JP2007012126A - 光ディスク駆動装置、光ディスク装置及びその駆動方法 - Google Patents

Abstract

【課題】
ディスク上のダストを除去して、適切にギャップ制御することができる光ディスク駆動装置、これを搭載した光ディスク装置及びその駆動方法を提供すること。
【解決手段】
光ディスク駆動装置１は、接触式のレンズクリーニング機構６０及びディスククリーニング機構８０を備えているので、従来に比べダストが除去されやすくなる。これにより、適切にギャップサーボ制御や初期チルト調整することができる。また、これら以外にも、もちろん、適切にトラッキングサーボ制御、チルトサーボ制御等することができる。
【選択図】図３

Description

本発明は、近接場光を用いて信号の記録及び再生のうち少なくとも一方を行う光ディスク駆動装置、この駆動装置を搭載した光ディスク装置及びその駆動方法に関する。

近年、レーザ光を用いた光ディスクの記録密度を向上させるため、近接場光を用いて信号を記録または再生する光ディスク装置が提案されている。近接場光を用いる光ディスク装置では、ディスクと、対物レンズ部等の集光素子に設置されるＳＩＬ（Solid Immersion Lens）の端面と間のギャップを近接場光が生じる距離（ニアフィールド）に制御する必要がある。この距離は一般に入力レーザ光の波長の１／４〜１／２である。例えば、４００ｎｍの青紫色レーザを用いた場合、２００ｎｍ程度となる。

このため、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）等のようなファーフィールド光学系では特に問題とならなかった、当該ギャップの制御開始時に１μｍ以下の距離で生じるオーバーシュートが、近接場光を用いる光記録再生装置では問題となる。つまり、制御開始時に１μｍ以下のオーバーシュート生じても、ＳＩＬがディスクに衝突し、両者の損傷を招くことになる。

かかる問題を解決するために、例えばニアフィールド状態を判定するための閾値を設定して、その閾値が検出されるまでＳＩＬをディスクに接近させ、閾値が検出された後に、その接近電圧にサーボ電圧を加えてギャップサーボを行う光ディスク装置が開示されている（例えば、特許文献１参照。）。

また、近接場光が用いられる光ディスク装置では、ギャップ制御において、ディスクに付着するゴミや埃等のダストが重要な問題となる。ダストは、ギャップの目標値より大きい幅（高さ）を有するものが多いため、ディスク上にダストが付着していると、ギャップ制御が不能になる。そこで、ディスクへの信号の記録または再生がなされる前に、ディスクを任意の回転数で回転させ、ディスクに付着したダストをディスクの外周側へ吹き飛ばすといった技術がある（例えば、特許文献２参照。）。
特開２００４−３０８２１号公報（段落[００２３]等、図５、図６） 特開２００２−３１９１４９号公報（段落[００１８]、図２）

しかしながら、ディスクを回転させるだけでは、ディスク上のダストを除去しきれないという懸念がある。特に、ディスクがリムーバブルでディスクカートリッジ等がない場合、ディスクにダストが付着する可能性が高い。また、ディスク上のダストが除去されていても、対物レンズ等にダストが付着している場合には、ギャップ制御ができない。さらに、ディスクまたはレンズ等にダストが付着している場合に、これを自動で検出することができ、適切にギャップサーボがなされることが望ましい。

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ディスク上のダストを除去して、適切にギャップ制御することができる光ディスク駆動装置、これを搭載した光ディスク装置及びその駆動方法を提供することにある。

上記目的を達成するため、本発明に係る光ディスク駆動装置は、光を出射する光源と、信号を記録可能な記録面を有するディスクに対向して配置され、前記光源から出射された前記光を近接場光として前記記録面に集光させることが可能な集光素子と、前記記録面及び前記集光素子に接触して当該記録面及び集光素子のうち少なくとも一方をクリーニングする接触式のクリーニング機構とを具備する。

本発明では、接触式のクリーニング機構が備えられているので、ダストが除去されやすくなる。これにより、クリーニング後に、後述のような適切なギャップ制御を行うことができる。

光としては、例えば波長が４００ｎｍ程度の青色あるいは青紫色レーザ光が用いられる。しかし、これに限られず、波長が４００ｎｍより小さい、または４００ｎｍより大きいレーザ光を用いてもかまわない。また、可視光以外の光が用いられてもよい。

集光素子とは、対物レンズ、または、対物レンズを含む光学系等を指し、近接場光としてディスクに集光する機能を有するであればよい。

本発明において、当該光ディスク駆動装置は、前記集光素子と前記ディスクとのギャップを検出するギャップ検出手段と、前記クリーニング機構により前記記録面及び前記集光素子のうち少なくとも一方がクリーニングされた後、前記ギャップ検出手段による検出信号に基づき、前記集光素子と前記回転するディスクとのギャップが一定となるように制御するギャップ制御手段とをさらに具備する。

本発明において、前記ギャップ制御手段は、前記回転機構により第１の回転数で前記ディスクを回転させながら前記ギャップを制御する第１の制御手段と、前記第１の制御手段による制御の後、前記第１の回転数より高い第２の回転数で前記ディスクを回転させながら前記ギャップを制御する第２の制御手段とを有する。第１の回転数としては、信号の記録または再生時のディスクの回転数に比べ低い回転数であることが好ましい。例えば、ディスクの記録面及び集光素子のうち、いずれか一方がクリーニングされる場合、両者のいずれか一方にダストが残っている可能性がある。特に、ディスク上にダストが残っている場合、ディスクが高速で回転してしまうと、ディスク上のダストに集光素子が高速でぶつかることによって、集光素子が傷ついたり、破壊されたりするおそれがある。また、逆に集光素子にダストが付着したままであっても、ディスクが傷つくおそれがある。しかしながら本発明では、そのような問題を解決することができる。本発明では、上述のように「ディスクの記録面及び集光素子のうち、いずれか一方がクリーニングされる場合」に限られるものではなく、両者がクリーニングされる場合も含まれる。

本発明において、前記ギャップ検出手段は、前記光源から出射された前記光の前記ディスクからの戻り光量を検出し、前記第１の制御手段は、前記ディスクが少なくとも１回転する間に前記戻り光量が所定の閾値を超える回数を測定し、前記測定された回数が所定の回数閾値より少ない場合、前記第２の制御手段に移行するように制御する。これにより、ダストによる悪影響を確実に防止でき、良好なギャップ制御が可能となる。本発明においても、特に、ディスク及び集光素子のうちいずれか一方のみがクリーニングされた場合が適用される。しかし、もちろん両者がクリーニングされる場合も含まれる。上記所定の閾値とは、集光素子（の記録面に対面する端面）がファーフィールド状態にある光量でもよいし、ニアフィールド状態にある光量でもよい。

本発明において、当該光ディスク駆動装置は、前記クリーニング機構により前記記録面及び前記集光素子のうち少なくとも一方がクリーニングされた後、前記記録面に対する前記集光素子のチルトが一定となるように制御するチルト制御手段をさらに具備する。これにより、適切にチルト制御することができる。チルト制御とは、信号の記録または再生時等、ディスクの回転途中に、例えばディスクの面ぶれ等に追従するようにリアルタイムでチルト制御する場合が含まれる。しかし、これに限らず、次の発明で説明するように、例えば信号の記録または再生の前に、例えば集光素子の傾きを調整するような、いわゆる初期チルトの調整も、本発明でいうチルト制御に含まれる。

