JP2007011172A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 有効表示領域内に段差を有する構造の電気光学装置において、その段差を形成する高い方の領域と低い方の領域の両者の間で配向膜を均一に塗布し、表示の輝度にムラが発生するのを防止する。
【解決手段】 第２透光性基板１２ａと、第２透光性基板１２ａ上に設けられていて段差Ｓを形成する第２オーバーコート膜４３ｂと、第２オーバーコート膜４３ｂ上に配置される配向膜２３ｂと、配向膜２３ｂ上に配置される液晶層１４と、段差Ｓに沿って設けられる突起４９とを通する液晶表示装置である。第２オーバーコート膜４３ｂの配向膜２３ｂ側の表面は第２透光性基板１２ａの表面より高く、突起４９の配向膜２３ｂ側の表面は第２オーバーコート膜４３ｂの配向膜２３ｂ側の表面より高い。反射表示領域Ｒに塗布された配向膜２３ｂの材料が透過表示領域Ｔに必要以上に流れることを突起４９によって止めることができる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、液晶表示装置等といった電気光学装置に関する。また、本発明は、その電気光学装置を製造するための製造方法に関する。また、本発明は、その電気光学装置を用いて構成される電子機器に関する。

現在、携帯電話機、携帯情報端末機等といった各種の電子機器において電気光学装置が広く用いられている。例えば、電子機器に関する各種の情報を視覚的に表示するための表示部として電気光学装置が用いられている。この電気光学装置において、電気光学物質として液晶を用いた装置、すなわち液晶表示装置が知られている。

上記の液晶表示装置は、例えば、表示の最小単位であるサブ画素領域を複数個、液晶層の面内で縦横方向にマトリクス状に並べることによって有効表示領域を形成する。そして、液晶層内の液晶分子の配向をサブ画素領域ごとに制御することによってその液晶層を通過する光をサブ画素領域ごとに変調して表示を行う。

上記の液晶表示装置として、いわゆる半透過反射型の液晶表示装置が知られている。この半透過反射型の液晶表示装置では、複数のサブ画素領域のそれぞれに反射表示領域と透過表示領域の２つの領域を設け、太陽光、室内光等といった外部光を上記の反射表示領域で反射させた上でその反射光を利用して表示を行う反射型表示と、照明装置からの光を上記の透過表示領域を透過させてバックライトとして利用して表示を行う透過表示とを選択的に行うことができる。

液晶表示装置は、一般に、一対の基板を有し、それら一対の基板のそれぞれには電極が設けられ、さらにその電極の上には配向膜が設けられる。この配向膜は、例えば、ポリイミド等を印刷することによって塗布できる。また、配向膜が形成される基板の表面には、例えば絶縁膜等といった種々の要素が積層されており、その絶縁膜等によって段差が形成される場合がある。このような構造として、例えば、反射表示領域と透過表示領域との間で液晶層の層厚を異ならせるために基板上に段差を形成する構造、いわゆるマルチギャップ構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００４−３５４５０７号公報（第６〜７頁、図３）

しかしながら、特許文献１に開示された電気光学装置においては、段差を形成する高い方の領域、すなわち反射表示領域に塗布された配向膜の材料が、段差を形成する低い方の領域、すなわち透過表示領域へ必要以上に流れ込み、透過表示領域の段差近傍で配向膜が厚く形成されるおそれがあった。こうなると、配向膜の厚さが不均一になり、配向膜が厚く形成された部分で配向不良が発生し、表示の輝度にムラが生じるおそれがあった。

本発明は、上記の問題点に鑑みて成されたものであって、配向膜が形成される面内に段差を有する構造の電気光学装置において、その段差を形成する高い方の領域と低い方の領域の両者の間で配向膜を均一に塗布し、表示の輝度にムラが発生するのを防止することを目的とする。

本発明に係る電気光学装置は、基板と、該基板上に設けられていて段差を形成する絶縁膜と、該絶縁膜上に配置される配向膜と、該配向膜上に配置される電気光学物質層と、前記段差に沿って設けられる突起とを有し、前記絶縁膜の前記配向膜側の表面は前記基板の表面より高く、前記突起の前記配向膜側の表面は前記絶縁膜の前記配向膜側の表面よりも高いことを特徴とする。

上記のように絶縁膜が形成する段差に沿って突起を設ける態様としては、例えば、図１５（ａ）に示すように、基板２０１上に絶縁膜２０２Ａを設けて段差Ｓを形成し、その段差Ｓに沿って絶縁膜２０２Ａの上に突起２０３Ａを設ける構成が考えられる。また、図１５（ｂ）に示すように、基板２０１上に絶縁膜２０２Ｂを設けて段差Ｓを形成し、その段差Ｓに沿って絶縁膜２０２Ｂの側面に接触するように突起２０３Ｂを設ける構成が考えられる。

また、図１５（ｃ）に示すように、基板２０１上に絶縁膜２０２Ｃを設けて段差Ｓを形成し、その段差Ｓに沿って絶縁膜２０２Ｃの側面及びそれに隣接する絶縁膜２０２Ｃの上面の一部にかかるように突起２０３Ｃを設ける構成が考えられる。また、図１５（ｄ）に示すように、基板２０１上に絶縁膜２０２Ｄを設けて段差Ｓを形成し、絶縁膜２０２Ｄのうちの２０２Ｄ’で示す部分を除去することにより、段差Ｓに沿った突起２０３Ｄを絶縁膜２０２Ｄと一体に形成する構成が考えられる。これらいずれの態様においても、絶縁膜の配向膜側の表面は基板の表面より高く設けられ、突起の前記配向膜側の表面は絶縁膜の配向膜側の表面よりも高く設けられる。

また、上記の配向膜は、例えば、ポリイミド等といった材料の溶液を、例えば印刷等によって基板上に塗布し、塗布した材料をその塗布後に焼成することにより膜状に形成される。また、絶縁膜は、基板上に直接に形成される場合も考えられるし、基板上に形成された種々の要素の上に形成される場合も考えられる。段差を形成する絶縁膜としては、例えば、基板上に形成された素子と電極とを別々の層に分けるための絶縁膜や、基板の表面を平坦化する絶縁膜等が考えられる。

従来の電気光学装置では、配向膜の材料を塗布した際、その材料が流動して、段差を形成する絶縁膜の高い方の領域から低い方の領域に必要以上に流入するおそれがあった。こうなると、段差を形成する高い方の領域と低い方の領域との間で配向膜の膜厚が不均一になり、表示の輝度がばらつくおそれがあった。

上記の本発明に係る電気光学装置によれば、絶縁膜によって形成される段差に沿って、絶縁膜の配向膜側の表面よりも高い突起を形成したので、絶縁膜上に配向膜を形成する際、段差を形成する高い方の領域に塗布された配向膜の材料が低い方へ流れることを、突起によって止めることができる。その結果、配向膜の材料が段差を形成する低い方の領域に必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、段差を形成する高い方の領域と低い方の領域の両者の間で配向膜を均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、前記基板上に前記電気光学物質層を囲む枠状に設けられるシール材と、該シール材によって囲まれて表示を行う有効表示領域とを有し、前記絶縁膜は前記有効表示領域内に前記段差を形成することができる。この場合には、前記突起は前記有効表示領域内に形成された前記段差に沿って設けられることが望ましい。有効表示領域内に段差が形成される場合には、段差を形成する高い方の領域に塗布された配向膜が低い方の領域に流れ込み易くなる。従って、配向膜の厚さにムラができ易くなる。このような電気光学装置に関しても、絶縁膜によって形成される段差に沿って、絶縁膜の配向膜側の表面よりも高い突起を形成することにより、有効表示領域内の配向膜を均一に形成することができる。その結果、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記シール材と前記有効表示領域との間に周辺領域をさらに有することができ、前記絶縁膜は前記有効表示領域と前記周辺領域の間に前記段差を形成することができる。そしてこの場合には、前記突起は前記有効表示領域と前記周辺領域の間に形成された前記段差に沿って設けられることが望ましい。

このような段差は、例えば、厚いブラックマスクを周辺領域に形成する場合や、薄い反射領域が周辺領域に隣接する場合等において形成される。周辺領域と有効表示領域の間にそのような段差が形成される場合には、周辺領域又は有効表示領域のうちの段差を形成する高い方の領域に塗布された配向膜が段差を形成する低い方の領域に流れ込み易くなる。従って、配向膜の厚さにムラができ易くなる。このような電気光学装置に関しても、絶縁膜によって形成される段差、すなわち、周辺領域と有効表示領域の境界に沿って、その段差を形成する絶縁膜の配向膜側の表面よりも高い突起を形成することにより、周辺領域と有効表示領域の両方の領域の間で配向膜を均一に形成することができる。

