JP2008084469A - 光ディスク装置及びその制御方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】光ディスクの信号記録面の全体に亘って良好にギャップサーボを行うことのできるニアフィールド方式の光ディスク装置を提供する。
【解決手段】光ディスク上の複数の半径位置でのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量とディスク/集光素子間距離を測定し、これらの測定データ123を測定データテーブル120に登録し、この登録された測定データ123をもとに、ディスク上の半径位置ごとに、チルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行う。
【選択図】 図20
【解決手段】光ディスク上の複数の半径位置でのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量とディスク/集光素子間距離を測定し、これらの測定データ123を測定データテーブル120に登録し、この登録された測定データ123をもとに、ディスク上の半径位置ごとに、チルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行う。
【選択図】 図20
Description
本発明は、ディスク状の記録媒体に信号を記録すること及び記録された信号を再生することのうち少なくとも一方を行う光ディスク装置、及びこの光ディスク装置の制御方法に関する。
従来、CD(Compact Disc)、DVD(Digital Versatile Disc)、BD(Blu-ray Disc(登録商標))等の光ディスク(以下、単にディスクという。)に信号を記録し、または記録された信号を再生する光ディスク装置がある。
最近では、近接場光を利用して信号を記録または再生する光ディスク装置の開発が進められている。この近接場光を利用した光ディスク装置は、SIL(Solid Immersion Lens)などの集光素子の端面とディスクの信号記録面との距離であるギャップ長を近接場光が生じる距離に制御して信号を記録または再生する方式である。この近接場光を用いた方式はニアフィールド方式と呼ばれ、記録密度の更なる向上による記録容量の増大が可能とされている。このように集光素子の端面とディスクの信号記録面との距離を近接場光が生じる目標の距離に制御することはギャップサーボと呼ばれる。
ニアフィールド方式において、近接場光が生じる距離は、一般にレーザ光の波長の1/2以下とされ、例えば波長400nm程度のレーザ光を用いた場合、200nm以下、実際には100nm以下に制御される必要がある。このように集光素子の端面がディスクの信号記録面に対して近接場光が生じる距離内にある状態はニアフィールド状態と呼ばれる。
ニアフィールド状態では、集光素子の端面に臨界角以上の角度で入力したレーザ光の一部は、集光素子の端面をつきぬけてディスクの記録面に達する。このため戻り光量は、集光素子の端面が光ディスクの記録面に近づくほど指数関数的に減少し、両者が接触した状態においてはゼロとなる。一方、ギャップ距離が波長の1/2より大きい状態であるファーフィールド状態においては、集光素子の端面に臨界角以上の角度で入力したレーザ光は全て反射されて戻り光となるため戻り光量は一定となる。したがって、ニアフィールド状態にあれば、戻り光量の検出信号を集光素子のアクチュエータにフィードバックすることによってギャップの制御であるギャップサーボが行われる。
ところで、ニアフィールド方式の光ディスク装置では、集光素子の端面とディスクの信号記録面との傾きであるチルトをなくすことが重要である。これは、チルトがあると、集光素子の端面の縁の角部がディスクの信号記録面に接触する危険が増し、ディスクの信号記録面を傷つけるおそれがあるためである。また、チルトが発生していると、集光素子の端面とディスクの信号記録面とが接触した状態においても戻り光量がゼロにならず、ギャップサーボを正しく実行することができないおそれがある。
チルトをなくすための方式として、集光素子の端面をディスクの面と接触させたときの戻り光量を検出して、この戻り光量がゼロとなるようにラジアル方向とタンジェンシャル方向のチルトを調整する方式が提案されている(例えば特許文献1を参照。)。
特開2005−259329号公報(段落0047)
しかしながら、図17に示すように、たとえばポリカーボネート製基板を用いたディスクDの反りの角度は半径位置が外周に行くほど大きくなるものの、この点を考慮したより高精度なチルト制御の仕組みは実現されていなかった。特許文献1に記載された提案は、ディスクの信号記録領域以外の領域に決められた特定の場所に集光素子の端面を接触させ、このときの戻り光量を検出することによって、ラジアル方向とタンジェンシャル方向のチルトを調整するものである。すなわち、ディスクの一つの半径位置で測定されたラジアル方向とタンジェンシャル方向のチルト量を、当該ディスクの全般のチルト量として調整を行うものである。したがって、反りが発生しやすいポリカーボネート製基板を用いたディスクでは、チルト調整を高精度に行うことは困難であった。
また、特許文献1に記載された提案では、ディスクがローディングされる度に、そのディスクのチルト量を測定してチルトを調整してからそのディスクに対する信号の記録または再生が開始されるので、そのディスクに対して、必要な信号の記録または再生が完了するまでの時間が平均して長くかかってしまう。このため特に、頻繁にディスクが交換されるような場合には、ディスクに対するアクセス速度の低下が目立つようになるおそれがあった。
さらに、ニアフィールド方式の光ディスク装置では、集光素子の端面とディスクの信号記録面との初期の距離が、接近電圧信号による集光素子の接近動作を経てギャップサーボが正常に機能するような範囲に確保されている必要がある。この初期の距離が短すぎると、接近電圧信号が最終電圧値に達する以前にギャップサーボがオンになり、接近電圧信号による集光素子の接近動作中にギャップサーボによる同一方向への加速度が加わり、集光素子の端面がディスクに衝突する危険がある。逆に、その初期の距離が長すぎると、ギャップサーボが開始された時点でも集光素子の端面がファーフィールドにあるままとなってギャップサーボがかからないおそれがある。
以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、ニアフィールド方式の光ディスク装置において、ディスクの信号記録面の全体に亘って良好にギャップサーボを行うことのできる光ディスク装置及びその制御方法を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明に係る光ディスク装置は、光源から出射された光を近接場光として光ディスクの信号記録面に集光する集光素子と、光ディスク上の複数の半径位置での光ディスクの信号記録面に対する集光素子のチルト量を測定し、この測定データをもとに光ディスクの半径位置ごとにチルトを制御する制御部とを具備する。
