JP6701924B2 - フォトマスクにおけるパターンデータの生成方法及びそのためのプログラム並びにそれを用いたフォトマスク及びマイクロレンズの製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、マイクロレンズ形成用のフォトマスク（グレートーンマスク）におけるパターンデータの生成方法及びそのプログラム、並びにそれを用いたフォトマスク及びマイクロレンズの製造方法に関する。

フォトマスク（グレートーンマスク）は、例えばイメージセンサの集光力を向上させて感度向上を実現するマイクロレンズ等をフォトリソグラフィー技術により作製する際に使用される部材である。フォトマスク表面の遮光膜には露光波長では解像しない微細なドットパターンがエッチングされており、このフォトマスクを介してシリコンウェハなどの表面にある感光性レンズ材料に露光して感光性レンズ材料上に露光パターンを形成することにより、マイクロレンズを作製することができる。フォトマスクにおけるドットパターンの分布状態により、マイクロレンズ形成のための露光パターンの透過光量分布を制御することが可能となる。

以下、フォトマスクを用いたマイクロレンズの従来の形成方法を説明する。図１は、特許文献１に示されるフォトマスクを用いたマイクロレンズの従来の形成方法を示す図である。図１（ａ）に示されるように、受光部１０２が設けられた基板１０１上には第１の平坦化膜１０３が形成されており、第１の平坦化膜１０３上にはレジスト層１０４が形成されている。

次に、図１（ｂ）に示すように、レジスト層１０４上に第２の平坦化膜１０５を形成した後、第２の平坦化膜１０５上に感光性レンズ材料層１０６を形成する。続いて、図１（ｃ）に示すように、ドットパターンを有するフォトマスク１０７を用い、紫外線を照射して感光性レンズ材料層１０６を露光する。このように感光性レンズ材料層１０６を露光・現像することにより、図１（ｄ）に示すように、第２の平坦化膜１０５上にマイクロレンズ１０８が形成される。

ここで、フォトマスク上のドットパターンは、フォトマスクのパターン形成領域をＸ−Ｙ座標とし、その座標値ｘ、ｙを用いてドットパターンの配置の有無を示すパターンデータを用いて作製される。パターンデータにおけるドットパターン上のドットの有無の配置は、目的とするフォトマスクの透過光量分布に応じて、例えばディザ法や誤差分散法などの所定のアルゴリズムに基づいて設定される。

特許文献１に示されるような従来のフォトマスクのパターンデータの生成方法では、感光性レンズ材料を露光する露光波長を予め決定しておき、当該決定した露光波長に基づいて、当該決定した露光波長では解像しないドットサイズを予め決定している。そして、目的とするフォトマスクの達成すべき透過光量分布と予め決定したドットサイズから、上記のような所定のアルゴリズムを用いてドットパターンのドットの有無の配置を決定することにより、パターンデータが生成される。このようにして生成されたパターンデータを用いて、フォトマスクが作製される。

特開２００４−１４５３１９号公報

図２は、マイクロレンズを形成する際にフォトマスク２０１を通してウエハ２１０に露光するときの実際の露光イメージを例示する図である。図２に示されるように、実際の露光では、フォトマスク２０１上の微細ドット開口２０２を通過した光は、ウエハ２１０におけるパターン形成領域２１１上において、微細ドット開口２０２に対応する領域２１２に対応するドットサイズで縮小投影されず、拡がりをもってウエハ２１０に照射される。ドットサイズがある程度小さい場合、その拡がり半径ｒは、露光波長λ［ｎｍ］、開口によって定まる係数をｋ１とし、図示しない露光器の開口数をＮＡとすると、以下の（式１）で表される。
ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡ （式１）

ここで、領域２１２に対しては、直上の対応する微細ドット開口２０２を通過した紫外線が照射されるだけではなく、光の拡がりにより、図２に示されるように、近隣の微細ドット開口２０３を通過した紫外線も照射される。そのため、領域２１２への露光量は、対応する微細ドット開口２０２とその近隣の微細ドット開口２０３とを通過した紫外線の露光量の総和となる。拡がり半径ｒはドットサイズがある程度小さければ上記（式１）のようにドットサイズには依らないため、パターン形成領域２１１全体におけるドットパターンの分割数によって、領域２１２に影響を与える近隣の微細ドット開口２０３の数が変わることとなる。

