JP2006513582A - マイクロエレクトロニクス及び他の工業プロセスにおける超臨界流体の移送方法 - Google Patents
マイクロエレクトロニクス及び他の工業プロセスにおける超臨界流体の移送方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006513582A JP2006513582A JP2004568030A JP2004568030A JP2006513582A JP 2006513582 A JP2006513582 A JP 2006513582A JP 2004568030 A JP2004568030 A JP 2004568030A JP 2004568030 A JP2004568030 A JP 2004568030A JP 2006513582 A JP2006513582 A JP 2006513582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluid
- supercritical
- liquid
- supercritical fluid
- pressure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B5/00—Cleaning by methods involving the use of air flow or gas flow
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C23/00—Other surface treatment of glass not in the form of fibres or filaments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02101—Cleaning only involving supercritical fluids
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D2401/00—Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like
- B05D2401/90—Form of the coating product, e.g. solution, water dispersion, powders or the like at least one component of the composition being in supercritical state or close to supercritical state
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T137/00—Fluid handling
- Y10T137/0318—Processes
- Y10T137/0324—With control of flow by a condition or characteristic of a fluid
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Detergent Compositions (AREA)
Abstract
Description
本出願は、2003年5月30日に出願された米国特許出願第10/448,474号の利益を主張するものであり、本出願は、2003年1月27日に出願された米国特許仮出願第60/442,867号の利益をさらに主張するものであり、それら両出願の開示は本明細書の一部をなすものとする。
第1の超臨界流体(この超臨界流体は好ましくは二酸化炭素を含む)を収容した密閉圧力容器を準備するステップと、
第1の超臨界流体の密度より低い密度を有する第2の流体(典型的には同様に超臨界流体)を、第1の超臨界流体の圧力より大きな圧力で、前記容器へ添加するステップと、
第1の超臨界流体と第2の流体との界面を形成するステップと、
前記界面を維持しながら第2の好ましくは流体の圧力を用いて第1の超臨界流体の少なくとも一部を容器から移動させるステップとを含む方法を提供する。
(a)残部の、典型的には少なくとも20、30、40、50もしくは60%の二酸化炭素と、
(b)0、0.01、0.1、0.5、1もしくは2%から5、10%もしくはそれ以上までの界面活性剤と、