この発明によれば、光ディスク上の複数の半径位置でのチルト量を測定し、これらの測定データをもとに、光ディスク上の半径位置ごとにチルトの制御を行うことによって、光ディスクがいかなる状態で反っていても、光ディスクの信号記録面の全域に亘ってギャップサーボを良好に行うことができる。
また、本発明は、光ディスクごとの測定データを記録する測定データ記録部をさらに具備し、制御部は、交換された光ディスクに関する測定データの測定データ記録部内での有無を判断し、該当する測定データをもとに光ディスクのチルトを制御するものであってもよい。この発明により、過去にチルト量の測定が行われた光ディスクについては、チルト量の測定をスキップして速やかにその光ディスクに対する信号の記録または再生を開始することができる。
さらに、本発明において、制御部は、測定データ記録部に記録された測定データの有効期限を管理し、有効期限切れの測定データを無効化することとしてもよい。有効期限が切れている場合には、その有効期限が切れた測定データを無効とし、改めてチルト量の測定を行って測定データ記録部への再登録を行うことによって、チルト制御の信頼性を確保することができる。
さらに、本発明は、集光素子を搭載するアクチュエータと、アクチュエータを傾動させる機構をさらに具備し、制御部は、その機構を駆動してチルトを制御することとしてもよい。
さらに、本発明は、集光素子からの全反射戻り光量を検出する光検出部と、光検出部により検出された全反射戻り光量をもとに、集光素子を近接場光が生じない初期の位置から近接場光が生じる位置まで光軸方向に移動させるようにアクチュエータを駆動するサーボ部とをさらに具備し、制御部は、光ディスク上の複数の半径位置での光ディスクの信号記録面と初期の位置にある集光素子との距離を測定し、この測定データをもとに光ディスクの半径位置ごとに集光素子の初期の位置を制御することとしてもよい。
光ディスク上の複数の半径位置でのチルト量に加え、光ディスクの信号記録面と初期の位置にある集光素子との距離を測定し、これらの測定データをもとに、光ディスク上の半径位置ごとに集光素子の初期の位置の制御を行うことによって、光ディスクの信号記録面と初期の位置にある集光素子との距離が短すぎるために接近電圧信号による集光素子の接近動作中に集光素子が光ディスクに衝突したり、逆に、その初期の距離が長すぎるためにギャップサーボが開始された時点でも集光素子の端面がファーフィールドにあるままとなってギャップサーボがかからないことを回避することができる。
以上のように、本発明によれば、ニアフィールド方式の光ディスク装置において、光ディスクの信号記録面の全体に亘って良好にギャップサーボを行うことができる。
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
図1は本発明の一実施の形態に係る光ディスク装置10の外観を示す斜視図である。図2は図1に示す光ディスク装置10の内部構造を示す斜視図である。なお、図2において、電気回路基板や配線、その他本発明に関係のない機構等は図示を省略している。
光ディスク装置10は筐体5を有している。筐体5は、この筐体5の底部をなすベースプレート1と、このベースプレート1の上にY軸方向に対向して配置されたフロントパネル2及びバックパネル3と、ベースプレート1、フロントパネル2及びバックパネル3の三方の面以外の面を覆う外部カバー4とにより構成されている。フロントパネル2には、光ディスク(以下「ディスク」と呼ぶ。)Dを収納したディスクカートリッジ41を出し入れ可能な開口部9aを有するスロット9が設けられている。スロット9には、開口部9aを開閉するスロット扉6が設けられている。このスロット扉6は、ディスクカートリッジ41の出し入れを行う時にだけスロット9の開口部9aを開放し、その他の時は閉鎖されるように、図示しないスロット扉開閉機構によって開閉操作される。
図2に示すように、筐体5内には記録再生ユニット15が配置されている。記録再生ユニット15は、ベースプレート1の上にフローティング支持されたインナーベース22上に搭載されている。図3はベースプレート1とインナーベース22とを示す側面図である。同図に示すように、インナーベース22はベースプレート1上に緩衝部品である複数のダンパ30を介して支持されている。ダンパ30は、例えば、樹脂製やゴム製のもの等が用いられる。これにより筐体5に加えられた外部からの振動の大半はダンパ30により吸収され、インナーベース22上の記録再生ユニット15に振動が伝わりにくくなることで、サーボ動作が適切に行われ、安定的に信号を記録または再生することができる。
次に、図2、図7及び図8を参照して、記録再生ユニット15の構成について説明する。図7はインナーベース22上の記録再生ユニット15を示す斜視図、図8は図7をX1方向から見た側面図である。これらの図に示すように、記録再生ユニット15は、ディスクカートリッジ41内のディスクDをディスクカートリッジ41内に設けられたチャッキングプレート(図示せず)との間で保持するクランプ部17と、クランプ部17を駆動する動力源であるスピンドルモータ18と、クランプ部17に保持された状態で回転するディスクDの信号記録面にレーザ光を照射して信号の記録または再生のうち少なくとも一方が可能な光ピックアップ11などを含む光学系ユニット8(図9参照)とを備えている。光ピックアップ11は、対物レンズ等の集光素子を搭載した2軸アクチュエータ7と、光源、光検出器、レンズ系等で構成される光学系とを備えている。なお、光学系はカバー部材19により覆われている。
光学系ユニット8には、ディスクDの信号記録面に対して光ピックアップ11に搭載された集光素子26のチルト角を調整するチルト制御機構であるラジアルチルト制御機構70及びタンジェンシャルチルト制御機構80(図9参照)と、ディスクDの信号記録面に対する集光素子26の端面26bの高さ方向(Z軸方向)の位置を調整する光学系ユニット高さ制御機構90(図8参照)などが設けられている。これらラジアルチルト制御機構70、タンジェンシャルチルト制御機構80及び光学系ユニット高さ制御機構90については後で説明する。
図4は2軸アクチュエータ7を示す斜視図である。同図に示すように、2軸アクチュエータ7はベース部材25を有する。このベース部材25の上に、複数のワイヤ28のそれぞれの一端を支持するワイヤ支持台29と、それら複数のワイヤ28の他端を支持するボビン24とが載置されている。ボビン24には、トラッキングコイル31及びフォーカシングコイル32がそれぞれ所定の方向に巻回され装着されている。また、ボビン24には集光素子26を保持する対物レンズホルダ23が搭載されている。さらに、ボビン24は、トラッキング方向(Y軸方向)及びフォーカシング方向(Z軸方向)に移動が可能なようにベース部材25の上に支持されている。ベース部材25の先端及びほぼ中央にはマグネット27,27がそれぞれ配置され、これらのマグネット27,27が磁界を発生する。
