開平10−056110号公報(Japanese Patent No. 10056110 A)(Muramatsu他)、および、特開平9−008186号公報(Japanese Patent No. 09008186 A)(Imura他)の全てが、このデバイスについて記載している。先行技術であるこれらの文献をそれぞれ引用することにより本願の一部をなすものとする。
反り防止ヒートスプレッダについては、先行技術としての特許に記載されている。例えば、米国特許6,848,172号公報(Fitzgerald他)、米国特許5,998,241号公報(Niwa)、特開平7−302866号公報(Japanese Patent No. 07302866 A)(Okikawa他)、特開平10−056110号公報(Japanese Patent No. 10056110 A)(Muramatsu他)、および、特開平9−008186号公報(Japanese Patent No. 09008186 A)(Imura他)の全てが、このデバイスについて記載している。先行技術であるこれらの文献をそれぞれ引用することにより本願の一部をなすものとする。
半導体デバイスは、一般的に、半導体チップ(いわゆるダイ)と回路基板とから構成されている。ダイは、合成樹脂を用いて回路基板の上面に実装されており、ボンディングワイヤによって回路基板の下面に電気的に接続されている。このボンディングワイヤは、ダイの下側から回路基板の開口部を介して回路基板の下面へと延びている。また、ボンディングワイヤは、回路基板の下面に位置する導体トラックに接続されている。
ダイを含む回路基板(いわゆるパッケージ)の少なくとも上面は、一般的には、合成樹脂によって被覆されている。これにより、ダメージによる衝撃からダイを保護する、パッケージの上に補強枠が形成される。高性能半導体チップの場合には、特に、ヒートスプレッダ(ヒートシンクと組み合わされたもの)が、パッケージに加えられていることが多い。これは、動作中にダイによって生成された熱を拡散するため、つまり熱による損失を改善するためである。一般的には、ヒートスプレッダは、合成樹脂によってダイの上端に接着されている。ヒートシンクが用いられる場合の大部分では、ヒートスプレッドは露出したままである。つまり、この場合のヒートスプレッダは、補強枠によって覆われていない。
熱によって引き起こされ、パッケージを破損してしまう反りを防止し、パッケージを強化するために、ヒートスプレッダを補強部材として用いる努力がなされてきた。しかしながら、これまでの経験からすると、提案されてきた解決策は、それほど効果的ではなかった。したがって、熱による半導体デバイスの反りを最小限に抑えるために、ヒートスプレッダを用いて半導体デバイスの機械的強度を改善する必要がある。
〔発明の概要〕
一側面では、本発明は、熱による反りを最小限に抑えるために、熱を効果的に拡散し、熱による損失に役立つと同時に半導体デバイスを補強する、半導体デバイス用のヒートスプレッダを提示する。他の側面では、本発明は、過熱による熱の不具合とともに熱変形による機械的な不具合の影響を受けないヒートスプレッダを備えた半導体デバイスを提示する。
一側面では、本発明は、熱による反りを最小限に抑えるために、熱を効果的に拡散し、熱による損失に役立つと同時に半導体デバイスを補強する、半導体デバイス用のヒートスプレッダを提示する。他の側面では、本発明は、過熱による熱の不具合とともに熱変形による機械的な不具合の影響を受けないヒートスプレッダを備えた半導体デバイスを提示する。
例えば、反り防止ヒートスプレッタは、半導体デバイスに備えられ得る。この半導体デバイスでは、反り防止ヒートスプレッタは、厚さがほぼ一定の金属薄板からなっている。この金属薄板は穿孔処理され、少なくとも1つの開口部が形成されており、この開口部がモールド樹脂の通路となっている。
このヒートスプレッダは、パッケージの構成要素(つまり、回路基板、ダイ、ヒートスプレッダ、および、補強枠)同士をしっかりと接着することによりパッケージを補強するように、設計されている。同時に、このヒートスプレッダは、動作中にダイから生じた熱が効果的に放散するように、設計されている。また、補強枠の製造に用いられるモールドにヒートスプレッダを配置し、次に、モールドにモールド樹脂を充填することにより、該ヒートスプレッダをダイに簡単に装着することができる。このモールド樹脂は、開口部を通って容易に流れ、ヒートスプレッダとダイとの隙間を充填する。また、該モールド樹脂は、隙間から開口部を通って抜ける空気を入れ替える。したがって、ダイとヒートスプレッダとは、しっかりと、きわめて強く結合される。ヒートスプレッダの下の接着層と、ヒートスプレッダ上の補強枠とは、開口部を介して相互にしっかりと結合されている。