次に、本発明に係る電気光学装置は、前記電気光学物質層を間にして前記基板に対向して設けられる対向基板を有することができる。そしてその場合には、光を反射する光反射膜を前記基板上又は前記対向基板上に設け、前記絶縁膜を前記基板上又は前記対向基板上に設け、前記有効表示領域は、前記光反射膜によって反射された光を用いて表示を行う反射表示領域と、前記光反射膜が形成されていない領域を透過する光を用いて表示を行う透過表示領域とを備え、前記絶縁膜は、前記反射表示領域における前記電気光学物質層の厚さを前記透過表示領域における前記電気光学物質の厚さよりも薄くするように少なくとも前記反射表示領域に設けられることにより、前記反射表示領域と前記透過表示領域の間に前記段差を形成し、前記突起は前記反射表示領域と前記透過表示領域の間に形成された前記段差に沿って設けられることが望ましい。

この電気光学装置は、いわゆる半透過反射型であって、いわゆるマルチギャップ構造を有した電気光学装置である。この電気光学装置では、反射表示領域における絶縁膜の厚さに比べて透過表示領域における絶縁膜の厚さが薄く形成されるので、反射表示領域と透過表示領域との間に段差が形成される。このような構造の電気光学装置においては、反射表示領域が段差を形成する高い方の領域であり、透過表示領域が段差を形成する低い方の領域である。このように反射表示領域と透過表示領域との間に段差を形成した構造の電気光学装置では、反射表示領域に塗布された配向膜が透過表示領域に流れ込み易くなる。従って、配向膜の厚さにムラが生じ易くなる。このような電気光学装置に関しても、絶縁膜によって形成される段差、すなわち、反射表示領域と透過表示領域の境界に沿って絶縁膜の配向膜側の表面よりも高い突起を形成することにより、反射表示領域と透過表示領域の両方の領域の間で配向膜を均一に形成することができる。

次に、本発明に係る電気光学装置においては、前記基板と前記対向基板との間であって前記突起が設けられていない領域に、前記電気光学物質層の層厚を一定に保持するスペーサ部材が設けられることが望ましい。こうすれば、基板上にスペーサ部材を安定して形成できるので、基板と対向基板との間に設けられた電気光学物質層を一定の層厚に確実に保持できる。なお、前記スペーサ部材はフォトリソグラフィ処理によって形成されるフォトスペーサであることが望ましい。こうすれば、絶縁膜を形成する際、又は絶縁膜の上に突起を形成する際に同時に形成することができる。

次に、本発明に係る電気光学装置において、前記突起の高さは前記電気光学物質層の層厚より低いことが望ましい。こうすれば、突起と対向基板とが接触することを確実に防止できるので、突起が破損したり、電気光学物質層の層厚が変化することを防止できる。

次に、本発明に係る電気光学装置の製造方法は、基板上に絶縁膜を設ける工程と、前記基板上に突起を設ける工程と、前記絶縁膜上に配向膜を設ける工程と、前記配向膜上に電気光学物質層を設ける工程とを有し、配向膜を設ける前記工程では、前記配向膜の材料を印刷によって塗布することにより、前記絶縁膜上に前記配向膜を設け、突起を設ける前記工程では、前記配向膜の流動を抑制するように前記突起を設けることを特徴とする。

上記のように、配向膜形成工程において配向膜の材料、例えば、ポリイミド等といった材料の溶液を印刷によって絶縁膜上に塗布するようにした場合には、段差を形成する高い方の領域から低い方の領域へ配向膜の材料が流動し易く、配向膜の厚さが不均一になり易い。しかしながら、上記の電気光学装置の製造方法によれば、突起形成工程において、配向膜の流動を抑制するように突起を形成するようにしたので、絶縁膜上に配向膜を形成する際、段差を形成する高い方の領域に塗布された配向膜の材料が低い方へ流れることを、その突起によって止めることができる。その結果、配向膜の材料が段差を形成する低い方の領域に必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、段差を形成する高い方の領域と低い方の領域の両者の間で配向膜を均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

次に、本発明に係る電子機器は、以上に記載した構成の電気光学装置を有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、絶縁膜によって形成される段差に沿って、絶縁膜の配向膜側の表面よりも高い突起を形成したことにより、段差を形成する高い方の領域と低い方の領域の両者の間で配向膜を均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。従って、本発明に係る電気光学装置を用いた電子機器においても、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置の第１実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置及びその電気光学装置の製造方法をその一実施形態を挙げて説明する。なお、本発明がこの実施形態に限定されるものでないことは、もちろんである。また、これからの説明で用いる図面では、特徴となる部分を分かり易く示すために、実際の寸法比率と異なる寸法比率で構成要素を図示することがあることに注意を要する。

図１は、本発明に係る電気光学装置の一実施形態である液晶表示装置１の行方向Ｘから見た列方向Ｙに沿った断面構造を示している。図２は、図１の要部を拡大して示している。また、図３は、図１のＣ−Ｃ線に従って液晶表示装置１の列方向Ｙから見た行方向Ｘに沿った断面構造を示している。また、図４は、図１に示す液晶表示装置を矢印Ａ方向から平面的に見た図である。なお、図４においては、主要な構造を見易くするために主に素子や配線を図示し、その他の要素は必要に応じて図示を省略している。また、図５は、図３の矢印Ｅで示す部分を矢印I方向から平面的に見た場合を示している。

本実施形態は、３端子型のアクティブ素子であるＴＦＴ（Thin Film Diode）素子をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス方式であって、半透過反射型であって、さらにカラー表示が可能である液晶表示装置である。なお、ＴＦＴ素子には、アモルファスシリコンＴＦＴ、低温ポリシリコンＴＦＴ、高温ポリシリコンＴＦＴ等のように各種の素子があるが、本実施形態ではアモルファスシリコンＴＦＴを用いるものとする。もちろん、その他の種類のＴＦＴ素子を用いた液晶表示装置に対して本発明を適用することもできる。

図１において、本実施形態の液晶表示装置１は、電気光学パネルとしての液晶パネル２と、その液晶パネル２に実装された半導体要素としての駆動用ＩＣ３と、その液晶パネル２に付設された照明装置４とを有する。この液晶表示装置１に関しては、矢印Ａが描かれた側が観察側であり、上記の照明装置４は、液晶パネル２に関して観察側と反対側に配置されてバックライトとして機能する。

照明装置４は、光源、具体的には点状光源としてのＬＥＤ（Light Emitting Diode）６と、ＬＥＤ６から出射された点状の光を面状に変換して出射する導光体７とを有する。導光体７は、例えば透光性の樹脂によって形成される。各ＬＥＤ６は、その発光面が導光体７の１つの側面である光入射面７ａに対向するように設けられる。各ＬＥＤ６から出た光は、光入射面７ａから導光体７の内部へ導入され、その導光体７の光出射面７ｂから面状の光として出射して液晶パネル２へ供給される。なお、導光体７の光出射面７ｂには、必要に応じて光拡散膜８が設けられる。また、導光体７の光出射面７ｂと反対の面には、必要に応じて光反射膜９が設けられる。また、光源は、ＬＥＤ６以外の点状光源や、冷陰極管等といった線状光源によって構成することもできる。

液晶パネル２は、矢印Ａ方向から見て枠状に形成されたシール材１３によって互いに貼り合わされた一対の基板１１及び１２を有する。これらの基板１１，１２はいずれも矢印Ａ方向から見て長方形又は正方形に形成されている。基板１１はスイッチング素子が形成される素子基板である。また、基板１２はカラーフィルタが形成されるカラーフィルタ基板である。

図４に示すように、シール材１３はその一部に液晶注入口１３ａを有し、この液晶注入口１３ａを介して図１の素子基板１１とカラーフィルタ基板１２との間に電気光学物質としての液晶、例えばＴＮ液晶が注入される。こうして、電気光学物質層としての液晶層１４が形成される。図４の液晶注入口１３ａは液晶の注入が完了した後に樹脂によって封止される。なお、液晶のモードとしてはＴＮ液晶の他に、必要に応じて種々の液晶を採用できる。例えば、負の誘電率異方性を持つ液晶、すなわち垂直配向モードの液晶でも良い。また、液晶の注入方法としては、上記のような注入口１３ａを介しての注入に限らず、注入口を持たない環状のシール材によって囲まれる領域内に液晶滴を供給するという方法も考えられる。

図１において、素子基板１１は、基板又は対向基板としての第１の透光性の基板１１ａを有する。この第１透光性基板１１ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって、観察側である矢印Ａ側から見て長方形または正方形に形成される。また、この第１透光性基板１１ａの外側表面には偏光板１５ａが、例えば、貼着等によって装着される。必要に応じて、偏光板１５ａ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第１透光性基板１１ａの内側表面には、アクティブ素子又はスイッチング素子としてのＴＦＴ素子３１が複数個形成される。これらのＴＦＴ素子３１を覆うように絶縁膜としての層間絶縁膜２５が形成されている。この層間絶縁膜２５は、例えば、透光性、感光性、及び絶縁性を有する樹脂、例えばアクリル樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。

