JP2007000996A - 構造体の製造方法、構造体、振動子および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】製造に要する時間の増大を防止しつつ、優れた特性を有する構造体を得ることができる構造体の製造方法、この製造方法によって製造された構造体、振動子、および、かかる振動子を備える電子機器を提供すること。
【解決手段】本発明の構造体の製造方法は、静電引力により駆動する可動部４を有する１つの単位構造体を形成し、その周囲を切断することにより構造体（マイクロレゾネータ１）を得るものであって、可動部４の少なくとも一部を覆うように、保護層６を形成し、保護層６により保護された状態で、切断を行って、構造体を得る。
【選択図】図７

Description

本発明は、構造体の製造方法、構造体、振動子および電子機器に関するものである。

ある振動電流の周波数に同調して機械的に振動する振動子は、携帯電話等の通信機器用のバンドパスフィルター、基準クロック、振動式センサ等に応用されている。
このような振動子としては、シリコン基板に、半導体製造プロセスを利用したマイクロマシニング技術により、振動を発生するための構造（可動部を有する構造）を形成する方法が提案されている（特許文献１参照。）。
このような微小な構造体は、一般に、比較的大きなウエハ状の基板から作られる。例えば、ウエハ状の基板をエッチングによりパターンニングして、可動部を有する１つの単位構造体を形成した後、その周囲をレーザカッタやダイシングカッタなどにより切断して、個片化（チップ化）することにより、構造体を得る。

しかし、エッチングの後に基板をレーザカッタやダイシングカッタなどにより切断するため、切断時に生じた切り屑などの不要物やダイシング時に用いる水が微細なパターンの可動部に付着して、得られる構造体の特性を低下させてしまう場合がある。また、その結果、構造体の製造の歩留まりが低下してしまう。
これを防止するために、仮に、チップ化した後に、各チップに対しエッチングを行うと、多数の微小なチップに対しそれぞれ処理を行わなければならず、取り扱い性が悪く、構造体の製造に長時間を要してしまう。

特開平１１−１９０６３５号公報

本発明の目的は、製造に要する時間の増大を防止しつつ、優れた特性を有する構造体を得ることができる構造体の製造方法、この製造方法によって製造された構造体、振動子、および、かかる振動子を備える電子機器を提供することにある。

このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の構造体の製造方法は、静電引力により駆動する可動部を有する１つの単位構造体を形成し、その周囲を切断することにより構造体を得る構造体の製造方法であって、
前記可動部の少なくとも一部を覆うように、保護層を形成し、
前記保護層により保護された状態で、前記切断を行って、前記構造体を得ることを特徴とする。

これにより、１つの単位構造体の周囲をダイシング等により切断（チップ化）する際に、可動部が保護層により保護されているので、切り屑等の不要物やダイシング時に用いる水が可動部に付着するのを防止することができる。また、可動部の形成後はチップ化の前に行われるので、取り扱い性に優れ、構造体の製造時間の長時間化を防止することができる。

本発明の構造体の製造方法では、前記切断の前に、前記可動部の少なくとも一部を覆う第１のカバー層と、前記第１のカバー層を覆う第２のカバー層とを形成した後、前記第１のカバー層を除去することにより、前記可動部の駆動を許容するための空間を形成するとともに、前記第２のカバー層が前記保護層を構成することが好ましい。
これにより、切断後（チップ化後）に保護層を残したままとし、可動部の駆動時における汚れ等の付着を防止することができる。これにより、得られる構造体は、長期にわたり優れた特性を発揮することができる。

本発明の構造体の製造方法では、第１の層、第２の層、第３の層の順でこれらが積層されてなる基体を用意し、
前記第１の層をエッチングにより前記可動部に対応する形状にパターンニングし、
前記第１のカバー層を形成し、
前記第２のカバー層を形成し、
前記第１のカバー層をエッチングにより除去して、残存する前記第２のカバー層を前記保護層とするとともに、前記第２の層の一部をエッチングにより除去して、前記可動部を形成し、
前記切断を行うことが好ましい。
これにより、比較的簡単に、構造体を得ることができる。

本発明の構造体の製造方法では、前記第１のカバー層の除去の前に、前記第１のカバー層に通ずる通液部を形成し、前記通液部からエッチング液を流入することにより、前記第１のカバー層を除去することが好ましい。
これにより、比較的簡単に、切断時に保護層がその機能を損なわれるのを防止しつつ、可動部の駆動を許容するための空間を形成することができる。