(c)0、0.01、0.1、1もしくは2から30、40、50%もしくはそれ以上までの有機コソルベント(補助溶媒)と、
(d)任意で、しかし一部の実施形態では好ましくは0、0.01、もしくは0.1から2、5もしくは10%の水と、
(e)水が含まれる場合は、基板の洗浄を促進するために十分な量で送達されるべき水溶性化合物/洗浄用添加剤。
(a)汚染物質もしくは残留物をその上に有する基板を提供するステップと、
(b)高密度(例えば、液体もしくは超臨界)二酸化炭素乾燥組成物を提供するステップであって、この洗浄用組成物が二酸化炭素および任意で、しかし好ましくは洗浄用添加剤を含み、この洗浄用添加剤がコソルベント、界面活性剤、およびそれらの組み合わせからなる群から選択されるステップと、
(c)表面部分を高密度二酸化炭素洗浄組成物中に浸漬するステップと、
(d)洗浄用組成物を表面部分から除去するステップ。
洗浄用組成物が、浸漬ステップの間、除去ステップの間、または浸漬ステップと除去ステップの両方の間、レジストコーティング上に洗浄用添加剤もしくは汚染物質を実質的に沈着もしくは再沈着せずに、均質な組成物として維持されるように、工程パラメータを制御することができる。
μ=(dT/dP)H
この実施形態では、高スループットのために圧力に迅速な循環が望ましい場合に、熱衝撃を回避するために第2気体が有用である。シリコンウエハなどの基板は、重大な温度勾配がその基板内に存在する場合はクラックを生じたり、損傷したりする可能性がある。気体膨張からチャンバおよび容器を冷却するステップは、さらに貴重な処理時間を追加し、温度調節のために実質的な入熱を必要とすることがある。第2気体を使用すると、熱損失および入熱を最小限に抑え、潜在的にサイクル時間およびエネルギー必要量を減少させることができる。
(a)残部の、典型的には少なくとも20、30、40、50もしくは60%の二酸化炭素と、
(b)0、0.01、0.1、0.5、1もしくは2%から5もしくは10%以上までの界面活性剤と、
(c)0、0.01、0.1、1もしくは2から30、40もしくは50%以上までの有機コソルベントと、
(d)任意の0、0.01、もしくは0.1から2もしくは5%の水と、
(e)組成物中に分散した0.01、0.1、もしくは1から2、5もしくは10%以上のコーティング成分(例えば、溶液または分散液として)。
・調製したCO2中に溶解または分散した親CO2性ポリマーおよびポリマー材料。誘電体、フォトレジスト、潤滑剤、絶縁材、顔料などのポリマー材料。
○調製物は以下を含む。
○超臨界状態にある純粋なCO2。
○コソルベント修飾CO2連続相。
○極性媒体−水のマイクロエマルジョンドメイン(親CO2性および疎CO2性構造の両方に界面活性剤組成物を利用する)。
○上記の組み合わせ。
・界面活性物質−例えば表面に会合、結合または接着するであろうコーティング剤(例えば、繊維基板に適用できる技術などの一般的説明については第6,287,640号、Surface treatment of substrates with compounds that bind theretoおよびその中の参考文献を参照されたい)。
・下記などのセラミックおよびガラス前駆体材料。
○シリコン網前駆体、例えば、TEOS、水素シルセスキオキサン(HSQ)、メチルシルセスキオキサン(MSQ)。
○他の半導体ならびにIV属およびV属金属を基材とする他の網前駆体(化学的性質および材料の特定リストは下記に示す)。
・調製CO2中に溶解した銅およびアルミニウムなどの金属原子。
・調製CO2中に溶解または分散した金属錯体。
・調製CO2中に溶解または分散した金属層前駆体(例えば半導体製造において「バリア層」材料を形成するための特異的な化学的性質−タンタル、タングステンおよび窒化チタン、ケイ化カーバイドならびにホウ素を含有する材料などの三成分材料(特異的流体相の化学的性質は以下に記載する)。
全ての物理的順序でのメニスカスコーティング(液体CO2については第6,497,921号、Method for meniscus coating with liquid carbon dioxideおよび同一名称の第6,083,565号ならびにその中の参考文献に詳細に記載されている。−関連性に留意されたい。これらの参考文献はメニスカスを支持できる唯一の条件として液相に限定されている。それらはさらにまたポリマー材料を用いたコーティングに限定されている)。
基板上の表面−膜(スピン、メニスカスなどによって形成された表面膜)からの材料の、該表面との反応性会合による沈着。これの例は以下である。