本発明のさらに他の側面では、金属薄板はほぼ平坦になっており、少なくとも1つの溝を有している。該溝には、少なくとも1つの開口部が位置している。また、該溝は、金属薄板の厚さが部分的に薄くなっているように形成されている。このような溝は、例えば金属薄板の上面をエッチングすることにより、形成可能である。また、上記のモールド樹脂は、成形中に溝を充填し、硬化後に補強枠となる。特に、溝の充填後に成形中に流れ出た余分なモールド樹脂を回収するために、各溝と平行に、畝溝(furrows)が備えられていることが、有効である。こうして、ヒートスプレッドの上面は、モールド樹脂が存在しない状態になる。
本発明のさらに別の側面では、金属薄板は、互いに平行に延びる第1グループの溝と、それらと交差し、かつ互いに平行に延びる第2グループの溝とを有している。したがって、ダイを取り囲む溝の格子が形成可能になる。パッケージを簡単に切断またはのこぎりのようなもので切る(sawing)ことにより、同時に成形された一グループのパッケージから、1つのパッケージを簡単に分離させることができる。また、溝に沿って複数の開口部が列と行とに配列されていることが、有効である。したがって、補強枠は、各パッケージの端部に沿って、回路基板に接続されている。
また、本発明の他の形態では、ヒートスプレッダはさらに、補強用の波形部(stiffening corrugation)を有している。波形の板は、同じ厚さの平板よりも強固であることが知られている。したがって、波形の金属薄板をヒートスプレッダとして用いることにより、パッケージの強度はより大きくなる。この補強用の波形部は、例えば、1つ以上の波状部(ripples)または1つ以上の椀状部の形状を有している。本発明では、金属薄板に形成された波状部と椀状部とをどのように組み合わせてもよい。波形に用いられる実際の形状にかかわらず、波状部によって形成された溝、または椀状部の底部によって形成された溝に開口部を配列することが、有効である。
上述の形態に用いられる平坦な金属板と同様に、補強用の波形部は、互いに平行に延びる第1グループの波状部を有し得ることが有効である。この第1グループの波状部は、それらと交差している互いに平行に延びている第2グループの波状部によって補完されていてもよい。これにより、交点において分離されるようになる(disrupted)。2つのグループの波状部が、異なる2つの方向に平行に延びるように配列されていることにより、外部衝撃の有効な方向に関わらず、、熱的負荷毎に、パッケージは驚くべき剛性を得る。
さらに高い剛性を得るには、金属薄板の一方の側面に第1グループの波状突出部を有し、金属薄板の他方の側面に第2グループの波状突出部を有することが、有効である。
〔図面の簡単な説明〕
本発明およびその利点をより完全に理解するために、以下の説明を添付図面とともに参照されたい。
本発明およびその利点をより完全に理解するために、以下の説明を添付図面とともに参照されたい。
図1(a)は、第1実施形態にかかる溝を有するヒートスプレッダを用いた、共通の回路基板に複数のダイを備えた素子アセンブリを示す断面図である。
図1(b)は、溝を有するヒートスプレッダを示す平面図である。
図1(c)は、溝を有するヒートスプレッダを示す部分的な断面図である。
図2Aは、波状部を有する第2実施形態の第1モデルのヒートスプレッダを用いた、共通の回路基板に複数のダイを備えた素子アセンブリを示す断面図である。
図2Bは、波状部を有する第2実施形態の第2モデルのヒートスプレッダを用いた、共通の回路基板に複数のダイを備えた素子アセンブリを示す断面図である。
図2Cは、波状部を有する第2実施形態の第3モデルのヒートスプレッダを用いた、共通の回路基板に複数のダイを備えた素子アセンブリを示す断面図である。
図3Aは、波状部を有する第1モデルおよび第3モデルのヒートスプレッダを示す平面図である。
図3Bは、波状部を有する第2モデルのヒートスプレッダを示す平面図である。
図4Aは、大きいダイまたは小さいダイを備えた基板に装着された、波状部を有する第1モデルおよび第3モデルのヒートスプレッダを示す平面図である。