本発明の構造体の製造方法では、前記通液部は、前記第２のカバー層に形成されていることが好ましい。
これにより、より簡単に、通液部を形成することができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記通液部は、前記基体の前記第３の層に形成されていることが好ましい。
これにより、切断時に保護層の機能をより効果的に発揮させることができる。

本発明の構造体の製造方法では、前記第１のカバー層を除去した後に、前記通液部を塞ぐように、前記基体に基板を接合する工程を有することが好ましい。
これにより、可動部を気密空間内に配することができる。そのため、得られる構造体の特性をより優れたものとすることができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記基板は、アルカリ金属イオンを含むガラスを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、基体の第３の層と基板とを陽極接合により簡単かつ強固に接合することができる。その結果、得られる構造体の信頼性をより高いものとすることができる。

本発明の構造体の製造方法では、前記第１のカバー層は、前記第２の層の一部の除去に用いるエッチングにより除去可能な材料で構成され、前記第１のカバー層の除去と前記第２の層の一部の除去とを同一のエッチング処理により行うことが好ましい。
これにより、製造工程の簡略化を図ることができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記第１のカバー層は、ＳＯＧを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、第１の層がシリコンを主材料として構成されている場合であっても、第１のカバー層の形成後に、熱処理により、可動部にリン分を拡散させて導電性を付与する（すなわち、低抵抗とする）ことができる。

本発明の構造体の製造方法では、前記第２のカバー層は、シリコンを主材料として構成されていることが好ましい。
これにより、得られる構造体に保護層を残した状態とした場合に、保護層の耐久性を優れたものとすることができる。その結果、得られる構造体の特性を長期にわたり優れたものとすることができる。
本発明の構造体の製造方法では、前記基体は、ＳＯＩ基板であることが好ましい。
これにより、比較的簡単に、高精度な構造体を得ることができる。

本発明の構造体は、本発明の構造体の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
これにより、優れた特性を有する構造体を安価に提供することができる。
本発明の振動子は、本発明の構造体の製造方法によって製造されたことを特徴とする。
これにより、優れた特性を有する振動子を安価に提供することができる。
本発明の電子機器は、本発明の振動子を備えることを特徴とする。
これにより、優れた特性を有する電子機器を安価に提供することができる。

以下、本発明の構造体の製造方法、構造体、振動子および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
以下では、本発明の構造体の製造方法を用いて構造体として振動子を製造する場合を一例にして説明する。また、振動子の一例としてマイクロレゾネータを説明する。

＜第１実施形態＞
まず、本発明の構造体の製造方法によって製造されたマイクロレゾネータを説明する。
図１および図２は、本発明の振動子をマイクロレゾネータに適用した場合の実施形態を示す平面図、図３は、図１および図２中のＡ−Ａ線断面図、図４は、図１および図２中のＢ−Ｂ線断面図、図５は、図１および図２に示すマイクロレゾネータに備えられた支持部の形状を示す図である。なお、以下の説明では、図１および図２中の紙面手前側を「上」、紙面奥側を「下」、右側を「右」、左側を「左」、図３および図４中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。

図１ないし図４に示すマイクロレゾネータ１は、基部２と、この基部２に固定された一対の固定電極３１、３２と、固定電極３１、３２同士の間で振動可能に設けられた可動部４と、固定電極３１、３２および可動部４の一部を覆う保護層６とを有している。
可動部４は、各固定電極３１、３２にそれぞれ対向する可動電極４１、４２と、基部２に支持部５１、５２（図３ないし図５参照）を介して固定された固定部４５、４６と、各可動電極４１、４２と各固定部（アイランド部）４５、４６とを連結する梁部４３、４４とを有している。

各可動電極４１、４２は、それぞれ、複数の電極指４１１、４２１が並設された櫛歯形状をなしている。すなわち、可動部４は、互いに平行に延びて櫛歯状をなす複数の電極指４１１、４２１を有している。
一方、各固定電極３１、３２は、それぞれ、並設された電極指３１１、３２１と、固定部３１２、３２２とを有している。この固定部３１２、３２２の上面のうち、後述する保護層６との接合部に、例えばＳｉＯ_２で構成された絶縁部（図示せず）が形成されている。これにより、可動部４と固定電極３１、３２とが保護層６によって短絡するのを防止することができる。
そして、各固定部３１２、３２２は、それぞれ、枠状の支持部５３（図３ないし図５参照）を介して基部２に固定されている。なお、支持部５３の形状は図示のものに限定されない。

