JP2007005428A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ヘテロ接合半導体素子と別の半導体素子とが同一基板上に集積され、かつ、この別の半導体素子の電極取り出し構造が改良された半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 前記別の半導体素子の一例である抵抗素子20を構成する抵抗層11を、イオン注入法または不純物拡散法によって半絶縁性基板1内に形成する。次に、サブコレクタ層2、コレクタ層3、ベース層4、エミッタ層5、そしてエミッタキャップ層6の構成材料層を、基板1の全面にエピタキシャル成長法によって形成する。次に、これらの一部をメサ構造に加工して、HBT10を形成する。一方、抵抗素子20の素子電極14、15を高い位置で取り出すための導電層12、13を、サブコレクタ層2の構成材料層42のパターニングによって形成し、素子電極14、15をこの上に形成する。次に、BCBなどの平坦化膜30を形成し、これを介して配線31、32を形成する。
【選択図】 図1
【解決手段】 前記別の半導体素子の一例である抵抗素子20を構成する抵抗層11を、イオン注入法または不純物拡散法によって半絶縁性基板1内に形成する。次に、サブコレクタ層2、コレクタ層3、ベース層4、エミッタ層5、そしてエミッタキャップ層6の構成材料層を、基板1の全面にエピタキシャル成長法によって形成する。次に、これらの一部をメサ構造に加工して、HBT10を形成する。一方、抵抗素子20の素子電極14、15を高い位置で取り出すための導電層12、13を、サブコレクタ層2の構成材料層42のパターニングによって形成し、素子電極14、15をこの上に形成する。次に、BCBなどの平坦化膜30を形成し、これを介して配線31、32を形成する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、ヘテロ接合半導体素子と別の半導体素子とが集積された半導体装置及びその製造方法に関するものであり、より詳しくは、別の半導体素子の電極取り出し構造の改良に関するものである。
近年、半導体装置の高速化および高集積化に対する要求はますます強くなり、例えば、III−V族化合物半導体によるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)に対する期待も高くなっている。
HBT素子の作製では、通常、分子線エピタキシー法(MBE法)や有機金属気相成長法(MOCVD)法などを用いて、ガリウム・ヒ素GaAs基板あるいはインジウム・リンInP基板上に、例えば、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層、エミッタ層およびエミッタキャップ層の構成材料層を順次エピタキシャル成長させ、この積層体をさらに加工してHBT素子を形成する。特に、インジウム・リンInPと格子整合する材料は、高い電子移動度と大きな飽和速度とを有する材料として期待されている。
このように、HBT素子では各半導体層を基板上に積層して形成した縦型構造をとっているため、半導体層に接して電極を形成すると、少なくとも下部層の電極形成位置の上部には、上部層を設けることはできなくなる。そこで、いったん各構成材料層を形成した後、フォトリソグラフィとエッチングとによって電極形成位置の上部層を除去し、上記積層体を階段状の断面を有するメサ構造に加工することが多い。
さて、このようなHBT素子が形成された基板に、モノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)のように、別の受動素子や能動素子、例えば抵抗素子や保護ダイオードなどを集積して形成すれば、半導体装置のサイズやコストを減少させ、信頼性を向上させることができる。この場合、厚さ方向(基板に直交する方向)におけるどの位置にこれらの素子を形成するのかということが重要になる。
まず、HBT素子の各半導体層を形成するために積層したエピタキシャル構成材料層を利用して、抵抗素子や保護ダイオードを形成することが考えられる。しかし、この場合には、各構成材料層はHBT素子を形成するために最適化されているため、抵抗素子の抵抗値や、ダイオードの降伏(ブレークダウン)電圧などが制約を受けるという問題がある。
例えば、ダイオードの降伏現象を利用してHBT素子の保護ダイオードを形成するには、降伏電圧が4〜7V程度であることが望ましい。しかし、HBT素子の構成材料層間に形成されたpn接合を利用して保護ダイオードを形成する場合、エミッタ・ベース接合を利用すると、降伏電圧が3V程度となり低くなりすぎる。このため、このpn接合を何段か直列に接続することが必要になり、素子サイズが大きくなってしまうという問題がある。また、ベース・コレクタ接合を利用しようとしても、コレクタ層の不純物濃度が1×1016cm-3程度と小さすぎるため、降伏電圧が高くなりすぎ、保護素子として適当でない。
また、上記各構成材料層をメサ形状にエッチングして抵抗素子や保護ダイオードを形成する場合には、パターニングのばらつきにより抵抗値などがばらつくという問題も生じる。
次に、HBT素子を被覆しているパッシベーション膜を下地膜として、その上に抵抗素子や保護ダイオードを形成することが考えられる。この場合、熱を発生する抵抗素子などの下地膜としては、熱電導性のよい酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの無機膜が好ましい。しかしながら、インジウム・リン系HBTでは、プラズマCVD法などで酸化シリコン膜や窒化シリコン膜を形成すると、半導体表面がプラズマ損傷を受け、半導体特性が劣化する。これを避けるために、インジウム・リン系HBTでは、パッシベーション膜としてベンゾシクロブテン(BCB)やポリイミドなどの有機膜をスピンコーティング法などの塗布法によって形成する。
しかし、これらの有機膜は、酸化シリコン膜などに比べて一桁程度熱伝導率が低く、しかも、1μm程度のメサ段差を有するHBT素子の表面を平坦化できるように厚く形成される。このため、有機膜からなるパッシベーション膜の上に抵抗素子などを配置すると、抵抗素子などで発生する熱を基板側へ放熱することが難しくなり、HBT素子の接合温度が上昇してHBT素子の特性が変化するといった問題が発生する。
そこで、後述の特許文献1には、基板に接して設けられた酸化シリコン膜の上に、負荷抵抗体やMIM(金属-絶縁体-金属)キャパシタが形成された半導体集積回路とその製造方法が提案されている。しかし、この場合には、まず、BCB膜などでHBT素子が形成されている領域を選択的に被覆し、次に、酸化シリコン膜などを形成した後、この上に負荷抵抗体などの別の素子を形成し、さらに、HBT素子形成領域と別の素子の形成領域との段差を解消するために、別の素子の形成領域に平坦化膜を形成する必要がある。この結果、半導体集積回路の構造が複雑になり、製造工程が煩雑になるという問題がある。
一方、後述の特許文献2には、予め半導体基板の一部の領域にイオン注入法によって抵抗層を形成した後、半導体基板の他の領域に高電子移動度トランジスタ(HEMT)素子を形成して、HEMT素子と抵抗素子とを集積する半導体装置の製造方法が提案されている。
この例のように、抵抗素子やダイオードを構成する導電領域を半導体基板に埋め込んで形成する場合には、半導体基板上に積層されるHEMT素子やHBT素子などの構成材料層の特性に関係なく、任意の特性の抵抗素子やダイオードを形成することができる。また、メサエッチングによるパターニングを行わないので、パターニングのばらつきによって抵抗素子やダイオードの特性がばらつくこともない。また、抵抗素子などで発生する熱を基板へ直接放熱することができるので、この熱がHEMT素子やHBT素子に与える影響を最小限に抑えることができる。