図4Bは、大きいダイまたは小さいダイを備えた基板に装着された、波状部を有する第2モデルのヒートスプレッダを示す平面図である。
図5A〜図5Dは、第2実施形態の第1モデルのヒートスプレッダを用いたパッケージの製造プロセスを示す図である。
図6A〜図6Dは、第2実施形態の第2モデルのヒートスプレッダを用いたパッケージの製造プロセスを示す図である。
図7A〜図7Dは、第2実施形態の第3モデルのヒートスプレッダを用いたパッケージの製造プロセスを示す図である。
図8Aは、第3実施形態にかかる椀状部を有するヒートスプレッダを用いた、共通の回路基板に複数のダイを備えた第1モデルの素子アセンブリを示す断面図である。
図8Bは、第3実施形態にかかる椀状部を有するヒートスプレッダを用いた、共通の回路基板に複数のダイを備えた第2モデルの素子アセンブリを示す断面図である。
図9は、椀状部を有するヒートスプレッダを示す平面図である。
図10は、ダイを備えた基板に装着された、椀状部を有するヒートスプレッダを示す平面図である。
図11A〜図11Dは、第3実施形態のヒートスプレッダを用いた、第1モデルのパッケージの製造プロセスを示す図である。
図12A〜図12Dは、第3実施形態のヒートスプレッダを用いた、第2モデルのパッケージの製造プロセスを示す図である。
〔実施形態の詳細な説明〕
本発明の好ましい実施形態における形成過程および使用について、以下に説明する。しかしながら、本発明が、多種多様な特定の文脈に含まれる本発明の多くの適用できる概念を示しているということを、理解すべきである。以下で説明する特定の実施形態は、本発明を形成および使用するための特定の方法の例証にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
本発明の好ましい実施形態における形成過程および使用について、以下に説明する。しかしながら、本発明が、多種多様な特定の文脈に含まれる本発明の多くの適用できる概念を示しているということを、理解すべきである。以下で説明する特定の実施形態は、本発明を形成および使用するための特定の方法の例証にすぎず、本発明の範囲を限定するものではない。
図1(a)、図1(b)、及び図1(c)は、本発明の第1実施形態の概略的な図である。この実施形態では、ヒートスプレッダ4がほぼ平坦な金属薄板から構成されている。回路基板1の表面には、複数のダイ2が、並んで配置されており、粘着性エポキシ樹脂3によって回路基板1に装着されている。ダイ2の上面には、ヒートスプレッダ4が配置されている。ヒートスプレッダ4は、格子状に配置された複数の溝5を有している。溝5は、ダイ2を隔てている隙間6の上に位置している。ヒートスプレッダ4は、粘着性エポキシ樹脂7によってダイ2に接着されている。
溝5の底には、複数の開口部8が配されている。これにより、モールド樹脂9が、ヒートスプレッダ4の上面からダイ2間の隙間6に自在に流れ込み、溝5を充填することができる。これにより、補強枠が形成される。余分なモールド樹脂9を回収するために、畝溝10が、溝5と平行に備えられている。これにより、ヒートスプレッダ4の上面はモールド樹脂9によって覆われず、放熱がより効果的に行われる。
モールド樹脂が硬化した後、チップと回路基板とを電気的に接続するために、はんだボールが装着され、次に、アセンブリを溝5の中心に沿って切断する切断プロセスまたはのこぎりのようなもので切るプロセスによって、パッケージが切り離される。これにより、補強枠を有する半導体デバイスが得られる。
図2A、図2B、及び図2Cは、本発明の第2実施形態の3つの変形例を示す概略図である。この実施形態では、ヒートスプレッダ4が波形の金属薄板からなり、上記の補強用の波形部は波状の形状を有している回路基板1の上面には、複数のダイ2が並んで配置されており、粘着性エポキシ樹脂3によって回路基板1に装着されている。ダイ2の上には、ヒートスプレッダ4が位置している。このヒートスプレッダ4は、補強用の波形部を有している。この補強用の波形部は、複数の波状部11によって構成されている。該波状部は、互いに平行に延びており、第1グループの波状部に相当する。
図2A及び図2Bのヒートスプレッダ4は、第1グループの波状部の隆起部(ridges)が粘着性のエポキシ樹脂7によってダイ2の上面に接着されているように、ダイ2に装着されている。図2Cのヒートスプレッダ4は、その波形ではない領域が粘着性のエポキシ樹脂7によってダイ2の上面に接着されているように、ダイ2に装着されている。さらに、図2Bのヒートスプレッダ4は、第1グループの波状部11と交差している第2グループの波状部12を有している。
