JP2007003777A - 回折光学素子の作製方法 - Google Patents
回折光学素子の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007003777A JP2007003777A JP2005183213A JP2005183213A JP2007003777A JP 2007003777 A JP2007003777 A JP 2007003777A JP 2005183213 A JP2005183213 A JP 2005183213A JP 2005183213 A JP2005183213 A JP 2005183213A JP 2007003777 A JP2007003777 A JP 2007003777A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical element
- diffractive optical
- etching
- processing
- data
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)
Abstract
【選択図】 図1
Description
そして、わずかな光の波長の違いを検出したり、抽出する場合などに、微細加工された、素子形状により光の進行方向と位相を制御するための素子である回折光学素子の需要が大きくなってきている。
回折光学素子の表面は、図3(a)に示されるように、断面が、不連続な斜面部11で段状に表現される鋸歯状態である必要があるが、このような断面が非線形な鋸歯形状を、微細に加工することは、加工精度の面から難しく、通常は、図3(b)に示される階段形状で近似して作製される。
図3中、12は階段部で、12aは段部である。
尚、図3(b)に示すような表面を階段状とした回折光学素子を、以下、階段状回折光学素子とも言い、階段状に加工された部分を階段とも言う。
そして、階段の段1つ分の幅(最小幅とも言う)δはどこも同じとしている。
図3(b)に示す階段状回折光学素子の場合、階段の段1つ分の幅(最小幅とも言う)δを用いる光の波長の1/2程度にすることで、鋸歯形状を階段形状にて近似し、同様の光学特性を得ることができる。
第2の方法による回折光学素子の作製は、先にも述べたように、EB描画装置、レーザ描画装置等の描画露光装置を用いて選択的に描画露光してパターニング行う描画露光処理と、現像処理、エッチング処理を含む一連の処理プロセスを、繰り返し行うが、各一連の処理プロセスにおける描画露光装置を用いた描画露光においては、予め、設計に基づき作成された、描画用データを用いるものである。
例えば、図4にその1例の作製工程を示すように、描画露光処理と、現像処理、エッチング処理を含む一連の処理工程を、繰り返して行い、後に、作製された回折光学素子の特性を検査するものである。
尚、説明を簡単にするため、図3(b)のような4段の階段状回折光学素子を作製する場合について説明する。
描画露光用のデータを、各ドライエッチング加工工程に合せ、それぞれ準備しておく。 そして、光屈折系の媒体からなる板状の加工用素材110の一方の表面にクロム膜120をスパッタリング法、蒸着法等により成膜しておき、クロム膜120上に感光性のポジ型のレジスト130を形成しておく。(図4(a))
加工用素材110としては、石英ガラス基板(合成石英基板を含む)が通常用いられるがこれに限定はされない。
次いで、所定の描画露光用データを用いて、所定領域を露光し、現像し、所定領域に(レジストの)開口131を設ける。(図4(b))
次いで、開口131を設けたレジスト130を耐エッチングマスクとして、開口131から露出したクロム膜120をエッチング除去し、レジストの開口131に対応してクロム膜の開口を設けた(図示していない)後、所定領域を開口したクロム膜120あるいはクロム膜120とレジスト130を耐エッチングマスクとして、ドライエッングを行ない、所定の深さだけエッチングする。(図4(c))
クロム膜のエッチングは、クロム膜を塩素系のガスを用いたドライエッチングあるいは、過塩素酸と硝酸第二セリウムアンモンからなるエッチング液による湿式エッチングで行なう。加工用素材110が石英ガラス基板(合成石英基板を含む)の場合は、CF4 、CFH3 等のフッ素系のガスを用いて、ドライエッチングを行なう。
このようにして、1回目のドライエッチング加工工程を行った後、レジスト130を除去し、ドライエッチング加工部411a側全面に新たにレジスト135を配設し(図4(d))、所定の描画露光用データを用いて描画露光、現像を行ない、所定領域のみを開口させ、開口136から露出しているクロム膜120をエッチング除去し(図4(e))、先と同様にして、所定領域を開口したクロム膜120あるいはクロム膜120とレジスト135を耐エッチングマスクとして、ドライエッチングを行ない、所定の深さだけエッチングする。(図4(f))
このようにして、2回目のドライエッチング加工工程を行った後、レジスト135、クロム膜120を順に除去して、目的とする回折光学素子を得る。(図4(h))