層間絶縁膜２５の表面には複数の画素電極２１ａが設けられている。これらの画素電極２１ａは、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide：インジウム錫酸化物）等といった金属酸化物を材料としてフォトエッチング処理によって形成される。複数の画素電極２１ａは、矢印Ａが描かれた側から見て個々がドット状に形成されており、それらが縦横方向、すなわち行列方向、すなわちＸ−Ｙ方向へマトリクス状に配列されている。

画素電極２１ａと層間絶縁膜２５との間には、図２に示すように、光反射膜２６が、例えばＡｌ（アルミニウム）、Ａｌ合金等によって形成される。本実施形態において、光反射膜２６は、複数の画素電極２１ａのそれぞれに対応した位置にドットマトリクス状に設けられる。また、個々の光反射膜２６は、個々の画素電極２１ａのうちの一部に設けられている。つまり、個々の画素電極２１ａと層間絶縁膜２５との間には、光反射膜２６がある領域Ｒと光反射膜２６が無い領域Ｔとが形成される。光反射膜２６が有る領域Ｒは、外部光Ｌ０を用いて反射型表示を行う領域、すなわち反射表示領域Ｒである。一方、光反射膜２６が無い領域Ｔは、照明装置４からの光Ｌ１を用いて透過型表示を行う領域、すなわち透過表示領域Ｔである。

層間絶縁膜２５は、反射表示領域Ｒに対応する部分の表面に光散乱用の凹凸パターンを有している。そのため、この凹凸パターン上にある光反射膜２６及び画素電極２１ａにも凹凸パターンが形成される。このため、光反射膜２６で反射した光は散乱光となる。これにより、光反射膜２６で鏡面反射が生じることを防止できる。

また、画素電極２１ａの下に層間絶縁膜２５を設けることにより、画素電極２１ａの層とＴＦＴ素子３１の層とを別の層に分けている。この構造は、画素電極２１ａとＴＦＴ素子３１とを同じ層に形成する構造に比べて、素子基板１１の表面を有効に活用できる。例えば、画素電極２１ａの面積、すなわち画素面積を大きくすることができるので、液晶表示装置１において表示を見易くできる。

層間絶縁膜２５はＴＦＴ素子３１を覆うように形成される。画素電極２１ａは、この層間絶縁膜２５の上に形成されている。この層間絶縁膜２５には、画素電極２１ａとＴＦＴ素子３１とを電気的に接続するためのコンタクトホール２４が形成される。このコンタクトホール２４は、層間絶縁膜２５をフォトグラフィ処理によって形成する際に同時に形成される。このコンタクトホール２４は、矢印Ａ側から平面的に見て、すなわち平面視でＴＦＴ素子３１とは重ならない位置であって、画素電極２１ａと重なる位置に形成される。

本実施形態で用いるＴＦＴ素子３１はアモルファスシリコンＴＦＴであり、このＴＦＴ素子３１は、ゲート電極３３、ゲート絶縁膜３４、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）等によって形成された半導体層３５、ソース電極３６、そしてドレイン電極３２を有する。ドレイン電極３２は、その一端が半導体層３５に接続し、その他端が画素電極２１ａにコンタクトホール２４を介して接続する。ソース電極３６は図２の紙面垂直方向に延びるソース電極線３６’の一部として形成されている。また、ゲート電極３３は、ソース電極線３６’と直角の方向すなわち図２の左右方向に延びるゲート電極線３３’から延びている。

図１に示す断面を直角方向から見た断面図である図３において、複数の画素電極２１ａの間の領域、すなわち遮光領域又はブラックマスク領域であって層間絶縁膜２５上には、スペーサ部材としての複数のフォトスペーサ２２が適宜の間隔で形成されている。これらのフォトスペーサ２２は、例えば、感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることによって形成される。フォトスペーサ２２は、例えば、立った状態の円柱又は角柱形状に形成されており、セルギャップＧが均一な寸法を維持するように機能する。なお、スペーサ部材としては、フォトスペーサ以外に、例えば球状のスペーサを用いることもできる。この場合には、複数の球状スペーサを液晶層１４内に分散させることによってスペーサ部材として機能させることができる。

画素電極２１ａ及びフォトスペーサ２２の上には配向膜２３ａが形成される。そして、この配向膜２３ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２３ａの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。配向膜２３ａは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。

図１において、素子基板１１に対向するカラーフィルタ基板１２は、基板又は対向基板としての第２の透光性の基板１２ａを有する。この第２透光性基板１２ａは、例えば透光性のガラス、透光性のプラスチック等によって、矢印Ａで示す観察側から見て長方形または正方形に形成される。また、この第２透光性基板１２ａの外側表面には偏光板１５ｂが、例えば、貼着によって装着される。必要に応じて、偏光板１５ｂ以外の光学要素、例えば位相差板を付加的に設けることもできる。

第２透光性基板１２ａの内側表面には複数の着色要素４２が設けられる。これらの着色要素４２はＢ（青），Ｇ（緑），Ｒ（赤）又はＣ（シアン），Ｍ（マゼンタ），Ｙ（イエロー）のいずれかに着色され、矢印Ａ方向から見て所定の配列に並べられる。本実施形態では、図５に示すように、Ｂ，Ｇ，Ｒが縦１列に並べられるストライプ配列を採用するものとする。なお、その他の配列、例えば、モザイク配列、デルタ配列等を採用することもできる。図３に示すように、行方向Ｘに並ぶこれらの着色要素４２の間には遮光部材４１ａが矢印Ａ方向から見てストライプ状に設けられている。これらの遮光部材４１ａは、色の異なる着色要素４２、例えばＢ，Ｇ，Ｒの３色の着色要素４２を全て重ねることにより、又はそれらのうちの２色を重ねることによって形成することができる。なお、遮光部材４１ａは、Ｃｒ等といった遮光性の金属材料によって形成することもできる。

遮光部材４１ａ及び着色要素４２の上には第１のオーバーコート膜４３ａが設けられる。そしてその上に、絶縁膜としての第２のオーバーコート膜４３ｂが設けられる。この第２オーバーコート膜４３ｂは、図１に示すように、対向する素子基板１１に形成された画素電極２１ａのうちの反射表示領域Ｒに対応する位置にのみ形成される。第１オーバーコート膜４３ａ及び第２オーバーコート膜４３ｂは、例えば、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料を塗布及び焼成して形成したり、あるいは、必要に応じて、エポキシ系又はアクリル系の樹脂材料にフォトリソグラフィー処理を施すことによって形成される。

第２オーバーコート膜４３ｂは、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１４の層厚を調整するための層厚調整膜として機能する。具体的には、図２において、光反射膜２６が設けられる反射表示領域Ｒに所定の層厚を有する第２オーバーコート膜４３ｂを設ける。これにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１４の層厚ｔ０を薄く設定する。一方、光反射膜２６が設けられない透過表示領域Ｔには第２オーバーコート膜４３ｂを設けない。つまり透過表示領域Ｔには第１オーバーコート膜４３ａのみが設けられる。これにより、透過表示領域Ｔに対応する液晶層１４の層厚ｔ１をｔ０に比べて厚く、すなわちｔ１＞ｔ０に設定する。

反射型表示が行われる際、反射光Ｌ０は液晶層１４を往復で２回通過する。これに対し、透過表示が行われる際、透過光Ｌ１は液晶層１４を１回だけ通過する。従って、液晶層１４がｔ１＝ｔ０に設定されていると、反射型表示と透過型表示との間で表示の濃さが不均一になるおそれがある。これに対し、本実施形態のようにｔ１＞ｔ０に設定すれば、反射光Ｌ０と透過光Ｌ１との間で液晶層１４を通過する光路の長さを等しく又は近づけることができ、それ故、反射型表示と透過型表示との間で濃さが均一な表示を行うことができる。

なお、図２に示す実施形態では、透過表示領域Ｔにおいて第２オーバーコート膜４３ｂを設けない、つまり第２オーバーコート膜４３ｂの層厚をゼロとしたが、液晶層１４の層厚をｔ１＞ｔ０に設定できれば、透過表示領域Ｔにおける第２オーバーコート膜４３ｂの層厚は必ずしもゼロに限定されるものではない。また、本実施形態では、第１オーバーコート膜４３ａと第２オーバーコート膜４３ｂの２つのオーバーコート膜を設けるようにしたが、液晶層１４の層厚をｔ１＞ｔ０に設定できれば、オーバーコート膜は１層とすることもできる。要は、オーバーコート膜の層厚を反射表示領域Ｒに比べて透過表示領域Ｔで薄くすることにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１４の層厚を透過表示領域Ｔに比べて薄くなるようにすれば良いのである。

上記のように、本実施形態の液晶表示装置１では、第２オーバーコート膜４３ｂは反射表示領域Ｒのみに形成されるので、第１オーバーコート膜４３ａと第２オーバーコート膜４３ｂとの間には段差Ｓが形成される。そして、この段差Ｓの部分には、突起４９が形成される。この突起４９に関しては後に詳しく説明する。