すなわち、前記チルト制御手段は、前記ディスクが回転していないときに前記集光素子を前記ディスクに接触させた状態で、前記集光素子を動かしながら前記チルトを調整する調整手段を有する。本発明では、ディスクに集光素子が接触した状態でチルト調整されるので、確実にチルトをなくすことができる。これにより、その後に適切にギャップ制御することができる。

本発明において、例えば、前記クリーニング機構は、前記集光素子に接触するクリーニングテープを有し、前記クリーニングテープを該集光素子に接触させながら相対的に移動させてクリーニングする集光素子クリーニング機構を有する。集光素子クリーニング機構は、クリーニングテープの他、集光素子とクリーニングテープとを相対的に離接させるような機構をさらに有していてもよい。

本発明において、例えば、前記クリーニング機構は、前記記録面に接触させながら前記ディスクに相対的に移動してクリーニングするディスククリーニング機構を有する。ディスククリーニング機構は、ディスクとこれに接触してクリーニングする部材とを相対的に離接させるような機構をさらに有していてもよい。

本発明に係る光ディスク装置は、光を出射する光源と、信号を記録可能な記録面を有するディスクを回転させる回転機構と、前記ディスクに対向して配置され、前記光源から出射された前記光を近接場光として、前記回転するディスクの前記記録面に集光させることが可能な集光素子と、前記記録面及び前記集光素子に接触して当該記録面及び集光素子のうち少なくとも一方をクリーニングする接触式のクリーニング機構と、前記ディスクに前記信号を記録すること及び前記記録された信号を再生することのうち少なくとも一方が可能な記録／再生機構とを具備する。つまり、この発明に係る光ディスク装置は、上記光ディスク駆動装置に「記録／再生機構」の構成要件を加えたものである。記録／再生機構とは、記録または再生のために必要な、信号処理回路、機械、あるいはソフトウェア等を意味する。

本発明に係る光ディスク駆動装置の駆動方法は、信号を記録可能なディスクの記録面及び光源から出射された光を近接場光として前記記録面に集光する集光素子のうち少なくとも一方を接触式でクリーニングするステップと、前記クリーニングの後、前記ディスクを回転駆動するステップと、前記ディスクを回転させながら、前記集光素子と前記ディスクとのギャップが一定となるように制御するステップとを具備する。

本発明において、特に、クリーニングの後、ディスクが回転していないときに集光素子をディスクに接触させ、集光素子がディスクに接触した状態で集光素子を動かしながらチルトを調整する場合、ディスク記録面及び前記集光素子のうち、少なくとも集光素子をクリーニングすることが好ましい。このような初期チルト調整では、集光素子をディスクに接触させるので、ディスクの記録面より、むしろ集光素子がクリーニングされる方がよいからである。

以上のように、本発明によれば、ディスク上のダストを除去して、適切にギャップ制御することができる。

以下、本発明の実施の形態を図面に基づき説明する。

図１は、本発明の一実施の形態に係る光ディスク駆動装置の構成を示す図である。この光ディスク駆動装置１は、光ヘッド２８、サーボ制御系４０、スピンドルモータ４８を有する。光ヘッド２８は、光源となるレーザダイオード（ＬＤ）３１、コリメータレンズ３２及び４６、レーザ光の整形用のアナモフィックプリズム３３、ビームスプリッタ（ＢＳ）３４、１／４波長板（ＱＷＰ）４３、色収差補正レンズ４４、レーザビームの拡張用レンズ４５、ウォラストンプリズム３５、集光レンズ３６及び３８、集光素子５、フォトディテクタ（ＰＤ）３７及び３９、オートパワーコントローラ４１、ＬＤドライバ４２を有する。

ウォラストンプリズム３５は２つのプリズムでなり、このウォラストンプリズム３５に入射した光は、互いに直交するような２つの直線偏光として出射する。ＰＤ３７は光ディスクに記録された信号を再生するためのＲＦ再生信号、サーボ制御に必要なトラッキングエラー信号及びギャップエラー信号等をサーボ制御系４０に出力する。

サーボ制御系４０は、後述するギャップサーボモジュール（フォーカシングサーボモジュール）５１、その他トラッキングサーボモジュール５２、チルトサーボモジュール５３、スピンドルサーボモジュール５４を有する。トラッキングサーボモジュール５２は、トラッキングエラー信号に基づき集光素子５をトラッキング制御する。チルトサーボモジュール５３は集光素子５のチルト角を制御する。スピンドルサーボモジュール５４はスピンドルモータ４８の回転を制御する。

オートパワーコントローラ４１は、ＰＤ３９から出力された信号に基づき、ＬＤ３１から出力されるレーザパワーが一定になるようにＬＤドライバ４２に所定の信号を出力する。

次に、この光ディスク駆動装置１の光学系を中心とした動作について説明する。例えば記録媒体となる光ディスク４７が光ディスク駆動装置１にセットされる。そうすると、サーボ制御系４０により各サーボ制御がなされる。一方、ＬＤ３１から出射されたレーザ光はコリメータレンズ３２により平行光とされ、アナモフィックプリズム３３により整形される。ＢＳ３４に入射したレーザ光は、ＢＳ３４によりそのままＱＷＰ４３に入射する光と、集光レンズ３８へ入射する光とに分割される。集光レンズ３８に入射したレーザ光は上述のようにオートパワーコントローラ４１によってレーザ光のパワーが一定に制御される。ＱＷＰ４３に入射した光は、このＱＷＰ４３により直線偏光が円偏光とされ、色収差補正レンズ４４により色収差が補正され、拡張用レンズ４５及びコリメータレンズ４６を介して集光素子５に入射する。

集光素子５に入射したレーザ光は、後述するように光ディスク４７に近接場光として集光され、光ディスク４７に信号を記録する。あるいは、光ディスク４７に近接場光として集光されたレーザ光は、光ディスク４７に記録された信号を読み出すために、光ディスク４７に入射し、当該光ディスク４７からの反射光または回折光を集光素子５が受ける。光ディスク４７からの反射光または回折光は集光素子５を介して戻り光としてコリメータレンズ４６、拡張用レンズ４５、色収差補正レンズ４４及びＱＷＰ４３を介してＢＳ３４に入射する。ＢＳ３４で全反射したレーザ光はウォラストンプリズム３５及び集光レンズ３６を介してＰＤ３７に入射する。ＰＤ３７によりＲＦ再生信号及びサーボ制御信号が得られ、サーボ制御信号はサーボ制御系４０に入力されて各サーボ制御がなされる。