固定電極３１と可動電極４１とは、電極指３１１と電極指４１１とが交互に位置するように、すなわち、互いに噛み合うようにして配置されている。また、固定電極３２と可動電極４２とも、固定電極３１と可動電極４１と同様に配置されている。
マイクロレゾネータ１では、これらの電極指３１１、３２１および４１１、４２１の幅、間隔、厚さ等を調整することにより、共振周波数等の特性を所望のものに設定することができる。

本実施形態では、可動部４を構成する各部のうち、各可動電極４１、４２および各梁部４３、４４が、また、各固定電極３１、３２を構成する各部のうち、各電極指３１１、３２１が、それぞれ、複数の帯状体を組み合わせたような形状をなしている。そして、これらの部分は、基部２から浮いた状態、すなわち、所定の距離（支持部５１、５２の厚さ）離間した状態となっている。
一方、可動部４を構成する各部のうち、各固定部４５、４６が、基部２に固定された状態となっている。この固定部４５、４６の上面のうち、後述する保護層６との接合部に、例えばＳｉＯ_２で構成された絶縁部４５１、４６１が形成されている。これにより、可動部４と固定電極３１、３２とが保護層６によって短絡するのを防止することができる。

本発明にかかるマイクロレゾネータ１にあっては、図１ないし図４に示すように、可動部４の固定部４５、４６の一部および固定電極３１、３２の固定部３１２、３２２を露呈しつつ、可動部４および固定電極３１、３２を覆うように、保護層６が形成されている。
この保護層６は、可動部４の動作（振動）を許容するように、可動部４の電極指４１１、４２１および梁部４３、４４に対し間隔を隔てて設けられている。すなわち、この保護層６は、可動部４の駆動（振動）に際し、可動部４が外部からの悪影響を受けるのを防止する機能を有する。また、この保護層６には、後述する製造工程にて利用された複数の孔６１が形成されている。なお、保護層６および孔６１については、後に詳述する。

このようなマイクロレゾネータ１では、固定電極３１と可動電極４１との間に電圧を印加すると、両電極３１、４１間に静電引力が発生し、可動電極４１が固定電極３１に接近するように移動する。
一方、この固定電極３１と可動電極４１との間への電圧の印加を停止するとともに、固定電極３２と可動電極４２との間に電圧を印加すると、両電極３２、４２間に静電引力が発生し、可動電極４２が固定電極３２に向かって移動する。
このように、固定電極３１と可動電極４１との間、および、固定電極３２と可動電極４２との間に、交互に電圧を印加することにより、可動電極４１、４２が一定の周波数で往復動する。この周波数（振動周波数）は、可動電極４１、４２の合計質量と、梁部４３、４４のバネ定数で定まる変位に対する復元力によって定まる。

＜マイクロレゾネータの製造方法＞
次に、図１ないし図４に示すマイクロレゾネータの製造方法の一例を説明する。
図６および図７は、それぞれ、図１ないし図４に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図である。なお、図６および図７は、図１および図２におけるＢ−Ｂ線断面図に対応する断面図である。
また、以下の説明では、図６および図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。

このマイクロレゾネータ１の製造方法は、［１］基体を用意する工程と、［２］この基体にエッチングにより可動部４に対応する形状のパターンニングを行う工程と、［３］第１のカバー層を形成する工程と、［４］第２のカバー層を形成する工程と、［５］第１のカバー層および前記第２の層の一部をエッチングにより除去する工程と、［６］ダイシングを行う工程とを有している。以下、各工程について、順次説明する。

［１］基体を用意する工程
まず、図６（ａ）に示すように、第１の層７１、第２の層７２、第３の層７３がこの順で積層されてなる基体７を用意する。この基体７にあっては、第１の層７１が後述する工程［２］でのエッチングによりエッチングされる層であり、第２の層７２は工程［２］でのエッチングにより実質的にエッチングされない層である。