第１オーバーコート膜４３ａ及び第２オーバーコート膜４３ｂの上には共通電極２１ｂが設けられ、さらにその上に配向膜２３ｂが設けられる。共通電極２１ｂは、例えば、ＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成される。この共通電極２１ｂは第２透光性基板１２ａ上に一様な厚さで形成された面状電極である。上記の配向膜２３ｂには配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２３ｂの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。この配向膜２３ｂは、例えば、ポリイミド溶液を塗布及び焼成して形成したり、オフセット印刷によって形成したりする。

図１において、素子基板１１上に形成された複数の画素電極２１ａは矢印Ａ方向から見てドットマトリクス状に配列される。これらの画素電極２１ａは矢印Ａ方向から見て共通電極２１ｂと重なっている。このように画素電極２１ａと共通電極２１ｂとが重なる領域は表示のための最小領域であるサブ画素領域Ｄを構成する。カラーフィルタ基板１２上の個々の着色要素４２はサブ画素領域Ｄに対応して設けられている。着色要素４２を用いない白黒表示の場合は１つのサブ画素領域Ｄによって１つの画素が形成されるが、本実施形態のように３色の着色要素４２を用いてカラー表示を行う構造の場合には、Ｂ，Ｇ，Ｒ又はＣ，Ｍ，Ｙの３色の着色要素４２の集まりによって１つの画素が形成される。図５に示すように、カラーフィルタ基板１２の表面上においてサブ画素領域Ｄの長手方向（すなわち、図５の上下方向）の片側は対向基板側の光反射膜２６（図２参照）によって規定される反射表示領域Ｒであり、残りの片側は光反射膜２６が形成されない透過表示領域Ｔである。

図１において、素子基板１１はカラーフィルタ基板１２の外側へ張り出して、張出し部１６を構成している。駆動用ＩＣ３はこの張出し部１６の表面に実装されている。本実施形態では、図４に示すように、駆動用ＩＣ３として、１個の駆動用ＩＣ３ａと２個の駆動用ＩＣ３ｂが実装されている。この実装は、例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film：異方性導電膜）４６を用いたＣＯＧ技術を用いて行うことができる。

張出し部１６の表面には、複数の配線４７，４８、及び複数の外部接続用端子４４がフォトエッチング処理によって形成される。複数の配線４７は、シール材１３に囲まれた領域内に向けてＹ方向に延びるように形成されている。これらの配線４７は、素子基板１１上のゲート電極線３３’（図２参照）に直接繋がって走査線として機能する。また、複数の配線４８は、シール材１３に囲まれた領域内において素子基板１１の側辺１１ｂに沿ってＹ方向に延びるように形成され、さらに折れ曲ってＸ方向に延びるように形成されている。これらの配線４８は、素子基板１１上のソース電極線３６’（図２参照）に直接繋がってデータ線として機能する。

素子基板１１上では、走査線４７とデータ線４８との交差部分にサブ画素領域Ｄが形成される。各サブ画素領域Ｄを電気的な等価回路で示すと、図４の矢印Ｆで拡大して示すように、ＴＦＴ素子３１と画素電極２１ａとが直列に接続されている。そして、ＴＦＴ素子３１には走査線４７とデータ線４８とが接続されている。各走査線４７は駆動用ＩＣ３ａによって構成される走査線駆動回路につながっている。一方、各データ線４８は駆動用ＩＣ３ｂによって構成されるデータ線駆動回路につながっている。なお、走査線駆動回路及びデータ線駆動回路は共通の駆動用ＩＣに構成しても良い。

張出し部１６の辺端には、例えば、可撓性を備えた配線基板であるＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）基板１７が、例えばＡＣＦ４６を用いて接続されている。ＦＰＣ基板１７には、液晶パネル２を駆動するために必要となる複数の電子部品（図示せず）が実装される。この電子部品としては、例えば、抵抗、コイル、コンデンサ、電源ＩＣ等が考えられる。また、ＦＰＣ基板１７上には、外部の入力用機器（例えば、携帯電話機等といった電子機器の制御回路）や外部電源等が接続される。そして、液晶パネル２を駆動するための信号や電力が、ＦＰＣ基板１７を通して入力用機器や外部電源から供給される。

サブ画素領域Ｄは複数個がマトリクス状に並べられている。このように複数のサブ画素領域Ｄが並べられることにより有効表示領域Ｖｉが形成され、その有効表示領域Ｖｉに画像が表示される。この有効表示領域Ｖｉの周辺の領域であってシール材１３の内側の領域が周辺領域Ｖｃである。この周辺領域Ｖｃは、配線４８が配設される領域であって画像が表示されない領域である。周辺領域Ｖｃは、有効表示領域Ｖｉの全周、つまり、図４に示す有効表示領域Ｖｉの上下及び左右に形成されている。

図４のＢ−Ｂ線に従った断面である図１において、第２透光性基板１２ａ上における周辺領域Ｖｃの全域には、遮光部材４１ｂが設けられている。ここに示す周辺領域Ｖｃは図４における上下の周辺領域Ｖｃである。この遮光部材４１ｂは、図３の着色要素４２の間で列方向Ｙへ延びるストライプ状に設けられた遮光部材４１ａと同じく、色の異なる着色要素４２、例えばＢ，Ｇ，Ｒの３色の着色要素４２を全て重ねることにより、又はそれらのうちの２色を重ねることによって形成することができる。また、Ｃｒ等といった遮光性の金属材料によって形成しても良い。

また、図１において、周辺領域Ｖｃに形成された第１オーバーコート膜４３ａ上には、有効表示領域Ｖｉ内の反射表示領域Ｒと同じく、第２オーバーコート膜４３ｂが設けられている。つまり、カラーフィルタ基板１２の内側の表面に形成された積層構造の層厚は、周辺領域Ｖｃと反射表示領域Ｒとで同じ厚さに形成されている。なお、反射表示領域Ｒに形成される第２オーバーコート膜４３ｂと周辺領域Ｖｃ内に形成さる第２オーバーコート膜４３ｂとは同じ材料を用いて同時に形成できる。

以上のように構成された液晶表示装置１によれば、図１において、液晶表示装置１が明るい室外や明るい室内に置かれる場合は、太陽光や室内光といった外部光を用いて反射型の表示が行われる。一方、液晶表示装置１が暗い室外や暗い室内に置かれる場合は、照明装置４をバックライトとして用いて透過型の表示が行われる。

上記の反射型表示を行う場合、観察側である矢印Ａの方向からカラーフィルタ基板１２を通して液晶パネル２内へ入射した外部光Ｌ０は、図２において液晶層１４を通過して素子基板１１へ入った後、反射表示領域Ｒにおいて光反射膜２６で反射して再び液晶層１４へ供給される。他方、上記の透過型表示を行う場合、照明装置４のＬＥＤ６が点灯し、それからの光が導光体７の光入射面７ａから導光体７へ導入され、さらに、光出射面７ｂから面状の光として出射する。この出射光は、符号Ｌ１で示すように透過表示領域Ｔにおいてカラーフィルタ基板１２を透過して液晶層１４へ供給される。

以上のようにして液晶層１４へ光が供給される間、素子基板１１側の画素電極２１ａとカラーフィルタ基板１２側の共通電極２１ｂとの間には、走査信号及びデータ信号によって特定される所定の電圧が印加され、これにより、液晶層１４内の液晶分子の配向がサブ画素領域Ｄ毎に制御され、この結果、液晶層１４に供給された光がサブ画素領域Ｄごとに変調される。この変調された光が、カラーフィルタ基板１２側の偏光板１５ｂを通過するとき、その偏光板１５ｂの偏光特性に従ってサブ画素領域Ｄごとに通過を許容又は通過を阻止され、これにより、カラーフィルタ基板１２の表面に文字、数字、図形等といった像が表示され、これが矢印Ａ方向から視認される。

以下、突起４９に関して詳しく説明する。まず、図２において突起４９は、カラーフィルタ基板１２上であって透過表示領域Ｔに隣接する第２オーバーコート膜４３ｂの角部上に設けられている。この突起４９は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に形成された段差Ｓに沿って図２の紙面垂直方向、すなわち、図５の紙面左右方向に延びて、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを区画する部材である壁として形成される。

また、図２に示すように、突起４９の配向膜２３ｂ側の表面は、第２オーバーコート膜４３ｂの配向膜２３ｂ側の表面より高く、望ましくは第２オーバーコート膜４３ｂ上に設けられる配向膜２３ｂの膜厚より高く形成される。なお、突起４９とそれに対向する素子基板１１とが接触しないように、突起４９は、液晶層１４の層厚より低く形成することが望ましい。このような突起４９は、第１オーバーコート膜４３ａ及び第２オーバーコート膜４３ｂと同じく絶縁性を有した感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることにより形成できる。