図10は、特許文献2と同様に予め半導体基板の一部の領域にイオン注入法によって不純物を導入した抵抗層11を形成し、半導体基板の他の領域にHEMT素子に代えてHBT素子を形成した後、従来と同様にBCB膜などからなるパッシベーション膜と電極取り出し構造とを形成した半導体装置の構造をモデル的に示す断面図である。
図10に示すように、HBT素子10では、例えば、InPからなる半絶縁性基板1の上に、n+型InGaAsからなるサブコレクタ層2、n-型InPからなるコレクタ層3、p+型InGaAsからなるベース層4、InPからなるエミッタ層5、およびn+型InGaAsからなるエミッタキャップ層6が、階段状の断面を有するメサ構造の積層体に形成されている。そして、サブコレクタ層2に接してコレクタ電極7が設けられ、ベース層4に接してベース電極8が設けられ、エミッタキャップ層6に接してエミッタ電極9が設けられている。
一方、半絶縁性基板1の、HBT素子10が形成されていない領域に、イオン注入法または不純物拡散法によって不純物が導入され、例えばn型不純物層からなる抵抗層11が作り込まれている。そして、半絶縁性基板1に接して素子電極101および102が形成され、抵抗素子100が形成されている。
HBT素子10および抵抗素子100の上部には、表面全面が平坦になるように、BCBやポリイミドからなる平坦化膜30が形成されており、平坦化膜30の上には所定の電気的接続関係を得るための配線105(図10には断面だけが示されている。)が形成されている。そして、平坦化膜30にはコレクタ電極7、ベース電極8、エミッタ電極9、および素子電極101、102の各電極に達するコンタクトホール103が形成され、これらのコンタクトホールを配線形成用金属で埋め込んで、各電極への配線104が形成されている。
図10に示した半導体装置で問題が生じるのは、HBT素子10の耐圧性能を確保し、また、小さな抵抗で電流を電極へ導くために、コレクタ層3やサブコレクタ層2の膜厚が厚くなっていることによる。一例を挙げると、各層の膜厚は、エミッタキャップ層6が150nm、エミッタ層5が70nm、ベース層4が50nmであるのに対し、コレクタ層3は500nm、サブコレクタ層2は300nmである。このため、上記のように各電極を設けると、積層方向における電極位置の高低差は、エミッタ電極9とベース電極8とでは220nmと小さいが、エミッタ電極9とコレクタ電極7とでは770nmになり、エミッタ電極9と素子電極101、102とでは1070nmにもなる。
微細化が要求されている半導体装置において、電極位置にこのように大きな高低差があると、配線工程などの加工プロセスに重大な困難を生じることになる。すなわち、電極への配線104を形成する際、平坦化膜30に各電極に達するコンタクトホール103を設ける必要があるが、このコンタクトホール103の深さには、エミッタ電極9に設けるコンタクトホール103eと、コレクタ電極7に設けるコンタクトホール103cおよび素子電極101、102に設けるコンタクトホール103dとで、それぞれ、770nmおよび1070nmの差がある。
このようにコンタクトホール103の深さに大きな差があると、すべての電極に適正なコンタクトホール103を形成することが非常に難しくなる。例えば、エッチング条件を、素子電極101、102に設けるコンタクトホール103dに適合させると、ベース電極8に設けるコンタクトホール103bや、エミッタ電極9に設けるコンタクトホール103eを過剰にエッチングすることになる。この結果、ホール径がばらつくだけでなく、異常エッチングやエッチング副生物の堆積物が発生するなどの問題が生じる。
積層方向における電極位置の高低差に起因する問題は、HBT素子10単独でも存在する問題であるが、図10に示した半導体装置では、半絶縁性基板1に接して設けられた素子電極101および102は、コレクタ電極7よりもサブコレクタ層2の厚さ分だけさらに深い位置にあり、配線取り出しの困難度がさらに増加する。
上記の問題点は、深さが大きく異なるコンタクトホールは別工程で形成するようにすれば部分的に回避することができるが、このようにすると、工程数が増加し、生産性が低下する。また、小さな口径のコンタクトホールを正確に深く形成すること自体が困難な工程であり、この困難度は上記のようにしても変わらない。
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであって、その目的は、ヘテロ接合半導体素子と別の半導体素子とが同一基板上に集積され、かつ、この別の半導体素子の電極取り出し構造が改良された半導体装置及びその製造方法を提供することにある。
即ち、本発明は、少なくとも、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が、この順で基体に積層されてなるヘテロ接合半導体素子と;前記基体内に形成された導電領域を有する別の半導体素子と;を具備する半導体装置において、
前記別の半導体素子のオーミック電極が、前記サブコレクタ層と同一の構成材料層を パターニングして得られた導電層を介して、取り出されている
ことを特徴とする、半導体装置に係わり、また、この半導体装置の製造方法であって、
前記基体内に前記導電領域を形成する工程と、
少なくとも、前記サブコレクタ層、前記コレクタ層、前記ベース層及び前記エミッタ 層の構成材料層を、この順で前記基体に積層する工程と、
前記構成材料層をパターニングして、少なくとも、前記サブコレクタ層、前記コレク タ層、前記ベース層及び前記エミッタ層からなるヘテロ接合半導体素子を形成する工程 と、
前記サブコレクタ層の前記構成材料層をパターニングして前記別の半導体素子の前記 導電層を形成する工程と、
前記導電層に前記オーミック電極を形成する工程と
を有する、半導体装置の製造方法に係わるものである。
前記別の半導体素子のオーミック電極が、前記サブコレクタ層と同一の構成材料層を パターニングして得られた導電層を介して、取り出されている
ことを特徴とする、半導体装置に係わり、また、この半導体装置の製造方法であって、
前記基体内に前記導電領域を形成する工程と、
少なくとも、前記サブコレクタ層、前記コレクタ層、前記ベース層及び前記エミッタ 層の構成材料層を、この順で前記基体に積層する工程と、
前記構成材料層をパターニングして、少なくとも、前記サブコレクタ層、前記コレク タ層、前記ベース層及び前記エミッタ層からなるヘテロ接合半導体素子を形成する工程 と、
前記サブコレクタ層の前記構成材料層をパターニングして前記別の半導体素子の前記 導電層を形成する工程と、
前記導電層に前記オーミック電極を形成する工程と
を有する、半導体装置の製造方法に係わるものである。
本発明の半導体装置は、少なくとも、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が、この順で基体に積層されてなるヘテロ接合半導体素子と;前記基体内に形成された導電領域を有する別の半導体素子と;を具備する半導体装置であって、前記別の半導体素子のオーミック電極が、前記サブコレクタ層と同一の構成材料層をパターニングして得られた導電層を介して、取り出されている。このため、前記基体内に形成された前記導電領域に直接に電極を形成する場合に比べて、前記サブコレクタ層の前記構成材料層の厚さ分だけ、積層方向における前記オーミック電極の形成位置を高い位置にすることができ、前記ヘテロ接合半導体素子に設けられる電極位置との積層方向における高低差を縮小することができる。この結果、平坦化膜などを形成した後、これらの膜に配線形成用のコンタクトホールを形成する際の難易度が、前記ヘテロ接合半導体素子単独の場合と同程度に容易になる。また、前記サブコレクタ層と同一の前記構成材料層は、高濃度の不純物がドープされているので、前記オーミック電極とのコンタクト抵抗が小さくなる。