・「ホットウォール(Hot wall)」沈着法....コーティングされる表面上の熱誘導性反応。
○特に金属錯体の還元に適用できる。
○特に結合および/または架橋に適用できる。
・コンビナトリアル化学分析のための表面を作成するために使用されるような表面化学結合。
(液体二酸化炭素による被覆ウエハの処理)
イソプロパノール(IPA)などのCO2混和性で親水性の溶媒を、1片のポリヒドロキシスチレン(PHS)被覆シリコンウエハを収容した高圧容器内に添加した。この高圧容器へ液体CO2を添加した。液体CO2/IPA(2容量%のIPA)混合物のメニスカスレベルがウエハの表面より上方に上昇すると、ウエハの損傷が観察された。この系を15分間混合した後、液体CO2/IPA混合物を高圧容器の底部から排出した。IPAが液体/気体/ウエハ界面で沸騰し、ウエハのより多くの損傷が観察された。
(液体二酸化炭素による被覆ウエハの処理)
液体CO2を、1片のPHS被覆シリコンウエハを収容した高圧容器にウエハが完全に液体CO2中に沈むまで添加した。液体CO2およびIPA(2容量%のIPA)を含有する混合物(あるいは、いずれかのCO2混和性で親水性の溶媒、またはいずれかの親水性/親CO2性の界面活性剤)を、液体CO2中に沈められたPHS被覆シリコンウエハ片を収容した高圧容器に添加した。ウエハの損傷は観察されなかった。この系を15分間混合した。それでもウエハの損傷は生じなかった。第2気体(ヘリウムもしくは窒素)を高圧容器の上部へ添加した。液体/気体/ウエハ界面での沸騰を防止するために、第2気体の圧力下で液体CO2/IPA混合物を排出させた。第2気体を用いてこの系を排出させた後、ウエハの損傷は生じなかった。この系を純粋な液体CO2でリンスし、次に上述したように排出させた。ウエハの損傷は全く生じなかった。
(液体二酸化炭素による被覆ウエハの処理)
飽和蒸気圧にある液体CO2を、1片のPHS被覆シリコンウエハを収容した高圧容器にウエハが完全に液体CO2中に沈むまで添加した。液体CO2およびIPA(2容量%のIPA)を含有する混合物(あるいは、いずれかのCO2混和性で親水性の溶媒、または親水性/親CO2性の界面活性剤)を、液体CO2中に沈められたPHS被覆シリコンウエハ片を収容した高圧容器に添加した。ウエハの損傷は観察されなかった。液体CO2混合物は、高圧容器から飽和蒸気圧にある主として液体CO2を収容するまた別の高圧容器へ、両方の容器の蒸気側を接続しているバルブを最初に開放し、次に両方の容器の液体側を接続しているバルブを開放することによって排出させた。液体は、完全な排出を許容するために第1容器が第2容器の実質的上方に配置されているので、重力によって排出された。損傷は観察されなかった。ウエハ断片を収容する容器へリンス剤として純粋な液体CO2を添加し、そしてその液体を引き続き上述した方法で排出させた。同様に、損傷は観察されなかった。
(液体および超臨界CO2による被覆ウエハの処理)
液体CO2を、1片のPHS被覆シリコンウエハを収容した高圧容器にウエハが完全に液体CO2中に沈むまで添加した。液体CO2およびIPA(2容量%のIPA)を含有する混合物(あるいは、いずれかのCO2混和性で親水性の溶媒、または水に対するCO2の輸送能力を上昇させる界面活性剤)を、液体CO2中に沈められたPHS被覆シリコンウエハ片を収容した高圧容器に添加した。ウエハの損傷は観察されなかった。ウエハの表面から実質的に大部分の水を除去するために十分な時間の経過後、乾燥チャンバ内で約5回の液体回転を実行するために純粋な液体CO2を用いて液体混合物を希釈した。次に液体CO2へ熱を加え、超臨界相への遷移を引き起こした。次にウエハを収容するチャンバから、流体および気体の温度をCO2の臨界的温度より上方で維持することによって、したがって液相を回避することによって排出かつ排気させた。チャンバから取り出したウエハに損傷は生じていなかった。
(超臨界二酸化炭素による被覆ウエハの処理)
超臨界CO2を、1片のPHS被覆シリコンウエハを収容した高圧容器に添加した。超臨界CO2およびIPA(2容量%のIPA)を含有する混合物(あるいは、いずれかのCO2混和性で親水性の溶媒、または水に対するCO2の輸送能力を上昇させる界面活性剤)を、PHS被覆シリコンウエハ片および超臨界CO2を収容する高圧容器に添加した。ウエハの損傷は観察されなかった。この系を15分間混合した。それでもウエハの損傷は生じなかった。この系が臨界未満となり、液体メニスカスが形成されるまで第2気体(ヘリウムもしくは窒素)を高圧容器の上部に添加した。液体/気体/ウエハ界面での沸騰を防止するために、第2気体の圧力下で液体CO2/IPA混合物を排出させた。第2気体を用いてこの系を排出させた後、ウエハの損傷は生じなかった。この系を純粋な液体CO2でリンスし、次に上述したように排出させた。ウエハの損傷は全く生じなかった。