ベース部材25は、例えば磁性材料等からなる。このベース部材25には、各マグネット27,27がそれぞれ取り付けられる2つのマグネット取り付け部25a,25aと、ボビン24にZ軸方向に貫通して設けられた穴24a,24aに挿通されるように立設された2つの片部25b,25bが設けられ、これらマグネット取り付け部25a,25a及び片部25b,25bも、例えば磁性材料等からなる。すなわち、これらマグネット取り付け部25a,25a及び片部25b,25bとマグネット27,27とから磁気回路が構成される。このように構成された2軸アクチュエータ7においては、トラッキングコイル31及びフォーカシングコイル32に電流が供給されることによって、集光素子26のトラッキング方向(Y軸方向)及びフォーカシング方向(Z軸方向)にそれぞれ駆動される。
なお、2軸アクチュエータ7ではなく、その2軸方向に、チルト方向(X−Y平面に対する集光素子26またはディスクDの信号記録面の傾き)の軸をさらに加えた3軸アクチュエータを用いてもかまわない。
光ピックアップ11が備える図示しない光源としては、例えば波長が400nm程度のレーザ光を出射する光源が用いられるが、ディスクの種類に応じて適宜設計の変更が可能である。
また、この実施形態の光ディスク装置10は、近接場光を利用して信号を記録または再生するものであることから、光ピックアップ11の光学系8における集光素子26としては、NA(Numerical Aperture)が1以上のものが用いられている。
図5は、光ピックアップ11の光学系8に採用された集光素子26を示す斜視図である。同図に示すように、集光素子26は、例えばSIL(Solid Immersion Lens)であり、直径が0.8〜1.0mm程度の球体の一部の形状をなしている。集光素子26の上部26aは円錐形とされ、その円錐の頂点は、直径が例えば数十μmの小さな平面をなす。この円錐の頂点の平面がディスクDの信号記録面に対面する、集光素子26の端面26bとなる。図6はその集光素子26の端面26bを拡大して示す斜視図である。この集光素子26の端面26bとディスクDの信号記録面との距離が本実施の形態でいう「ギャップ」である。
図2、図7及び図8に戻って記録再生ユニット15の説明を続ける。記録再生ユニット15において、スピンドルモータ18は、インナーベース22上に設けられた軸保持部16a,16aに両端が保持された2本のガイド軸16,16にY軸方向に進退自在に支持された可動ベースフレーム48の上に傾き調整ゴニオ40などを介して搭載されている。傾き調整ゴニオ40は、クランプ部17及びスピンドルモータ18のX軸方向及びY軸方向の傾きを微調整するための手段である。
可動ベースフレーム48は、スレッドモータ(図示せず)の動力によって、2本のガイド軸16,16に沿ってY軸方向に移動し得るようになっている。また、可動ベースフレーム48には、ディスクカートリッジ41(図1参照)をY軸方向に案内するローディングガイド21,21(図2参照)が設けられている。ディスクカートリッジ41がスロット9の開口部9aより挿入されたとき、図示しないローディング機構がディスクカートリッジ41を保持し、上記のローディングガイド21,21に沿ってクランプ部17によってクランプ可能な位置まで搬送する。このとき、可動ベースフレーム48は、図示しないスレッドモータによってスロット9の近傍に位置していてもよい。ローディング機構は、図示しない駆動源によって可動ベースフレーム48とは別体で移動するようになっている。ローディング機構は、例えば、ディスクカートリッジ41のX軸方向の両側から挟持するようなアームタイプの機構により実現される。なお、アームタイプに限らず、ディスクカートリッジ41の表裏対向する主面をZ軸方向から挟持する送りローラタイプの機構であってもよい。
また、この実施形態では、ディスクDをディスクカートリッジ41(図1参照)内に収納しつつローディングする構成としたが、ディスクDをディスクトレイに搭載してローディングを行うように構成されていてもよい。
さらに、インナーベース22上には、記録または再生時の光ピックアップ11のスレッド動作によるディスクDの位置を検出するために可動ベースフレーム48の移動位置を検出する位置センサ12(図2参照)が取り付けられている。位置センサ12は、ガイドレール13に支持され、Y軸方向に移動自在とされている。さらに、可動ベースフレーム48には、フロントパネル2の開口部9より挿入されたディスクカートリッジ41を挿通可能な開口部を有するパネル44が固定されている。
ディスクDとしては、例えば近接場光により信号の記録または再生が行われるディスクが用いられる。近接場光を利用する場合、80GB(ギガバイト)/平方インチ、またはそれ以上という記録密度が達成される。
次に、図7、図8及び図9を参照して、ラジアルチルト制御機構70、タンジェンシャルチルト制御機構80及び光学系ユニット高さ制御機構90について説明する。図9は図7からクランプ部17、スピンドルモータ18などを省いて光学系ユニット9、ラジアルチルト制御機構70及びタンジェンシャルチルト制御機構80を示した斜視図である。
ラジアルチルト制御機構70は、ステッピングモータ71を有している。このステッピングモータ71の図示しない回転軸には、図示しないギアなどの伝達機構を介してラジアルチルト用傾動ステージ台座73が連結されている。このラジアルチルト用傾動ステージ台座73の上面には曲率面73aが設けられている。このラジアルチルト用傾動ステージ台座73の曲率面73aの上にはラジアルチルト用傾動ステージ74が搭載されている。ラジアルチルト用傾動ステージ74の下面にはラジアルチルト用傾動ステージ台座73の曲率面73aに対応する曲率面(図示せず)が設けられており、それぞれの曲率面どうしを重ね合わせるようにして、ラジアルチルト用傾動ステージ台座73の上にラジアルチルト用傾動ステージ74が載せられている。
さらに、ラジアルチルト用傾動ステージ74の上には、2軸アクチュエータ7を支持する支持台33を搭載したステージ連結フレーム72の一端部が支持されている。ラジアルチルト用傾動ステージ台座73は、ステッピングモータ71の動力によってY軸方向に移動自在に設けられている。このY軸方向へのラジアルチルト用傾動ステージ台座73の移動により、ラジアルチルト用傾動ステージ74はラジアルチルト用傾動ステージ台座73の上でX軸を中心軸として傾動される。ラジアルチルト用傾動ステージ台座73の曲率面73aの曲率は、2軸アクチュエータ7の集光素子26の端面26bの光学中心を中心とするように設定されている。これにより、ラジアルチルト用傾動ステージ74がラジアルチルト用傾動ステージ台座73の上でX軸を中心軸として傾動されることで、ラジアル方向のチルト制御が行われるようになっている。なお、ラジアルチルト用傾動ステージ台座73は傾き調整ゴニオ76を介して光学系ユニットと一体に設けられた支持プレート34の上に支持されている。