上記のように、図4に示す従来の作製方法においては、作製する光学素子の加工用素材表面をドライエッチングにて階段形状で近似するわけで、いずれも、レジスト塗布、露光、現像、ドライッチングの一連の工程を、複数回(多段階とも言うが、ここでは2回)繰り返す必要がある。
そして、このような一連の工程を繰り返して目的とする階段部を形成するには、各一連の工程で高い位置合わせの精度が必須となる。
例えば、8段の階段状回折光学素子の場合、正常な場合、その断面が、図5(a)のようになる。
しかし、描画露光の段部212の寸法が設計値と異なり誤差がある場合は、アライメントエラーがなくても、図5(b)に示すように、段部の境に溝部215が生じることがある。
また、アライメントエラーがある場合には、図5(c)に示すように、描画露光に問題がなくても、余分な突起部216や溝部215が生じることがある。
尚、アライメントエラーがなく、描画露光に問題がなくても、図5(c)に示すように、エッチングプロセスの不安定性に起因して段部の高さが設計値と異なってしまうことがある。
これらの作製エラーが発生した場合、光学素子作製工程のはじめからやり直す必要があり、時間や材料の無駄になる。
本発明はこれに対応するもので、描画露光装置を用いて選択的に描画露光してパターニング行う描画露光処理と、現像処理、エッチング処理等を含む一連の処理プロセスを、繰り返し行う階段状回折光学素子の作製方法において、発生するアライメントエラー、エッチング深さエラー、寸法エラーなどの作製エラーに起因する光学素子の特性の劣化に対応できる方法を提供しようとするものである。
詳しくは、アライメントエラー、エッチング深さエラー、寸法エラーの情報を製造工程の途中の評価工程で入手し、その工程以降の描画データを再生設計し、仕上がりの光学特性の劣化を最小限に抑えることを可能にする作製方法を提供しようとするものである。
そして、上記の回折光学素子の作製方法であって、前記シミュレーションは、入力面、出力面での光学条件を、それぞれ、所定の光学条件に設定し、出力面での目標の強度分布を、その位相分布とから、フーリエ変換して入力面での回折光学素子の各段の位相情報を生成する第1の処理ステップと、所定の収束条件で、第1の処理ステップにて得られた各段の位相情報から逆フーリエ変換して、目標の強度分布に対応する画像のシミュレーション結果としての、前記出力面での強度分布および位相分布とを求め、これをもとに新たに、目標値を設定して前記第1の処理ステップの入力データとする第2の処理ステップとを、繰り返し行う、反復アルゴリズムにより、回折光学素子の位相情報を求めて、多段階の位相情報とするもので、目標とする強度分布に対し、所定の許容範囲以内に入った場合、そのときの回折光学素子の各段の位相情報を、新たに作製する回折光学素子の各段の情報として、加工用のデータとするものであることを特徴とするものであり、前記所定の光学条件は、回折光学素子の入力面での拘束条件を強度分布一定とし、出力面での拘束条件を目標の強度分布とするものであるを特徴とするものである。
そしてまた、上記いずれか1項に記載の回折光学素子の作製方法であって、描画露光はEB描画装置あるいはレーザ描画装置により行うことを特徴とするものである。
また、上記いずれか1項に記載の回折光学素子の作製方法であって、前記評価工程における作製途中の光学素子部の形状の測定を、SEM、AFM、表面粗さ計、干渉計測器のいずれかで行うことを特徴とするものである。
尚、ここでは、シミュレーションにおける収束条件としては、例えば、反復する回数とするが、他には、第2の処理ステップにおいて求められた、目標の強度分布に対応する、シミュレーション結果としての再生画像の強度分布との比である効率が所定範囲内になった場合を収束条件としても良い。
また、ここでは、回折光学素子の各段の位相情報とは、各段の形状情報を言う。
本発明の回折光学素子の作製方法は、このような構成にすることにより、描画露光装置を用いて選択的に描画露光してパターニング行う描画露光処理と、現像処理、エッチング処理等を含む一連の処理プロセスを、繰り返し行う階段状回折光学素子の作製方法において、発生するアライメントエラー、エッチング深さエラー、寸法エラーなどの作製エラーに起因する光学素子の特性をモニターしながらその劣化を抑える方法の提供を可能としている。
本発明は、各種エラーによる影響を可能な限り軽減しながら目標となる光学特性を満足させるために、作製途中の各エッチング加工工程の後に、作製途中の光学素子部の形状を測定する評価工程を行い、そのデータをフィードバックしながら、それ以降の各エッチング加工工程のための設計データを作成、次のエッチング加工工程行うものであり、効率よく回折光学素子を作製することを可能としている。
詳しくは、作製途中の各エッチング加工工程の後に、作製途中の光学素子部の断面形状や表面形状を測定する評価工程を行い、評価工程から得られた測定データを近似化し、新たに位相情報(位相データ)とし、変換されたデータを、確定した設計データとして用いて、シミュレーションにて、次のエッチング加工工程以降において形成される各段の位相情報を求め、更に、求められた情報をもとに、加工用のデータを作成する設計工程を行い、該作成された加工用のデータを用いて、次のエッチング加工工程を行う、ことにより、これを達成している。
