JP2007012621A - プラズマディスプレイパネル及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】電極と電極との間の距離に最適化した構造を備えたプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明のプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成される第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び第２電極上に形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１つの溝が形成された誘電体層とを備え、前記溝側面の勾配は、０．２以上１．５以下の範囲であり、前記第１透明電極又は前記第２透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離は、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であり、前記溝の深さは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲である。また、本発明のプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第１電極及び前記第２電極上に誘電体層を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間の誘電体層に少なくとも１つの溝を形成するステップとを含む。
【選択図】図１

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネル及びプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。

プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）の各セル内には、ネオン（Ｎｅ)、ヘリウム（Ｈｅ)又はネオン及びヘリウムの混合気体（Ｎｅ＋Ｈｅ)等の主放電気体及び少量のキセノンを含有する不活性ガスが充填される。プラズマディスプレイパネルの電極に高周波電圧が供給されれば、セル内に充填された不活性ガスは、真空紫外線（Ｖａｃｕｕｍ Ｕｌｔｒａ ｖｉｏｌｅｔ ｒａｙｓ）を発生させ、隔壁の間に形成された蛍光体を発光させることによって、画像が具現される。

プラズマディスプレイパネルの電極には駆動信号が供給される。駆動信号の供給に応じて、プラズマディスプレイパネルの放電セル内でリセット放電、アドレス放電、サステイン放電などが発生する。リセット放電は、放電セル内部の壁電荷を均一に形成するためのものである。アドレス放電は、光が放出される放電セルを選択するためのものである。サステイン放電は、選択された放電セルから光を放出するためのものである。放電セル内でサステイン放電が起きる際、放電セル内に充填されている放電ガスは、真空紫外線を発生させる。真空紫外線は、放電セル内に形成された蛍光体を発光させることによって、画像が具現される。

プラズマディスプレイパネルの電極と電極との間の距離に応じて、放電開始電圧及び放電効率が影響を受ける。したがって、電極と電極との間の距離に最適化した構造を備えたプラズマディスプレイパネルが必要となる。

そこで、本発明は、上記の従来の技術の問題を解決するためになされたものであって、その目的は、電極と電極との間の距離に最適化した構造を備えたプラズマディスプレイパネル及びその製造方法を提供することにある。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成され、距離が１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び第２電極上に形成された誘電体層とを備え、前記第１電極と第２電極との間の前記基板から前記誘電体層の表面までの第１距離が、前記第１電極又は前記第２電極のうちの少なくとも１つの電極が形成された前記基板から前記誘電体層の表面までの第２距離と異なる。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成され、距離が１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び第２電極上に形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１つの溝が形成された誘電体層とを備える。

前記溝の深さは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることができる。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成される第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び第２電極上に形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１つの溝が形成された誘電体層とを備え、前記溝側面の勾配は、０．２以上１．５以下の範囲であり、前記第１透明電極又は前記第２透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であり、前記溝の深さは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲である。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第１電極及び前記第２電極上に誘電体層を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間の誘電体層に少なくとも１つの溝を形成するステップとを含む。

本発明によれば、プラズマディスプレイパネルの電極と電極との間の距離に応じて、放電開始電圧及び放電効率が影響を受けない、すなわち電極と電極との間の距離に最適化した構造を備えたプラズマディスプレイパネル及びその製造方法が得られるという効果がある。

以下、本発明の最も好ましい実施形態を、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成され、距離が１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び第２電極上に形成された誘電体層とを備え、前記第１電極と第２電極との間の前記基板から前記誘電体層の表面までの第１距離が、前記第１電極又は前記第２電極のうちの少なくとも１つの電極が形成された前記基板から前記誘電体層の表面までの第２距離と異なる。

前記第１距離は、前記第２距離より短いことができるできる。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成され、距離が１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び第２電極上に形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１つの溝が形成された誘電体層とを備える。

前記溝側面の勾配が、０．２以上１．５以下の範囲であることができる。

前記第１電極が第１透明電極を備え、前記第２電極が第２透明電極を備え、前記第１透明電極又は前記第２透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることができる。