図２は、集光素子５と光ディスク４７とを示した側面図である。集光素子５は光ディスク４７に対向して配置されている。集光素子５は、ＳＩＬ２と非球面レンズ３とがレンズホルダ４に収納されて構成されている。集光素子５は、このような形態に限られず、光ディスク４７にレーザ光２４を近接場光として導くことができればどのような形態であってもよい。ＳＩＬ２は、その端面２ａがディスク４７の記録面４７ａに対面して配置されている。レンズホルダ４は、離接機構の少なくとも一部を構成する３軸アクチュエータ６に設置されている。３軸アクチュエータ６は、図においては簡略してあるが、例えば３軸方向のコイル、ヨーク等でなり、各コイルに所定のサーボ電圧での電流が流れることによりトラッキングサーボ、ギャップサーボを含むフォーカシングサーボ及びチルトサーボの制御が行われる。

図３は、光ディスク駆動装置１の一部を示す側面図である。図４は、図３に示す光ディスク駆動装置１の下側から見た平面図である。光ディスク駆動装置１は、ＳＩＬ２の端面２ａに接触して、ＳＩＬ２をクリーニングするレンズクリーニング機構６０と、ディスク４７の記録面４７ａに接触して、当該記録面４７ａをクリーニングするディスククリーニング機構８０とを備えている。

レンズクリーニング機構６０は、例えばスピンドルモータ４８上にセットされたディスク４７の外周側に配置されている。レンズクリーニング機構６０は、例えば図１２（ａ）に示すように、テープ型のクリーナであり、回転ドラム６３及び６４、補助ローラ６５及び６６を有する。回転ドラム６３及び６４が回転することで、補助ローラ６５及び６６に沿ってクリーニングテープ６１が走行する。クリーニングテープ６１は、ＳＩＬ２が傷つかないような柔らかい樹脂等の材質等でなるが、これに限られない。

集光素子５は、このレンズクリーニング機構６０の位置で昇降可能に構成され、テープ６１に対してＳＩＬ２の端面２ａが接触したり離れたりする。この昇降駆動の方式としては、例えば上記３軸アクチュエータ６（特に、ギャップサーボ用のコイル）による駆動でもよいし、あるいはサーボ系とは別の図示しない駆動機構であってもよい。あるいは、集光素子５がレンズクリーニング機構６０に接近駆動する形態ではなく、レンズクリーニング機構６０が集光素子５に接近駆動する形態も考えられる。

ディスククリーニング機構８０は、例えばディスク４７の記録面４７ａに対向して配置されたクリーニング部材８２及びこれを支持する支持体８１を有する。支持体８１は図示しないモータによって昇降可能に構成されている。クリーニング部材８２は、例えばディスク４７の半径程度の長さの長尺状でなる。クリーニング部材８２は、記録面４７ａに接触してダストを除去するものであり、例えば繊維状またはメッシュ状で、記録面４７ａに傷が付かないような材質が用いられるが、これに限られない。例えばレンズペーパ等の材質と同じでよい。

図５は、上記ギャップサーボモジュール５１の概要を示すブロック図である。制御対象は３軸アクチュエータ６である。また、検出量（被制御量）は、全反射戻り光量２４であり、これを上述したようにＰＤ３７で検出する。検出された全反射戻り光量２４は、規格化ゲイン１８にて、例えば１Ｖに規格化される。規格化後の信号は、ＡＤ（analog to digital）変換器１９にてディジタル化される。上記のディジタル化された全反射戻り光量は、データ処理部１０に入力される。そして、このデータ処理部１０により、集光素子５のＳＩＬ２を光ディスク４７に接近させるための電圧が出力され、ＤＡ（digital to analog）変換器１１にてアナログ信号化され、接近電圧１４として出力される。また、ギャップエラー信号２７がフィルタ１３に入力され、ＤＡ変換器１２にてアナログ信号化され、サーボ電圧１５として出力される。接近電圧１４とサーボ電圧１５とは、加算され、ドライバ１６に入力され、ドライバ１６は、ギャップエラーがゼロになるように３軸アクチュエータ６を駆動する。

図６は、データ処理部１０の詳細を示すブロック図である。

上記データ処理部１０には、全反射戻り光量２４とギャップサーボスイッチ９が入力される。近接場検出レベル設定部２１は、近接場検出レベル（ギャップサーボ開始のための電圧の閾値）を設定し、近接場検出レベル８はシステムコントローラ２０に入力される。システムコントローラ２０は、入力される全反射戻り光量２４と近接場検出レベル８とを比較し、比較結果に基づき、接近電圧生成部２３やスイッチ２６に対して所定の制御信号を出力する。また、接近電圧生成部２３は、例えばステップ状、またはランプ状の信号電圧、あるいは、これらを図示しないローパスフィルタでなまらせた上記接近電圧１４を出力する。この場合、例えば接近電圧の最大値が、近接場検出レベル８が検出されるような電圧値、あるいはそれより高い電圧値になるように設定されることが好ましい。

また、この近接場検出レベル８は、例えば図７のように設定される。すなわち、この近接場検出レベル８は、ニアフィールド領域内で、かつ、ギャップサーボの目標値７より大きい値に設定される。例えば、近接場検出レベル８は、全反射戻り光量２４のファーフィールド領域における値を１（Ｖ）に規格化したとき、線形領域内の０．８（Ｖ）と設定される。ギャップサーボ目標値７はギャップサーボ目標値設定部２２で設定される（図６参照）。ギャップサーボ目標値７は、線形領域内であって０．８（Ｖ）より小さい値、例えば０．５（Ｖ）に設定される。

システムコントローラ２０は、近接場検出レベル８と全反射戻り光量（に対応する電圧値）２４とを比較する。システムコントローラ２０の比較結果により、例えば、全反射戻り光量２４が近接場検出レベル８より大きいとき、つまりＳＩＬ２がファーフィールド距離にあるときには、システムコントローラ２０のスイッチ２６への出力信号２９はＬｏｗとなる。一方、全反射戻り光量２４が近接場検出レベル８より小さいとき、つまりＳＩＬ２の端面２ａがニアフィールド距離のときには、出力信号２９はＨｉｇｈとなる。システムコントローラ２０の出力信号２９がＨｉｇｈとなった時点で、スイッチ２６がＯＮとなり、初めてギャップサーボが開始される。全反射戻り光量２４は、ギャップサーボ目標値７によって偏差がとられ、偏差信号２５としてスイッチ２６に入力される。

スイッチ２６は、上記のようにＯＮとなった場合に、つまり、ギャップサーボ開始の合図があった場合に、偏差信号２５をサーボ電圧２７として出力する。このようなギャップサーボにより、ＳＩＬ２の端面２ａとディスク４７の記録面４７ａとのギャップが、ギャップサーボ目標値７に一致するように制御される。

なお、全反射戻り光量として、ＳＩＬ２に入射した光の全てを検出してもよいし、ＮＡ>１の成分のみを検出してよい。あるいは、入射光と平行な偏光面を有する成分をギャップエラー信号としてもよい。