この基体７を構成する各層のうち、第１の層７１は、前述したマイクロレゾネータ１の可動部４および各固定電極３１、３２に、第２の層７２は、各支持部５１、５２、５３に加工される部分であり、第３の層７３は、基部２となる部分である。
この基体７としては、各層７１、７２、７３の組み合わせで各種のものが挙げられるが、特に、主としてＳｉで構成された第３の層７３上に、主としてＳｉＯ_２で構成された第２の層７２と、主としてＳｉで構成された第１の層（活性層）７１とがこの順で積層されてなるＳＯＩ基板が好適である。これにより、比較的簡単に、高精度な構造体（マイクロレゾネータ１）を得ることができる。

より具体的には、基体７としてＳＯＩ基板を用いることにより、第１の層７１の厚さが比較的厚いものを作製することができるようになる。このため、形成される各電極指３１１、３２１、４１１、４２１の厚さを大きくすることができるので、各電極指３１１、３２１、４１１、４２１の断面積（長手方向に対して垂直な方向での面積）を大きくすることができる。これにより、マイクロレゾネータ１では、静電容量を大きくすることができ、その結果、印加電圧に対する可動部４の変位量を増大させることができる。
また、各電極指３１１、３２１、４１１、４２１の厚さを大きく設定することができるので、必要とする断面積を確保しつつ、その幅を小さくすることができる。これにより、各固定電極３１、３２、４１、４２の小型化、ひいては、マイクロレゾネータ１全体の小型化を図ることができる。

第１の層７１の厚さ（平均）は、特に限定されないが、０．２〜１００μｍ程度であるのが好ましく、２０〜６０μｍ程度であるのがより好ましい。第１の層７１の厚さが薄過ぎると、第１の層７１の構成材料等によっては、マイクロレゾネータ１において、可動部４の印加電圧に対する変位量を十分に大きくするのが困難となるおそれがあり、一方、第１の層７１の厚さを前記上限値を超えて大きくしても、それ以上の効果の増大が期待できないばかりでなく、エッチングを深く垂直に行うことが難しくなる。

［２］可動部４に対応する形状のパターンニングを行う工程
次に、このような基体７の第１の層７１上（第２の層７２と反対側）のエッチング領域内に、例えばフォトリソグラフィー法等を用いてマスクを形成する。
なお、マスクとしては、レジスト材料で構成されるマスク（レジストマスク）に代えて、例えばＡｌ等の金属材料で構成されるマスク（メタルマスク）を用いることもできる。

そして、形成されたマスクを用いて、第１の層７１に対して第１のエッチングを施す。これにより、第１の層７１は、図６（ｂ）に示すように、固定電極３１および可動部４に対応した形状にパターニングされる。
なお、第２の層７２は、この第１のエッチングにより実質的にエッチングされないものであり、第１のエッチングに際して、その侵攻を阻止するストップ層として機能する。

第１のエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、ドライエッチング、特に、反応性イオンエッチングを用いるのが好適である。
第１のエッチングとしてドライエッチング（特に、反応性イオンエッチング）を用いることにより、第１の層７１に対して異方性の高いエッチングを行うことができ、第１の層７１のパターニングを寸法精度よく行うことができる。
そして、図６（ｃ）に示すように、熱処理等により、絶縁部４５１、４６１を形成する。絶縁部４５１、４６１の形成は、省略してもよい。
本工程［２］により、第１の層７１がパターニング（加工）され、可動部４、各固定電極３１、３２が形成される。

［３］第１のカバー層を形成する工程
次に、図６（ｄ）に示すように、パターンニングされた第１の層７１Ａ上を一様に覆うように膜８を形成した後、図６（ｅ）に示すように、膜８の一部を除去して、保護層６の内部空間に対応する形状をなす第１のカバー層８Ａを形成する。
膜８は、後述する工程［６］でのエッチングにより除去されるものである。したがって、膜８の構成材料としては、工程［６］でのエッチング（すなわち、第２の層７２の一部の除去に用いるエッチング）により除去可能な材料が用いられる。

特に、膜８の構成材料としては、ＳＯＧを主材料とするものが好ましい。これにより、第１の層７１がシリコンを主材料として構成されている場合であっても、第１のカバー層８Ａの形成後に、熱処理により、可動部４等にリン分を拡散させて導電性を付与する（すなわち、低抵抗とする）ことができる。
この膜８の一部を除去する方法としては、特に限定されず、例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