前記溝の深さ、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることができる。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、基板と、前記基板上に形成される第１電極及び第２電極と、前記第１電極及び第２電極上に形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１つの溝が形成された誘電体層とを備え、前記溝側面の勾配が、０．２以上１．５以下の範囲であり、前記第１透明電極又は前記第２透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であり、前記溝の深さが、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲である。

前記溝は、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に形成される。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの製造方法は、基板上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、前記第１電極及び前記第２電極上に誘電体層を形成するステップと、前記第１電極と前記第２電極との間の誘電体層に少なくとも１つの溝を形成するステップとを含む。

前記第１電極及び前記第２電極を形成するステップが、第１透明電極及び第２透明電極を形成するステップを含み、前記溝が、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に形成されることが好ましい。

前記誘電体層は、誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルムにより形成されることが好ましい。

前記第１電極及び前記第２電極の距離は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲であることが好ましい。

前記溝は、パターン印刷法で形成されることができる。

前記溝側面の勾配は、０．２以上１．５以下であることができる。

前記溝の深さは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることが好ましい。

前記第１電極及び前記第２電極を形成するステップは、第１透明電極及び第２透明電極を形成するステップを含み、前記第１透明電極又は前記第２透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることができる。

以下、本発明に係る具体的な実施形態を、添付した図面を参照して説明する。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのスキャン電極及びサステイン電極は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲の距離で離間されて配置されたロングカラム構造（ｌｏｎｇ Ｃｏｌｕｍｎ)を有する。また、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルのスキャン電極及びサステイン電極上に形成された誘電体層には、溝が形成される。

図１は、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを示すものである。

同図に示すように、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルは、前面パネル１００及び後面パネル１１０を備える。画像がディスプレイされる前面パネル１００は、前面基板１０１を備え、前面基板１０１上にスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３が形成される。後面基板１１１上にスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３と交差するように、アドレス電極１１３が形成される。

スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３それぞれは、透明電極１０２ａ，１０３ａ及びバス電極１０２ｂ，１０３ｂを備える。透明電極１０２ａ，１０３ａは、前面基板１０１上に形成され、ＩＴＯ（Ｉｎｄｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）からなる。バス電極１０２ｂ，１０３ｂは、透明電極１０２ａ，１０３ａ上に形成され、金属材質からなる。

スキャン電極１０２の透明電極１０２ａと、サステイン電極１０３ａの透明電極１０３との間の距離は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である。スキャン電極１０２の透明電極１０２ａと、サステイン電極１０３の透明電極１０３ａとの間の距離が１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である場合、放電セルにおいて陽光柱領域（ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｃｏｌｕｍｎ ｒｅｇｉｏｎ)に相当する放電が発生する。これによって、放電効率が向上する。

スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３の上部には、放電電流を制限し、かつスキャン電極１０２とサステイン電極１０３を絶縁するための上部誘電体層１０４が形成される。上部誘電体層１０４には、スキャン電極１０２の透明電極１０２ａとサステイン電極１０３の透明電極１０３ａとの間に、少なくとも１つの溝Ｇが形成される。上部誘電体層１０４に形成された溝Ｇについては、図２を参照して詳説する。上部誘電体層１０４の上部には、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）からなる保護層１０５が形成される。

後面パネル１１０は、後面基板１１１を備える。後面基板１１１の上部には、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３と交差するようにアドレス電極１１３が形成され、アドレス電極１１３の上部には、下部誘電体１１５が形成される。また、下部誘電体層１１５の上部には、放電セルを区画する隔壁１１２が形成される。隔壁１１２と隔壁１１２との間には、蛍光体層１１４が形成される。蛍光体層１１４は、放電の際、赤色、緑色及び青色のうちのいずれかの色を有する可視光線を発生する。

図２は、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの断面図である。

図２に示すように、前面基板１０１の上部にスキャン電極１０２及びサステイン電極１０３が形成され、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３それぞれは、透明電極１０２ａ，１０３ａとバス電極１０２ｂ，１０３ｂを備える。スキャン電極１０２の透明電極１０２ａと、サステイン電極１０３の透明電極１０３ａとの間の距離は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である。これによって、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、陽光柱領域に相当する放電が発生することによって、放電効率が向上する。

スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間の上部誘電体層１０４には、溝Ｇが形成される。溝Ｇによって、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間の前面基板１０１の表面から上部誘電体層１０４の表面までの第１距離Ｄ１は、スキャン電極１０２又はサステイン電極１０３のうちの少なくとも１つの電極が形成された部分における前面基板１０１の表面から上部誘電体層１０４の表面までの第２距離Ｄ２より短い。

上部誘電体層１０４に形成された溝Ｇの側面の勾配は、０．２以上１．５の範囲であることができる。すなわち、上部誘電体層１０４の表面と溝Ｇの側面に形成される角度（θ）のｔａｎ値（＝ｔａｎθ）は、０．２以上１．５の範囲であることができる。スキャン電極１０２の透明電極１０２ａ又はサステイン電極１０３の透明電極１０３ａのうちのいずれかの透明電極の終端から溝Ｇ下面の終端までの水平距離Ａは、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲とすることができる。溝Ｇの深さＢは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲が好ましい。

図３ａ及び図３ｂは、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの溝の有無に応じる放電経路を比較したものである。

図３ａは、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルに形成された溝Ｇによる放電経路を示すものであり、図３ｂは、溝が形成されていないプラズマディスプレイパネルにおける放電経路を示すものである。溝Ｇ側面の勾配が０．２以上１．５以下、スキャン電極１０２の透明電極１０２ａ又はサステイン電極１０３の透明電極１０３ａのうちのいずれかの透明電極の終端から溝Ｇ下面の終端までの水平距離Ａが１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であり、溝Ｇの深さＢは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であれば、図３ａ及び図３ｂに示すように、図３ａの放電経路が図３ｂの放電経路より短くなることから、放電開始電圧の大きさが減る。また、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間の距離が１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である場合、放電効率は増加するが放電開始電圧は大きくなる可能性がある。図３ａに示すように、溝Ｇが形成されることにより、放電開始電圧の大きさを減らし、かつ放電効率を向上させることができる。

図４は、本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの断面図である。

図４に示すように、スキャン電極１０２の透明電極１０２ａと、サステイン電極１０３の透明電極１０３ａとの間の距離は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である。これによって、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルでは、陽光柱領域に相当する放電が発生することによって、放電効率が向上する。

スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間の上部誘電体層１０４には、曲面を持つ溝Ｇが形成される。溝Ｇのため、スキャン電極１０２とサステイン電極１０３との間の前面基板１０１の表面から上部誘電体層１０４の表面までの第１距離Ｄ１は、スキャン電極１０２又はサステイン電極１０３のうちの少なくとも１つの電極が形成された部分の前面基板１０１の表面から上部誘電体層１０４の表面までの第２距離Ｄ２より短い。

上部誘電体層１０４に形成された溝Ｇの側面でのｔａｎθは、０．２以上１．５以下の範囲であることができる。ここでは、θは、溝Ｇの端部での接線の傾きに相当する。スキャン電極１０２の透明電極１０２ａ又はサステイン電極１０３の透明電極１０３ａのうちのいずれかの透明電極の終端からの水平距離Ａは、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることが好ましい。溝Ｇの深さＢは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲ができる。

図５ａ〜図５ｆは、本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。

図５ａに示すように、前面基板１０１の上部にスキャン電極１０２の透明電極１０２ａ及びサステイン電極１０３の透明電極１０３ａが形成される。スキャン電極１０２の透明電極１０２ａとサステイン電極１０３の透明電極１０３ａとの間の距離は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲である。

図５ｂに示すように、スキャン電極１０２の透明電極１０２ａ及びサステイン電極１０３の透明電極１０３ａの上部に、バス電極１０２ｂ，１０３ｂが形成される。

図５ｃに示すように、スキャン電極１０２及びサステイン電極１０３の上部に誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルム１０４Ａのうちのいずれかが形成された後、図５ｄに示すように、フォトマスク５０５により誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルム１０４Ａが露光されることにより、溝Ｇのパターンが形成される。