次に、集光素子５のチルトについて説明する。ここでいうチルトとは、ディスク４７の記録面４７ａとＳＩＬ２の端面２ａとの相対的な傾きであり、チルトがゼロに近いほど、適切なギャップサーボ、あるいは適切な信号の再生等がなされる。図８は、そのチルト角と全反射戻り光量との関係を示すグラフである。このグラフより、チルト角と全反射戻り光量との関係は例えば二次関数的なものであることがわかる。本実施の形態に係る、いわゆる初期チルト調整は、このグラフに示す関係を利用してチルト調整しようというものである。図８において、チルト角の正負は、ＳＩＬ２の端面２ａの傾斜の方向を表しており、例えば図９（ａ）に示すＳＩＬ２の状態のチルトが正と定義すると、図９（ｂ）に示すＳＩＬ２の状態のチルトが負で表せる。図８のグラフにおいて、符号Ｃの部分が、チルトがゼロの状態を示している。

図１０は、当該チルトのラジアル方向及びタンジェンシャル方向を説明するためのディスク４７及び集光素子５の斜視図である。この図において、Ｘ方向が光ディスク４７のラジアル方向とした場合、Ｘ方向に直交するＹ方向がタンジェンシャル方向となる。この場合、タンジェンシャル方向のチルトとは、Ｘ軸の周りでのチルト角（Ｔｔ）であり、ラジアル方向のチルトとは、Ｙ軸の周りでのチルト角（Ｔｒ）である。

次に、光ディスク駆動装置１において、信号を記録または再生する前段階における動作について説明する。より具体的には、クリーニング動作、初期チルト調整動作、ギャップサーボ動作等について順に説明する。図１１は、その動作を示すフローチャートである。

ディスク４７が光ディスク駆動装置１に装填されると、レンズクリーニング機構６０によりＳＩＬ２がクリーニングされる（ステップ１１０１）。具体的には、例えば図１２（ａ）に示すようにテープ６１から離れた位置にあったＳＩＬ２が、図１２（ｂ）に示すようにテープ６１に接触してテープ６１が走行する。これにより、端面２ａに付着したダストが除去される。クリーニングが終了すると図１２（ｃ）に示すようにテープ６１からＳＩＬ２が離れ、ＳＩＬ２のクリーニング動作が終了する。

図１３（ａ）は、ＳＩＬ２の端面２ａがきれいな状態を示す図である。図１３（ｂ）は、ＳＩＬ端面２ａにダスト６９が付着している状態を示す図である。ダストが付着してない場合は、図１４（ａ）に示すようにＳＩＬ端面２ａをディスク４７の記録面４７ａに極限まで近づけた場合、あるいは接触させた場合、全反射戻り光量はほぼゼロとなる。しかし、図１３（ｂ）に示すように、ＳＩＬ端面２ａにダスト６９が付着している場合、図１４（ｂ）、（ｃ）に示すように、これ以上、ＳＩＬ２がディスク４７に近づくことができない状態となり、全反射戻り光量がゼロにならない。全反射戻り光量のグラフで見ると、図１５（ａ）で示すようになる。つまり、これ以上、ＳＩＬ２がディスク４７に近づくことができないにもかかわらず、例えば規格化レベル０．４Ｖの戻り光量が得られてしまう。これでは、図１５（ｂ）に示すように、ギャップ目標値７が、その接触電圧（０．４Ｖ）より下に設定されている場合（図７ではギャップ目標値が例えば０．５Ｖに設定されている。）、ギャップに比例した電圧が得られず、サーボシステムが不安定となり、ギャップサーボ時（後述のステップ１１０３）に発振してしまう。また、図１５（ｃ）に示すように、ギャップ目標値７が、上記接触電圧（０．４Ｖ）より上に設定されている場合、一応ギャップサーボはかかるものの、やはりギャップに比例した電圧が得られず、サーボにより維持されたギャップは信用できないものとなる。

図１６（ａ）は、全反射戻り光量２４が適切な全反射戻り光量が得られ、ギャップサーボ制御が可能となっている様子を示す。横軸は時間である。これは、ＳＩＬ２及びディスク４７間にダストがないきれいな状態を表している。図１６（ｂ）は、上記のようにＳＩＬ端面２ａに付着したダストの影響で、適切な全反射戻り光量が得られず、発振している様子を示す。

ＳＩＬ２のクリーニング動作が終了すると、集光素子５が図示しないスレッドモータにより、ディスク４７の半径方向に所定の位置まで移動させられる。所定の位置とは、ディスク４７の内周側または外周側でよく、次のステップ１１０２の初期チルト調整動作のために予め定められた位置でよい。このように所定の位置までＳＩＬ２が移動すると、次のように初期チルトが調整される（ステップ１１０２）。

図１７は、その初期チルト調整の動作を示すフローチャートである。なお、この動作では、後述するように、ＳＩＬ２をディスク４７に接近させ接触させるために、ギャップサーボ動作で用いる接近電圧が利用される。

まず、３軸アクチュエータ６にニアフィールドへの上記接近電圧が印加される（ステップ１７０１）。このときは、接近電圧が近接場検出レベル８（図７参照）となっても、スイッチ２６（図４参照）をＯＮとならないようにしておけばよい。このステップ１７０１における接近電圧としては、例えば、ギャップ目標値に対応する全反射戻り光量のレベル７、あるいはそれ以下等の電圧に設定すればよい。このように設定された接近電圧が３軸アクチュエータ６に印加され、ＳＩＬ２をディスク４７に接触させる（ステップ１７０２）。ＳＩＬ２の接触させるディスク４７上の位置を信号が記録されない領域にすることで、ディスク４７の信号記録面４７ａに傷を付けることなくチルト制御することができる。なお、このステップ１１０２のチルト調整時は、ディスク４７は回転せず、静止している。

ＳＩＬ２がディスク４７に接触した場合、全反射戻り光量がほぼゼロであるか否かを調べる（ステップ１７０３）。全反射戻り光量がほぼゼロであれば、チルトがない状態でＳＩＬ２とディスク４７とが接触している状態、つまりギャップがゼロであるので、全反射戻り光量はゼロとなる。しかし、ＳＩＬ２がディスク４７に接触している場合であっても、図９（ａ）または図９（ｂ）に示したようにチルトが生じている場合は、戻り光量を得るＳＩＬ２の中心部においては、ディスク４７とのギャップがゼロにならない。したがって、ＳＩＬ２が傾いている場合のギャップと全反射戻り光量との関係は、図１８に示すようになり、ギャップがゼロであっても全反射戻り光量がゼロにならない。よって、ギャップゼロ、つまりＳＩＬ２とディスク４７とが接触している場合に、全反射戻り光量がゼロになるか否かを調べれば、ＳＩＬ２がチルトしているか否かがわかる。そこで、ＳＩＬ２がチルトしている場合、上記全反射戻り光量がゼロになるようにＳＩＬ２のチルトが調整される。

また、チルト調整される前に、ステップ１１０１でレンズクリーニングされることは、上記のように、ＳＩＬ２とディスク４７とを接触させて適正な全反射戻り光量を得ながらチルト調整される、ということを考慮すると非常に有効なことである。つまり、レンズクリーニングされず、ダストがＳＩＬ２に付着している場合は、適切なチルト調整ができなくなる。