この突起４９の幅Ｗ１は、配向膜２３ｂの材料を共通電極２１ｂ上に塗布した際に、段差Ｓを形成する高い方の領域である反射表示領域Ｒから低い方の領域である透過表示領域Ｔ内に流れ込む配向膜２３ｂの量によって決めることができる。具体的には、反射表示領域Ｒ上において幅Ｗ０で規定される領域内に在る配向膜２３ｂが透過表示領域Ｔ内に流れ込むものとすれば、突起４９の幅Ｗ１は、Ｗ１＜Ｗ０とすることが望ましい。これは次の理由による。すなわち、Ｗ１≧Ｗ０とすれば、突起４９上には、突起４９を設けていない場合に透過表示領域Ｔへ流れ込むのと同じか又はそれより多い量の配向膜２３ｂが塗布されていることになる。こうなれば、突起４９の表面からは、突起４９を設けない場合と同じか又はそれより多い量の配向膜２３ｂの材料が透過表示領域Ｔ内に流れ込むことになり、配向膜２３ｂの材料が段差Ｓを形成する低い方の領域に必要以上に流れ込むことを防止して配向膜を均一に形成するという本発明の目的に反する結果になるからである。

なお、上記の突起４９は第２オーバーコート膜４３ｂから突出しているので、厳密には、その突起４９の部分で液晶層１４の層厚が変化することがある。しかしながら、突起４９の高さＴ１及び幅Ｗ１は他の要素の高さ及び幅に比べて非常に小さいものである。従って、突起４９が設けられた部分においては、液晶層１４の層厚の変化、又は液晶の配向が乱れることによる表示への影響は無視できる。

図３に示すフォトスペーサ２２は、素子基板１１上において複数の画素電極２１ａの間の領域、すなわち遮光領域又はブラックマスク領域であって層間絶縁膜２５上に設けられていることは既に説明した通りである。しかしながら、反射表示領域Ｒ内には対向するカラーフィルタ基板１２上に突起４９が形成されているので、フォトスペーサ２２は、反射表示領域Ｒ内の突起４９が形成されていない領域に形成される。具体的には、フォトスペーサ２２は、図３の矢印I側から平面的に見て、図５に破線で示すように、突起４９に重ならない位置であって遮光部材４１ａ上に設けられている。こうすれば、フォトスペーサ２２は、突起４９と接触することなくセルギャップＧを確実に保持することができる。なお、フォトスペーサ２２は、突起４９が設けられていない領域であれば、反射表示領域Ｒ内に設けても良い。また、フォトスペーサ２２は、周辺領域Ｖｃ内に設けることもできる。

ところで、図２に示す突起４９を有していない従来の液晶表示装置を考えれば、カラーフィルタ基板上に配向膜を形成する際、段差を形成する高い方の領域である反射表示領域内に塗布された配向膜の材料が、段差を形成する低い方の領域である透過表示領域内に流れ込むことがあった。これにより、透過表示領域のうちの段差の近傍で配向膜が厚く形成されるおそれがあった。こうなると、有効表示領域において配向膜の厚さが不均一になり、配向膜が厚く形成された部分で配向不良が発生し、表示の輝度にムラが生じるおそれがあった。

これに対し、段差に沿って突起４９を形成した本実施形態の液晶表示装置１によれば、図２の配向膜２３ｂをカラーフィルタ基板１２上に塗布した際、反射表示領域Ｒに塗布された配向膜２３ｂの材料が流れることを突起４９によって止めることができる。その結果、配向膜２３ｂの材料が透過表示領域Ｔに必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、段差を形成する高い方の領域である反射表示領域Ｒと低い方の領域である透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ｂを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置の第２実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態である液晶表示装置を図６、図７、図８及び図９を用いて説明する。図６は、本発明に係る電気光学装置の他の実施形態である液晶表示装置５１の列方向Ｙに沿った断面構造を示している。また、図７は、図６のＣ−Ｃ線に従って液晶表示装置５１の行方向Ｘに沿った断面を示している。また、図８は、図６の要部を拡大して示している。また、図９は、図７の矢印Ｈで示す部分を矢印Ａが描かれた側から平面的に見た場合を示している。

先の実施形態で図１に示す液晶パネル２と、本実施形態で図６に示す液晶パネル５２とが異なる点は次の通りである。すなわち、図１の液晶パネル２では、カラーフィルタ基板１２の第１オーバーコート膜４３ａ上に第２オーバーコート膜４３ｂを形成し、この第２オーバーコート膜４３ｂによって液晶層１４の層厚を異ならせるようにした。また、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔが成す段差部分に、カラーフィルタ基板１２上の第２オーバーコート膜上に突起４９を形成した。これに対して、図６の液晶パネル５２では、素子基板６１の第１層間絶縁膜７５ａ上に第２層間絶縁膜７５ｂを形成し、この第２層間絶縁膜７５ｂによって液晶層１４の層厚を異ならせている。つまり、本実施形態では、カラーフィルタ基板６２側で液晶層厚の調整を行うのではなく、素子基板６１側でその調整を行っている。また、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔが成す段差部分には、素子基板６１上の第２層間絶縁膜７５ｂ上に突起９９を形成した。

以下、本実施形態を先の第１実施形態と異なる点を中心として説明する。本実施形態において先の実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略することにする。

行方向Ｘに沿った断面を示す図７において、カラーフィルタ基板６２を構成する第２透光性基板６２ａの内側表面に、着色要素４２と遮光部材４１ａ，４１ｂとが形成され、その上に第１オーバーコート膜４３ａが形成され、その上に共通電極２１ｂが形成され、そしてその上に配向膜２３ｂが形成される。これらの構成要素に関しては、図３の第２オーバーコート膜４３ｂを形成せずに第１オーバーコート膜４３ａの１層のみが形成されていることを除いて、図１の実施形態の場合と同じである。

素子基板６１を構成する第１透光性基板６１ａの内側表面には、ＴＦＴ素子３１が複数個形成される。これらのＴＦＴ素子３１を覆うように第１層間絶縁膜７５ａが形成される。そしてその上に、絶縁膜としての第２の層間絶縁膜７５ｂが所定のパターン、すなわち、図６に示すように反射表示領域Ｒに対応する位置に形成される。この第２層間絶縁膜７５ｂの上に、図８に示すように、光反射膜２６を形成し、さらに光反射膜２６上及び第１層間絶縁膜７５ａ上にわたって画素電極２１ａが形成される。第２層間絶縁膜７５ｂの表面には、光散乱用の凹凸パターンが形成されている。そのため、この凹凸パターン上にある光反射膜２６及び画素電極２１ａにも凹凸パターンが形成される。このため、光反射膜２６で反射した光は散乱光となる。

第２層間絶縁膜７５ｂは、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間で液晶層１４の層厚を調整するための層厚調整膜として機能する。具体的には、光反射膜２６が設けられる反射表示領域Ｒに所定の膜厚を有する第２層間絶縁膜７５ｂを設ける。これにより、反射表示領域Ｒに対応する液晶層１４の層厚ｔ０を薄く設定する。一方、光反射膜２６が設けられない透過表示領域Ｔには第２層間絶縁膜７５ｂを設けない。つまり透過表示領域Ｔには第１層間絶縁膜７５ａのみが設けられる。これにより、透過表示領域Ｔに対応する液晶層１４の層厚ｔ１をｔ０に比べて厚く、すなわちｔ１＞ｔ０に設定する。これにより、反射光Ｌ０と透過光Ｌ１との間で液晶層１４を通過する光路の長さを等しく又は近づけることができ、それ故、反射型表示と透過型表示との間で濃さが均一な表示を行うことができる。

図７において、互いに隣接する画素電極２１ａの間の領域（すなわち、遮光領域又はブラックマスク領域）であって第２層間絶縁膜７５ｂ上には、スペーサ部材としての複数のフォトスペーサ２２が適宜の間隔で形成されている。画素電極２１ａ及びフォトスペーサ２２の上には配向膜２３ａが形成される。そして、この配向膜２３ａに配向処理、例えばラビング処理が施され、これにより、その配向膜２３ａの近傍の液晶分子の初期配向が決められる。

以下、突起９９に関して詳しく説明する。まず、列方向Ｙに沿った断面である図８において突起９９は、素子基板６１上であって透過表示領域Ｔに隣接する第２層間絶縁膜７５ｂの角部上に設けられている。この突起９９は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に形成された段差Ｓに沿って図８の紙面垂直方向、すなわち、図９の紙面左右方向に延びて、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを区画する部材である壁として形成される。

また、図８に示すように、突起９９の配向膜２３ａ側の表面は、第２層間絶縁膜７５ｂの配向膜２３ａ側の表面より高く、望ましくは第２層間絶縁膜７５ｂ上に設けられる配向膜２３ｂの厚さより高く形成される。なお、突起９９とそれに対向するカラーフィルタ基板６２とが接触しないように、突起９９は、液晶層１４の層厚より低く形成することが望ましい。このような突起９９は、第１層間絶縁膜７５ａ及び第２層間絶縁膜７５ｂと同じく絶縁性を有した感光性樹脂をフォトリソグラフィ処理によってパターニングすることにより形成できる。