即ち、作製途中の各エッチング加工工程において、当初の設計に対して、アライメントエラー、エッチング深さエラー、寸法エラーなどの作製エラーが発生したとしても、これらの作製エラーを補完するように、当初の設計を変更して、次のエッチング加工工程を行うもので、これにより、エッチング加工工程において、アライメントエラー、エッチング深さエラー、寸法エラーなどの作製エラーが発生したとしても、エッチング加工工程や、材料の無駄なく、所望の光学特性を有する回折光学素子を作製することを可能としている。
前記シミュレーションとしては、具体的には、入力面、出力面での光学条件を、それぞれ、所定の光学条件に設定し、出力面での目標の強度分布を、その位相分布とから、フーリエ変換して入力面での回折光学素子の各段の位相情報を生成する第1の処理ステップと、所定の収束条件で、第1の処理ステップにて得られた各段の位相情報から逆フーリエ変換して、目標の強度分布に対応する画像のシミュレーション結果としての、前記出力面での強度分布および位相分布とを求め、これをもとに新たに、目標値を設定して前記第1の処理ステップの入力データとする第2の処理ステップとを、繰り返し行う、反復アルゴリズムにより、回折光学素子の位相情報を求めて、多段階の位相情報とするもので、目標とする画像に対し、所定の許容範囲以内に入った場合、そのときの回折光学素子の各段の位相情報を、新たに作製する回折光学素子の各段の情報として、加工用のデータとするものである、請求項2の発明の形態が挙げられ、さらに具体的には、前記所定の光学条件は、回折光学素子の入力面での拘束条件を強度分布一定とし、出力面での拘束条件を目標の強度分布とするもので、且つ、出力面での位相分布の初期値をランダム位相分布とするものである請求項3の発明の形態が挙げられる。
描画露光としては、マスク作製を必要とせず、高精度で、高解像の要求に対応できるEB描画装置あるいはレーザ描画装置が挙げられる。
また、前記評価工程における作製途中の光学素子部の形状の測定は、測定可能なSEM、AFM、表面粗さ計、干渉計測器のいずれかで行う形態が挙げられる。
尚、各階段部の深さを決めるエッチングとしては、ドライエッチングにて行う形態が挙げられる。
ドライエッチングの場合、ウェットエッチングに比べて、所望のエッチング形状を得やすく、制御し易い。
仮に膨大な時間がかかる場合は並列演算することで高速化が図れる。
1回目のエッチング加工工程を開始する前に求めておく、当初の光学設計は、上記シミュレーションで、確定した入力データがない場合の光学設計に相当し、当初の光学設計も、上記反復アルゴリズムのシミュレーションにて行うことができる。
図1は本発明の回折光学素子の作製方法の実施の形態の1例の処理フロー図で、図2は設計工程を説明するための処理フロー図である。
図1中のS1〜S9、図2中のS11〜S19は、処理ステップを示している。
本発明の回折光学素子の作製方法の実施の形態の1例を図1に基づいて説明する。
本例の回折光学素子の作製方法は、光屈折系の媒体からなる板状の加工用素材である石英基板の表面に、レジストの塗布、描画露光、現像の各処理を行なう製版処理を施し、製版処理後のレジストの開口領域の全域あるいは所定域の加工用素材をエッチング加工する、一連の処理からなる、エッチング加工工程を、複数回段階的に繰り返す、多段階のエッチング加工方法により、前記加工用素材の表面に階段部を形成して、図3に示すような階段状の回折光学素子を作製する回折光学素子の作製方法で、前記の各エッチング加工工程が、作製される階段部の設計サイズに合せて、各エッチング加工工程毎に準備された描画露光用のデータを用いて描画露光を行う、製版処理を施し、レジストの開口領域の加工用素材を、所定の深さだけエッチング加工するものである。
特に、作製途中の各エッチング加工工程の後に、作製途中の光学素子部の断面形状を測定する評価工程を行い、評価工程から得られた測定データを近似化し、設計の際のデータに変換して、該変換されたデータを、確定した設計データとして用いて、シミュレーションにて、次のエッチング加工工程以降において形成される各段の位相情報を求め、更に、求められた情報をもとに、加工用のデータを作成する設計工程を行い、該作成された加工用のデータを用いて、次のエッチング加工工程を行うものである。
本例では、描画露光はEB描画装置にて行い、各階段部の深さを決めるエッチングは、ウェットエッチングに比べて、所望のエッチング形状を得やすく、制御し易いドライエッチングにて行うが、場合によっては、レーザ描画装置を用いても良い。
先ず、回折光学素子を、シミュレーションにて、階段部(図3の312の相当)を所定の段数、形状に設計しておく。(S1)
この場合の設計は、シミュレーションにて、回折光学素子の設計位相が、所定の許容範囲内になるように、繰り返し、所定の収束条件で行うものである。