また、前記別の半導体素子を構成する前記導電領域が前記基体内に形成されているので、前記基体に積層される前記ヘテロ接合半導体素子とは独立に、任意の特性の前記別の半導体素子を形成することができる。また、メサエッチングによるパターニングを行わないので、パターニングのばらつきによって前記別の半導体素子の特性がばらつくこともない。また、前記別の半導体素子で発生する熱を前記基体へ直接放熱することができるので、この熱が前記ヘテロ接合半導体素子に与える影響を最小限に抑えることができる。
本発明の半導体装置の製造方法は、前記半導体装置を歩留まりよく製造することを可能にする半導体装置の製造方法である。
本発明において、前記導電領域が、前記基体に埋め込まれた単一の導電型領域からなり、この導電型領域と前記オーミック電極とによって、前記別の半導体素子が抵抗素子として構成されているのがよい。この際、前記単一の導電型領域の導電型は、前記導電層の導電型と一致し、n型又はp型であるのがよい。
また、前記導電領域が、前記基体に埋め込まれた、少なくとも、第1導電型領域及び第2導電型領域からなり、これらの導電型領域が、導電方向において互いに連接された構造をなし、前記別の半導体素子がnpn型又はpnp型のダイオードとして構成されているのがよい。
或いはまた、前記導電領域が、前記基体に埋め込まれた単一の第1導電型領域からなり、この導電型領域の両端部に接して第2導電型の前記導電層が設けられ、前記別の半導体素子がnpn型又はpnp型のダイオードとして構成されているのがよい。
上記の2例において、前記ダイオードが前記ヘテロ接合半導体素子の保護ダイオードであるのがよい。但し、前記別の半導体素子は、前記抵抗素子や前記ダイオードに限られるものではなく、例えばpn接合を容量として利用するものであってもよい。
また、前記基体が化合物半導体からなるのがよく、例えば、前記基体がインジウム・リンInPからなるのがよい。インジウム・リンはIII−V族化合物半導体に好適に用いられる代表的な基板材料の一つである。インジウム・リンは、ガリウム・ヒ素GaAsに比べて格子定数が大きいため、インジウムの割合が大きいインジウム・ガリウム・ヒ素混晶層と格子整合をとることができ、動作速度の高速化に適している。
また、前記導電領域が、ケイ素Si又は亜鉛Znの拡散又はイオン注入によって形成されているのがよい。
また、前記ヘテロ接合半導体素子が、エピタキシャル成長によって前記基体に形成された半導体層からなるのがよく、例えば、インジウム・リンに格子整合する半導体層によって形成され、へテロ接合バイポーラトランジスタとして構成されているのがよい。
この際、前記ヘテロ接合半導体素子が、npn型トランジスタとして構成されているのがよい。npn型は動作の高速性に優れた構造である。しかし、npn型に限定されるものではなく、増幅率の大きさを重視するのであればpnp型がよい。
また、本発明の半導体装置の製造方法において、前記オーミック電極を、前記ヘテロ接合半導体素子のコレクタ電極の構成材料層のパターニングによって形成するのがよい。なお、電極の材料としては、電極が接する半導体層とオーミック接触を形成できる材料、例えば、チタン、白金および金がこの順に積層されたTi/Pt/Auの3層構造を用いるのがよい。このような積層構造にすることで、下地の半導体層に対する密着性とオーミック接触性を実現することができる。
次に、本発明の好ましい実施の形態を図面参照下に具体的かつ詳細に説明する。
実施の形態1
実施の形態1では、主として請求項1〜3に記載した半導体装置、および請求項14〜16に記載した半導体装置の製造方法に関わる例として、前記ヘテロ接合半導体素子であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)素子と、前記別の半導体素子である抵抗素子とが集積された半導体装置およびその製造方法について説明する。なお、本明細書中では、発明の主旨に照らして、同じ目的をもって設けられ、同等の機能を有する部材は、形状や大きさが多少異なっていても同じ指示番号で指示するものとする。
実施の形態1では、主として請求項1〜3に記載した半導体装置、および請求項14〜16に記載した半導体装置の製造方法に関わる例として、前記ヘテロ接合半導体素子であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)素子と、前記別の半導体素子である抵抗素子とが集積された半導体装置およびその製造方法について説明する。なお、本明細書中では、発明の主旨に照らして、同じ目的をもって設けられ、同等の機能を有する部材は、形状や大きさが多少異なっていても同じ指示番号で指示するものとする。
図1は、実施の形態1に基づくHBT素子10と抵抗素子20とが集積された半導体装置の構造を示す断面図である。
図1に示すように、HBT素子10では、有機金属気相成長法(MOCVD法)や分子線エピタキシー法(MBE法)を用いたエピタキシャル成長法によって、半絶縁性基板1の上に、サブコレクタ層2、コレクタ層3、ベース層4、エミッタ層5、およびエミッタキャップ層6が順次積層されている。
一例を挙げれば、HBT素子10はnpn型のHBTであって、インジウム・リンInPからなる半絶縁性基板1の上に、n+型インジウム・ガリウム・ヒ素InGaAs層からなるサブコレクタ層2、n-型InP層からなるコレクタ層3、p+型InGaAs層からなるベース層4、n型InP層からなるエミッタ層5、そしてn+型InGaAs層からなるエミッタキャップ層6が順次積層されている。各半導体層の厚さは、例えば、サブコレクタ層2が300nm程度、コレクタ層3が500nm程度、ベース層4が50nm程度、エミッタ層5が70nm程度、およびエミッタキャップ層6が150nm程度である。
但し、各層の材料や不純物濃度や膜厚は、上記の例に限定されるものではない。また、エネルギーバンドの不連続を解消するために、組成傾斜してグレーデッド層とした薄い層などが挿入されている構造についても、本実施の形態に含まれるものとする。
エミッタキャップ層6とエミッタ層5は、フォトリソグラフィとエッチングとによってメサ形状に加工され、エミッタメサを形成し、ベース層4とコレクタ層3も同様にメサ形状に加工され、ベース・コレクタメサを形成している。
電極は、サブコレクタ層2に接してコレクタ電極7が設けられ、ベース層4に接してベース電極8が設けられ、エミッタキャップ層6に接してエミッタ電極9が設けられている。電極7〜9の材料としては、それぞれが接する半導体層とオーミック接触を形成できる材料であるのがよい。例えば、チタン、白金および金がこの順に積層されたTi/Pt/Auの3層構造などからなるのがよく、各層の厚さを、それぞれ、50nm/50nm/200nmとするのがよい。このような積層構造にすることで、下地の半導体層に対する密着性とオーミック接触性を実現できる。
なお、半絶縁性基板1としてInP基板を用いるのは、HBT素子10の動作速度の高速化を重視したためである。すなわち、InGaAs系の半導体層では、Gaに比べてInの割合が大きい方が、電子移動度が大きくなる。この場合、Inのイオン半径が大きいため、格子定数が0.56nmであるガリウム・ヒ素GaAs基板は適合せず、格子定数が0.58nmとより大きいInP基板が適合する。このため、InP基板を用いることで、動作速度の大きいInGaAs系の半導体層を、欠陥少なくエピタキシャル成長させることができる。インジウムの割合が小さい場合には、GaAs基板を好適に用いることができる。