なお、ここでパターン形成領域とは、マイクロレンズアレイが形成される領域全体でもよいが、マイクロレンズ１個の単位のセル領域、あるいは単位長さの正方形領域で考えてもよい。

しかしながら、ドットパターンの分割数は、所望するマイクロレンズの大きさや透過光量分布、露光器の諸パラメータ（波長、ＮＡなど）により異なる。一般に、分割数が小さいとパターンが粗くなり、透過光量分布ひいてはマイクロレンズの形状がいびつになり、マイクロレンズの集光効率が下がる結果となる。一方、分割数が大きいと、ドットサイズが小さくなるため、領域２１２に影響を与える近隣の微細ドット開口２０３の数が多くなることから、微細なドットパターンの加工の困難性が高くなることから、所望の透過光量分布が得られない。

一方で、従来は、予め決定したドットサイズに基づいて分割数を定め、パターンデータを生成していたが、露光波長等の露光条件が変わるごとにその予め決定したドットサイズで最適なフォトマスクを作製しなければならないため、非常に手間が掛かっていた。

本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであり、その目的は、露光波長では解像しない微細なドットパターンの分布状態によって露光する際の透過光量分布を制御するフォトマスクにおいて、最適な分割数及びドットサイズを有するパターンデータを生成する方法及びそのプログラム、並びにそれを用いたフォトマスク及びマイクロレンズの製造方法を実現することにある。

上記課題を解決するために、本発明の一実施形態に係る方法は、複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィーによって製造するために使用される、フォトマスクにおけるパターンデータを生成する方法であって、前記フォトリソグラフィーに使用する露光の露光波長から、パターン形成領域の表面上での前記露光の拡がり半径を計算するステップと、前記拡がり半径に最も近いドットサイズとなるような分割数を用いて、所定のアルゴリズムにより第１のドットパターン配置を生成する第１の生成ステップであって、前記ドットサイズは、前記露光波長では解像しないドットサイズである、ステップと、前記生成した第１のドットパターン配置について、第１の透過光量分布を計算する第１の計算ステップと、前記計算した第１の透過光量分布と所望の透過光量分布との差が所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第１の判定ステップと、前記第１の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、分割数を１増やし、当該増やした分割数を用いて第２のドットパターン配置を生成する第２の生成ステップと、前記生成した第２のドットパターン配置についての第２の透過光量分布を計算する第２の計算ステップと、前記計算した第２の透過光量分布と前記所望の透過光量分布との差が前記所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第２の判定ステップと、前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、分割数をさらに１増やして、前記第２の生成ステップ、前記第２の計算ステップ及び前記第２の判定ステップを行うステップであって、前記第２の生成ステップ、前記第２の計算ステップ及び前記第２の判定ステップは、前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定されるまで繰り返される、ステップと、を含むことを特徴とする。

本発明の他の実施形態に係るコンピュータプログラムは、複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィーによって製造するために使用される、フォトマスクにおけるパターンデータを生成する方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムであって、前記方法は、前記フォトリソグラフィーに使用する露光の露光波長から、パターン形成領域の表面上での前記露光の拡がり半径を計算するステップと、前記拡がり半径に最も近いドットサイズとなるような分割数を用いて、所定のアルゴリズムにより第１のドットパターン配置を生成する第１の生成ステップであって、前記ドットサイズは、前記露光波長では解像しないドットサイズである、ステップと、前記生成した第１のドットパターン配置について、第１の透過光量分布を計算する第１の計算ステップと、前記計算した第１の透過光量分布と所望の透過光量分布との差が所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第１の判定ステップと、前記第１の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、分割数を１増やし、当該増やした分割数を用いて第２のドットパターン配置を生成する第２の生成ステップと、前記生成した第２のドットパターン配置についての第２の透過光量分布を計算する第２の計算ステップと、前記計算した第２の透過光量分布と前記所望の透過光量分布との差が前記所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第２の判定ステップと、前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、分割数をさらに１増やして、前記第２の生成ステップ、前記第２の計算ステップ及び前記第２の判定ステップを行うステップであって、前記第２の生成ステップ、前記第２の計算ステップ及び前記第２の判定ステップは、前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定されるまで繰り返される、ステップと、を含むことを特徴とする。