ステップ１７０３において、全反射戻り光量がゼロならば、ＳＩＬ２はディスク記録面４７ａに対して傾いていないことになり、ＳＩＬ２のチルト調整をする必要はない。したがって、この場合はステップ１７０１で印加した接近電圧をゼロに戻して（ステップ１７０９）、ＳＩＬ２のディスク４７から離間させファーフィールドにある初期位置に戻す。あるいは、初期位置に戻さずに、途中のギャップ目標値７のレベル付近まで印加電圧を下げるようにしてもよい。その後、後述する、図１１におけるステップ１１０３のギャップサーボが開始されるようにしてもよい。

図１７の説明に戻る。ステップ１７０３において全反射戻り光量がほぼゼロでない場合は、２方向のチルトのうち、例えば、まず、ラジアル方向のチルトが最小となるように調整する（ステップ１７０４）。このチルト調整は、全反射戻り光量の変化率がΔａより小さくなるまで行われる（ステップ１７０５）。ここで、全反射戻り光量の変化率とは、３軸アクチュエータ６に電圧が印加され、ＳＩＬ２の所定のチルト角度分傾斜する前と後との戻り光量の比率であり、極限的には図８で示した各チルト角における曲線の傾きである。この傾きがゼロであれば、ＳＩＬ２のチルトはゼロ（Ｃ点）になる。このチルト調整について、以下より詳しく説明する。

図１９は、ステップ１７０４及び１７０５の具体的な動作を示すフローチャートである。まず、収束パラメータＮをＮ＝０、移動ゲインｋをｋ＝１に設定する（ステップ１９０１）。図２０に示すように、移動ゲインｋは、ＳＩＬ２のチルトを調整していく際に、ＳＩＬ２を所定のチルト角度分傾斜させるときの１回当りの角度量である。図８のグラフ上では、移動ゲインｋは、横軸上での移動量となる。実際には、移動ゲインｋはチルトアクチュエータに印加される電圧等によっても表せる。収束パラメータＮとは、ＳＩＬ２のチルトを調整していく際に、後述するようにＣ点を通り過ぎるごとに、そのＣ点を通り過ぎた後にＳＩＬ２の極性を反転させる回数（カウント値）である。ここで、所定のチルト角度とは、例えば０．１°〜１０°のうちのいずれかの値とすればよいが、この範囲に限らず任意に設定が可能である。

収束パラメータＮ、移動ゲインｋが設定されると、その移動ゲインｋでＳＩＬ２を所定のチルト角度分傾斜させる（ステップ１９０２）。ここでは、図１７のステップ１７０４の説明をしているため、ラジアル方向であって、例えば図８及び図２０の矢印Ａの方向に傾斜させるものとする。ＳＩＬ２がＡ方向に傾斜し、全反射戻り光量が減少したならば（ステップ１９０３のＹＥＳ）、全反射戻り光量はＣ点に向かって収束しているので、チルト調整方向は正しいと推定され、次のステップへ進む。全反射戻り光量が増加したならば（ステップ１９０３のＮＯ）、チルト制御の極性を反転させ（ステップ１９０４）、今度は逆方向のＢ方向にチルト角を変更してチルト調整をしていく。

ステップ１９０３で全反射戻り光量が減少したならば、さらにＡ方向に上記移動ゲインｋでＳＩＬ２を傾斜させ（ステップ１９０５）、これにより全反射戻り光量が減少したならばさらに移動ゲインｋでＡ方向にチルト調整していき、全反射戻り光量がＣ点を越えて増加するまで傾斜させていく。そして全反射戻り光量が増加したら（ステップ１９０６のＹＥＳ）、収束パラメータＮを１インクリメントし、かつ、移動ゲインｋにα（<１）を乗じ、新たな収束パラメータＮ及び移動ゲインｋにセットする（ステップ１９０７）。その後、ＳＩＬ２の傾斜方向の極性を反転し（ステップ１９０８）、新たにセットされた移動ゲインｋで、Ｂ方向にＳＩＬ２を傾斜させる（ステップ１９０９）。Ｂ方向にＳＩＬ２を傾斜させた場合に、全反射戻り光量が減少していれば（ステップ１９１０のＮＯ）、チルト調整方向がチルト調整方向は正しいと推定され、さらに続けてＢ方向に移動ゲインｋでＳＩＬ２を傾斜させていく。逆に、全反射戻り光量が増加していれば（ステップ１９１０のＹＥＳ）、Ｃ点を通り越しているので、さらに収束パラメータＮを１インクリメントし、かつ、移動ゲインをｋにαを乗じて新たにセットし（ステップ１９１１）、移動方向の極性を反転する（ステップ１９１２）。そして、収束パラメータＮがＮ≧Ｘ（Ｘは任意に設定可能）となったら（ステップ１９１３のＹＥＳ）、チルト調整は終了する。図２１に、以上のようなチルト調整による全反射戻り光量の変化の様子を示す。図２１において、横軸は時間経過として見ることもできる。

このように、ステップ１９０３で全反射戻り光量が減少、つまり全反射戻り光量の変化率が負であることが検出されれば、ステップ１９０５でとりあえず次に同じ方向に傾斜させ、全反射戻り光量が減少したか増加したか、つまり全反射戻り光量の変化率の正負を検出すれば、チルトを傾斜させる方向の正誤が確認することができる。これによりチルトが小さくなる方向へ収束させていくことが可能となり、チルトの自動制御が可能となる。

図１７の説明に戻る。上述したようにステップ１７０５において、全反射戻り光量の変化率がΔａより小さくなった場合、ラジアルチルトの調整が終了する。ステップ１７０５では、例えば上述したように、Ｎ≧Ｘとなったときに全反射戻り光量の変化率がΔａより小さくなったものと推定することができる。あるいは、全反射戻り光量の変化率、つまり、直前の全反射戻り光量と、現在の全反射戻り光量との比を実際に算出することによってステップ１７０５の判断がなされてもよい。

以上のようなラジアルチルト調整の手法と同様な手法でタンジェンシャルチルトが調整される（ステップ１７０６及び１７０７）。なお、ラジアルチルト調整とタンジェンシャルチルト調整とは順序が逆であってもよい。

そして、最後に、全反射戻り光量がΔｃ以下であるか判断する（ステップ１７０８）。この場合、直前の全反射戻り光量と、現在の全反射戻り光量との比を実際に算出することによって判断される。上記所定の値Δａ（若しくは、タンジェンシャルチルト調整時の所定の値Δｂ）は、任意の値に設定可能であるが、調整を収束させるには略ゼロが望ましい値である。また、ステップ１７０８での所定の値Δｃは、ディスクメディアにより依存して決まる値である。ディスクメディアによりギャップゼロ、チルトがゼロでも、全反射戻り光量がゼロになるとは限らない。

ステップ１７０８において全反射戻り光量が所定の値Δｃ以下であれば、その後は、印加した接近電圧をゼロにすることで（ステップ１７０９）、ＳＩＬ２をディスク４７から引き離し、初期位置にＳＩＬ２を設定する。

以上のように、ディスク４７にＳＩＬ２が接触した状態でチルト調整されるので、確実にチルトをなくすことができる。これにより、その後に適切にギャップ制御することができる。