第1グループの波状部11は、金属薄板の一方の面、つまり(ダイ2側の)底面の方向に突き出ており、第2グループの波状部12は、金属薄板の他方の面、つまり(ダイ2から離れた)上側の面の方向に突き出ている。
波状部11の底と、ヒートスプレッダ4の非波形領域とには、複数の開口部8が配置されている。該開口部により、モールド樹脂9が、ヒートスプレッダ4の上面から、ダイ2同士の間の隙間6、および、ヒートスプレッダ4とダイ2との間の隙間6に自在に流れ込み波状部11・12を充填し、ヒートスプレッダ4の上面を覆う。これにより、補強枠が形成される。
モールド樹脂が硬化した後、チップと回路基板とを電気的に接続するために、はんだボールが装着される。次に、アセンブリを溝5の中心に沿って切断する切断プロセスまたはのこぎりのようなもので切るプロセスによって、パッケージが切り離される。これにより、補強枠を有する半導体デバイスが得られる。
再び第2実施形態のヒートスプレッダ4を、図3Aおよび図3Bに示す。ヒートスプレッダ4の構造を説明するために、ヒートスプレッダの表面を部分的に拡大した。ヒートスプレッダ4は、第1グループの波状部11を有している。該波状部11によって形成された溝の底には、波状部11間の領域と同様に、開口部8が位置している。図3Bでは、ヒートスプレッダ4は、さらに、第1グループの波状部11とは逆方向に突き出た第2グループの波状部12を有している。
また、比較的大きなダイ2または比較的小さなダイ2のアセンブリに用いられる構造を、それぞれ図4Aおよび図4Bに示す。第1グループの波状部11は、ダイ2の上に位置するように配列されている。これにより、該波状部を、強く正確に接着できる。図4Bに示したように、第2グループの波状部12のダイ2に対する位置は、ヒートスプレッダ4に対してあまり重要な影響を与えない。
図5、図6、及び図7は、第2実施形態の3つの変形例に関する、半導体デバイスの製造プロセスを示している。初めに、粘着性エポキシ樹脂7からなる層を、ダイ2の上面に堆積する。次に、ヒートスプレッダ4をダイ2の上面に接着する。最後に、隙間6をモールド樹脂9によって充填することにより、空気を該隙間6の外に出す。モールド樹脂9が硬化した後、チップと回路基板とを電気的に接続するために、はんだボールが装着され、次に、のこぎりによる切断プロセスによってパッケージが切り離される。
図8Aおよび図8Bは、本発明の第3実施形態の2つの変形例を示す概略的な図である。この実施形態では、ヒートスプレッダ4が波形の金属薄板からなり、補強用の波形部は椀状部13の形状を有している。回路基板1の上面には、複数のダイ2が並んで配置されており、粘着性エポキシ樹脂3によって回路基板1に装着されている。ダイ2の上には、ヒートスプレッダ4が位置している。このヒートスプレッダ4は、補強用の波形部を有している。補強用の波形部は、複数の椀状部13によって構成されている。
図8Aのヒートスプレッダ4は、椀状部13の底が粘着性エポキシ樹脂7によってダイ2の上面に接着されるように、ダイ2に装着されている。図8Bのヒートスプレッダ4は、その非波形領域が粘着性エポキシ樹脂7によってダイ2の上面に接着され、椀状部13が上に突き出ているように、ダイ2に接着されている。
椀状部13の底、および、ヒートスプレッダ4の非波形領域には、複数の開口部8があり、該開口部によって、モールド樹脂9が、ヒートスプレッダ4の上面から、ダイ2同士の間の隙間6およびヒートスプレッダ4とダイ2との隙間に自在に流れ込み、椀状部13を充填し、ヒートスプレッダ4の上面を覆う。これにより、補強枠を形成される。
モールド樹脂が硬化した後、チップと回路基板とを電気的に接続するために、はんだボールが装着され、次に、ダイ2同士の間の隙間6に沿ってアセンブリを切断する切断プロセスまたはのこぎりのようなもので切るプロセスによって、パッケージが切り離される。これにより、補強枠を有する半導体デバイスが得られる。
再び第3実施形態のヒートスプレッダ4を、図9に示す。ヒートスプレッダ4の構造を説明するために、ヒートスプレッダの表面を部分的に拡大した。ヒートスプレッダ4は、椀状部13によって形成された補強用の波形部を有している。椀状部13の底には、椀状部13同士の間の領域と同様に、開口部8がある。