本発明のさらに他の実施形態に係るフォトマスクの製造方法は、複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィーによって製造するために使用されるフォトマスクの製造方法であって、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法に従ってパターンデータを生成するステップと、当該生成したパターンデータを用いてフォトマスクを製造するステップと、を含むことを特徴とする。

本発明のさらに他の実施形態に係るマイクロレンズの製造方法は、基板に受光部を設けるステップと、当該受光部が設けられた基板上に第１の平坦化膜を形成するステップと、前記第１の平坦化膜上にレジスト層を形成するステップと、前記レジスト層上に第２の平坦化膜を形成するステップと、前記第２の平坦化膜上に感光性レンズ材料層を形成するステップと、請求項１乃至３のいずれかに記載の方法に従って生成されたパターンデータを用いてフォトマスクを製造するステップと、前記フォトマスクを用いて感光性レンズ材料層に対して露光し、現像することにより、マイクロレンズを製造するステップと、を含むことを特徴とする。

本発明によると、露光条件を変えたときでも、フォトマスクを新たに作製することなく、最適な分割数で所望のレンズ形状を取得可能なドットパターン配置を有するパターンデータを低コストに生成することが可能となる。

特許文献１に示されるフォトマスクを用いたマイクロレンズの従来の形成方法を示す図である。 マイクロレンズを形成する際にフォトマスクを通してウエハに露光するときの実際の露光イメージを例示する図である。 本発明に係るフォトマスクにおけるパターンデータを生成する方法の処理フローを示す図である。 ウエハ上の位置に対する透過率の露光プロファイルのシミュレーション結果を示す図である。

以下、複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィーによって製造するために使用される、本発明に係るフォトマスクにおけるパターンデータを生成する方法を説明する。図３は、本発明に係るフォトマスクにおけるパターンデータを生成する方法の処理フローを示す図である。図３に示される各ステップは、図３に示される各ステップを実行するためのコンピュータプログラムに従ってコンピュータにより実行される。当該コンピュータプログラムは、メモリ等の記憶媒体に格納され得る。

図３に示されるように、本発明に係る方法では、まず、ステップ３０１で、フォトリソグラフィーに使用する露光の露光波長λから、パターン形成領域の表面上での露光の拡がり半径ｒ＝ｋ１・λ／ＮＡを計算する。次に、ステップ３０２で、露光波長では解像しない微細なドットサイズであって、拡がり半径ｒに最も近いドットサイズとなるような分割数を用いて、所定のアルゴリズムによりドットパターン配置を生成する。なお、ｎ×ｎの格子状のドットサイズに分割することを、分割数がｎであると以下呼ぶこととする。ここで用いるアルゴリズムとしては、例えばディザ法や誤差分散法などが挙げられる。以下のステップ３０５及び３０９でも同様である。

次に、フォトマスクのパターン形成領域についてｘ−ｙ座標を定めると、ステップ３０３で、ステップ３０２で生成したドットパターン配置において、ｘ軸及び／又はｙ軸について、透過光量分布を計算する。ステップ３０３で計算する透過光量分布は、各座標において、影響があるドットパターンからの透過光量の総和として求める。例えば、１／４に縮小投影をする場合、各座標において、その直上を中心にして拡がり半径ｒを４倍した範囲にあるドットパターンの開口部の数の二乗が透過光量に比例するとみなして計算する。これは周知の方法を用いて求めることができる。以下のステップ３０６及び３１０でも同様である。

次に、ステップ３０４で、ステップ３０３で計算した透過光量分布と所望の透過光量分布との差が各位置において所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する。閾値の値は適宜変更が可能であってもよい。例えば、各位置において閾値を１０％以内とすることができる。また、各位置において閾値を変更してもよい。