一方、半絶縁性基板1の、HBT素子10が形成されていない領域に、イオン注入法または不純物拡散法によって不純物が導入され、前記導電領域(および前記単一の導電型領域)である抵抗層11が埋め込まれている。抵抗層11は、サブコレクタ層2と同じ導電型とし、前述の例のようにサブコレクタ層2がn型である場合には、n型不純物層とする。そして、サブコレクタ層2と同一の構成材料層42をパターニングして得られた前記導電層である導電層12および13を介して、前記オーミック電極である素子電極14および15が取り出され、抵抗素子20が形成されている。後述するように、素子電極14および15は、コレクタ電極7の構成材料層のパターニングによって形成される。
HBT素子10および抵抗素子20の上部には、有機膜を塗布するなどの方法で、表面全面が平坦になるように、平坦化膜30が形成されている。平坦化膜30の材料としては、寄生容量を減らすために、BCBやポリイミドに代表される、誘電率の小さい、いわゆるlow k材料がよい。平坦化膜30の上には配線32(図1には断面だけが示されている。)が形成され、平坦化膜30を貫いてコレクタ電極7、ベース電極8、エミッタ電極9、および素子電極14、15の各電極に達するコンタクトホールが形成され、これらのコンタクトホールを配線形成用金属で埋め込んで、各電極への配線31が形成されている。
図2および図3は、実施の形態1に基づく半導体装置の作製工程のフローを示す断面図である。
まず、図2(a)に示すように、半絶縁性基板1としてインジウム・リンInP基板を用意し、その上にCVD法(化学気相成長法)などによって酸化シリコン材料層を形成する。次に、フォトリソグラフィとエッチングによって酸化シリコン材料層をパターニングして、抵抗層11に対応する開口部52を有する酸化シリコン膜51を形成する。
次に、図2(b)に示すように、酸化シリコン膜51をマスクとして、不純物イオンをイオン注入する。続いて、酸化シリコン膜51を除去した後、活性化アニール処理を行い、抵抗層11を形成する。この際、例えば、Si+イオンを120keVの加速電圧によって3×1012cm-2のイオン密度で注入すると、約1kΩ/cm2の抵抗層を得ることができる。
次に、図2(c)に示すように、MOCVD法やMBE法を用いたエピタキシャル成長法によって、半絶縁性基板1の全面にサブコレクタ構成材料層42、コレクタ構成材料層43、ベース構成材料層44、エミッタ構成材料層45、そしてエミッタキャップ構成材料層46を順次積層して形成する。
一例を挙げれば、サブコレクタ構成材料層42は厚さ300nm程度のn+型InGaAs層、コレクタ構成材料層43は厚さ500nm程度のn-型InP層、ベース構成材料層44は厚さ50nm程度のp+型InGaAs層、エミッタ構成材料層45は厚さ70nm程度のn型InP層、そしてエミッタキャップ構成材料層46は厚さ150nm程度のn+型InGaAs層である。なお、このときの成長温度は、500〜700℃程度の温度とする。
次に、図2(d)に示すように、フォトレジスト54をフォトリソグラフィによってパターニングして形成し、このフォトレジスト54をマスクとしてエミッタキャップ構成材料層46とエミッタ構成材料層45とを選択的にエッチングして、エミッタキャップ層6とエミッタ層5からなるエミッタメサを形成する。
次に、図2(e)に示すように、フォトレジスト55をフォトリソグラフィによってパターニングして形成し、このフォトレジスト55をマスクとしてベース構成材料層44とコレクタ構成材料層43とを選択的にエッチングして、ベース層4およびコレクタ層3からなるからなるベース・コレクタメサを形成する。
次に、図3(f)および(g)に示すように、リフトオフ法によって、HBT素子10のコレクタ電極7、ベース電極8、およびエミッタ電極9と、抵抗素子20の素子電極14および15との各電極を形成する。
すなわち、まず、図3(f)に示すように、全面に塗布法などによってフォトレジスト層を形成した後、フォトリソグラフィによってパターニングして、各電極を形成しようとする領域以外を被覆するマスク層56を形成する。次に、蒸着法などによって全面に、例えばチタン、白金および金がこの順に積層されたTi/Pt/Auの3層構造からなる電極材料層47を、各層の厚さが例えば50nm/50nm/200nmになるように形成する。電極をこのような積層構造にすることで、下地の半導体層に対する密着性とオーミック接触性とを実現することができる。
続いて、図3(g)に示すように、マスク層56を溶解除去することにより、その上に堆積した電極材料層47を除去して、コレクタ電極7、ベース電極8、エミッタ電極9、および素子電極14、15の各電極となる電極材料層47のみを残す。このようにして、素子電極14および15は、コレクタ電極7と同じ前記構成材料層である電極材料層17のパターニングによって同じ工程で形成される。
次に、図3(h)に示すように、フォトレジスト57をフォトリソグラフィによってパターニングして形成し、このフォトレジスト56をマスクとして選択的に、基板1が露出するまでサブコレクタ構成材料層42をエッチングして、メサ形状のサブコレクタ層2を形成し、HBT素子10間を電気的に分離する。この際、抵抗素子20の形成領域において、素子電極14および15の下部のサブコレクタ構成材料層42を残し、抵抗層11の両端部を素子電極14および15に接続する導電層12および13を形成する。
なお、InGaAsからなるサブコレクタ構成材料層42のエッチング液は、InPからなる基板1をエッチングすることはない。このように、エッチング液を適切に選択することでほぼ完全なエッチング選択性が得られ、半絶縁性基板1をエッチングすることなく、サブコレクタ構成材料層42のみをエッチング除去することができる。
次に、図3(i)に示すように、基板1の全面にスピンコーティング法などによってBCBなどを塗布した後、硬化処理を行って、平坦化膜30を形成する。続いて、平坦化膜30にリソグラフィと反応性イオンエッチング(RIE)などの公知の技術によってコンタクトホールを開口し、コンタクトホールを含んだ配線形成位置に配線形成用金属を配置して、電極への配線31および配線32を形成する。この後、公知の作製方法によって、さらなる配線の形成や保護膜の形成などの後工程を行う。
以上に説明したように、本実施の形態の半導体装置によれば、抵抗素子20の素子電極14および15が、サブコレクタ構成材料層42をパターニングして得られた導電層12および13を介して取り出されている。このため、半絶縁性基板1内に形成された抵抗層11に直接に電極を形成する場合に比べて、サブコレクタ構成材料層42の厚さ分だけ、積層方向における素子電極14および15の形成位置を高い位置にすることができ、ヘテロ接合半導体素子10に設けられる電極7〜9との積層方向における高低差を縮小することができる。この結果、積層方向における素子電極14および15の位置がコレクタ電極7の位置と同じになり、平坦化膜30などを形成した後、これらの膜に素子電極14および15への配線形成用のコンタクトホールを形成する際の難易度がHBT素子10単独の場合と同程度に容易になる。また、サブコレクタ構成材料層42、従って導電層12および13は、高濃度の不純物が添加されているので、素子電極14および15とのコンタクト抵抗が小さくなる。
また、抵抗素子20を構成する抵抗層11とが、半絶縁性基板1に埋め込まれて形成されるので、HBT素子10を形成する構成材料層42〜46とは独立に、任意の特性の抵抗層11並びに抵抗素子20を形成することができる。また、メサエッチングによるパターニングを行わないので、パターニングのばらつきによって抵抗素子20の特性がばらつくこともない。また、抵抗素子20で発生する熱を半絶縁性基板1へ直接放熱することができるので、この熱がHBT素子10に与える影響を最小限に抑えることができる。