タンジェンシャルチルト制御機構80は、ステッピングモータ81を有している。このステッピングモータ81の図示しない回転軸に、図示しないギアなどの伝達機構を介してタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83が連結されている。このタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83は上記のステージ連結フレーム72の上に搭載され、ステッピングモータ81の動力によってX軸方向に移動自在に設けられている。タンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83の上面には曲率面83aが設けられている。このタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83の曲率面83aの上にはタンジェンシャルチルト用傾動ステージ84が搭載されている。タンジェンシャルチルト用傾動ステージ84の下面にはタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83の曲率面83aに対応する曲率面(図示せず)が設けられており、それぞれの曲率面どうしを重ね合わせるようにして、タンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83の上にタンジェンシャルチルト用傾動ステージ84が載せられている。ステッピングモータ81の動力によってタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83がX軸方向に移動されることによって、タンジェンシャルチルト用傾動ステージ84はタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83の上でY軸を中心軸として傾動される。タンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83の曲率面83aの曲率は、2軸アクチュエータ7の集光素子26の端面26bの光学中心を中心とするように設定されている。これにより、タンジェンシャルチルト用傾動ステージ84がタンジェンシャルチルト用傾動ステージ台座83の上でY軸を中心軸として傾動されることで、タンジェンシャル方向のチルト制御を行うことが可能となっている。
ラジアルチルト制御機構70及びタンジェンシャルチルト制御機構80はそれぞれ、たとえば±5°の角度範囲、つまり10°の角度範囲でそれぞれ傾動させることが可能である。もちろん、この角度範囲は、これに限られず適宜変更可能である。
各々のステッピングモータには、駆動ケーブル75および85から電源が供給される。なお、ラジアルチルト制御機構70のステッピングモータ71及びタンジェンシャルチルト制御機構80のステッピングモータ81には、手動でもチルト角を調整可能なように、図示せぬ調整ネジがそれぞれ装備されている。
次に、光学系ユニット高さ制御機構90について説明する。図8に示すように、光ピックアップ11、ラジアルチルト制御機構70及びタンジェンシャルチルト制御機構80などを含む光学系ユニット8はインナーベース22上に高さ調整アクュエータ91を介してZ軸方向に移動自在に支持されている。具体的には、高さ調整アクュエータ91はステッピングモータ92を有している。このステッピングモータ92の回転により高さ調整アクチュエータ91の上部のステージ97およびこのステージ97と連結されている光学系のステージ98が上下に可動する。これにより、光学系ユニット8のZ軸方向の高さ位置の制御を行うことが可能となっている。
次に、この光ディスク装置10の電気的な構成を説明する。
図10は本実施形態の光ディスク装置10の電気的な構成を示すブロック図である。同図に示すように、この光ディスク装置10は、システム全体の制御を行うシステムコントローラ51を有する。システムコントローラ51には、レーザドライバ52、マトリクスアンプ53、サーボドライバ54、スピンドルモータドライバ55、フィードモータドライバ56、ラジアルチルト制御機構70のステッピングモータ71を駆動するステッピングモータドライバ101、タンジェンシャルチルト制御機構80のステッピングモータ81を駆動するステッピングモータドライバ102、及び光学系ユニット高さ制御機構90のステッピングモータ91を駆動するステッピングモータドライバ103、不揮発性メモリ104などが接続されている。
レーザドライバ52は、光ピックアップ11内の半導体レーザ59を駆動する回路である。半導体レーザ59より出射したレーザ光は2軸アクチュエータ7に導かれ、集光素子26(図5参照)を通じてディスクDの信号記録面に照射される。
ディスクDの信号記録面から反射した戻り光は集光素子26などを通じて光ピックアップ11内の光検出器60に導かれ、この光検出器60に設定された複数の分割領域ごとの電気信号に変換されてマトリクスアンプ53に出力されるとともに、全領域の電気信号の総和がレーザドライバ52にフィードバックされる。レーザドライバ52は光検出器60からのフィードバック信号をもとに半導体レーザ59の出力パワーを最適化するように制御を行う。
マトリクスアンプ53は、光検出器60からの分割領域ごとの出力信号をもとにギャップエラー信号(GES)及びトラッキングエラー信号(TES)を生成し、ギャップエラー信号(GES)をもとに2軸アクチュエータ7の集光素子26をフォーカシング方向(Z軸方向)に駆動する信号を生成して2軸アクチュエータ7のフォーカシングコイル32に供給するとともに、トラッキングエラー信号(TES)をもとに2軸アクチュエータ7の集光素子26をトラッキング方向(Y軸方向)に駆動する信号を生成して2軸アクチュエータ7のトラッキングコイル31またはフィードモータドライバ56に供給する。
フィードモータドライバ56は、システムコントローラ51による制御のもとでフィードモータ49に供給する駆動信号を生成する。また、フィードモータドライバ56はマトリクスアンプ53より入力された信号をもとにフィードモータ49に供給する駆動信号を生成する。
システムコントローラ51は、CPU(Central Processing Unit)、ROM(Read Only Memory)、RAM(Random Access Memory)などで構成されている。ROMには制御用のプログラム及び各種のパラメータ情報などのファームウェアが格納されている。プログラムとしては、チルト制御及び光学系ユニット8の高さ制御のためのプログラムが含まれており、この制御の内容については後で説明する。CPUはROMに格納されたファームウェアに従ってRAMを作業領域として用いて各種の制御と処理演算を実行する。