ダイ2のアセンブリに用いられる構造を、図10に示す。椀状部13は、ダイ2の上に位置するように配列されている。これにより、該椀状部を強く正確に接着できる。
図11および図12には、第3実施形態の2つの変形例に関する、半導体デバイスの製造プロセスを示す。初めに、粘着性エポキシ樹脂7からなる層を、ダイ2の上面に装着する。次に、ヒートスプレッダ4をダイ2の上面に接着する。最後に、隙間6をモールド樹脂9によって充填することにより、空気を該隙間6の外に出す。モールド樹脂9が硬化した後、のこぎりによる切断プロセスによってパッケージを切り離す。
Claims (20)
- 半導体のダイと、
厚さがほぼ一定な金属薄板からなるヒートスプレッダであって、上記金属薄板は穿孔処理され、少なくとも1つの開口部が形成されており、上記開口部がモールド樹脂の通路となっている、ヒートスプレッダと、
を備えた、半導体デバイス。 - 上記の金属薄板はほぼ平坦になっており、
少なくとも1つの開口部が、上記の金属薄板の厚さが部分的に薄くなっている溝に位置している、請求項1に記載の半導体デバイス。 - 上記の溝と平行に、少なくとも1つの畝溝が備えられ、余分なモールド樹脂を回収するようになっている、請求項2に記載の半導体デバイス。
- 上記の金属薄板は、互いに平行に延びる第1グループの溝と、上記の第1グループの溝と交差し、かつ互いに平行に延びる第2グループの溝とを有している、請求項2に記載の半導体デバイス。
- 上記の溝に沿って、複数の開口部が列と行とに配列されている、請求項4に記載の半導体デバイス。
- さらに、上記ヒートスプレッダは補強用の波形部を有している、請求項1に記載の半導体デバイス。
- 上記の補強用の波形部は、少なくとも1つの波状部の形状を有している、請求項6に記載の半導体デバイス。
- 少なくとも1つの開口部が、波状部によって形成された溝に位置している、請求項7に記載の半導体デバイス。
- 上記の補強用の波形部は、少なくとも1つの椀状部の形状を有している、請求項6に記載の半導体デバイス。
- 上記の少なくとも1つの開口部が、椀状部の底部に位置している、請求項9に記載の半導体デバイス。
- 上記の補強用の波形部は、少なくとも1つの波状部と少なくとも1つの椀状部とを組み合わせたものである、請求項6に記載の半導体デバイス。
- 少なくとも1つの開口部が、椀状部の底部に位置している、請求項11に記載の半導体デバイス。
- 上記の補強用の波形部は、互いに平行に延びる第1グループの波状部を含んでいる、請求項6に記載の半導体デバイス。
- さらに、上記の補強用の波形部は、互いに平行に延び、かつ第1グループの波状部と交差する第2グループの波状部を含んでおり、その交点において分離されるようになっている、請求項13に記載の半導体デバイス。
- 上記第1グループの波状部は、金属薄板の一方の側面に突き出ており、上記第2グループの波状部は、金属薄板の他方の側面に突き出ている、請求項14に記載の半導体デバイス。
- さらに、回路基板と、
モールド樹脂とを備え、
上記の半導体のダイは、回路基板に接着され、該回路基板と電気的に接続しているとともに、
上記モールド樹脂は、半導体のダイ及びヒートスプレッタを取り囲むようになっている、請求項1に記載の半導体デバイス。 - 半導体デバイスの反り防止ヒートスプレッタであって、
厚さがほぼ一定な金属薄板からなり、
上記金属薄板は、穿孔処理され少なくとも1つの開口部が形成されており、
上記開口部がモールド樹脂の通路になっている、半導体デバイスの反り防止ヒートスプレッダ。 - 半導体のダイを準備する工程と、
上記の半導体のダイの上面に、厚さがほぼ一定の金属薄板からなり、上記の金属薄板に少なくとも1つの開口部があるヒートスプレッダを接着する工程と、
上記の半導体のダイの上面にモールド樹脂を堆積し、該モールド樹脂を、金属薄板の少なくとも1つの開口部に通過させる工程と、を含む半導体デバイスの組立方法。 - さらに、上記のモールド樹脂を堆積する工程の前に、半導体のダイの下面を回路基板に接着する工程を含む、請求項18に記載の方法。
- さらに、上記の半導体のダイの構成要素が回路基板のはんだボールに電気的に接続されるように、半導体のダイの接続パッドを回路基板の接続パッドにワイヤボンディングする工程を含む、請求項19に記載の方法。
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