この繰り返しのアルゴリズムを反復アルゴリズムと言う。
設計する光学素子側を入力面、目的とする強度分布側を出力面として、入力面、出力面での光学条件を、それぞれ、所定の光学条件に設定し、出力面での目標の強度分布を、その位相分布とから、フーリエ変換して入力面での回折光学素子の各段の位相情報を生成する第1の処理ステップと、所定の収束条件で、第1の処理ステップにて得られた各段の位相情報から逆フーリエ変換して、目標の強度分布に対応する画像のシミュレーション結果としての、前記出力面での強度分布および位相分布とを求める第2の処理ステップとを、繰り返し行う、反復アルゴリズムにより行う。
そして、前記所定の光学条件を、この反復アルゴリズムのシミュレーションにおいて、回折光学素子の入力面での拘束条件を強度分布一定とし、出力面での拘束条件を目標の強度分布とする。
ここでは、シミュレーションにおける収束条件としては、例えば、反復アルゴリズムを反復する回数をNとし、Nに達した時点で、そのときの回折光学素子の位相情報を以って、加工データを生成する方法を説明する。
尚、他の方法として目標値と計算値を絶えず比較し、回折効率、SN比、強度分布の平坦性など求め、所定の条件を満たした時点での位相情報を以って、加工データを生成する場合もある。
はじめに、図2において、入力データとして初期値(S11)を設定して、初期の作製される回折光学素子による、目的とする画像である回折パターンを設定する。(S12) ここでは、目的とする目標の強度分布とランダム位相情報を初期の入力データとして設定する。
その他の初期位相の設定方法としては、再生光学系を考慮してレンズの位相情報などを生成して設定する場合や、過去に類似の設計が存在し高速に設計を完了したい場合などは、そのときの位相情報をそのまま利用する場合もある。
次いで、入力データ(S12)である設定された強度分布と対応する位相分布とから、コンピュータ(計算機とも言う)にてフーリエ変換(S13)を行い、回折光学素子の位相情報を生成する第1の処理ステップを行う。(S14)
ここでは、このようにして生成された回折光学素子の位相情報が求める設計位相になる。
次いで、所定の収束条件(S15)を確認し、反復回数がNに達していない場合には、生成された回折光学素子の位相情報と、先に述べた入力面での拘束条件の強度分布とから逆フーリエ変換を行い(S16)、対応する強度分布と位相分布を、シミュレーション値(S17)として求め、このときの位相情報と先に述べた出力面の拘束条件の強度分布と目標値(S18)として設定し、これを新たに第1の処理の入力データとする第2の処理ステップを行う。
そして、反復回数がNに達するまで、上記の第1の処理ステップ、第2の処理ステップとを繰り返し行う。
そして、反復回数がNに達した場合には、そのときの入力データの情報を、回折光学素子の各段の情報として出力し、加工用のデータとする。(S19)
このシミュレーションは、このように、第1の処理ステップ、第2の処理ステップとを繰り返し行う、反復アルゴリズムにより、回折光学素子の位相情報を求めるものであるが、ここでは、反復をN回繰り返すことにより、目標とする強度分布に対し、反復N回後の生成された回折光学素子の設計位相に対応する逆フーリエ変換後の強度分布が所定の許容範囲以内に入ることを前提にしている。
反復N回後の生成された回折光学素子の各段の位相情報を、新たに作製する回折光学素子の各段の情報として、加工用のデータとするものである。
上記シミュレーションの反復アルゴリズムは、1例で、反復アルゴリズムは、これに限定はされない。
尚、各プロセス処理は、基本的に、先に述べた図4に示す従来の回折光学素子の作製と同じで、説明は省略する。
ここでは、エッチング加工工程が4回の階段状回折光学素子を作製するもので、全てのエッチング加工工程が終了していないので、第1回目のエッチング加工工程後の、作製途中の光学素子部の断面形状の測定評価する評価工程を行う。(S3〜S4)
測定は、SEMやAFM、表面粗さ計、干渉計測器などにより行う。
次いで、評価工程の測定データを確定したデータとして用いて、作製しようとする回折光学素子の光学設計を、図2に示すシミュレーションの反復アルゴリズムの処理フローにて行う。(S5)
ここでは、第1のエッチング加工工程後 評価工程から得られた測定データを近似化し、設計の際のデータに変換して、該変換されたデータを、シミュレーションの確定したデータとして用いる。
そして、反復回数がNに達した場合、そのときの生成された回折光学素子の各段の位相情報を出力し、これより加工用のデータを得て、これを用いて、次の第2のエッチング加工工程を行う。(S2)
尚、上記処理ステップS1、S4、S5にいては、通常、画素レベルで対応付けして処理を行う。
作製された回折光学素子製品については、最終評価工程を行なっておく。(S7)
このようにして、本例の回折光学素子の作製方法は行われるが、本例においては、各エッチング加工工程が、各エッチング加工工程毎に光学設計に基づいて行われるため、各エッチング加工工程で発生するアライメントエラー、エッチング深さエラー、寸法エラーなどの作製エラーに起因する光学素子の特性をモニターし、仕上がりを確認しながら作成することができる。