しかも、本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、確立された半導体技術のみを用いているので、HBT素子10と抵抗素子20が集積された半導体装置を効率よく確実に製造することができる。この際、抵抗素子20の製造工程の大部分をHBT素子10の製造工程と同時に行うことができるので、工程数をさほど増加させることなく、HBT素子10に抵抗素子20を集積することができ、半導体装置のサイズとコストを減少させ、信頼性を向上させることができる。
実施の形態2
実施の形態2では、主として請求項1および4に記載した半導体装置、および請求項14〜16に記載した半導体装置の製造方法に関わる例として、前記ヘテロ接合半導体素子であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)素子と、前記別の半導体素子であるダイオード素子とが集積された半導体装置およびその製造方法について説明する。このダイオード素子は、例えば、HBTの保護ダイオードとして好適なものである。実施の形態2では、前記別の半導体素子として抵抗素子ではなく、ダイオード素子を形成する点だけが実施の形態1と異なっている。それ以外については実施の形態1と同じであるので、主として相違点について説明する。
実施の形態2では、主として請求項1および4に記載した半導体装置、および請求項14〜16に記載した半導体装置の製造方法に関わる例として、前記ヘテロ接合半導体素子であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)素子と、前記別の半導体素子であるダイオード素子とが集積された半導体装置およびその製造方法について説明する。このダイオード素子は、例えば、HBTの保護ダイオードとして好適なものである。実施の形態2では、前記別の半導体素子として抵抗素子ではなく、ダイオード素子を形成する点だけが実施の形態1と異なっている。それ以外については実施の形態1と同じであるので、主として相違点について説明する。
図4は、実施の形態2に基づくHBT素子10とダイオード素子40とが集積された半導体装置の構造を示す断面図である。HBT素子10は、実施の形態1と同じものであるので、ここでの説明は省略する。
半絶縁性基板1の、HBT素子10が形成されていない領域に、イオン注入法または不純物拡散法によって不純物が導入され、前記導電領域、すなわち、前記第1導電型領域および前記第2導電型領域として、p+型不純物層22およびn+型不純物層21、23が、それぞれ埋め込まれている。これらの不純物層21〜23は、導電方向において互いに連接された構造をなし、npn型の接合が形成されている。そして、サブコレクタ構成材料層42をパターニングして得られた導電層12および13を介して、前記オーミック電極である素子電極14および15が取り出され、npn型ダイオード素子40が形成されている。実施の形態1で既述したように、この素子電極14および15は、コレクタ電極7の構成材料層のパターニングによって形成される。
npn型ダイオード素子40は、2つのpn接合が背中合わせ(back to back)に接続されたのに相当する構造を有する。HBT素子10の保護素子として用いられた場合には、HBT素子10の端子間に印加された過大な電圧をpn接合の降伏現象によってバイパスし、HBT素子10を過大な電圧から保護する。この際、2つのpn接合が逆向きに配置されているので、正負いずれの過大な電圧に対しても保護作用を行うことができる。
ダイオード素子40を保護ダイオードとして用いる場合には、n+型不純物層21および23の不純物濃度を、p+型不純物層22の不純物濃度よりも小さく設定すると、ダイオードの降伏(ブレークダウン)電圧はn型層の不純物濃度で決まるようになり、降伏電圧の制御が容易になるので、好ましい。
なお、本実施の形態では、HBT素子10が速度に優れるnpn型であるのに合わせて、ダイオード素子40がnpn型である例を示すが、HBT素子10がpnp型である場合には、ダイオード素子40もpnp型であるのがよい。
実施の形態1と同様、HBT素子10およびダイオード素子40の上部には、BCBやポリイミドなどからなる平坦化膜30が形成されている。平坦化膜30の上には配線32(図4には断面だけが示されている。)が形成され、平坦化膜30を貫いてコレクタ電極7、ベース電極8、エミッタ電極9、および素子電極14、15の各電極に達するコンタクトホールが形成され、これらのコンタクトホールを配線形成用金属で埋め込んで、各電極への配線31が形成されている。
図5および図6は、実施の形態2に基づく半導体装置の作製工程のフローを示す断面図である。
まず、図5(a)に示すように、半絶縁性基板1としてインジウム・リンInP基板を用意し、その上にCVD法などによって酸化シリコン材料層を形成する。次に、フォトリソグラフィとエッチングによって酸化シリコン材料層をパターニングして、n+型不純物層21および23に対応する開口部59を有する酸化シリコン層58を形成する。次に、酸化シリコン層58をマスクとして、不純物イオンをイオン注入する。この際、例えばSi+イオンを200keVの加速電圧によって、2×1013cm-2のイオン密度で注入する。続いて、酸化シリコン膜58を除去した後、850℃程度の温度で活性化アニール処理を行い、n+型不純物層21および23を形成する。
次に、図5(b)に示すように、半絶縁性基板1の上に、CVD法などによって窒化シリコン材料層を形成し、フォトリソグラフィとエッチングによって窒化シリコン材料層をパターニングして、p+型不純物層22に対応する開口部61を有する窒化シリコン層60を形成する。次に、窒化シリコン層60をマスクとして、熱拡散によって半絶縁性基板1にp型不純物を導入して、p+型不純物層22を形成する。例えば、気体状のトリメチル亜鉛を流しながら700℃程度に加熱して、p型不純物として亜鉛Znを導入する。この方法によれば、活性化アニール処理を行わずに、1×1019cm-3程度の高濃度p+層を形成できるメリットがある。終了後、窒化シリコン層60を除去する。
1×1019cm-3程度の高濃度p+層は、ベリリウムイオンBe+やマグネシウムイオンMg+のイオン注入によっても形成することができる。この場合、イオン注入後のp+型不純物層22の活性化アニール処理が必要だが、この活性化アニール処理は、Si+イオンを注入したn+型不純物層21および23の活性化アニール処理と同時に行うことができる。
この後の工程は、実施の形態1と同様である。
すなわち、まず、図5(c)に示すように、MOCVD法やMBE法を用いたエピタキシャル成長法によって、半絶縁性基板1の全面にサブコレクタ構成材料層42、コレクタ構成材料層43、ベース構成材料層44、エミッタ構成材料層45、そしてエミッタキャップ構成材料層46を順次積層して形成する。この際、成長温度は、p+不純物層22の不純物、例えば亜鉛Znが再分布しないような温度、例えば600℃以下の温度を選ぶようにする。
次に、図5(d)および図5(e)に示す工程で、フォトリソグラフィとエッチングによって、エミッタキャップ層6とエミッタ層5からなるエミッタメサ、およびベース層4およびコレクタ層3からなるからなるベース・コレクタメサを形成する。
次に、図6(f)および(g)に示すように、リフトオフ法によって、HBT素子10のコレクタ電極7、ベース電極8、およびエミッタ電極9、並びにダイオード素子40の素子電極14および15の各電極を形成する。すなわち、まず、図6(f)に示すようにフォトレジスト層をパターニングして、各電極を形成しようとする領域以外を被覆するマスク層56を形成する。次に、蒸着法などによって、例えばTi/Pt/Auの3層構造からなる電極材料層47を形成する。電極をこのような積層構造にすることで、下地の半導体層に対する密着性とオーミック接触性とを実現することができる。