不揮発性メモリ104は、例えば、チルト制御及び光学系ユニット8の高さ制御のために用いられる測定データテーブル120などが記録される不揮発性のメモリである。
次に、ギャップサーボについて説明する。
図11はギャップサーボ系の構成を示すブロック図である。光検出部60で検出された全反射戻り光量105は規格化ゲイン106にて、例えば1Vに規格化される。規格化後の信号は、AD(Analog to Digital)変換器107にてディジタル化される。ディジタル化された全反射戻り光量は、データ処理部108に入力される。データ処理部108は、集光素子26の端面26bを光ディスクDに接近させるための接近電圧信号を出力する。この接近電圧信号はDA(Digital to Analog)変換器109にてアナログ信号に変換される。また、データ処理部108はサーボ電圧信号を出力する。サーボ電圧信号はたとえば位相補償フィルタなどのフィルタ110を通して位相補償が施され、DA変換器111にてアナログ信号に変換される。それぞれアナログ信号に変換された接近電圧信号及びサーボ電圧信号はともに加算器112を通して2軸アクチュエータ7を駆動するドライバ113に入力される。
データ処理部108でのサーボ電圧信号の生成は次のように行われる。データ処理部108は、全反射戻り光量とあらかじめ決められたギャップサーボ開始閾値とを比較する。ここでギャップサーボ開始閾値は、ニアフィールドで、かつ、ギャップサーボの目標値より大きい値に設定される。より具体的に例としては、全反射戻り光量のファーフィールドにおける値が1(V)に規格化されたとき0.8(V)と設定される。
データ処理部108は、上記の比較で、全反射戻り光量がギャップサーボ開始閾値より大きいとき、つまり集光素子26の端面26bがファーフィールドにあるときには、ギャップサーボをオフ状態にするためにサーボ電圧信号をオフに設定する。また、全反射戻り光量がギャップサーボ開始閾値より大きい状態から小さい状態に変化したとき、つまり集光素子26の端面26bがニアフィールドに入ったとき、データ処理部108は、ギャップサーボをオンにするために、あらかじめ決められたギャップサーボ目標値とギャップサーボ開始時の全反射戻り光量との加算値をサーボ電圧信号として出力する。なお、ギャップサーボ目標値は、全反射戻り光量のファーフィールドでの値が1(V)となるように規格化されたとき、例えば0.5(V)のように設定される。
一方、データ処理部108はステップS状の信号をローパスフィルタを通したものを接近電圧信号として出力する。図12は接近電圧信号を示す波形図である。同図に示すように、接近電圧信号は、時間の経過に伴って電圧がゼロから徐々に上昇して最終的に一定の電圧値(最終電圧値)に至る信号である。全反射戻り光量がギャップサーボ開始閾値より大きい状態から小さい状態に変化するまでは、データ処理部108からは接近電圧信号のみが出力され、この接近電圧信号に従って2軸アクチュエータ7の制御が行われる。時刻t1は、全反射戻り光量がギャップサーボ開始閾値より大きい状態から小さい状態に変化してギャップサーボが開始された時刻を示している。このとき、電圧は既に最終電圧値に達して、接近電圧信号による集光素子26の移動速度はほぼゼロであることが理想である。そのためには集光素子26の端面26bとディスクDの信号記録面との初期の距離が、上記の接近電圧信号による集光素子26の接近動作を経てギャップサーボが正常に機能する範囲に確保されている必要がある。この初期の距離が短すぎると、接近電圧信号が最終電圧値に達する以前にギャップサーボをオンになり、接近電圧信号による集光素子26の接近動作中にギャップサーボによる同一方向への加速度が加わり、集光素子26の端面26bがディスクDに衝突する危険がある。逆に、その初期の距離が長すぎると、ギャップサーボが開始された時点でも集光素子26の端面26bがファーフィールドにあるままとなってギャップサーボがかからないおそれがある。
また、集光素子26の端面26bとディスクDの信号記録面との間にチルトがあると、ギャップがゼロであっても、全反射戻り光量がゼロにならず、ギャップエラー信号と全反射戻り光量の関係が非線形となり、ギャップサーボが不安定になるおそれがある。また、集光素子26の端面26bとディスクDの信号記録面との間にチルトがあると、コマ収差が生じ、記録再生信号の品質を悪化させる要因となる。
そこで本実施形態の光ディスク装置10では、ラジアルチルト制御機構70及びタンジェンシャルチルト制御機構80によってラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御を行うことが可能であるとともに、光学系ユニット高さ制御機構90によって光学系ユニット8の高さの制御を行うことが可能とされている。
さらに、本実施形態の光ディスク装置10では、ディスクごとに、そのディスク上の複数の半径位置のラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスクの信号記録面と集光素子26の端面26bとの距離(以下、「ディスク/集光素子間距離」と呼ぶ。)を測定して、これらの測定データを不揮発性メモリ104に記録し、この記録された測定データをもとに、ディスクごとに、かつそのディスク上の複数の半径位置ごとに、チルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行うこととしている。
図13はかかる制御に必要な測定データテーブル120の構成を示す図である。この測定データテーブル120には、ディスクの識別情報121、測定日時情報122、ディスク上の複数の半径位置での測定データ123などが記録される。ディスクの識別情報121はディスクを固体識別するための情報であり、たとえばタイトル名など、ディスクを固体識別できる情報であれば何でもよい。測定日時情報122は測定が完了した時の日時情報である。測定データ123は、ラジアル方向のチルト量、タンジェンシャル方向のチルト量、ディスク/集光素子間距離のそれぞれの測定データ123a,123b,123cからなる。なお、それぞれの測定データ123の値は集光素子26の取り付け精度に依存する誤差を含むものであり、実際のチルト量及び距離の値を示すものではない。実際のチルト量及び距離の値は、反りの発生しにくい例えばシリコン製基板を用いたディスクなどを光ディスク装置10に装着して同様の測定を行うことによって得られる基準データとの差分となる。
次に、ラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスク/集光素子間距離を測定する手順を主に図14のフローチャートを用いて説明する。