ステップ３０４で所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、ステップ３０５で、分割数を１増やし、当該増やした分割数を用いてドットパターン配置を生成する。次に、ステップ３０６で、ステップ３０５で生成したドットパターン配置についての透過光量分布を計算する。次に、ステップ３０７で、ステップ３０６で計算した透過光量分布と所望の透過光量分布との差が各位置において所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する。ステップ３０７で所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、ステップ３０５に戻り、分割数をさらに１増やしてドットパターン配置を生成した後、ステップ３０６及び３０７を行う。ステップ３０５〜３０７のループは、所定の閾値の範囲内であると判定されるまで繰り返される。ステップ３０７で所定の閾値の範囲内であると判定された場合、ステップ３０８で、ステップ３０７で所定の閾値の範囲内であると判定されたときの分割数で生成したドットパターンを用いてパターンデータを生成し、その後終了する。

ステップ３０４に戻ると、ステップ３０４で所定の閾値の範囲内であると判定された場合、ステップ３０９で、分割数を１減らし、当該減らした分割数を用いてドットパターン配置を生成する。次に、ステップ３１０で、ステップ３０９で生成したドットパターン配置についての透過光量分布を計算する。次に、ステップ３１１で、ステップ３１０で計算した透過光量分布と所望の透過光量分布との差が各位置において所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する。ステップ３１１で所定の閾値の範囲内であると判定された場合、ステップ３０９に戻り、分割数をさらに１減らしてドットパターン配置を生成した後、ステップ３１０及び３１１を繰り返す。ステップ３０９〜３１１のループは、所定の閾値の範囲内ではないと判定されるまで繰り返される。ステップ３１１で所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、ステップ３１２で、ステップ３１１で所定の閾値の範囲内ではないと判定されたときの分割数を１増やした数の分割数で生成したドットパターンを用いてパターンデータを生成し、その後終了する。

なお、上記方法では、透過光量分布を用いてパターンデータを生成したが、それに限定されず、例えば透過率など、透過光量に依存する関数を用いてパターンデータを生成することができる。

透過光量分布は露光量の増減に比例して変えることができる。そのため、透過光量を定数倍したものに対して、上述のパターンデータ生成方法を用いてパターンデータを生成し、それぞれのパターンデータから実際に使用するパターンデータを選んでもよい。

（実施例１）
以下、本発明の実施例１に係るフォトマスクにおけるパターンデータを生成する方法を説明する。図４は、フォトマスクにおいて分割数を変えてドットパターンを生成した場合における、ウエハ上の位置に対する透過率の露光プロファイルのシミュレーション結果を示す図である。図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）は、それぞれ、分割数が１２、１６、２４であり、同じ設計ターゲットを用いている。図４（ａ）乃至図４（ｃ）における設計ターゲットでは、露光波長λを２４８ｎｍとし、中心透過率が２０％であって四隅透過率が６０％の放物面形状とし、パターン形成領域の一辺が３６００ｎｍであって１／４に縮小投影し、拡がり半径ｒを２６５ｎｍとした（ｋ１＝０．６１、ＮＡ＝０．５７）。ここで、図４（ａ）に示されるように分割数が１２の場合にはドットサイズは３６００［ｎｍ］／１２＝３００［ｎｍ］であり、図４（ｂ）に示されるように分割数が１６の場合にはドットサイズは３６００［ｎｍ］／１６＝２２５［ｎｍ］であり、図４（ｃ）に示されるように分割数が２４の場合にはドットサイズは３６００［ｎｍ］／２４＝１５０［ｎｍ］である。図４には、図４（ａ）乃至図４（ｃ）に示される原点Ｏを中心にして、図中のｘ軸から４５度回転した方向の位置に対する透過率が示されている。

図４（ｄ）に示されるように、分割数が１２の場合には、原点付近で露光プロファイルの形状がいびつになっている。一方で、図４（ｅ）に示されるように、分割数が１６で、露光プロファイルの形状が滑らかになっていることが確認された。分割数が２４の場合である図４（ｆ）でも同様に、露光プロファイルの形状が滑らかになっている。

ここで、分割数が大きいほど、ドットパターンが微細になり、フォトマスクとしての加工が難しくなるため、分割数は露光プロファイルの形状がいびつにならない程度に極力小さくすることが望ましい。そのため、本実施例では、分割数は１６が最適である。