続いて、図6(g)に示すように、マスク層56を溶解除去することにより、その上に堆積した電極材料層47を除去して、コレクタ電極7、ベース電極8、エミッタ電極9、および素子電極14、15の各電極となる電極材料層47のみを残す。このようにして、素子電極14および15は、コレクタ電極7と同じ電極材料層47のパターニングによって形成される。
次に、図6(h)に示すように、フォトレジスト57をパターニングして形成し、このフォトレジスト56をマスクとして、基板1が露出するまでサブコレクタ構成材料層42を選択的にエッチングして、メサ形状のサブコレクタ層2を形成し、HBT素子10間を電気的に分離する。この際、抵抗素子20の形成領域において、素子電極14および15の下部のサブコレクタ構成材料層42を残し、抵抗層11の両端部を素子電極14および15に接続する導電層12および13を形成する。
なお、InGaAsからなるサブコレクタ構成材料層42のエッチング液は、InPからなる基板1をエッチングすることはない。このように、エッチング液を適切に選択することでほぼ完全なエッチング選択性が得られ、半絶縁性基板1をエッチングすることなく、サブコレクタ構成材料層42のみをエッチング除去することができる。
次に、図3(i)に示すように、基板1の全面にスピンコーティング法などによってBCBなどをからなる平坦化膜30を形成する。続いて、平坦化膜30にコンタクトホールを開口し、コンタクトホールを含んだ配線形成領域に配線形成用金属を配置して、電極への配線31および配線32を形成する。この後、公知の作製方法によって、さらなる配線の形成や保護膜の形成などの後工程を行う。
以上に説明したように、本実施の形態の半導体装置によれば、ダイオード素子40の素子電極14および15が、サブコレクタ構成材料層42をパターニングして得られた導電層12および13を介して、取り出されている。このため、半絶縁性基板1内に形成されたn+型不純物層21および23に直接に電極を形成する場合に比べて、サブコレクタ構成材料層42の厚さ分だけ、積層方向における素子電極14および15の形成位置を高い位置にすることができ、ヘテロ接合半導体素子10に設けられる電極7〜9との積層方向における高低差を縮小することができる。この結果、積層方向における素子電極14および15の位置がコレクタ電極7の位置と同じになり、平坦化膜30などを形成した後、これらの膜に素子電極14および15への配線形成用のコンタクトホールを形成する際の難易度がHBT素子10単独の場合と同程度に容易になる。また、サブコレクタ構成材料層42、従って導電層12および13は、高濃度の不純物が添加されているので、素子電極14および15とのコンタクト抵抗が小さくなる。
また、ダイオード素子40を構成するn+型不純物層21、23およびp+型不純物層22が、半絶縁性基板1に埋め込まれて形成されるので、HBT素子10を形成する構成材料層42〜46とは独立に、任意の特性の不純物層21〜23並びにダイオード素子40を形成することができる。また、メサエッチングによるパターニングを行わないので、パターニングのばらつきによってダイオード素子40の特性がばらつくこともない。また、ダイオード素子40で発生する熱を半絶縁性基板1へ直接放熱することができるので、この熱がHBT素子10に与える影響を最小限に抑えることができる。
しかも、本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、確立された半導体技術のみを用いているので、HBT素子10とダイオード素子40が集積された半導体装置を効率よく確実に製造することができる。この際、ダイオード素子40の製造工程の大部分をHBT素子10の製造工程と同時に行うことができるので、工程数をさほど増加させることなく、HBT素子10にダイオード素子40を集積することができ、半導体装置のサイズとコストを減少させ、信頼性を向上させることができる。
実施の形態3
実施の形態3では、主として請求項1および5に記載した半導体装置、および請求項14〜16に記載した半導体装置の製造方法に関わる例として、前記ヘテロ接合半導体素子であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)素子と、前記別の半導体素子であるダイオード素子とが集積された半導体装置およびその製造方法について説明する。このダイオード素子は、例えば、HBTの保護ダイオードとして好適なものである。
実施の形態3では、主として請求項1および5に記載した半導体装置、および請求項14〜16に記載した半導体装置の製造方法に関わる例として、前記ヘテロ接合半導体素子であるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)素子と、前記別の半導体素子であるダイオード素子とが集積された半導体装置およびその製造方法について説明する。このダイオード素子は、例えば、HBTの保護ダイオードとして好適なものである。
実施の形態2では、導電層12および13は、電極14および15をより高い位置に形成するためのコンタクト層としてのみ用いられている。これに対し、実施の形態3では、導電層12および13に相当するn+型導電層24および26は、上記と同様の役割をはたしながら、前記第2導電型の導電層として、pn接合を構成する一方の導電型層として機能し、ダイオード素子50を形成する。それ以外の点では実施の形態2と同様であるので、主として相違点について説明する。なお、n+型導電層24および26は、材質的には実施の形態2の導電層12および13と全く同じものである。
図7は、実施の形態3に基づくHBT素子10とダイオード素子50とが集積された半導体装置の構造を示す断面図である。HBT素子10は、実施の形態1と同じものであるので、ここでの説明は省略する。
半絶縁性基板1の、HBT素子10が形成されていない領域に、イオン注入法または不純物拡散法によって不純物が導入され、前記導電領域(および前記単一の第1導電型領域)であるp+型不純物層25が埋め込まれている。これに接して、サブコレクタ構成材料層42をパターニングして得られたn+型導電層24および26が形成されている。n+型導電層24、p+型不純物層25、およびn+型導電層26は、導電方向において互いに連接された構造をなし、npn型の接合が形成されている。そして、n+型導電層24および26に接して、前記オーミック電極である素子電極14および15が設けられ、npn型ダイオード素子50が形成されている。素子電極14および15が、コレクタ電極7の構成材料層のパターニングによって形成されるのは、実施の形態1および2と同じである。
npn型ダイオード素子50は、実施の形態2で述べたnpn型ダイオード素子40と同様、2つのpn接合が背中合わせ(back to back)に接続されたのに相当する構造を有し、HBT素子10の保護素子として用いられた場合には、HBT素子10に印加される過大な電圧をpn接合の降伏現象によってバイパスすることによって、正負いずれの過大な電圧に対してもHBT素子10を保護することができる。
本実施の形態では、n+型導電層24および26がpn接合を構成するn型層として機能するので、実施の形態2で設けられていたn+型不純物層21および23が不要になり、作製工程が簡略になる利点がある。ただし、HBT10のサブコレクタ構成材料層42をパターニングしてpn接合のn型層を形成するので、ダイオード素子50の特性がサブコレクタ構成材料層42の材質によって制限される場合が考えられ、また、パターニングのばらつきによって特性にばらつきが生じる可能性もある。
しかしながら、HBTの保護素子として用いる用途には、上記の問題点はさほど重要ではない。例えば、パターニングのばらつきは、接合容量のばらつきを生じるが、降伏(ブレークダウン)電圧には無関係である。pn接合の降伏電圧は、p+型不純物層25の不純物濃度をn+型導電層24および26の不純物濃度よりも小さく設定すると、p型層の不純物濃度で決まるようになり、サブコレクタ構成材料層42の材質に依存することなく、p+型不純物層25の不純物濃度によって降伏電圧の制御を行うことができる。