かならずしも反復アルゴリズムになっていない、フレネルキルヒホッフ積分を計算する方法や,回折波を角スペクトル展開し、計算する手法などを用いて、その評価結果をフィードバックしても良い。
11 不連続な斜面部
12 階段部
12a 段部
110 加工用素材
111、111a ドライエッチング加工部
120 クロム膜
130 レジスト
131 開口
135 レジスト
136 開口
210 加工用素材
212 段部
215 溝部
216 突起部(壁部)
217 深さ不良部
218 深さ不良部
Claims (5)
- 光屈折系の媒体からなる板状の加工用素材の表面に、レジストの塗布、描画露光、現像の各処理を行なう製版処理を施し、製版処理後のレジストの開口領域の全域あるいは所定域の加工用素材をエッチング加工する、一連の処理からなる、エッチング加工工程を、複数回段階的に繰り返す、多段階のエッチング加工方法により、前記加工用素材の表面に階段部を形成して回折光学素子を作製し、且つ、前記の各エッチング加工工程が、作製される階段部の設計サイズに合せて、各エッチング加工工程毎に準備された描画露光用のデータを用いて描画露光を行う、製版処理を施し、レジストの開口領域の加工用素材を、所定の深さだけエッチング加工するものである、回折光学素子の作製方法であって、作製途中の各エッチング加工工程の後に、作製途中の光学素子部の断面形状を測定する評価工程を行い、評価工程から得られた測定データを近似化し、設計の際のデータに変換して、該変換されたデータを、確定した設計データとして用いて、シミュレーションにて、次のエッチング加工工程以降において形成される各段の位相情報を求め、更に、求められた情報をもとに、加工用のデータを作成する設計工程を行い、該作成された加工用のデータを用いて、次のエッチング加工工程を行う、ことを特徴とする回折光学素子の作製方法。
- 請求項1に記載の回折光学素子の作製方法であって、前記シミュレーションは、入力面、出力面での光学条件を、それぞれ、所定の光学条件に設定し、出力面での目標の強度分布を、その位相分布とから、フーリエ変換して入力面での回折光学素子の各段の位相情報を生成する第1の処理ステップと、所定の収束条件で、第1の処理ステップにて得られた各段の位相情報から逆フーリエ変換して、目標の強度分布に対応する画像のシミュレーション結果としての、前記出力面での強度分布および位相分布とを求め、これをもとに新たに、目標値を設定して前記第1の処理ステップの入力データとする第2の処理ステップとを、繰り返し行う、反復アルゴリズムにより、回折光学素子の位相情報を求めて、多段階の位相情報とするもので、目標とする強度分布に対し、所定の許容範囲以内に入った場合、そのときの回折光学素子の各段の位相情報を、新たに作製する回折光学素子の各段の情報として、加工用のデータとするものであることを特徴とする回折光学素子の作製方法。
- 請求項2に記載の回折光学素子の作製方法であって、前記所定の光学条件は、回折光学素子の入力面での拘束条件を強度分布一定とし、出力面での拘束条件を目標の強度分布とするものであるを特徴とする回折光学素子の作製方法。
- 請求項1ないし3のいずれか1項に記載の回折光学素子の作製方法であって、、描画露光はEB描画装置あるいはレーザ描画装置により行うことを特徴とする回折光学素子の作製方法。
- 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の回折光学素子の作製方法であって、前記評価工程における作製途中の光学素子部の形状の測定を、SEM、AFM、表面粗さ計、干渉計測器のいずれかで行うことを特徴とする回折光学素子の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005183213A JP4593385B2 (ja) | 2005-06-23 | 2005-06-23 | 回折光学素子の作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005183213A JP4593385B2 (ja) | 2005-06-23 | 2005-06-23 | 回折光学素子の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007003777A true JP2007003777A (ja) | 2007-01-11 |
JP4593385B2 JP4593385B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=37689483