図１１の説明に戻る。上記のようにチルト調整が終了すると、ギャップサーボが開始される（ステップ１１０３）。具体的には、まず接近電圧生成部２３により接近電圧１４が印加され、近接場検出レベル８が検出されると、スイッチ２６がＯＮとされ偏差信号２５がサーボ電圧２７として３軸アクチュエータ６に出力される。これにより、ＳＩＬ端面２ａとディスク記録面４７ａとのギャップが、ギャップサーボ目標値７に一致するように制御される。ギャップサーボの方法は、他にもいろいろな方法が考えられる。例えば上記特許文献１のギャップサーボの方法が用いられてもよい。

このギャップサーボでは、ディスクの回転数が比較的低い回転数で回転される（ステップ１１０４）。その回転数は、信号の記録または再生時より低い回転数である。具体的には５０〜１０００ｒｐｍ、１００〜６００ｒｐｍ、または２００〜４００ｒｐｍである。例えば、ＳＩＬ２のみがクリーニングされているので、ディスク記録面４７ａにはダストが付着している可能性がある。記録面４７ａにダストが付着した状態でディスク４７が高速で回転してしまうと、ディスク４７上のダストにＳＩＬ２がぶつかることによって、ＳＩＬ２が傷ついたり、破壊されたりするおそれがある。しかしながら本実施の形態は、ディスク４７が低速回転することで、そのような問題を解決することができる。

このようなことを考えると、ＳＩＬ２及びディスク４７の両方のクリーニングが、ステップ１１０２のチルト調整前に行われるよう設定することも可能である。ただ、とりあえず、一方のみ、例えばＳＩＬ２をクリーニングして、チルト調整及びギャップサーボがなされる方が、両方がクリーニングされる場合に比べ、信号の記録または再生までの時間を短縮することができる。

例えばギャップサーボが開始されると、ディスク４７の最初の１回転において、所定の閾値Δよりギャップエラー信号２４（全反射戻り光量の検出電圧値（図７参照）の時間変化の信号）が、回数Ｎより小さいか否かが判断される（ステップ１１０５）。ディスク記録面４７ａにダストが付着している場合、ギャップエラー信号２４は、図２２に示すようになる。図２２によれば、ギャップエラー信号２４が１回転で２箇所でインパルス状に変化している（符号Ｄで示す）。これは、ディスク記録面４７ａにダストが２箇所存在し、その箇所で、ＳＩＬ２がダストにぶつかるために起こる現象である。または、サーボによりＳＩＬ２がディスク４７にぶつからないように動作していることを意味している。このインパルスの大きさは、ダストの大きさに対応している。

そこで、ステップ１１０５では、図２３に示すように閾値＋Δ、−Δを設定し、この閾値＋Δ、−Δを超えるギャップエラーが測定される。図２３では、例えば１回転中に５回測定されている。当該1回転中のパルス数が、所定の回数Ｎより小さい場合は、特に問題ないと判断され、所定の回転数、例えば６０Ｈｚでディスク４７が回転する（ステップ１１０６）。このＮは設計によって決まり、任意の数でよい。また、ディスク４７の回転数も６０Ｈｚに限らず、これより大きくてもよいし、小さくてもよく、信号の記録または再生時の回転数（その整数倍速の回転数等も含む。）でよい。ただし、上記ステップ１１０４における回転数より大きくしている。極力記録または再生時の回転数でギャップエラーを測定することが目的だからである。

そして、当該所定のディスク回転数に達してから、または、その回転数まで加速している途中で、ギャップエラー信号２４が所定の閾値γより小さい場合は（ステップ１１０７のＹＥＳ）、ディスク４７に近接場光を用いて信号が記録または再生される（ステップ１１０８）。そうでない場合（ステップ１１０７のＮＯ）、つまり、ギャップエラー信号２４が、図２４のようになっている場合には、メディアのダストや、チルトは特に問題ないものの、ディスク４７の初期の面ぶれ量が大きく、サーボにより追従できないことを示している。この場合には、取れ残りエラーが増大し、ＳＩＬ端面２ａがディスクに衝突する可能性が高くなる。この場合、記録または再生を停止する。

ディスク１回転中のギャップエラー信号に生じるインパルスがＮ回以上である場合は（ステップ１１０５のＮＯ）、ディスクが汚染されている可能性があるため、ディスク４７の回転を停止させる（ステップ１１０９）。ディスク４７が停止すると、今まで少なくともＳＩＬ２があったディスク４７上の半径位置においてディスク記録面４７ａが、ディスククリーニング機構８０によりクリーニングされる（ステップ１１１０）。具体的には、クリーニング部材８２が上昇移動して、ディスク記録面４７ａに接触し、ディスク４７を少なくとも１回転させる。前述したように、ディスククリーニング機構８０のクリーニング部材８２はディスク４７の半径程度の長さでなる。したがって、例えば図２５に示すように、ディスク４７が回転するだけで、ダスト６９を除去することができる。

ディスク４７に付着したダスト６９が除去されると、ディスク４７の回転が停止し、ＳＩＬ２を再び記録面４７ａに接触させる（ステップ１１１１）。このときの全反射戻り光量による電圧が、つまり、ギャップがゼロであると推定された場合の電圧（以下、接触電圧という。）が、図２６に示すように、所定の電圧αより大きい場合は（ステップ１１１２のＮＯ）、ダストがＳＩＬに衝突することにより、ディスク−ＳＩＬ間にチルトが生じたと判断する。この場合、レンズクリーニングからやり直す。

逆に、上記接触電圧が、図１０のように所定の電圧αより小さい場合は、ダストがＳＩＬ２に衝突しても、ＳＩＬ２及びディスク４７間に深刻がチルトが生じていないと判断し、ギャップサーボからやり直す。

なお、上記ステップ１１０５、ステップ１１０７、ステップ１１１２等は、例えば光ディスク駆動装置１の図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）や、システムコントローラ２０等により判断されればよい。

以上のように、本実施の形態に係る光ディスク駆動装置１は、接触式のレンズクリーニング機構６０及びディスククリーニング機構８０を備えているので、従来に比べダストが除去されやすくなる。これにより、適切にギャップサーボ制御や初期チルト調整することができる。また、これら以外にも、もちろん、適切にトラッキングサーボ制御、チルトサーボ制御等することができる。

図２７は、他の実施の形態に係るレンズクリーニング機構の一部を示す平面図である。このレンズクリーニング機構には、ＳＩＬ端面２ａの直径より十分に幅の広いテープ１６１が備えられている。この場合、テープ１６１は固定で、ＳＩＬ２がテープ１６１に接触して、例えばトラッキング方向Ｔに移動し、あるいは往復移動しながらクリーニングされる。しかし、これに加え、テープ１６１は固定に限らず、矢印Ｕの方向で走行するようにしてもよい。