まず、システムコントローラ51は、ディスクDの回転を停止させた状態で、かつギャッブサーボをオフにした状態で、2軸アクチュエータ7をディスク半径上の最初の測定位置例えばディスクDの最内周から26mmシフトした位置まで移動させる(ステップS1)。
全反射戻り光量は、集光素子26の端面26bがディスクDの信号記録面に近づくほど指数関数的に減少し、集光素子26の端面26bがディスクDの信号記録面に接触した状態、より詳細には集光素子26の端面26bの中心がディスクDの信号記録面に接触した状態では全反射戻り光量はほぼゼロになる。そこでシステムコントローラ51は、2軸アクチュエータ7を駆動するドライバ113に測定用の接近電圧信号を印加して2軸アクチュエータ7を初期の高さ位置からあらかじめ決められた制御量(移動ステップ数)ごとにディスクDの信号記録面に向けて移動させ、その都度全反射戻り光量を測定する(ステップS2)。そしてシステムコントローラ51は、この全反射戻り光量がゼロに最も近くなったときの制御量(移動ステップ数)のトータル値をディスク/集光素子間距離の測定データ123cとして測定データテーブル120に書き込む(ステップS3)。
次に、チルト量の測定が行われる。これは、図15に示すように、集光素子26の端面26bとディスクDの信号記録面Daとが接触している場合であっても、チルトが生じているときは集光素子26の端面26bの中心SにおいてはディスクDの信号記録面Daとのギャップ量Gaがゼロにならず、全反射戻り光量がゼロにならないからである。
このチルト量の測定においては、ラジアル方向とタンジェンシャル方向の2方向のチルトのうち、いずれか一方の方向のチルト量を測定した後、続いて他方のチルト量の測定を行う。たとえば、ラジアル方向のチルトを測定してからタンジェンシャル方向のチルトを測定する。それぞれの方向のチルト量の測定は、例えば次のように行われる。システムコントローラ51は、ラジアル方向のチルトを測定する場合にはラジアルチルト制御機構70のステッピングモータ71を決められた制御量(移動ステップ数)ごとに制御して集光素子26の姿勢を初期の状態から実際に動かし、その都度全反射戻り光量を測定する(ステップS4)。集光素子26の初期の姿勢とは、たとえばラジアル方向及びタンジェンシャル方向ともにチルト量がゼロである場合を想定した姿勢である。システムコントローラ51は、この全反射戻り光量がゼロに最も近くなったときの制御量(移動ステップ数)のトータル値をラジアル方向のチルト量の測定データ123aとして測定データテーブル120に書き込む(ステップS5)。
タンジェンシャル方向のチルト量を測定する場合も同様であり、システムコントローラ51は、タンジェンシャルチルト制御機構80のステッピングモータ81を決められた制御量(移動ステップ数)ごとに制御して集光素子26の姿勢を実際に動かし、その都度全反射戻り光量を測定し(ステップS6)、この全反射戻り光量がゼロに最も近くなったときの制御量(移動ステップ数)のトータル値をタンジェンシャル方向のチルト量の測定データ123bとして測定データテーブル120に書き込む(ステップS7)。
さらに測定の精度を高めたい場合には、チルト測定の後に再びディスク/集光素子間距離の測定をやり直すようにしてもよい。あるいは、タンジェンシャル方向のチルト量の測定の後に再びラジアル方向のチルト量の測定をやり直すようにしてもよい。さらには、チルト測定とディスク/集光素子間距離の測定とをそれぞれ複数回繰り返して、より精度の高い測定データに追い込むようにしてもよい。
ここまででディスク半径上の最初の測定位置での測定データ123が測定データテーブル120に記録されたことになる。続いてシステムコントローラ51は、2軸アクチュエータ7をディスク半径上の次の測定位置たとえば最初の測定位置からさらに2mmシフトした位置まで移動させる(ステップS8のNO,ステップS1)。以後は同様に、ディスク/集光素子間距離の測定、及びチルト量の測定を行い、測定データ123を測定データテーブル120に追加記録する。
ディスク半径上のすべての測定位置での測定データ123を測定データテーブル120に記録したところで(ステップS8のYES)、システムコントローラ51は、現在の日時を測定日時情報122として測定データテーブル120に記録するとともにディスクの識別情報121を測定データテーブル120に記録する(ステップS9)。以上で測定の動作が完了となり、図13に示すような測定データテーブル120が作成される。
この後、ディスクDに対して信号の記録または再生が行われるが、このときシステムコントローラ51は、測定データテーブル120に記録された測定データ123の中で、記録または再生する位置に最も近い半径位置の測定データ123を読み出し、この測定データ123をもとに、ディスクDのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行う。
なお、図13の測定データテーブル120の例では、ディスク半径上の2mm間隔の位置での測定データ群を登録することとしたが、本発明はこれに限定されず、例えば、図19に示すように、ディスク半径上の測定位置を30mm未満の範囲、30mm以上から40mm未満の範囲、40mm以上から50mm未満の範囲、50mm以上の範囲の4つに分け、それぞれの範囲の中間の半径位置での測定データを得て、4点でチルトの制御と光ピックアップ11の高さ制御を行うようにしてもよい。あるいは、ディスク半径上の内周部(例えば25mmの位置)、外周部(例えば55mmの位置)、内外周の中心部(例えば40mmの位置)の3点の測定データを得るようにしてもよい。
ところで、チルト量の測定可能範囲を越えてしまう程度にディスクDの反りが著しい場合にはチルト量を正しく測定できない。そこで、チルト量の測定可能範囲よりも若干狭い範囲を設定しておき、チルト量の測定結果がその設定範囲から逸脱する場合には、不良ディスクとして自動的にそのディスクを外部に強制的に排出(アンローディング)するようにしてもよい。ディスク/集光素子間距離についても同様に、測定可能範囲よりも若干狭い範囲を設定しておき、測定結果がその設定範囲から逸脱する場合には、不良ディスクとして自動的にそのディスクを外部に強制的に排出(アンローディング)するようにしてもよい。
図16は反りが発生しやすいポリカーボネート製基板を用いたディスクのディスク/集光素子間距離の測定結果と、反りの発生しにくいシリコン製基板を用いたディスクに対するディスク/集光素子間距離の測定結果とを比較して示すグラフである。このグラフにおいて、130はシリコン製基板のディスクに対する測定結果を示しており、その値はこの例では全ての測定位置で0.85mm程度でありほぼ共通である。一方、131はポリカーボネート製基板のディスクの測定結果であり、図17に示すように、ポリカーボネート製基板のディスクでは、ディスク半径上の測定位置が外周になるほどディスク/集光素子間距離Gdが長くなることが分かる。ポリカーボネート製基板のディスクのディスク/集光素子間距離Gdの実際の距離は、このポリカーボネート製基板のディスクに対する測定結果131とシリコン製基板のディスクに対する測定結果130との差分となる。
