JP2007012826A - 電極構造 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】Cu層上にNi層が積層されたアンダーバンプメタルと、アンダーバンプメタルのNi層の上面に配置されたSnの含有量が80重量%以上の半田バンプとを具備する電極構造において、溶融せしめられた半田バンプの流れを堰き止めるための半田流れ止め手段をCu層とNi層との表面に露出した境界部分と、半田バンプとの間に配置した。詳細には、半田バンプの外縁よりも外側のNi層の上面に半田流れ止め手段を配置した。
【選択図】図1
Description
。
Claims (6)
- 銅層上にニッケル層が積層されたアンダーバンプメタルと、前記アンダーバンプメタルの前記ニッケル層の上面に配置された錫の含有量が80重量%以上の半田バンプとを具備する電極構造において、溶融せしめられた半田バンプの流れを堰き止めるための半田流れ止め手段を前記銅層と前記ニッケル層との表面に露出した境界部分と前記半田バンプとの間に配置したことを特徴とする電極構造。
- 前記半田バンプの外縁よりも外側の前記ニッケル層の上面に前記半田流れ止め手段を配置したことを特徴とする請求項1に記載の電極構造。
- 前記半田バンプが前記ニッケル層の上面に配置される前に、前記半田流れ止め手段を構成する材料を前記ニッケル層の上面のほぼ全面に配置し、次いで、前記ニッケル層の上面のほぼ全面に配置された前記半田流れ止め手段を構成する材料のうち、前記半田バンプを配置すべき位置に配置された材料を除去することにより、前記半田流れ止め手段を配置することを特徴とする請求項2に記載の電極構造。
- 前記ニッケル層の上面に配置された前記半田バンプの一部を除去し、次いで、残された前記半田バンプの外縁よりも外側の前記ニッケル層の上面に前記半田流れ止め手段を構成する材料を配置することにより、前記半田流れ止め手段を配置することを特徴とする請求項2に記載の電極構造。
- アルミニウム、チタン、ポリイミド、ポリシリコン、燐シリケイトガラス、ノンドープドシリケイトガラス、モリブデン、または窒化膜により前記半田流れ止め手段を形成したことを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載の電極構造。
- 前記ニッケル層の厚さが前記銅層の厚さの6分の1以下であることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載の電極構造。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005190754A JP4666608B2 (ja) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 電極構造の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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JP2005190754A JP4666608B2 (ja) | 2005-06-29 | 2005-06-29 | 電極構造の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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Country | Link |
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JP (1) | JP4666608B2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101128916B1 (ko) * | 2011-03-10 | 2012-03-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자 및 그 형성 방법 |
JP2014192383A (ja) * | 2013-03-27 | 2014-10-06 | Fujitsu Ltd | 電子部品及び電子装置の製造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9196812B2 (en) | 2013-12-17 | 2015-11-24 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device and semiconductor light emitting apparatus having the same |
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2005
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