この突起９９の幅Ｗ２は、配向膜２３ａの材料を画素電極２１ａ上に塗布した際に、段差Ｓを形成する高い方の領域である反射表示領域Ｒから低い方の領域である透過表示領域Ｔ内に流れ込む配向膜２３ａの量によって決めることができる。具体的には、反射表示領域Ｒ上において幅Ｗ０で規定される領域内に在る配向膜２３ａが透過表示領域Ｔ内に流れ込むものとすれば、突起９９の幅Ｗ２は、Ｗ２＜Ｗ０とすることが望ましい。これは次の理由による。すなわち、Ｗ２≧Ｗ０とすれば、突起９９上には、突起９９を設けていない場合に透過表示領域Ｔへ流れ込むのと同じか又はそれより多い量の配向膜２３ａが塗布されていることになる。こうなれば、突起９９の表面からは、突起９９を設けない場合と同じか又はそれより多い量の配向膜２３ａの材料が透過表示領域Ｔ内に流れ込むことになり、配向膜２３ｂの材料が段差Ｓを形成する低い方の領域に必要以上に流れ込むことを防止して配向膜を均一に形成するという本発明の目的に反する結果になるからである。

なお、上記の突起９９は第２層間絶縁膜７５ｂから突出しているので、厳密には、その突起９９の部分で液晶層１４の層厚が変化することがある。しかしながら、突起９９の高さＴ２及び幅Ｗ２は他の要素の高さ及び幅に比べて非常に小さいものである。従って、突起９９が設けられた部分においては、液晶層１４の層厚の変化、又は液晶の配向が乱れることによる表示への影響は無視できる。

図７に示すフォトスペーサ２２は、素子基板６１上で互いに隣接する画素電極２１ａの間の領域、すなわち遮光領域又はブラックマスク領域であって第２層間絶縁膜７５ｂ上に設けられていることは既に説明した通りである。さらに、フォトスペーサ２２は、同じ素子基板６１上であって反射表示領域Ｒ内の突起９９が形成されていない領域に形成される。具体的には、フォトスペーサ２２は、素子基板６１のうちの矢印Ｈで示す部分を矢印Ａ側から平面的に見て、図９に示すように、突起９９が設けられていない領域であって遮光領域に設けられている。こうすれば、フォトスペーサ２２は、セルギャップＧを安定して確実に保持することができる。なお、フォトスペーサ２２は、突起９９が設けられていない領域であれば、反射表示領域Ｒ内に設けても良い。また、フォトスペーサ２２は、周辺領域Ｖｃ内に設けることもできる。

図６において、本実施形態の液晶表示装置５１では、図８に示すように段差Ｓの部分に突起９９を形成した。これにより、図８の配向膜２３ａを素子基板６１上に塗布した際、反射表示領域Ｒに塗布された配向膜２３ａの材料が流れることを突起９９によって止めることができる。その結果、配向膜２３ａの材料が透過表示領域Ｔに必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、段差を形成する高い方の領域である反射表示領域Ｒと低い方の領域である透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ａを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置の第３実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を説明する。図１０は、さらに他の実施形態に係る液晶表示装置の主要部を示している。図１０（ａ）は、図４の矢印Ｊの部分のカラーフィルタ基板１２を図の裏側から見た図である。第１実施形態では、図２及び図５に示したように、カラーフィルタ基板１２上であって透過表示領域Ｔに隣接する第２オーバーコート膜４３ｂの角部上に突起４９が設けられている。そして突起４９は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に形成された段差Ｓに沿って図２の紙面垂直方向（Ｘ方向）、すなわち、図５の紙面左右方向（Ｘ方向）に延びて、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを区画する部材である壁として形成されている。本実施形態において、突起４９以外の液晶表示装置の構成要素は、図１〜図５で示した第１実施形態の場合と同じとすることができる。

一方、本実施形態では、図１０（ａ）に示すように、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの間に突起４９を形成している。図１０（ａ）では図４の左右の周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉとの間に設けられる突起４９を示したが、この突起４９は、図４の上下の周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉとの間にも同様に設けられる。すなわち、突起４９は、周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉの境界の全周にわたって平面視で無端の環状に設けられている。また、突起４９の断面は、直角又はそれに近い形状で起立していて、配向膜材料の流れを止めるのに有効な形状になっている。

図１０（ａ）のＰ１−Ｐ１線に従った断面、すなわち、周辺領域Ｖｃと反射表示領域Ｒとが隣接する部分の断面では、図１０（ｂ）に示すように、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの境界に段差は形成されず、両者にわたって同じ高さの第２オーバーコート膜４３ｂが形成されている。一方、図１０（ａ）のＰ２−Ｐ２線に従った断面、すなわち周辺領域Ｖｃと透過表示領域Ｔとが隣接する部分の断面では、図１０（ｃ）に示すように、透過表示領域Ｔには第２オーバーコート膜４３ｂが形成されないので、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの境界に段差Ｓが形成される。

本実施形態では、図１０（ａ）に示すように、周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉの間に突起４９を形成したので、図１０（ｃ）において配向膜２３ｂをカラーフィルタ基板１２上に塗布した際、周辺領域Ｖｃに塗布された配向膜２３ｂの材料が流れることを突起４９によって止めることができる。その結果、配向膜２３ｂの材料が有効表示領域Ｖｉ、特に透過表示領域Ｔに必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、段差を形成する高い方の領域である周辺領域Ｖｃと低い方の領域である透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ｂを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置の第４実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を説明する。図１１は、さらに他の実施形態に係る液晶表示装置の主要部を示している。図１１（ａ）は、図４の矢印Ｊの部分の素子基板６１を図の表側から見た図である。第２実施形態では、図８及び図９に示したように、素子基板６１上であって透過表示領域Ｔに隣接する第２層間絶縁膜７５ｂの角部上に突起９９が設けられている。そして突起９９は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に形成された段差Ｓに沿って図８の紙面垂直方向（Ｘ方向）、すなわち、図９の紙面左右方向（Ｘ方向）に延びて、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを区画する部材である壁として形成されている。本実施形態において、突起９９以外の液晶表示装置の構成要素は、図６〜図９で示した第２実施形態の場合と同じとすることができる。

一方、本実施形態では、図１１（ａ）に示すように、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの間に突起９９を形成している。図１１（ａ）では図４の左右の周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉとの間に設けられる突起９９を示したが、この突起９９は、図４の上下の周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉとの間にも同様に設けられる。すなわち、突起９９は、周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉの境界の全周にわたって平面視で無端の環状設けられている。また、突起９９の断面は、直角又はそれに近い形状で起立していて、配向膜材料の流れを止めるのに有効な形状になっている。

図１１（ａ）のＰ３−Ｐ３線に従った断面、すなわち、周辺領域Ｖｃと反射表示領域Ｒとが隣接する部分の断面では、図１１（ｂ）に示すように、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの境界に段差は形成されず、両者にわたって同じ高さの第２層間絶縁膜７５ｂが形成されている。一方、図１１（ａ）のＰ４−Ｐ４線に従った断面、すなわち周辺領域Ｖｃと透過表示領域Ｔとが隣接する部分の断面では、図１１（ｃ）に示すように、透過表示領域Ｔには第２層間絶縁膜７５ｂが形成されないので、有効表示領域Ｖｉと周辺領域Ｖｃの境界に段差Ｓが形成される。

本実施形態では、図１１（ａ）に示すように、周辺領域Ｖｃと有効表示領域Ｖｉの間に突起９９を形成したので、図１１（ｃ）において配向膜２３ａを素子基板６１上に塗布した際、周辺領域Ｖｃに塗布された配向膜２３ａの材料が流れることを突起９９によって止めることができる。その結果、配向膜２３ａの材料が有効表示領域Ｖｉ、特に透過表示領域Ｔに必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、段差を形成する高い方の領域である周辺領域Ｖｃと低い方の領域である透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ａを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置の第５実施形態）
次に、本発明に係る電気光学装置のさらに他の実施形態を説明する。図１２は、さらに他の実施形態に係る液晶表示装置の主要部を示している。図１２（ａ）は、図４の矢印Ｋの部分の素子基板６１を図の表側から見た図である。本実施形態の全体的な構成は図６に示す構成と同様のものとすることができる。図６の実施形態と異なる点は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの構造、すなわち、素子基板６１の内側表面に形成される第２層間絶縁膜７５ｂ及び突起９９の構造である。以下、本実施形態を先の第２実施形態と異なる点を中心として説明する。本実施形態において先の実施形態と同じ構成要素は同じ符号を付して示すことにして、その説明は省略することにする。