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005183213A Expired - Fee Related JP4593385B2 (ja) | 2005-06-23 | 2005-06-23 | 回折光学素子の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4593385B2 (ja) |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126881A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光素子作製方法 |
JP2000089014A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法 |
JP2000100797A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Canon Inc | 素子の製造方法及び製造装置 |
JP2001023880A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Sony Corp | パターン形成方法、この方法を用いる電子ビーム描画装置およびその方法を用いて作製される光学部品 |
JP2001311811A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Japan Science & Technology Corp | 3次元光学素子創製システム |
JP2002040219A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 計算機ホログラム、計算機ホログラムを用いた反射板、並びに計算機ホログラムを用いた反射型液晶表示装置 |
JP2002350623A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 回折光学素子の製造方法 |
JP2004302090A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 母型の製造方法、母型、金型の製造方法、金型、光学素子及び電子ビーム描画装置 |
JP2005037623A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Seiko Epson Corp | 微細構造素子の製造方法、この方法により製造された微細構造素子、空間光変調装置及びプロジェクタ |
-
2005
- 2005-06-23 JP JP2005183213A patent/JP4593385B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126881A (ja) * | 1997-07-04 | 1999-01-29 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光素子作製方法 |
JP2000089014A (ja) * | 1998-09-11 | 2000-03-31 | Dainippon Printing Co Ltd | 光ファイバー加工用位相マスク及びその製造方法 |
JP2000100797A (ja) * | 1998-09-18 | 2000-04-07 | Canon Inc | 素子の製造方法及び製造装置 |
JP2001023880A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-26 | Sony Corp | パターン形成方法、この方法を用いる電子ビーム描画装置およびその方法を用いて作製される光学部品 |
JP2001311811A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-09 | Japan Science & Technology Corp | 3次元光学素子創製システム |
JP2002040219A (ja) * | 2000-07-19 | 2002-02-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 計算機ホログラム、計算機ホログラムを用いた反射板、並びに計算機ホログラムを用いた反射型液晶表示装置 |
JP2002350623A (ja) * | 2001-05-23 | 2002-12-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 回折光学素子の製造方法 |
JP2004302090A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Konica Minolta Holdings Inc | 母型の製造方法、母型、金型の製造方法、金型、光学素子及び電子ビーム描画装置 |