［４］第２のカバー層を形成する工程
次に、図７（ａ）に示すように、第１のカバー層８Ａを一様に覆うように膜９を形成した後、図７（ｂ）に示すように、膜９の一部を除去して、保護層６の全体形状に対応した形状をなす膜９Ａを形成する。そして、図７（ｃ）に示すように、膜９Ａの一部を除去して、通液部である孔６１を有する保護層６（第２のカバー層）を形成する。

膜９の構成材料としては、特に限定されないが、後述する工程［６］でのエッチングにより実質的にエッチングされないものであるのが好ましい。特に、膜９の構成材料、すなわち第２のカバー層の構成材料は、シリコンを主材料として構成されているものが好ましい。これにより、得られる構造体（マイクロレゾネータ１）に保護層６を残した状態とした場合に、保護層６の耐久性を優れたものとすることができる。その結果、得られる構造体（マイクロレゾネータ１）の特性を長期にわたり優れたものとすることができる。

この膜９の一部を除去する方法および膜９Ａの一部を除去する方法としては、特に限定されず、前述した膜８の一部を除去する方法と同様に、例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

［５］第１のカバー層および前記第２の層の一部をエッチング（第２のエッチング）により除去する工程
次に、前述したマスクを除去する。第２のエッチング工程に先立って、マスクを除去することにより、第２のエッチング工程において、ウェットエッチングを用いる場合には、マスク材料（レジスト材料や、金属材料）の溶解によるエッチング液の汚染を防止または抑制することができる。
このマスクの除去方法としては、例えば、マスクがレジスト材料で構成される場合には、レジスト剥離液、マスクが金属材料で構成される場合には、リン酸溶液のようなメタル剥離液等を用いることができる。

次に、通液部である孔６１を通じてエッチング液を流入させることにより、図７（ｄ）に示すように、第１のカバー層８Ａと第２の層７２の一部とを除去する。これにより、可動部４の駆動を許容するように空間が形成されて、可動部４が可動な状態となる。
すなわち、この第２のエッチングでは、第２の層７２に対して、第１の層７１が実質的にエッチングされず、第２の層７２をエッチング可能なエッチングを施す。これにより、図７（ｄ）に示すように、第２の層７２の一部を除去して、支持部５１、５２を形成する。

この第２のエッチングには、例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができるが、ウェットエッチングを用いるのが好適である。
これにより、通液部である孔６１を通じてエッチングを行うことができる。

第２のエッチングとしてウェットエッチングを用いることにより、第２の層７２を等方的にエッチングすることができる。このため、マスク除去において加工されて残存する第１の層７１直下の第２の層７２も効率よく除去することができる。
このウェットエッチングに用いるエッチング液としては、例えばフッ酸等が挙げられる。
このようなエッチング液に基体７を浸漬すると、まず、残存する第１の層７１（可動部４、各固定電極３１、３２）によって覆われていない第２の層７２は、上面からエッチングが開始し、等方的にエッチングが進行する。

次に、可動部４および各固定電極３１、３２の直下の第２の層７２も、それぞれ、露出した側面側からエッチングが進行して、徐々に除去される。
そして、第２の層７２が除去されていくことにより、第３の層７３と第１の層７１との間には、間隙が形成されていく。
ここで、固定部４５、４６は、それぞれ、平面視において、各可動電極４１、４２および各梁部４３、４４を構成する帯状体の面積（最大）より面積が大きく設定されている。このため、これらの面積の差により、固定部４５、４６以外の部分（各可動電極４１、４２および各梁部４３、４４）の直下の第２の層７２がほぼ完全に除去された時点では、各固定部４５、４６の直下の第２の層７２の一部が残存した状態となる。
このような時点（状態）で、第２のエッチングを終了すると、残存した第２の層７２が支持部５１、５２となり、この支持部５１、５２を介して、可動部４は、各固定部４５、４６において第３の層７３（基部２）に、それぞれ固定される。一方、可動部４の他の部分は、第３の層７３から浮いた状態となる。

［６］ダイシングを行う工程
次に、可動部４等を有する１つの単位構造体の周囲を切断（ダイシング）して、支持部５３および基部２を形成する。
以上のような工程を経て、マイクロレゾネータ１が製造される。

以上説明したように、本実施形態にかかるマイクロレゾネータ１の製造方法では、静電引力により駆動する可動部４を有する１つの単位構造体を形成し、その周囲を切断することによりマイクロレゾネータ１を得る際に、可動部４の少なくとも一部を覆うように、保護層６を形成し、保護層６により保護された状態で、ダイシング（切断）を行って、マイクロレゾネータ１を得る。