第２実施形態では、図９に平面的に示すように、１つのサブ画素領域Ｄの図示の上側に反射表示領域Ｒを形成し、図示の下側に透過表示領域Ｔを形成している。そして、突起９９は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に形成された段差Ｓに沿って図９の紙面左右方向（Ｘ方向）、すなわち、図８の紙面垂直方向（Ｘ方向）に延びて、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを区画する部材である壁として形成されている。

これに対して、本実施形態では、図１２（ａ）に平面的に示すように、１つのサブ画素領域Ｄの略中央に開口部１０３を設けることにより透過表示領域Ｔを形成し、その透過表示領域Ｔの周辺に反射表示領域Ｒを形成している。この開口部１０３は、第２層間絶縁膜７５ｂを除去するか、又は第２層間絶縁膜７５ｂの層厚を他の部分に比べて薄くすることにより設けることができる。そして、突起９９は、開口部１０３の全周にその開口部１０３を囲むような無端の枠状に形成される。

図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のＰ５−Ｐ５線に従った断面の構造を示している。また、図１２（ｃ）は、図１２（ａ）のＰ６−Ｐ６線に従った断面の構造を示している。図１２（ｂ）及び図１２（ｃ）に示すように、素子基板６１は、透光性基板６１ａの上にＴＦＴ素子３１及び配線４７，４８を形成し、その上に第１層間絶縁膜７５ａを形成している点で図８に示した実施形態と同じである。本実施形態では、第１層間絶縁膜７５ａの上であって開口部１０３以外の領域に第２層間絶縁膜７５ｂを形成することにより、開口部１０３とその周辺の領域、すなわち反射表示領域Ｒとの間に段差Ｓを形成している。

本実施形態においては、開口部１０３とその周辺の領域を形成する第２層間絶縁膜７５ｂとが成す段差Ｓに、開口部１０３を囲む無端の枠状に突起９９を形成したので、配向膜２３ａを素子基板６１上に塗布した際、反射表示領域Ｒに塗布された配向膜２３ａの材料が低い方へ流れることを突起９９によって止めることができる。その結果、配向膜２３ａの材料が透過表示領域Ｔに必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、段差を形成する高い方の領域である反射表示領域Ｒと低い方の領域である透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ａを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（電気光学装置のその他の実施形態）
以上、好ましい実施形態を挙げて本発明を説明したが、本発明はその実施形態に限定されるものではなく、請求の範囲に記載した発明の範囲内で種々に改変できる。

例えば、上記の実施形態では、図２において、突起４９は第２オーバーコート膜４３ｂの表面上に設けられている。しかしながら、突起４９は他の構成によって設けることもできる。例えば、図１５（ｂ）に示すように、基板２０１上に絶縁膜２０２Ｂを設けて段差Ｓを形成し、その段差Ｓに沿って絶縁膜２０２Ｂの側面に接触するように突起２０３Ｂを設けることもできる。また、図１５（ｃ）に示すように、基板２０１上に絶縁膜２０２Ｃを設けて段差Ｓを形成し、その段差Ｓに沿って絶縁膜２０２Ｃの側面及びそれに隣接する絶縁膜２０２Ｃの上面の一部にかかるように突起２０３Ｃを設けることもできる。また、図１５（ｄ）に示すように、基板２０１上に絶縁膜２０２Ｄを設けて段差Ｓを形成し、絶縁膜２０２Ｄのうちの２０２Ｄ’で示す部分を除去することにより、段差Ｓに沿った突起２０３Ｄを絶縁膜２０２Ｄと一体に形成することもできる。これらいずれの場合においても、絶縁膜の配向膜側の表面は基板の表面より高く、突起の配向膜側の表面は絶縁膜の配向膜側の表面よりも高い。

また、第１の実施形態では、図５に示すように、突起４９を反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に設けるようにした。しかしながら、突起４９は、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に加えて、周辺領域Ｖｃと透過表示領域Ｔとの間にも設けることができる。すなわち、突起４９は透過表示領域Ｔを囲むように設けることができる。

また、上記実施形態では、スイッチング素子として３端子型素子であるアモルファスシリコンＴＦＴを用いたが、その他の３端子型素子、例えば低温ポリシリコンＴＦＴ、高温ポリシリコンＴＦＴを用いることもできる。また、スイッチング素子として２端子型素子を用いることもできる。この２端子型素子としては、例えば、ＴＦＤ（Thin Film Diode）素子を用いることができる。また、本発明は、スイッチング素子を用いない単純マトリクス方式の液晶表示装置にも適用できる。

（電気光学装置の製造方法の実施形態）
以下、本発明に係る電気光学装置の製造方法を、図２及び図３の液晶表示装置１を製造する場合を例に挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図３において、まず、第２透光性基板１２ａ上に着色要素４２を、例えば、Ｂ，Ｇ，Ｒ各色の顔料や染料を感光性樹脂に分散させてなる着色材料をフォトリソグラフィ処理によって所定の配列に形成する。このとき同時に、互いに隣接する２色の着色要素４２を積層することにより、又は３色の着色要素４２を積層することにより、各色の着色要素４２の間に遮光部材４１ａを所定のパターンに形成する。本実施形態の場合は、異なる色の着色要素４２の間にサブ画素領域Ｄの間を埋めるようなストライプ状のパターンに形成する。なお、遮光部材４１ａはＣｒ等といった遮光性を有した金属を材料としてフォトエッチング処理によって所定のパターンに形成することもできる。

次に、図３の遮光部材４１ａ及び着色要素４２の上に第１オーバーコート膜４３ａをアクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によって形成する。次に、図２の第１オーバーコート膜４３ａ上に、絶縁膜である第２オーバーコート膜４３ｂを形成する。この第２オーバーコート膜４３ｂは、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理によってサブ画素領域Ｄ内の反射表示領域Ｒに対応する位置に所定のパターンに形成される。第２オーバーコート膜４３ｂを形成することにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に段差Ｓが形成される。

次に、第２オーバーコート膜４３ｂ上に突起４９を形成する。この突起４９は、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂等といった感光性樹脂を材料としてフォトリソグラフィ処理を行うことにより、段差Ｓに沿って図２の紙面垂直方向に延びて、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとを区画する部材である壁として形成される。次に、第１オーバーコート膜４３ａ、第２オーバーコート膜４３ｂ及び突起４９の上に、共通電極２１ｂを、ＩＴＯを材料としてフォトエッチング処理によって形成する。次に、共通電極２１ｂ上に配向膜２３ｂを形成する。この配向膜２３ｂは、例えばポリイミド等といった材料の溶液を印刷することによって塗布し、塗布した材料をその塗布後に焼成することにより膜状に形成される。さらに、その配向膜２３ｂの表面に配向処理としてのラビング処理を行う。

以上のように、本実施形態では、配向膜２３ｂの材料を印刷によって塗布するようにした。この場合には、段差Ｓを形成する高い方の領域である反射表示領域Ｒから低い方の領域である透過表示領域Ｔへ配向膜２３ｂの材料が流動し易く、配向膜２３ｂの厚さが不均一になり易い。しかしながら、本発明の製造方法によれば、配向膜２３ｂの流動を抑制するように突起４９を段差Ｓに沿って形成するようにしたので、第２オーバーコート膜４３ｂ上に配向膜２３ｂを形成する際、反射表示領域Ｒに塗布された配向膜２３ｂの材料が透過表示領域Ｔ流れ込むことを、突起４９によって止めることができる。その結果、配向膜２３ｂの材料が透過表示領域Ｔ内に必要以上に流れ込むことを防止できる。それ故、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ｂを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（電子機器の実施形態）
以下、本発明に係る電子機器を実施形態を挙げて説明する。なお、この実施形態は本発明の一例を示すものであり、本発明はこの実施形態に限定されるものではない。

図１３は、本発明に係る電子機器の一実施形態を示している。ここに示す電子機器は、液晶表示装置１５１と、これを制御する制御回路１５０とを有する。制御回路１５０は、表示情報出力源１５４、表示情報処理回路１５５、電源回路１５６及びタイミングジェネレータ１５７によって構成される。そして、液晶表示装置１５１は液晶パネル１５２及び駆動回路１５３を有する。

表示情報出力源１５４は、ＲＡＭ(Random Access Memory)等といったメモリや、各種ディスク等といったストレージユニットや、ディジタル画像信号を同調出力する同調回路等を備え、タイミングジェネレータ１０７により生成される各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等といった表示情報を表示情報処理回路１５５に供給する。

次に、表示情報処理回路１５５は、増幅・反転回路や、ローテーション回路や、ガンマ補正回路や、クランプ回路等といった周知の回路を多数備え、入力した表示情報の処理を実行して、画像信号をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１５３へ供給する。ここで、駆動回路１５３は、走査線駆動回路やデータ線駆動回路と共に、検査回路等を総称したものである。また、電源回路１５６は、上記の各構成要素に所定の電源電圧を供給する。