図２８は、他の実施の形態に係るディスククリーニング機構の一部を示す平面図である。このディスククリーニング機構には、ディスク４７の半径より短いクリーニング部材１８２が備えられている。クリーニング部材１８２の長さは、例えばディスク４７の１／４〜１／６程度の長さとすればよい。また、図示しない駆動機構によって、クリーニング部材１８２は、半径方向（トラッキング方向）に移動可能に構成されている。これにより、例えばディスク４７を回転させながら、クリーニング部材１８２がトラッキング方向に移動しながらディスク記録面４７ａに接触してクリーニングされる。

図２９は、他の実施の形態に係るレンズクリーニングの方法を示すフローチャートである。なお、図２９に示す方法は、図１１に示すステップ１１０１におけるレンズクリーニング処理で用いられてもよいが、これに限られるものではなく、レンズクリーニング方法の１つとして例を挙げているに過ぎない。

このレンズクリーニング時には、ディスク４７は静止しているものとする。例えば、上記の図２６に示すように、ＳＩＬ２をディスク４７に接触させたときの全反射戻り光量と閾値αとが比較される（ステップ２９０１）。全反射戻り光量がαより小さい場合は、ＳＩＬ２にダストが付着していないと判断され、レンズクリーニング処理は終了する。全反射戻り光量がαより大きい場合は、ＳＩＬ２にダストが付着している判断し、レンズクリーニング処理を行う。

例えば、レンズクリーニング機構として、上述のようなテープ型のものが用いられる場合、テープの残量がない場合（ステップ２９０２のＮＯ）、テープクリーナ交換が必要であり（ステップ２９０３）、クリーニング処理が行われない。ステップ２９０２で、テープ残量がある場合は、図１２（ｂ）に示したように、ＳＩＬ端面２ａが押し付けられ（ステップ２９０４）、テープが走行することで端面２ａがクリーニングされる（ステップ２９０５）。そして図１２（ｃ）に示したように、ＳＩＬ２がテープ６１から離れ、この後、テープを少し動かす。これにより、次回、ＳＩＬ端面２ａがテープに接触するときに、きれいな面で接触させることができる。

なお、このクリーニング方法に用いられるテープ型クリーニング機構としては、もちろん図２７に示した形態も含まれる。

図３０は、例えばレンズクリーニング機構６０は用いられずに、ディスククリーニング機構８０のみが用いられる場合のギャップサーボの他の例を示すフローチャートである。なお、ここでのディスククリーニングの方法は、図１１に示すステップ１１１０におけるディスククリーニング処理で用いられてもよいが、これに限られるものではなく、ディスククリーニング方法の１つとして例を挙げているに過ぎない。

まず、ディスク記録面４７ａに付着したダストをある程度吹き飛ばすため、ディスク４７を回転させる（ステップ３００１）。所定時間回転させた後、クリーニング部材８２がディスク記録面４７ａに接触する（ステップ３００２）。クリーニング部材８２が接触後、ディスクをＮ回、回転させる（ステップ３００３）。Ｎについては実験的に定め、Ｎ≧１以上である。Ｎ回転後、ディスクを静止させ（ステップ３００４）、ギャップサーボを開始し（ステップ３００５）、ＳＩＬ２とディスク４７のギャップが所定のギャップになった後、ディスクを回転させる（ステップ３００６）。ここで、ギャップサーボが開始された時点では、ディスクが回転してないので、たとえディスク上のダストが完全に除去されず残っていたとしても、ＳＩＬがダストに衝突する可能性を低減することができる。

ギャップサーボがかかった後、ギャップエラー信号が観察され、図１６（ａ）に示すように適切な信号が得られれば（ステップ３００７のＮＯ）、信号が記録または再生される（ステップ３００８）。一方、ギャップエラー信号が図２２に示したようであれば（ステップ３００７のＹＥＳ）、ダストが存在すると判断し、ステップ３００２からやり直す。

本発明は以上説明した実施の形態には限定されるものではなく、種々の変形が可能である。

例えば、初期チルト調整の方法については、図１７及び図１９等で説明した方法に限られない。例えば、光ディスク駆動装置１が、図１に示すＬＤ３１の他に、チルト角検出用の別のレーザ光源及びフォトディテクタを備えていてもよい。この場合、そのフォトディテクタの検出信号に基づいて初期チルト調整され、またはリアルタイムのチルト制御される。

上記実施の形態では、レンズクリーニング機構６０及びディスククリーニング機構８０の両方が設けられる構成とした。しかし、両者のうちいずれか一方が設けられる構成であってもよい。例えば、ディスク４７がカートリッジ式である場合、ディスク４７にダストが付着することもほとんどないので、レンズクリーナのみが設けられていればよい。あるいは、レンズクリーニング機構６０がなく、ディスククリーニング機構８０のみが設けられていてもよい。

本発明の一実施の形態に係る光ディスク駆動装置の構成を示す図である。 集光素子と光ディスクとを示した側面図である。 光ディスク駆動装置の一部を示す側面図である。 図３に示す光ディスク駆動装置１の下側から見た平面図である。 上記ギャップサーボモジュールの概要を示すブロック図である。 データ処理部の詳細を示すブロック図である。 ギャップと全反射戻り光量との関係を示すグラフである。 チルト角と全反射戻り光量との関係を示すグラフである。 チルトを説明するためのディスク及び集光素子を示す図であり、（ａ）は正のチルト、（ｂ）は負のチルトを定義している。 チルトの方向を説明するためのディスク及び集光素子の斜視図である。 クリーニング、初期チルト調整、ギャップサーボ等の動作を示すフローチャートである。 テープクリーニング機構の動作を順に示す図である。 （ａ）は、ＳＩＬ端面がきれいな状態、（ｂ）は、ＳＩＬ端面にダストが付着している状態を示す図である。 （ａ）は、ＳＩＬが正常な状態で接触した場合、（ｂ）は、ダストがある場合、（ｃ）はダストがあり、チルトがある場合を示す図である。 それぞれ、ダストがある場合のギャップと全反射戻り光量との関係を示すグラフである。 （ａ）は、ギャップエラー信号（全反射戻り光量）が正常な状態、（ｂ）は発振する場合を示すグラフである。 初期チルト調整の動作を示すフローチャートである。 ギャップがゼロであっても全反射戻り光量がゼロにならない様子を示すグラフである。 図１７におけるステップ１７０４及び１７０５の具体的な動作を示すフローチャートである。 ＳＩＬの傾斜の方向及び移動ゲインｋを説明するための図である。 チルト調整による全反射戻り光量の変化の様子を示す図である。 ディスク記録面にダストが付着している場合のギャップエラー信号を示すグラフである。 図２２において、例えばディスク１回転で閾値を超えるパルスが５回測定された例を示すグラフである。 ギャップエラー信号２４が所定の閾値より大きい場合の例を示すグラフである。 ディスククリーニング機構の動作を説明するための図である。 全反射戻り光量が所定の電圧αより大きい、または小さい場合を示すグラフである。 他の実施の形態に係るレンズクリーニング機構の一部を示す平面図である。 他の実施の形態に係るディスククリーニング機構の一部を示す平面図である。 他の実施の形態に係るレンズクリーニングの方法を示すフローチャートである。 例えばレンズクリーニング機構は用いられずに、ディスククリーニング機構のみが用いられる場合のギャップサーボの他の例を示すフローチャートである。