ダイオード素子50では、pn接合の接合容量を低減するため、p+型不純物層25と、n+型導電層24および26との接触面積は、できるだけ小さくするのがよい。例えば、接合部の幅が0.5μm程度になるようにする。このように、接合容量を容易に制御できるのもダイオード素子50の利点である。
なお、本実施の形態では、HBT素子10が速度に優れるnpn型であるのに合わせて、ダイオード素子40がnpn型である例を示すが、HBT素子10がpnp型である場合には、ダイオード素子40もpnp型であるのがよい。
実施の形態2と同様、HBT素子10およびダイオード素子50の上部には、BCBやポリイミドなどからなる平坦化膜30が形成されている。平坦化膜30の上には(図7には断面だけが示されている。)が形成され、平坦化膜30を貫いてコレクタ電極7、ベース電極8、エミッタ電極9、および素子電極14、15の各電極に達するコンタクトホールが形成され、これらのコンタクトホールを配線形成用金属で埋め込んで、各電極への配線31が形成されている。
図8および図9は、実施の形態3に基づく半導体装置の作製工程のフローを示す断面図である。
まず、図8(a)に示すように、半絶縁性基板1としてインジウム・リンInP基板を用意し、その上にCVD法などによって酸化シリコン材料層を形成する。次に、フォトリソグラフィとエッチングによって酸化シリコン材料層をパターニングして、p+型不純物層25に対応する開口部63を有する酸化シリコン膜62を形成する。
次に、図8(b)に示すように、酸化シリコン膜62をマスクとして、不純物イオンをイオン注入する。この際、例えばZn+イオンを200keVの加速電圧によって、2×1015cm-2のイオン濃度で注入する。続いて、酸化シリコン膜62を除去した後、活性化アニール処理を行い、p+型不純物層25を形成する。
この後の工程は、実施の形態2と同様である。
すなわち、まず、図8(c)に示すように、MOCVD法やMBE法を用いたエピタキシャル成長法によって、半絶縁性基板1の全面にサブコレクタ構成材料層42、コレクタ構成材料層43、ベース構成材料層44、エミッタ構成材料層45、そしてエミッタキャップ構成材料層46を順次積層して形成する。この際、成長温度は、p+型不純物層25の不純物、例えば亜鉛Znが再分布しないような温度を選ぶようにする。
次に、図8(d)および図8(e)に示す工程で、フォトリソグラフィとエッチングによって、エミッタキャップ層6とエミッタ層5からなるエミッタメサ、およびベース層4およびコレクタ層3からなるからなるベース・コレクタメサを形成する。
次に、図9(f)および(g)に示すように、リフトオフ法によって、HBT素子10のコレクタ電極7、ベース電極8、およびエミッタ電極9、並びにダイオード素子40の素子電極14および15の各電極を形成する。すなわち、まず、図9(f)に示すようにフォトレジスト層をパターニングして、各電極を形成しようとする領域以外を被覆するマスク層56を形成する。次に、蒸着法などによって、例えばTi/Pt/Auの3層構造からなる電極材料層47を形成する。電極をこのような積層構造にすることで、下地の半導体層に対する密着性とオーミック接触性とを実現することができる。
続いて、図9(g)に示すように、マスク層56を溶解除去することにより、その上に堆積した電極材料層47を除去して、コレクタ電極7、ベース電極8、エミッタ電極9、および素子電極14、15の各電極となる電極材料層47のみを残す。このようにして、素子電極14および15は、コレクタ電極7と同じ電極材料層47のパターニングによって形成される。
次に、図9(h)に示すように、フォトレジスト57をパターニングして形成し、このフォトレジスト56をマスクとして、基板1が露出するまでサブコレクタ構成材料層42を選択的にエッチングして、メサ形状のサブコレクタ層2を形成し、HBT素子10間を電気的に分離する。この際、抵抗素子20の形成領域において、素子電極14および15の下部のサブコレクタ構成材料層42を残し、抵抗層11の両端部を素子電極14および15に接続する導電層12および13を形成する。
なお、InGaAsからなるサブコレクタ構成材料層42のエッチング液は、InPからなる基板1をエッチングすることはない。このように、エッチング液を適切に選択することでほぼ完全なエッチング選択性が得られ、半絶縁性基板1をエッチングすることなく、サブコレクタ構成材料層42のみをエッチング除去することができる。
次に、図9(i)に示すように、基板1の全面にスピンコーティング法などによってBCBなどをからなる平坦化膜30を形成する。続いて、平坦化膜30にコンタクトホールを開口し、コンタクトホールを含んだ配線形成領域に配線形成用金属を配置して、電極への配線31および配線32を形成する。この後、公知の作製方法によって、さらなる配線の形成や保護膜の形成などの後工程を行う。
以上に説明したように、本実施の形態の半導体装置によれば、実施の形態2に比べて、ダイオード素子50の製造工程数が少なくなる利点がある。HBT10のサブコレクタ構成材料層42をパターニングしてpn接合のn型層を形成するので、ダイオード素子50の特性が制限されたり、ばらつく場合も考えられるが、HBTの保護素子として用いる用途には問題にならない。
それ以外の点では実施の形態2と同じであるので、共通点に関しては実施の形態2と同様の作用効果が得られるのは言うまでもない。すなわち、本実施の形態の半導体装置によれば、素子電極14および15が、半絶縁性基板1に接して電極を形成する場合に比べて、ダイオード素子50の素子電極14および15の、積層方向における形成位置を、サブコレクタ構成材料層42の厚さ分だけ高い位置にすることができ、ヘテロ接合半導体素子10に設けられる電極7〜9との積層方向における高低差を縮小することができる。この結果、積層方向における素子電極14および15の位置がコレクタ電極7の位置と同じになり、平坦化膜30などを形成した後、これらの膜に素子電極14および15への配線形成用のコンタクトホールを形成する際の難易度がHBT素子10単独の場合と同程度に容易になる。また、サブコレクタ構成材料層42、従ってn+型導電層24および26は、高濃度の不純物が添加されているので、素子電極14および15とのコンタクト抵抗が小さくなる。
また、ダイオード素子50を構成するp+型不純物層25が、半絶縁性基板1に埋め込まれて形成されるので、HBT素子10を形成する構成材料層42〜46とは独立に、任意の特性のp+型不純物層25を形成することができ、ダイオード素子50の特性、例えば降伏電圧が制限されることが少ない。また、p+型不純物層25のメサエッチングによるパターニングを行わないので、パターニングのばらつきによってダイオード素子50の特性がばらつくことが少ない。また、ダイオード素子50で発生する熱を半絶縁性基板1へ直接放熱することができるので、この熱がHBT素子10に与える影響を最小限に抑えることができる。
しかも、本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、確立された半導体技術のみを用いているので、HBT素子10とダイオード素子50が集積された半導体装置を効率よく確実に製造することができる。この際、ダイオード素子50の製造工程の大部分をHBT素子10の製造工程と同時に行うことができるので、工程数をさほど増加させることなく、HBT素子10にダイオード素子50を集積することができ、半導体装置のサイズとコストを減少させ、信頼性を向上させることができる。
