JP2007005497A - 半導体不良解析装置、不良解析方法、及び不良解析プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体デバイスの不良観察画像P2を取得する検査情報取得部11と、レイアウト情報を取得するレイアウト情報取得部12と、半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析部13と、解析結果の情報を表示装置40に表示させる解析画面表示制御部14とによって不良解析装置10を構成する。不良解析部13は、不良観察画像P2を参照して解析領域を設定するとともに、半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて解析領域を通過するネットを抽出する。
【選択図】 図1
Description
P1…パターン画像、P2…不良観察画像、P3…レイアウト画像、P4…発光画像、P5…OBIRCH画像、P6…重畳画像、A1〜A6…発光領域、B1〜B6…解析領域、C1〜C4…ネット。
Claims (19)
- 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析装置であって、
半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得手段と、
前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得手段と、
前記不良観察画像及び前記レイアウト情報を参照して前記半導体デバイスの不良についての解析を行う不良解析手段と、
前記半導体デバイスの不良の解析についての情報を表示手段に表示させる情報表示制御手段とを備え、
前記不良解析手段は、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定するための領域設定手段と、前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析手段とを有し、
前記情報表示制御手段は、前記領域設定手段及び前記ネット情報解析手段による前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を前記表示手段に表示させることを特徴とする半導体不良解析装置。 - 前記領域設定手段は、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して複数の前記解析領域を設定するとともに、
前記ネット情報解析手段は、前記複数のネットについて複数の前記解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの前記解析領域の通過回数を取得することを特徴とする請求項1記載の不良解析装置。 - 前記検査情報取得手段は、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得手段は、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
前記不良解析手段は、前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整手段を有することを特徴とする請求項1または2記載の不良解析装置。 - 前記領域設定手段は、前記解析領域に対して属性を設定することが可能に構成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか一項記載の不良解析装置。
- 前記ネット情報解析手段は、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項4記載の不良解析装置。
- 前記不良解析手段は、別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得手段を有することを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項記載の不良解析装置。
- 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析方法であって、
半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得ステップと、
前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、
前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定する領域設定ステップと、
前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析ステップと、
前記領域設定ステップ及び前記ネット情報解析ステップによる前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させる情報表示ステップと
を備えることを特徴とする半導体不良解析方法。 - 前記領域設定ステップにおいて、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して複数の前記解析領域を設定するとともに、
前記ネット情報解析ステップにおいて、前記複数のネットについて複数の前記解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの前記解析領域の通過回数を取得することを特徴とする請求項7記載の不良解析方法。 - 前記検査情報取得ステップにおいて、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得ステップにおいて、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整ステップを備えることを特徴とする請求項7または8記載の不良解析方法。 - 前記領域設定ステップにおいて、前記解析領域に対して属性を設定することが可能となっていることを特徴とする請求項7〜9のいずれか一項記載の不良解析方法。
- 前記ネット情報解析ステップにおいて、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項10記載の不良解析方法。
- 別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得ステップを備えることを特徴とする請求項7〜11のいずれか一項記載の不良解析方法。
- 半導体デバイスの観察画像を用い、その不良を解析する半導体不良解析をコンピュータに実行させるためのプログラムであって、
半導体デバイスの観察画像として、不良についての検査を行って得られた、不良に起因する反応情報を含む不良観察画像を取得する検査情報取得処理と、
前記半導体デバイスのレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得処理と、
前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して解析領域を設定する領域設定処理と、
前記半導体デバイスのレイアウトに含まれる複数のネットについて前記解析領域を通過するネットを抽出するネット情報解析処理と、
前記領域設定処理及び前記ネット情報解析処理による前記半導体デバイスの不良の解析結果についての情報を表示手段に表示させる情報表示処理と
をコンピュータに実行させる半導体不良解析プログラム。 - 前記領域設定処理は、前記不良観察画像を参照し、前記反応情報に対応して複数の前記解析領域を設定するとともに、
前記ネット情報解析処理は、前記複数のネットについて複数の前記解析領域のそれぞれを通過するネットを抽出し、そのネットの前記解析領域の通過回数を取得することを特徴とする請求項13記載の不良解析プログラム。 - 前記検査情報取得処理は、前記不良観察画像に加えて、通常の前記観察画像であるパターン画像を取得し、前記レイアウト情報取得処理は、前記レイアウト情報としてレイアウト画像を取得するとともに、
前記パターン画像と前記レイアウト画像とを参照して、前記パターン画像及び前記不良観察画像を含む前記観察画像と、前記レイアウト画像との間の位置合わせを行う位置調整処理をコンピュータに実行させる請求項13または14記載の不良解析プログラム。 - 前記領域設定処理は、前記解析領域に対して属性を設定することが可能となっていることを特徴とする請求項13〜15のいずれか一項記載の不良解析プログラム。
- 前記ネット情報解析処理は、前記解析領域に対して設定された前記属性を参照して、その解析領域について前記ネットの抽出に用いるかどうかを選択することを特徴とする請求項16記載の不良解析プログラム。
- 別の解析方法によって得られた前記半導体デバイスの不良についての付加的な解析情報を取得する付加解析情報取得処理をコンピュータに実行させる請求項13〜17のいずれか一項記載の不良解析プログラム。
- 前記情報表示処理は、前記解析結果として、前記ネット情報解析処理によって抽出されたネットを一覧表示したネットリストを前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項13〜18のいずれか一項記載の不良解析プログラム。
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