JP2005037623A (ja) * | 2003-07-18 | 2005-02-10 | Seiko Epson Corp | 微細構造素子の製造方法、この方法により製造された微細構造素子、空間光変調装置及びプロジェクタ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4593385B2 (ja) | 2010-12-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW538450B (en) | Method and apparatus for the determination of mask rules using scatterometry | |
JP4351928B2 (ja) | マスクデータの補正方法、フォトマスクの製造方法及びマスクデータの補正プログラム | |
JP4464365B2 (ja) | 近傍の影響を考慮した光学的近接効果補正を実行する装置、方法およびコンピュータ・プログラム | |
JP4954211B2 (ja) | 個別マスクエラーモデルを使用するマスク検証を行うシステムおよび方法 | |
TWI646410B (zh) | 度量衡方法及裝置、電腦程式及微影系統 | |
US7332251B2 (en) | Pattern decomposition and optical proximity correction method for double exposure when forming photomasks | |
JP2005099765A (ja) | プロセス近接効果の予測モデルの作成方法、工程の管理方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法およびプログラム | |
JP2008122929A (ja) | シミュレーションモデルの作成方法 | |
JP2005173595A (ja) | 固有分解に基づくopcモデル | |
JP2004133426A (ja) | 自動光近接補正(opc)ルール作成 | |
JP4328811B2 (ja) | レジストパターン形状予測方法、プログラム及びコンピュータ | |
TWI421909B (zh) | 參數決定方法、曝光方法、半導體裝置製造方法、及儲存媒體 | |
JP2007025034A (ja) | リソグラフィシミュレーション方法、マスクパターン作成方法および半導体装置の製造方法 | |
KR100374635B1 (ko) | 포토마스크의 식각시 발생하는 로딩효과로 인한선폭변화를 보정하여 노광하는 방법 및 이를 기록한기록매체 | |
CN111443569B (zh) | 一种修正模型的建立方法及装置、掩模优化方法及装置 | |
US20040181768A1 (en) | Model pattern simulation of semiconductor wafer processing steps | |
JP2005062750A (ja) | Opcを用いたパターン寸法の補正方法及び検証方法、該補正方法を用いて作成されたマスク及び半導体装置、並びに該補正方法を実行するシステム及びプログラム | |
JP4743413B2 (ja) | 回折光学素子の作製方法 | |
US8677288B2 (en) | Test pattern selection method for OPC model calibration | |
JP4593385B2 (ja) | 回折光学素子の作製方法 | |
Dawes et al. | Displacement Talbot lithography process simulation analysis | |
US8146022B2 (en) | Mask pattern data generation method, mask manufacturing method, semiconductor device manufacturing method, and pattern data generation program | |
KR100731071B1 (ko) | 마스크 레이아웃의 보정방법 | |
JP6701924B2 (ja) | フォトマスクにおけるパターンデータの生成方法及びそのためのプログラム並びにそれを用いたフォトマスク及びマイクロレンズの製造方法 | |
Okano et al. | Precise proximity correction for fabricating chirped diffraction gratings with direct-writing electron-beam lithography |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080609 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100909 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100915 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4593385 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |