JP2007013108A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007013108A5 JP2007013108A5 JP2006137158A JP2006137158A JP2007013108A5 JP 2007013108 A5 JP2007013108 A5 JP 2007013108A5 JP 2006137158 A JP2006137158 A JP 2006137158A JP 2006137158 A JP2006137158 A JP 2006137158A JP 2007013108 A5 JP2007013108 A5 JP 2007013108A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- forming
- release layer
- oxide film
- metal
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006137158A JP5084173B2 (ja) | 2005-05-31 | 2006-05-17 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005160730 | 2005-05-31 | ||
JP2005160730 | 2005-05-31 | ||
JP2006137158A JP5084173B2 (ja) | 2005-05-31 | 2006-05-17 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007013108A JP2007013108A (ja) | 2007-01-18 |
JP2007013108A5 true JP2007013108A5 (enrdf_load_stackoverflow) | 2009-06-18 |
JP5084173B2 JP5084173B2 (ja) | 2012-11-28 |
Family
ID=37751142
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006137158A Expired - Fee Related JP5084173B2 (ja) | 2005-05-31 | 2006-05-17 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5084173B2 (enrdf_load_stackoverflow) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012057194A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 住友化学株式会社 | 有機薄膜トランジスタの製造方法及び該方法で製造された有機薄膜トランジスタ |
WO2012057196A1 (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-03 | 住友化学株式会社 | 電荷注入特性が高い有機薄膜トランジスタ |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3629716B2 (ja) * | 1994-03-02 | 2005-03-16 | セイコーエプソン株式会社 | 配線膜の製造方法、液晶表示装置の製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP4619462B2 (ja) * | 1996-08-27 | 2011-01-26 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜素子の転写方法 |
JP4748859B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2011-08-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
JP2001282139A (ja) * | 2000-01-27 | 2001-10-12 | Sharp Corp | アクティブマトリックス基板およびその製造方法、並びに、液晶表示装置 |
JP2002348680A (ja) * | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Sharp Corp | 金属膜パターンおよびその製造方法 |
JP2003255857A (ja) * | 2002-02-28 | 2003-09-10 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機elディスプレイ |
JP2003158249A (ja) * | 2002-08-09 | 2003-05-30 | Seiko Epson Corp | アクティブマトリクス基板及びアクティブマトリクス基板の製造方法 |
JP2004111835A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-04-08 | Canon Inc | 圧電体素子の製造方法、圧電体素子及びインクジェット式記録ヘッド |
JP5046464B2 (ja) * | 2002-12-18 | 2012-10-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体記憶素子の作製方法 |
JP4637477B2 (ja) * | 2002-12-27 | 2011-02-23 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 剥離方法 |
JP2004247373A (ja) * | 2003-02-12 | 2004-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP4247820B2 (ja) * | 2003-02-12 | 2009-04-02 | 富士フイルム株式会社 | 光電変換素子の作製方法及び光電変換素子 |
-
2006
- 2006-05-17 JP JP2006137158A patent/JP5084173B2/ja not_active Expired - Fee Related