本発明に係るパターンデータの生成方法によると、露光波長λに最も近いドットサイズに対応する分割数を目安として仮に定め、その分割数から露光プロファイルの形状がいびつにならない最も低い分割数に増減させることが可能となるため、様々な露光波長λに対して最適なドットサイズを得ることが可能となる。露光波長は、高圧水銀灯であれば、g線（波長 ４３６ｎｍ）、ｈ線（波長 ４０５ｎｍ）、また現状良く利用されているｉ線（波長 ３６５ｎｍ）などがある。他に、エキシマレーザーであれば、ＫｒＦエキシマレーザー（波長 ２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長 １９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長 １５７ｎｍ）などがある。これらの露光光源が変わっても、本発明にかかるパターンデータの生成方法であれば、露光波長λに対して最適なドットサイズを得ることが可能となる。

（実施例２）
本発明の実施例２に係るフォトマスクの製造方法は、図３に示す方法ステップに従って決定されたドットパターン配置を有するパターンデータを生成するステップと、当該生成したパターンデータを用いてフォトマスクを製造するステップと、を含む。

本実施例２に係るフォトマスクの製造方法によると、露光波長に対して最適なドットサイズを有するフォトマスクを低コストに製造することが可能となる。

（実施例３）
本発明の実施例３に係るマイクロレンズの製造方法は、基板に受光部を設けるステップと、当該受光部が設けられた基板上に第１の平坦化膜を形成するステップと、第１の平坦化膜上にレジスト層を形成するステップと、レジスト層上に第２の平坦化膜を形成するステップと、第２の平坦化膜上に感光性レンズ材料層を形成するステップと、図３に示す方法ステップに従って決定されたドットパターン配置を有するパターンデータを用いて作製されたフォトマスクを製造するステップと、当該フォトマスクを用いて感光性レンズ材料層に対して露光し、現像することにより、マイクロレンズを製造するステップと、を含む。

本実施例３に係るマイクロレンズの製造方法によると、本実施例２に係る方法を用いて製造されたフォトマスクを用いることにより、低コストにマイクロレンズを製造することが可能となる。

Claims (8)