液晶表示装置１５１は、例えば、図１に示した液晶表示装置１や、図６に示した液晶表示装置５１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１においては、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に第２オーバーコート４３ｂによって形成される段差に沿って、その第２オーバーコート膜４３ｂの配向膜２３ｂ側の表面から突出する突起４９を形成したことにより、段差を形成する高い方の領域である反射表示領域Ｒと低い方の領域である透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ｂを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。また、図６の液晶表示装置５１においては、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に第２層間絶縁膜７５ｂによって形成される段差に沿って、その第２層間絶縁膜７５ｂの配向膜２３ａ側の表面から突出する突起９９を形成したことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ａを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。従って、これらの液晶表示装置１，５１を用いた電子機器においても、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

図１４は、本発明に係る電子機器の他の実施形態である携帯電話機を示している。ここに示す携帯電話機１６０は、本体部１６１と、これに開閉可能に設けられた表示体部１６２とを有する。液晶表示装置等といった電気光学装置によって構成された表示装置１６３は、表示体部１６２の内部に配置され、電話通信に関する各種表示は、表示体部１６２において表示画面１６４によって視認できる。本体部１６１には操作ボタン１６５が配列されている。

表示体部１６２の一端部にはアンテナ１６６が伸縮自在に取付けられている。表示体部１６２の上部に設けられた受話部１６７の内部には、図示しないスピーカが配置される。また、本体部１６１の下端部に設けられた送話部１６８の内部には図示しないマイクが内蔵されている。表示装置１６３の動作を制御するための制御部は、携帯電話機の全体の制御を司る制御部の一部として、又はその制御部とは別に、本体部１６１又は表示体部１６２の内部に格納される。

表示装置１６３は、例えば、図１に示した液晶表示装置１や、図６に示した液晶表示装置５１を用いて構成できる。図１の液晶表示装置１においては、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に第２オーバーコート４３ｂによって形成される段差に沿って、その第２オーバーコート膜４３ｂの配向膜２３ｂ側の表面よりも高い突起４９を形成したことにより、段差を形成する高い方の領域である反射表示領域Ｒと低い方の領域である透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ｂを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。また、図６の液晶表示装置５１においては、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔとの間に第２層間絶縁膜７５ｂによって形成される段差に沿って、その第２層間絶縁膜７５ｂの配向膜２３ａ側の表面よりも高い突起９９を形成したことにより、反射表示領域Ｒと透過表示領域Ｔの両者の間で配向膜２３ａを均一に形成することができるので、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。従って、これらの液晶表示装置１，５１を用いた電子機器においても、表示の輝度にムラが発生することを防止できる。

（変形例）
なお、電子機器としては、以上に説明した携帯電話機等の他にも、パーソナルコンピュータ、液晶テレビ、ビューファインダ型又はモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話機、ＰＯＳ端末器等が挙げられる。

本発明に係る電気光学装置の一実施形態を示す断面図である。 図１の要部を拡大して示す断面図である。 図１のＣ−Ｃ線に従った断面図である。 図１の矢印Ａに従った液晶表示装置の平面図である。 図３の矢印Ｅで示す部分を矢印I方向から示す平面図である。 本発明に係る電気光学装置の他の実施形態を示す断面図である。 図６のＣ−Ｃ線に従った断面図である。 図６の要部を拡大して示す断面図である。 図７の矢印Ｈで示す部分を矢印I方向から示す平面図である。 本発明に係るさらに他の実施形態の要部を示す図である。 本発明に係るさらに他の実施形態の要部を示す図である。 本発明に係るさらに他の実施形態の要部を示す図である。 本発明に係る電子機器の一実施形態を示すブロック図である。 本発明に係る電子機器の他の実施形態を示す斜視図である。 突起の構成の例を示す断面図である。

符号の説明

１，５１．液晶表示装置（電気光学装置）、
２，５２．液晶パネル（電気光学パネル）、 ３．駆動用ＩＣ、 ４．照明装置、
６．ＬＥＤ、 ７．導光体、 １１，６１．素子基板、
１１ａ，６１ａ．第１透光性基板、 １２，６２．カラーフィルタ基板、
１２ａ，６２ａ．第２透光性基板、 １３．シール材、 １４．液晶層、
１５ａ，１５ｂ．偏光板、 １６．張出し部、 １７．ＦＰＣ基板、
２１ａ．画素電極、 ２１ｂ．共通電極、 ２２ａ，２２ｂ．フォトスペーサ、
２３ａ，２３ｂ．配向膜、 ２４．コンタクトホール、 ２５．層間絶縁膜（絶縁膜）、
２６．光反射膜、 ３１．ＴＦＴ素子、 ３２．ドレイン電極、 ３３．ゲート電極、
３３’．ゲート電極線、 ３４．ゲート絶縁膜、 ３５．半導体層、
３６．ソース電極、 ３６’．ソース電極線、 ４１ａ，４１ｂ．遮光部材、
４２．着色要素、 ４３ａ．第１オーバーコート膜、 ４３ｂ．第２オーバーコート膜、
４７，４８．配線、 ４９，９９．突起、 ７５ａ．第１層間絶縁膜、
７５ｂ．第２層間絶縁膜（絶縁膜）、１０３．開口部、 １５０．制御回路、
１５１．液晶表示装置（電気光学装置）、 １５２．液晶パネル（電気光学パネル）、
１５３．駆動回路、 １６０．携帯電話機（電子機器）、
１６３．表示装置（電気光学装置）、 ２０１．基板、
２０２Ａ，２０２Ｂ，２０２Ｃ，２０２Ｄ．絶縁膜、 ２０２Ｄ’．除去部分、
２０３Ａ，２０３Ｂ，２０３Ｃ，２０３Ｄ．突起、 Ｄ．サブ画素領域、
Ｒ．反射表示領域、 Ｓ．段差、 Ｔ．透過表示領域、 Ｖｉ．有効表示領域、
Ｖｃ．周辺領域

Claims (9)

1. 基板と、
   該基板上に設けられていて段差を形成する絶縁膜と、
   該絶縁膜上に配置される配向膜と、
   該配向膜上に配置される電気光学物質層と、
   前記段差に沿って設けられる突起と
   を有し、
   前記絶縁膜の前記配向膜側の表面は前記基板の表面より高く、
   前記突起の前記配向膜側の表面は前記絶縁膜の前記配向膜側の表面よりも高い
   ことを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１記載の電気光学装置において、
   前記基板上に前記電気光学物質層を囲む枠状に設けられるシール材と、
   該シール材によって囲まれて表示を行う有効表示領域と
   を有し、
   前記絶縁膜は前記有効表示領域内に前記段差を形成し、
   前記突起は前記有効表示領域内に形成された前記段差に沿って設けられる
   ことを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項１又は請求項２記載の電気光学装置において、
   前記シール材と前記有効表示領域との間に周辺領域をさらに有し、
   前記絶縁膜は前記有効表示領域と前記周辺領域の間に前記段差を形成し、
   前記突起は前記有効表示領域と前記周辺領域の間に形成された前記段差に沿って設けられる
   ことを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項２又は請求項３記載の電気光学装置において、
   前記電気光学物質層を間にして前記基板に対向して設けられる対向基板を有し、
   光を反射する光反射膜を前記基板上又は前記対向基板上に設け、
   前記絶縁膜を前記基板上又は前記対向基板上に設け、
   前記有効表示領域は、前記光反射膜によって反射された光を用いて表示を行う反射表示領域と、前記光反射膜が形成されていない領域を透過する光を用いて表示を行う透過表示領域とを備え、
   前記絶縁膜は、前記反射表示領域における前記電気光学物質層の厚さを前記透過表示領域における前記電気光学物質の厚さよりも薄くするように少なくとも前記反射表示領域に設けられることにより、前記反射表示領域と前記透過表示領域の間に前記段差を形成し、
   前記突起は前記反射表示領域と前記透過表示領域の間に形成された前記段差に沿って設けられること
   を特徴とする電気光学装置。
5. 請求項４記載の電気光学装置において、前記基板と前記対向基板との間であって前記突起が設けられていない領域に、前記電気光学物質層の層厚を一定に保持するスペーサ部材が設けられることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項５記載の電気光学装置において、前記スペーサ部材はフォトリソグラフィ処理によって形成されるフォトスペーサであることを特徴とする電気光学装置。
7. 請求項１から請求項６のいずれか１つに記載の電気光学装置において、前記突起の高さは前記電気光学物質層の層厚より低いことを特徴とする電気光学装置。
8. 基板上に絶縁膜を設ける工程と、
   前記基板上に突起を設ける工程と、
   前記絶縁膜上に配向膜を設ける工程と、
   前記配向膜上に電気光学物質層を設ける工程と
   を有し、
   配向膜を設ける前記工程では、前記配向膜の材料を印刷によって塗布することにより、前記絶縁膜上に前記配向膜を設け、
   突起を設ける前記工程では、前記配向膜の流動を抑制するように前記突起を設ける
   ことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
9. 請求項１から請求項７のいずれか１つに記載の電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。
   
   

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