図５ｅに示すように、エッチング工程により誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルム１０４Ａのうちのいずれかに溝Ｇが形成され、約５００℃以上６００℃以下の範囲の温度で焼成工程が行われることによって、上部誘電体層１０４を形成する。溝Ｇ側面の勾配は、０．２以上１．５以下の範囲であり、スキャン電極１０２の透明電極１０２ａ又はサステイン電極１０３の透明電極１０３ａのうちのいずれかの透明電極の終端から溝Ｇ下面の終端までの水平距離は１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であり、溝Ｇの深さは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲である。

図５ｆに示すように、上部誘電体層１０４の上部に酸化マグネシウム（ＭｇＯ）を含む保護層１０５が形成される。

なお、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではなく、本発明に係る技術的思想から逸脱しない範囲内で様々な変更が可能であり、それらも本発明の技術的範囲に属する。

本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルを示すものである。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの断面図である。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの溝の有無に応じる放電経路を比較したものである。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの溝の有無に応じる放電経路を比較したものである。 本発明の他の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの断面図である。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。 本発明の実施形態に係るプラズマディスプレイパネルの前面パネルの製造工程を示すものである。

Claims (16)

1. 基板と、
   前記基板上に形成され、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲の距離で離間した第１電極及び第２電極と、
   前記第１電極及び第２電極上に形成された誘電体層と
   を備え、
   前記第１電極と第２電極との間の前記基板から前記誘電体層の表面までの第１距離は、前記第１電極又は前記第２電極のうちの少なくとも１つの電極が形成された部分の前記基板から前記誘電体層の表面までの第２距離と異なることを特徴とする、
   プラズマディスプレイパネル。
2. 前記第１距離は、前記第２距離より短いことを特徴とする請求項１に記載のプラズマディスプレイパネル。
3. 基板と、
   前記基板上に形成され、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲の距離で離間した第１電極及び第２電極と、
   前記第１電極及び第２電極上に形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１つの溝が形成された誘電体層と
   を備えたことを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
4. 前記溝側面の勾配が、０．２以上１．５以下の範囲であることを特徴とする請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
5. 前記第１電極が第１透明電極を備え、前記第２電極は第２透明電極を備え、
   前記第１透明電極又は前記第２透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離は、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
6. 前記溝の深さは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることを特徴とする、請求項３に記載のプラズマディスプレイパネル。
7. 基板と、
   前記基板上に形成される第１電極及び第２電極と、
   前記第１電極及び第２電極上に形成され、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１つの溝が形成された誘電体層と
   を備え、
   前記溝側面の勾配が、０．２以上１．５以下の範囲であり、
   前記第１透明電極又は前記第２透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であり、
   前記溝の深さが、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。
8. 前記溝は、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に形成されることを特徴とする請求項７に記載のプラズマディスプレイパネル。
9. 基板上に第１電極及び第２電極を形成するステップと、
   前記第１電極及び前記第２電極上に誘電体層を形成するステップと、
   前記第１電極と前記第２電極との間の誘電体層に少なくとも１つの溝を形成するステップと
   を含むことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
10. 前記第１電極及び前記第２電極を形成するステップは、第１透明電極及び第２透明電極を形成するステップを含み、
    前記溝は、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間に形成されることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
11. 前記誘電体層は、誘電体ペースト又は誘電体ドライフィルムにより形成されることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
12. 前記第１電極及び前記第２電極の間の距離は、１０μｍ以上２００μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
13. 前記溝は、パターン印刷法で形成されることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
14. 前記溝側面の勾配は、０．２以上１．５以下の範囲であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
15. 前記溝の深さは、５μｍ以上３０μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。
16. 前記第１電極及び前記第２電極を形成するステップは、第１透明電極及び第２透明電極を形成するステップを含み、
    前記第１透明電極又は前記第２透明電極のうちのいずれかの透明電極の終端から前記溝下面の終端までの水平距離が、１０μｍ以上１００μｍ以下の範囲であることを特徴とする請求項９に記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。