図18はポリカーボネート製基板のディスクのチルト量の測定結果とシリコン製基板のディスクに対するチルト量の測定結果とを比較して示すグラフである。このグラフにおいて、140はシリコン製基板のディスクに対するラジアル方向のチルト量の測定結果を示しており、その値はこの例では全ての測定位置で0.36deg程度でありほぼ共通である。一方、141はポリカーボネート製基板のディスクに対するラジアル方向のチルト量の測定結果である。ポリカーボネート製基板のディスクのラジアル方向のチルト量の実際の値は、このポリカーボネート製基板のディスクに対する測定結果141とシリコン製基板のディスクに対する測定結果140との差分となる。すなわち、グラフから分かるように、ポリカーボネート製基板のディスクでは、ディスク半径上の測定位置が外周寄りになるほどラジアル方向のチルト量が大きくなることが分かる。また、142はシリコン製基板のディスクに対するタンジェンシャル方向のチルト量の測定結果を示しており、その値はこの例では全ての半径位置で0.94deg程度でありほぼ共通である。一方、143はポリカーボネート製基板のディスクのタンジェンシャル方向のチルト量の測定結果である。ポリカーボネート製基板のディスクのタンジェンシャル方向のチルト量の実際の値も、このポリカーボネート製基板のディスクに対する測定結果143とシリコン製基板のディスクに対する測定結果142との差分となる。すなわち、グラフから分かるように、ポリカーボネート製基板のディスクでは、ディスク半径上の測定位置が外周寄りになるほどタンジェンシャル方向のチルト量がラジアル方向のチルト量ほどではないにせよ大きくなることが分かる。このような理由から、チルト量の測定に関しては、精度は若干落ちるものの、ラジアル方向のチルト量のみを測定対象としてラジアル方向のチルト量のみを制御するようにしても構わない。
次に、測定データテーブル120の再利用に関する制御について説明する。すなわち、測定データテーブル120を不揮発性メモリ104に記録しておけば、再度同じディスクがローディングされた場合に測定データテーブル120に登録済みの該当するディスクの測定データ123を用いることで、改めてチルト量やディスク/集光素子間距離を測定しなくても、直ちにチルトの制御や光学系ユニット8の高さの制御を行うことができる。
測定済みのディスクであるかどうかの判断を行うために、測定データテーブル120にはディスクの固体識別のための識別情報121が測定データ123と対応付けて登録されている。また、測定データテーブル120には、識別情報121に対応付けて測定日時情報122も登録されており、この測定日時情報122は測定データ123が有効期限内のものであるかどうかを判断するために用いられる。これは、ディスク基板の経年的な変形などを考慮した処理であり、有効期限が切れた測定データ123を無効とし、改めてチルト量及びディスク/集光素子間距離の測定を行って測定データの再登録を行うものとしている。
次に、測定データの再利用に関する制御の手順を主に図20のフローチャートを参照して説明する。
システムコントローラ51は、ディスクDのローディングが完了した後(ステップS11)、そのディスクDから、そのディスクDの固体識別のための識別情報を読み込む(ステップS12)。次に、システムコントローラ51は、そのディスクDが測定済みのディスクであるかどうかを判断するために、読み込んだ識別情報が測定データテーブル120に登録されたいずれかの識別情報121と一致するかどうかを判断する(ステップS13)。システムコントローラ51は、ローディングされたディスクDが測定済みのディスクであることを判断した場合には、次に、そのディスクDの測定日時情報122を測定データテーブル120から読み込み、そのディスクDの測定データ123の有効期限が切れていないかどうかを判断する(ステップS14)。例えば、システムコントローラ51は、例えば6ヶ月、1年といった有効期間を予め設定しておき、測定データテーブル120から読み込んだ測定日時情報122が示す前回の測定日時と現在日時から経過日時を算出し、これが有効期間内であるかどうかを判断する。そのディスクDの測定データ123の有効期限が切れていなければ、システムコントローラ51は、ディスクDに対して情報の記録または再生が行われる際に、測定データテーブル120からそのディスクDの測定データ123を読み込み、この測定データ123をもとにディスクDのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行う(ステップS15)。
一方、システムコントローラ51は、ローディングされたディスクDが測定済みのディスクではないことをステップS13で判断した場合には、図14を用いて説明した手順で、ラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスク/集光素子間距離の測定を行い、その測定データ123を測定データテーブル120に登録し(ステップS16)、この測定データ123をもとにディスクDのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行う(ステップS15)。
また、システムコントローラ51は、測定済みのディスクであっても有効期限が切れていることをステップS14で判断した場合にも、図14を用いて説明した手順で、ラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量と、ディスク/集光素子間距離の測定を行い、その測定データ123を測定データテーブル120に登録し(ステップS16)、この測定データ123をもとにディスクDのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行う(ステップS15)。
以上のように、本実施の形態では、ディスク上の複数の半径位置でのラジアル方向及びタンジェンシャル方向のチルト量とディスク/集光素子間距離を測定し、これらの測定データ123を測定データテーブル120に登録し、この登録された測定データ123をもとに、ディスク上の半径位置ごとに、チルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行うことによって、ディスクがいかなる状態で反っていても、ディスクの信号記録面の全域に亘ってギャップサーボを良好に行うことができる。
また、本実施の形態では、ディスクごとに測定データ123を不揮発性メモリ104に格納された測定データテーブル120に登録し、測定済みのディスクがローディングされた場合には、測定データテーブル120に登録されている測定データ123をもとにチルトの制御と光学系ユニット8の高さの制御を行うことによって、ディスクのローディング後にチルトとディスク/集光素子間距離の測定をスキップして速やかにそのディスクに対する情報の記録または再生を開始することができる。