以上、本発明を実施の形態に基づいて説明したが、本発明はこれらの例に何ら限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能であることは言うまでもない。
本発明のヘテロ接合半導体装置及びその製造方法は、種々の電子回路に用いられ、その高速化および高集積化を実現するIII−V族化合物半導体によるヘテロ接合バイポーラトランジスタ(HBT)などの半導体装置及びその製造方法として用いられ、半導体装置のサイズやコストの低減および信頼性の向上に寄与することができる。
1…半絶縁性基板(例えば、InP基板)、
2…サブコレクタ層(例えば、n+型InGaAs層)、
3…コレクタ層(例えば、n-型InP層)、
4…ベース層(例えば、p+型InGaAs層)、5…エミッタ層(例えば、n型InP層)、
6…エミッタキャップ層(例えば、n+型InGaAs層)、7…コレクタ電極、
8…ベース電極、9…エミッタ電極、10…HBT素子、11…抵抗層、
12、13…導電層、14、15…素子電極、20…抵抗素子、
21、23…n+型不純物層、22…p+型不純物層、24、26…n+型導電層、
25…p+型不純物層、30…平坦化膜、31…電極への配線、32…配線、
40…ダイオード素子、42…サブコレクタ構成材料層、43…コレクタ構成材料層、
44…ベース構成材料層、45…エミッタ構成材料層、
46…エミッタキャップ構成材料層、50…ダイオード素子、51…酸化シリコン層、
52…開口部、53〜55、57…フォトレジスト、56…マスク層、
58…酸化シリコン層、59…開口部、60…窒化シリコン層、61…開口部、
62…酸化シリコン層、63…開口部、64…フォトレジスト、100…抵抗素子、
101、102…素子電極、103…コンタクトホール、104…電極への配線、
105…配線
2…サブコレクタ層(例えば、n+型InGaAs層)、
3…コレクタ層(例えば、n-型InP層)、
4…ベース層(例えば、p+型InGaAs層)、5…エミッタ層(例えば、n型InP層)、
6…エミッタキャップ層(例えば、n+型InGaAs層)、7…コレクタ電極、
8…ベース電極、9…エミッタ電極、10…HBT素子、11…抵抗層、
12、13…導電層、14、15…素子電極、20…抵抗素子、
21、23…n+型不純物層、22…p+型不純物層、24、26…n+型導電層、
25…p+型不純物層、30…平坦化膜、31…電極への配線、32…配線、
40…ダイオード素子、42…サブコレクタ構成材料層、43…コレクタ構成材料層、
44…ベース構成材料層、45…エミッタ構成材料層、
46…エミッタキャップ構成材料層、50…ダイオード素子、51…酸化シリコン層、
52…開口部、53〜55、57…フォトレジスト、56…マスク層、
58…酸化シリコン層、59…開口部、60…窒化シリコン層、61…開口部、
62…酸化シリコン層、63…開口部、64…フォトレジスト、100…抵抗素子、
101、102…素子電極、103…コンタクトホール、104…電極への配線、
105…配線
Claims (16)
- 少なくとも、サブコレクタ層、コレクタ層、ベース層及びエミッタ層が、この順で基体に積層されてなるヘテロ接合半導体素子と;前記基体内に形成された導電領域を有する別の半導体素子と;を具備する半導体装置において、
前記別の半導体素子のオーミック電極が、前記サブコレクタ層と同一の構成材料層を パターニングして得られた導電層を介して、取り出されている
ことを特徴とする、半導体装置。 - 前記導電領域が、前記基体に埋め込まれた単一の導電型領域からなり、この導電型領域と前記オーミック電極とによって、前記別の半導体素子が抵抗素子として構成されている、請求項1に記載した半導体装置。
- 前記導電型領域がn型又はp型である、請求項2に記載した半導体装置。
- 前記導電領域が、前記基体に埋め込まれた、少なくとも、第1導電型領域及び第2導電型領域からなり、これらの導電型領域が、導電方向において互いに連接された構造をなし、前記別の半導体素子がnpn型又はpnp型のダイオードとして構成されている、請求項1に記載した半導体装置。
- 前記導電領域が、前記基体に埋め込まれた単一の第1導電型領域からなり、この導電型領域の両端部に接して第2導電型の前記導電層が設けられ、前記別の半導体素子がnpn型又はpnp型のダイオードとして構成されている、請求項1に記載した半導体装置。
- 前記ダイオードが前記ヘテロ接合半導体素子の保護ダイオードである、請求項4又は5に記載した半導体装置。
- 前記基体が化合物半導体からなる、請求項1に記載した半導体装置。
- 前記基体がインジウム・リンInPからなる、請求項7に記載した半導体装置。
- 前記導電領域が、ケイ素Si又は亜鉛Znの拡散又はイオン注入によって形成されている、請求項1に記載した半導体装置。
- 前記ヘテロ接合半導体素子が、エピタキシャル成長によって前記基体に形成された半導体層からなる、請求項1に記載した半導体装置。
- 前記ヘテロ接合半導体素子が、インジウム・リンに格子整合する半導体層によって形成されている、請求項10に記載したヘテロ接合半導体装置。
- 前記ヘテロ接合半導体素子が、へテロ接合バイポーラトランジスタとして構成されている、請求項10に記載したヘテロ接合半導体装置。
- 前記ヘテロ接合半導体素子が、npn型トランジスタとして構成されている、請求項12に記載したヘテロ接合半導体装置。
- 請求項1に記載した半導体装置の製造方法であって、
前記基体内に前記導電領域を形成する工程と、
少なくとも、前記サブコレクタ層、前記コレクタ層、前記ベース層及び前記エミッタ 層の構成材料層を、この順で前記基体に積層する工程と、
前記構成材料層をパターニングして、少なくとも、前記サブコレクタ層、前記コレク タ層、前記ベース層及び前記エミッタ層からなるヘテロ接合半導体素子を形成する工程 と、
前記サブコレクタ層の前記構成材料層をパターニングして前記別の半導体素子の前記 導電層を形成する工程と、
前記導電層に前記オーミック電極を形成する工程と
を有する、半導体装置の製造方法。 - 前記オーミック電極を、前記ヘテロ接合半導体素子のコレクタ電極の構成材料層のパターニングによって形成する、請求項14に記載した半導体装置の製造方法。
- 請求項2〜13のいずれか1項に記載した半導体装置を製造する、請求項14に記載した半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005181657A JP2007005428A (ja) | 2005-06-22 | 2005-06-22 | 半導体装置及びその製造方法 |
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ID=37690771
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JP2017143178A (ja) * | 2016-02-10 | 2017-08-17 | アンリツ株式会社 | 半導体集積回路および半導体集積回路の製造方法 |
CN110581166A (zh) * | 2019-08-07 | 2019-12-17 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种二极管及制作方法 |
CN110648913A (zh) * | 2019-10-11 | 2020-01-03 | 福建省福联集成电路有限公司 | 一种砷化镓基的二极管器件结构及制作方法 |
-
2005
- 2005-06-22 JP JP2005181657A patent/JP2007005428A/ja active Pending
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