これにより、１つの単位構造体の周囲をダイシング等により切断（チップ化）する際に、可動部４が保護層６により保護されているので、切り屑等の不要物やダイシング時に用いる水が可動部４に付着するのを防止することができる。また、可動部４の形成後はチップ化の前に行われるので、取り扱い性に優れ、構造体の製造時間の長時間化を防止することができる。

また、切断の前に、可動部４の少なくとも一部を覆う第１のカバー層８Ａと、第１のカバー層８Ａを覆う第２のカバー層（膜９、膜９Ａ）とを形成した後、第１のカバー層８Ａを除去することにより、可動部４の駆動を許容するための空間を形成するとともに、第２のカバー層が保護層６を構成する。
これにより、切断後（チップ化後）に保護層６を残したままとし、可動部４の駆動時においても汚れ等の付着を防止することができる。これにより、得られるマイクロレゾネータ１は、長期にわたり優れた特性を発揮することができる。

また、前述したような工程［１］〜［６］によりマイクロレゾネータ１を製造すると、比較的簡単に、マイクロレゾネータ１を得ることができる。
また、第１のカバー層８Ａの除去の前に、第１のカバー層８Ａに通ずる通液部として孔６１を形成し、孔６１からエッチング液を流入することにより、第１のカバー層８Ａを除去する。
これにより、比較的簡単に、切断時に保護層６がその機能を損なわれるのを防止しつつ、可動部４の駆動を許容するための空間を形成することができる。

その際、通液部である孔６１を第２のカバー層９Ａに形成する、すなわち保護層６が孔６１を有しているので、より簡単に、通液部を形成することができる。
また、第１のカバー層８Ａは、第２の層７２の一部の除去に用いるエッチングにより除去可能な材料で構成され、第１のカバー層８Ａの除去と第２の層７２の一部の除去とを同一のエッチング処理により行うので、製造工程の簡略化を図ることができる。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の構造体の第２実施形態について説明する。
図８は、本発明のマイクロレゾネータの第２実施形態を示す平面図、図９は、図８に示すマイクロレゾネータの基部の形状を示す図である。なお、以下では、説明の便宜上、図８中の上側を「上」、下側を「下」、右側を「右」、左側を「左」と言う。
以下、第２実施形態のマイクロレゾネータについて、前述した第１実施形態のマイクロレゾネータとの相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。

第２実施形態のマイクロレゾネータ１Ａの製造方法は、通液部の形成の仕方が異なる以外は、第１実施形態のマイクロレゾネータ１とほぼ同様である。
まず、本実施形態のマイクロレゾネータ１Ａの構成について説明すると、マイクロレゾネータ１Ａにあっては、基部２Ａには開口部２１が形成されており、その開口部２１を塞ぐように、基板１０が設けられているとともに、孔の形成されていない保護層６Ａが設けられている。したがって、可動部４は、保護層６Ａと基板１０との間に形成された気密空間内に配されている。
これにより、マイクロレゾネータ１Ａは、より優れた特性を有する。
このようなマイクロレゾネータ１Ａを製造するに際しては、前述した第１実施形態のマイクロレゾネータ１の製造方法における図７（ｃ）〜（ｅ）に示す工程に代えて、図１０（ａ）〜（ｄ）に示す工程を行う。

図１０は、図８および図９に示すマイクロレゾネータ１Ａの製造方法を説明するための図である。
具体的に説明すると、まず、図７（ｂ）に示すような構造体の第３の層７３の一部を除去して、図１０（ａ）に示すように、通液部として開口部２１を形成する。
開口部２１の形成方法としては、特に限定されず、例えば、反応性イオンエッチング、プラズマエッチング、ビームエッチング、光アシストエッチングのようなドライエッチング、ウェットエッチング等のうちの１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。

次に、通液部である開口部２１を通じてエッチング液を流入させることにより、図１０（ｂ）に示すように、第１のカバー層８Ａと第２の層７２の一部とを除去する。これにより、可動部４の駆動を許容するように空間が形成されて、可動部４が可動な状態となる。
第１のカバー層８Ａと第２の層７２の一部とを除去には、前述した第２のエッチングと同様のものを用いることができる。