符号の説明

１…光ディスク駆動装置
２…ＳＩＬ
５…集光素子
１０…データ処理部
１４…接近電圧
１５、２７…サーボ電圧
２０…システムコントローラ
２４…全反射戻り光量
３１…レーザダイオード
４０…サーボ制御系
４７…光ディスク
４７ａ…信号記録面
５１…ギャップサーボモジュール
５３…チルトサーボモジュール
５４…スピンドルサーボモジュール
６０…レンズクリーニング機構
６１、１６１…テープ
６９…ダスト
８０…ディスククリーニング機構
８２、１８２…クリーニング部材
１８２…クリーニング部材

Claims (16)

1. 光を出射する光源と、
   信号を記録可能な記録面を有するディスクを回転させる回転機構と、
   前記ディスクに対向して配置され、前記光源から出射された前記光を近接場光として、前記回転するディスクの前記記録面に集光させることが可能な集光素子と、
   前記記録面及び前記集光素子に接触して当該記録面及び集光素子のうち少なくとも一方をクリーニングする接触式のクリーニング機構と
   を具備することを特徴とする光ディスク駆動装置。
2. 請求項１に記載の光ディスク駆動装置であって、
   前記集光素子と前記ディスクとのギャップを検出するギャップ検出手段と、
   前記クリーニング機構により前記記録面及び前記集光素子のうち少なくとも一方がクリーニングされた後、前記ギャップ検出手段による検出信号に基づき、前記集光素子と前記回転するディスクとのギャップが一定となるように制御するギャップ制御手段と
   をさらに具備することを特徴とする光ディスク駆動装置。
3. 請求項２に記載の光ディスク駆動装置であって、
   前記ギャップ制御手段は、
   前記回転機構により第１の回転数で前記ディスクを回転させながら前記ギャップを制御する第１の制御手段と、
   前記第１の制御手段による制御の後、前記第１の回転数より高い第２の回転数で前記ディスクを回転させながら前記ギャップを制御する第２の制御手段と
   を有することを特徴とする光ディスク駆動装置。
4. 請求項３に記載の光ディスク駆動装置であって、
   前記ギャップ検出手段は、前記光源から出射された前記光の前記ディスクからの戻り光量を検出し、
   前記第１の制御手段は、前記ディスクが少なくとも１回転する間に前記戻り光量が所定の閾値を超える回数を測定し、前記測定された回数が所定の回数閾値より少ない場合、前記第２の制御手段に移行するように制御することを特徴とする光ディスク駆動装置。
5. 請求項１に記載の光ディスク駆動装置であって、
   前記クリーニング機構により前記記録面及び前記集光素子のうち少なくとも一方がクリーニングされた後、前記記録面に対する前記集光素子のチルトが一定となるように制御するチルト制御手段をさらに具備することを特徴とする光ディスク駆動装置。
6. 請求項５に記載の光ディスク駆動装置であって、
   前記チルト制御手段は、前記ディスクが回転していないときに前記集光素子を前記ディスクに接触させた状態で、前記集光素子を動かしながら前記チルトを調整する調整手段を有することを特徴とする光ディスク駆動装置。
7. 請求項１に記載の光ディスク駆動装置であって、
   前記クリーニング機構は、
   前記集光素子に接触するクリーニングテープを有し、前記クリーニングテープを該集光素子に接触させながら相対的に移動させてクリーニングする集光素子クリーニング機構を有することを特徴とする光ディスク駆動装置。
8. 請求項１に記載の光ディスク駆動装置であって、
   前記クリーニング機構は、前記記録面に接触させながら前記ディスクに相対的に移動してクリーニングするディスククリーニング機構を有することを特徴とする光ディスク駆動装置。
9. 光を出射する光源と、
   信号を記録可能な記録面を有するディスクを回転させる回転機構と、
   前記ディスクに対向して配置され、前記光源から出射された前記光を近接場光として、前記回転するディスクの前記記録面に集光させることが可能な集光素子と、
   前記記録面及び前記集光素子に接触して当該記録面及び集光素子のうち少なくとも一方をクリーニングする接触式のクリーニング機構と、
   前記ディスクに前記信号を記録すること及び前記記録された信号を再生することのうち少なくとも一方が可能な記録／再生機構と
   を具備することを特徴とする光ディスク装置。
10. 信号を記録可能なディスクの記録面及び光源から出射された光を近接場光として前記記録面に集光する集光素子のうち少なくとも一方を接触式でクリーニングするステップと、
    前記クリーニングの後、前記ディスクを回転駆動するステップと、
    前記ディスクを回転させながら、前記集光素子と前記ディスクとのギャップが一定となるように制御するステップと
    を具備することを特徴とする光ディスク駆動装置の駆動方法。
11. 請求項１０に記載の光ディスク駆動装置の駆動方法であって、
    前記ギャップを制御するステップは、
    前記集光素子と前記回転するディスクとのギャップを検出するステップと、
    前記ギャップが前記一定となるように制御するステップと
    を有することを特徴とする光ディスク駆動装置の駆動方法。
12. 請求項１１に記載の光ディスク駆動装置の駆動方法であって、
    前記ギャップを制御するステップは、
    第１の回転数で前記ディスクを回転させながら前記ギャップを制御するステップと、
    前記第１の回転数でのギャップ制御の後、前記第１の回転数より高い第２の回転数で前記ディスクを回転させながら前記ギャップを制御するステップと
    を有することを特徴とする光ディスク駆動装置の駆動方法。
13. 請求項１２に記載の光ディスク駆動装置の駆動方法であって、
    前記ギャップを制御するステップは、
    前記光源から出射された前記光の前記ディスクからの戻り光量を検出することで前記ギャップを検出するステップと、
    前記第１の回転数で前記ディスクを回転させながら、前記ディスクが少なくとも１回転する間に前記戻り光量が所定の閾値を超える回数に基づき制御するステップと、
    前記第２の回転数で前記ディスクを回転させながら、前記戻り光量に基づき、前記光が近接場光として前記記録面に集光されるように制御するステップと
    を有することを特徴とする光ディスク駆動装置の駆動方法。
14. 請求項１０に記載の光ディスク駆動装置の駆動方法であって、
    前記クリーニングの後、前記記録面に対する前記集光素子のチルトが一定となるように制御するステップをさらに具備することを特徴とする光ディスク駆動装置の駆動方法。
15. 請求項１４に記載の光ディスク駆動装置の駆動方法であって、
    前記チルトを制御するステップは、
    前記ディスクが回転していないときに前記集光素子を前記ディスクに接触させるステップと、
    前記集光素子が前記ディスクに接触した状態で、前記集光素子を動かしながら前記チルトを調整するステップと
    を有することを特徴とする光ディスク駆動装置の駆動方法。
16. 請求項１５に記載の光ディスク駆動装置の駆動方法であって、
    前記クリーニングするステップは、前記記録面及び前記集光素子のうち、少なくとも集光素子をクリーニングすることを特徴とする光ディスク駆動装置の駆動方法。

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