さらに、本実施の形態では、測定データ123が有効期限内のものであるかどうかを判断し、有効期限が切れている場合には、その有効期限が切れた測定データ123を無効とし、改めてチルト量及びディスク/集光素子間距離の測定を行って測定データ123の再登録を行うことによって、チルトの制御及び光学系ユニット8の高さの制御の信頼性を維持することができる。
なお、本実施の形態において、記録再生ユニット15は、信号の記録及び再生を行うユニットであるが、記録または再生のうちいずれか一方が行われるユニットであってもよい。また、本発明は、近接場光を利用して信号を記録または再生する光ディスク装置に限定されるものではなく、CD(Compact Disc)やDVD(Digital Versatile Disc)等の光ディスクに対する再生または記録のいずれか一方を行う光ディスク装置にも適用可能である。
また、集光素子26の端面26bが汚れている場合、集光素子26の端面26bとディスクDの信号記録面とが接触しているときであっても全反射戻り光量がゼロにならない。図21はギャップサーボの引き込み時に集光素子26の端面26bとディスクの信号記録面との距離がギャップ目標値になるまでのギャップエラー信号の時間変化の波形を示す図であり、(a)は集光素子26の端面26bがきれいな場合の波形、(b)は集光素子26の端面26bが汚れている場合の波形である。ギャップエラー信号とは、集光素子26の端面26bに対して全反射する角度で入射するレーザ光の戻り光量の信号である。図21の(a)に示すように、集光素子26の端面26bがきれいな場合、ギャップエラー信号は、ファーフィールド状態からニアフィールド状態に変化した後に速やかにギャップ目標値に達する。しかし、集光素子26の端面26bにダスト等が付着して汚れている場合には、図21の(b)に示すように、ギャップエラー信号が大きく乱れ、速やかにギャップ目標値にならない。そこで、チルト量の測定の前に集光素子26の端面26bのクリーニングを行うことが望ましい。集光素子26の端面26bのクリーニング方法は、レンズクリーナを用いる方法や、ブラシを用いる方法、回転ブラシを用いる方法など公知のものでよい。
本発明は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において種々変更を加え得ることは勿論である。
7 2軸アクチュエータ
8 光学系ユニット
10 光ディスク装置
11 光ピックアップ
26 集光素子
51 システムコントローラ
60 光検出器
70 ラジアルチルト制御機構
80 タンジェンシャルチルト制御機構
90 光学系ユニット高さ制御機構
104 不揮発性メモリ
120 測定データテーブル
121 識別情報
122 測定日時情報
123 測定データ
D 光ディスク
8 光学系ユニット
10 光ディスク装置
11 光ピックアップ
26 集光素子
51 システムコントローラ
60 光検出器
70 ラジアルチルト制御機構
80 タンジェンシャルチルト制御機構
90 光学系ユニット高さ制御機構
104 不揮発性メモリ
120 測定データテーブル
121 識別情報
122 測定日時情報
123 測定データ
D 光ディスク
Claims (8)
- 光源から出射された光を近接場光として光ディスクの信号記録面に集光する集光素子と、
前記光ディスク上の複数の半径位置での前記光ディスクの信号記録面に対する前記集光素子のチルト量を測定し、この測定データをもとに前記光ディスクの半径位置ごとにチルトを制御する制御部とを具備することを特徴とする光ディスク装置。 - 前記光ディスクごとの前記測定データを記録する測定データ記録部をさらに具備し、
前記制御部は、交換された光ディスクに関する測定データの前記測定データ記録部内での有無を判断し、該当する測定データをもとに前記光ディスクのチルトを制御することを特徴とする請求項1に記載の光ディスク装置。 - 前記制御部は、前記測定データ記録部に記録された測定データの有効期限を管理し、有効期限切れの測定データを無効化することを特徴とする請求項2に記載の光ディスク装置。
- 前記集光素子を搭載するアクチュエータと、
前記アクチュエータを傾動させる機構をさらに具備し、
前記制御部は、前記機構を駆動してチルトを制御することを特徴とする請求項1に記載の光ディスク装置。 - 前記集光素子からの全反射戻り光量を検出する光検出部と、
前記光検出部により検出された全反射戻り光量をもとに、前記集光素子を前記近接場光が生じない初期の位置から前記近接場光が生じる位置まで前記光軸方向に移動させるように前記アクチュエータを駆動するサーボ部とをさらに具備し、
前記制御部は、前記光ディスク上の複数の半径位置での前記光ディスクの信号記録面と前記初期の位置にある前記集光素子との距離を測定し、この測定データをもとに前記光ディスクの半径位置ごとに前記集光素子の前記初期の位置を制御することを特徴とする請求項1に記載の光ディスク装置。 - 前記アクチュエータを前記光軸方向に移動させる機構をさらに具備し、
前記制御部は、前記機構を駆動して前記集光素子の初期の位置を制御することを特徴とする請求項5に記載の光ディスク装置。 - 光源から出射された光を近接場光として光ディスクの信号記録面に集光する集光素子の、前記光ディスク上の複数の半径位置での前記光ディスクの信号記録面に対するチルト量を測定するステップと、
前記測定されたチルト量をもとに、前記光ディスクの半径位置ごとにチルトを制御するステップとを具備することを特徴とする光ディスク装置の制御方法。 - 光検出部が前記集光素子からの全反射戻り光量を検出するステップと、
サーボ部が前記検出された全反射戻り光量をもとに前記集光素子を前記近接場光が生じない初期の位置から前記近接場光が生じる位置まで前記光軸方向に移動させるように前記アクチュエータを駆動するステップと、
前記光ディスク上の複数の半径位置での前記光ディスクの信号記録面と前記初期の位置にある前記集光素子との距離を測定するステップと、
前記測定された距離をもとに前記光ディスクの半径位置ごとの前記集光素子の前記初期の位置を制御するステップとをさらに具備することを特徴とする請求項7に記載の光ディスク装置の制御方法。
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JP2013186919A (ja) * | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 光ディスク装置、ギャップサーボ装置及びギャップ引き込み制御方法 |
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