次に、図１０（ｃ）に示すように、開口部２１の一端を塞ぐように、第３の層７３に対し基板１０Ａを接合する。
基板１０Ａ（基板１０）は、アルカリ金属イオンを含むガラスを主材料として構成されているのが好ましい。これにより、基体７の第３の層７３と基板１０Ａとを陽極接合により簡単かつ強固に接合することができる。その結果、得られるマイクロレゾネータ１Ａの信頼性をより高いものとすることができる。

その後、前述した工程［６］と同様に、ダイシングを行って、図１０（ｄ）に示すように、基板１０が形成される。これにより、マイクロレゾネータ１Ａが得られる。
このようなマイクロレゾネータ１Ａの製造方法では、通液部として基体７の第３の層７３に開口部２１を形成するので、切断時に、孔の形成されていない保護層６Ａにより可動部４の上方を保護するため、保護層の機能をより効果的に発揮させることができる。

また、第１のカバー層８Ａを除去した後に、通液部である開口部２１を塞ぐように、基体７に基板１０Ａを接合する工程を有するので、可動部４を気密空間内に配することができる。そのため、得られるマイクロレゾネータ１Ａの特性をより優れたものとすることができる。
なお、マイクロレゾネータ１、１Ａにおいて、各部の寸法、形状等は任意に変更することができる。
上述したようなマイクロレゾネータ１、１Ａは、各種の電子機器に適用することができ、得られる電子機器は、信頼性の高いものとなる。

次に、このような電子機器（本発明の振動子を備える電子機器）について、図１１〜図１３に示す実施形態に基づき、詳細に説明する。
図１１は、本発明の電子機器を適用したモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
この図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。
このようなパーソナルコンピュータ１１００には、例えば、基準クロック、計時用クロック、無線機器の発振回路、フィルタ等として機能するマイクロレゾネータ１や、アンテナ１１０１が内蔵されている。

図１２は、本発明の電子機器を適用した携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成を示す斜視図である。
この図において、携帯電話機１２００は、アンテナ１２０１、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部が配置されている。
このような携帯電話機１２００には、例えば、搬送波、検波用の発振回路、フィルタ、マイコン用クロック、計時用クロック等として機能するマイクロレゾネータ１が内蔵されている。

図１３は、本発明の電子機器を適用したディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。
ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。

ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部は、被写体を電子画像として表示するファインダとして機能する。
また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤなどを含む受光ユニット１３０４が設けられている。

撮影者が表示部に表示された被写体像を確認し、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリ１３０８に転送・格納される。
また、このディジタルスチルカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、デ−タ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリ１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成になっている。
このようなディジタルスチルカメラ１３００には、例えば、マイクロコンピュータ用クロック、計時用クロック等として機能するマイクロレゾネータ１が内蔵されている。

なお、本発明の電子機器は、図１１のパーソナルコンピュータ（モバイル型パーソナルコンピュータ）、図１２の携帯電話機、図１３のディジタルスチルカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンタ）、ラップトップ型パーソナルコンピュータ、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニタ、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシュミレータ等に適用することができる。

以上、本発明の構造体の製造方法、構造体、振動子および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
例えば、本発明の振動子は、マイクロレゾネータへの適用に限定されず、例えば、ＭＥＭＳ応用のセンサ（圧力、加速度、角速度、姿勢）等に適用することができる。
また、前述した実施形態では、製造工程後に保護層が残存させた形態について説明したが、製造工程時に保護層（第２のカバー層）を除去してもよい。その際、第２のカバー層を設けなくてもよい。また、第１のカバー層を保護層としてもよい。

本発明の構造体（振動子）をマイクロレゾネータに適用した場合の第１実施形態を示す平面図である。 本発明の構造体（振動子）をマイクロレゾネータに適用した場合の第１実施形態を示す平面図である。 図１および図２中のＡ−Ａ線断面図である。 図１および図２中のＢ−Ｂ線断面図である。 図１および図２に示すマイクロレゾネータに備えられた支持部の形状を示す図である。 図１ないし図４に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 図１ないし図４に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の構造体（振動子）をマイクロレゾネータに適用した場合の第２実施形態を示す平面図である。 図８に示すマイクロレゾネータの基部の形状を示す図である。 図８および図９に示すマイクロレゾネータの製造方法を説明するための図（縦断面図）である。 本発明の電子機器（ノート型パーソナルコンピュータ）である。 本発明の電子機器（携帯電話機）である。 本発明の電子機器（ディジタルスチルカメラ）である。