1. 複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィーによって製造するために使用される、フォトマスクにおけるパターンデータを生成する方法であって、
   前記フォトリソグラフィーに使用する露光の露光波長から、パターン形成領域の表面上での前記露光の拡がり半径を計算するステップと、
   前記拡がり半径に最も近いドットサイズとなるような分割数を用いて、所定のアルゴリズムにより第１のドットパターン配置を生成する第１の生成ステップであって、前記ドットサイズは、前記露光波長では解像しないドットサイズである、ステップと、
   前記生成した第１のドットパターン配置について、第１の透過光量分布を計算する第１の計算ステップと、
   前記計算した第１の透過光量分布と所望の透過光量分布との差が所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第１の判定ステップと、
   前記第１の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、分割数を１増やし、当該増やした分割数を用いて第２のドットパターン配置を生成する第２の生成ステップと、
   前記生成した第２のドットパターン配置についての第２の透過光量分布を計算する第２の計算ステップと、
   前記計算した第２の透過光量分布と前記所望の透過光量分布との差が前記所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第２の判定ステップと、
   前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、分割数をさらに１増やして、前記第２の生成ステップ、前記第２の計算ステップ及び前記第２の判定ステップを行うステップであって、前記第２の生成ステップ、前記第２の計算ステップ及び前記第２の判定ステップは、前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定されるまで繰り返される、ステップと、
   を含むことを特徴とする方法。
2. 前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定された場合、当該判定されたときの分割数で生成したドットパターンを用いてパターンデータを生成するステップと、
   前記第１の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定された場合、分割数を１減らし、当該減らした分割数を用いて第３のドットパターン配置を生成する第３の生成ステップと、
   前記生成した第３のドットパターン配置についての第３の透過光量分布を計算する第３の計算ステップと、
   前記計算した第３の透過光量分布と前記所望の透過光量分布との差が前記所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第３の判定ステップと、
   前記第３の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定された場合、前記第３の生成ステップ、前記第３の計算ステップ及び前記第３の判定ステップを行うステップであって、前記第３の生成ステップ、前記第３の計算ステップ及び前記第３の判定ステップは、前記第３の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定されるまで繰り返される、ステップと、
   前記第３の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、当該判定されたときの分割数を１増やした数の分割数で生成したドットパターンを用いてパターンデータを生成するステップと、
   をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の方法。
3. 前記所定のアルゴリズムは、ディザ法又は誤差分散法であることを特徴とする請求項１又は２に記載の方法。
4. 複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィーによって製造するために使用される、フォトマスクにおけるパターンデータを生成する方法をコンピュータに実行させるためのコンピュータプログラムであって、前記方法は、
   前記フォトリソグラフィーに使用する露光の露光波長から、パターン形成領域の表面上での前記露光の拡がり半径を計算するステップと、
   前記拡がり半径に最も近いドットサイズとなるような分割数を用いて、所定のアルゴリズムにより第１のドットパターン配置を生成する第１の生成ステップであって、前記ドットサイズは、前記露光波長では解像しないドットサイズである、ステップと、
   前記生成した第１のドットパターン配置について、第１の透過光量分布を計算する第１の計算ステップと、
   前記計算した第１の透過光量分布と所望の透過光量分布との差が所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第１の判定ステップと、
   前記第１の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、分割数を１増やし、当該増やした分割数を用いて第２のドットパターン配置を生成する第２の生成ステップと、
   前記生成した第２のドットパターン配置についての第２の透過光量分布を計算する第２の計算ステップと、
   前記計算した第２の透過光量分布と前記所望の透過光量分布との差が前記所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第２の判定ステップと、
   前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、分割数をさらに１増やして、前記第２の生成ステップ、前記第２の計算ステップ及び前記第２の判定ステップを行うステップであって、前記第２の生成ステップ、前記第２の計算ステップ及び前記第２の判定ステップは、前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定されるまで繰り返される、ステップと、
   を含むことを特徴とするコンピュータプログラム。
5. 前記方法は、
   前記第２の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定された場合、当該判定されたときの分割数で生成したドットパターンを用いてパターンデータを生成するステップと、
   前記第１の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定された場合、分割数を１減らし、当該減らした分割数を用いて第３のドットパターン配置を生成する第３の生成ステップと、
   前記生成した第３のドットパターン配置についての第３の透過光量分布を計算する第３の計算ステップと、
   前記計算した第３の透過光量分布と前記所望の透過光量分布との差が前記所定の閾値の範囲内であるかどうかを判定する第３の判定ステップと、
   前記第３の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内であると判定された場合、前記第３の生成ステップ、前記第３の計算ステップ及び前記第３の判定ステップを行うステップであって、前記第３の生成ステップ、前記第３の計算ステップ及び前記第３の判定ステップは、前記第３の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定されるまで繰り返される、ステップと、
   前記第３の判定ステップで前記所定の閾値の範囲内ではないと判定された場合、当該判定されたときの分割数を１増やした数の分割数で生成したドットパターンを用いてパターンデータを生成するステップと、
   をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載のコンピュータプログラム。
6. 前記所定のアルゴリズムは、ディザ法又は誤差分散法であることを特徴とする請求項４又は５に記載のコンピュータプログラム。
7. 複数のマイクロレンズが配列されたマイクロレンズアレイをフォトリソグラフィーによって製造するために使用されるフォトマスクの製造方法であって、
   請求項１乃至３のいずれかに記載の方法に従ってパターンデータを生成するステップと、
   当該生成したパターンデータを用いてフォトマスクを製造するステップと、
   を含むことを特徴とするフォトマスクの製造方法。
8. マイクロレンズの製造方法であって、
   基板に受光部を設けるステップと、
   当該受光部が設けられた基板上に第１の平坦化膜を形成するステップと、
   前記第１の平坦化膜上にレジスト層を形成するステップと、
   前記レジスト層上に第２の平坦化膜を形成するステップと、
   前記第２の平坦化膜上に感光性レンズ材料層を形成するステップと、
   請求項１乃至３のいずれかに記載の方法に従って生成されたパターンデータを用いてフォトマスクを製造するステップと、
   前記フォトマスクを用いて感光性レンズ材料層に対して露光し、現像することにより、マイクロレンズを製造するステップと、
   を含むことを特徴とするマイクロレンズの製造方法。