符号の説明

１、１Ａ……マイクロレゾネータ ２、２Ａ……基部 ３１、３２……固定電極 ３１１、３２１……電極指 ３１２、３２２……固定部 ４……可動部 ４１、４２……可動電極 ４１１、４２１……電極指 ４３、４４……梁部 ４５、４６……固定部 ４５１、４６１……絶縁部 ５１、５２、５３……支持部 ６、６Ａ……保護層 ６１……孔（通液部） ７……基体 ７１……第１の層 ７２……第２の層 ７３……第３の層 ８……膜 ８Ａ……第１のカバー層 ９……膜 ９Ａ……第２のカバー層 １０、１０Ａ……基板 １１００‥‥パーソナルコンピュータ １１０１‥‥アンテナ １１０２‥‥キーボード １１０４‥‥本体部 １１０６‥‥表示ユニット １２００‥‥携帯電話機 １２０１‥‥アンテナ １２０２‥‥操作ボタン １２０４‥‥受話口 １２０６‥‥送話口 １３００‥‥ディジタルスチルカメラ １３０２‥‥ケース（ボディー） １３０４‥‥受光ユニット １３０６‥‥シャッタボタン １３０８‥‥メモリ １３１２‥‥ビデオ信号出力端子 １３１４‥‥データ通信用の入出力端子 １４３０‥‥テレビモニタ １４４０‥‥パーソナルコンピュータ

Claims (15)

1. 静電引力により駆動する可動部を有する１つの単位構造体を形成し、その周囲を切断することにより構造体を得る構造体の製造方法であって、
   前記可動部の少なくとも一部を覆うように、保護層を形成し、
   前記保護層により保護された状態で、前記切断を行って、前記構造体を得ることを特徴とする構造体の製造方法。
2. 前記切断の前に、前記可動部の少なくとも一部を覆う第１のカバー層と、前記第１のカバー層を覆う第２のカバー層とを形成した後、前記第１のカバー層を除去することにより、前記可動部の駆動を許容するための空間を形成するとともに、前記第２のカバー層が前記保護層を構成する請求項１に記載の構造体の製造方法。
3. 第１の層、第２の層、第３の層の順でこれらが積層されてなる基体を用意し、
   前記第１の層をエッチングにより前記可動部に対応する形状にパターンニングし、
   前記第１のカバー層を形成し、
   前記第２のカバー層を形成し、
   前記第１のカバー層をエッチングにより除去して、残存する前記第２のカバー層を前記保護層とするとともに、前記第２の層の一部をエッチングにより除去して、前記可動部を形成し、
   前記切断を行う請求項２に記載の構造体の製造方法。
4. 前記第１のカバー層の除去の前に、前記第１のカバー層に通ずる通液部を形成し、前記通液部からエッチング液を流入することにより、前記第１のカバー層を除去する請求項２または３に記載の構造体の製造方法。
5. 前記通液部は、前記第２のカバー層に形成されている請求項４に記載の構造体の製造方法。
6. 前記通液部は、前記基体の前記第３の層に形成されている請求項４に記載の構造体の製造方法。
7. 前記第１のカバー層を除去した後に、前記通液部を塞ぐように、前記基体に基板を接合する工程を有する請求項６に記載の構造体の製造方法。
8. 前記基板は、アルカリ金属イオンを含むガラスを主材料として構成されている請求項７に記載の構造体の製造方法。
9. 前記第１のカバー層は、前記第２の層の一部の除去に用いるエッチングにより除去可能な材料で構成され、前記第１のカバー層の除去と前記第２の層の一部の除去とを同一のエッチング処理により行う請求項３ないし８のいずれかに記載の構造体の製造方法。
10. 前記第１のカバー層は、ＳＯＧを主材料として構成されている請求項９に記載の構造体の製造方法。
11. 前記第２のカバー層は、シリコンを主材料として構成されている請求項３ないし１０のいずれかに記載の構造体の製造方法。
12. 前記基体は、ＳＯＩ基板である請求項３ないし１１のいずれかに記載の構造体の製造方法。
13. 請求項１ないし１２のいずれかに記載の構造体の製造方法によって製造されたことを特徴とする構造体。
14. 請求項１ないし１２のいずれかに記載の構造体の製造方法によって製造されたことを特徴とする振動子。
15. 請求項１４に記載の振動子を備えることを特徴とする電子機器。

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