(液体二酸化炭素による被覆ウエハからの水の溶媒和)
1滴の水を1片のPHS被覆シリコンウエハの上部に垂らした。この水滴を含有するウエハを高圧観察セル内に置いた。純粋な液体CO2を高圧容器へ添加した。この系を15分間混合した。観察セルのサファイア・ウィンドウを通して視覚的に測定したところ、液体CO2は水滴全体に溶媒和しなかった。
(液体二酸化炭素およびコソルベントによる被覆ウエハからの水の溶媒和)
1滴の水を1片のPHS被覆シリコンウエハの上部に垂らした。水滴を含有するウエハを高圧観察セル内に置いた。液体CO2を、1片のPHS被覆シリコンウエハを収容した高圧容器にウエハが完全に液体CO2中に沈むまで添加した。液体CO2およびIPA(2容量%のIPA)を含有する混合物(あるいは、いずれかのCO2混和性で親水性の溶媒)を、液体CO2中に沈められたPHS被覆シリコンウエハ片を収容した高圧容器に添加した。ウエハの損傷は観察されなかった。この系を15分間混合した。水滴は完全に溶媒和した。それでもウエハの損傷は生じなかった。第2気体(ヘリウムもしくは窒素)を高圧容器の上部に添加した。液体/気体/ウエハ界面での沸騰を防止するために、第2気体の圧力下で液体CO2/IPA混合物を排出させた。第2気体を用いてこの系を排出させた後に、ウエハの損傷は生じなかった。この系を純粋な液体CO2でリンスし、次に上述したように排出させた。ウエハの損傷は全く生じなかった。
(液体および超臨界二酸化炭素およびコソルベントによる被覆ウエハからの水の溶媒和)
水性現像後工程におけるように、水で浸潤した5”PHS被覆ウエハ全体をプロトタイプの乾燥チャンバ内に置いた。チャンバに液体二酸化炭素を充填した。このプロトタイプシステムは、液体CO2と2容量%のIPA(あるいは、いずれかのCO2混和性で親水性の溶媒または水に対するCO2の輸送能力を上昇させる界面活性剤)を含有する第2高圧容器を具備していた。混合液体CO2/IPAは、ポンプを使用して第2高圧容器から乾燥チャンバへ添加した。この系を15分間混合した。液体CO2/IPA混合物は、5回の純粋な液体CO2の液体回転によりフラッシュすると、IPAの濃度は以前の濃度の何分の一へ低下した。CO2フラッシュ中にメニスカス形成は発生しなかった。CO2フラッシュ後、流体を超臨界相へ遷移させる35℃へ液体CO2を加熱した。次に流体、および引き続いて気体を臨界的温度のCO2の上方に維持するために熱を加えるとともに、超臨界CO2を容器から排出/排気させた。チャンバから完全に排気した後、乾燥したウエハを取り出すと損傷していなかった。
(CO2および化学的添加剤による描出して水性現像したレジスト被覆ウエハからの水の乾燥)
PHSフォトレジストおよびPAGで被覆された5インチのシリコンウエハに描出し、0.238正規の水酸化テトラメチルアンモニウムを用いて現像し、脱イオン水を用いてリンスした。次に湿式ウエハを高圧乾燥チャンバへ移し、そこで飽和蒸気圧にある液体CO2を少量添加した。ウエハの表面およびレジストパターンの機構から水を移動させて除去するために、親水性/親CO2性の界面活性剤と事前に混合した飽和蒸気圧にある追加の液体CO2をチャンバへ添加してチャンバを通して循環させた。短時間の後に、最初に2つの容器間の蒸気側の連絡を許し、次に乾燥容器の底部と第2保存容器の底部とを接続しているバルブを開放することによって、少量の液体CO2を含有する第2保存容器へ液体を排出させた。第2保存容器は乾燥チャンバの十分に下方に位置していたので、液体の大半は乾燥チャンバから排出された。次に乾燥チャンバに純粋な液体CO2を充填し、リンスして次に上述したように排出させた。これを添加剤の濃度が効果的にゼロになることを保証するために繰り返した。乾燥チャンバ内に残っている少量の液体CO2を臨界点である350℃を超える温度へ加熱し、そして流体/気体温度を臨界温度の上方に維持しながら、したがって液体メニスカスの形成を回避しながらCO2を排気させた。次に描出し、現像し、そして乾燥させたウエハをチャンバから取り出し、光線および湿気のない場所に貯蔵し、次に走査型電子顕微鏡を用いて分析した。顕微鏡写真は、120nm未満の線/間隔パターンを表す現像した機構がCO2乾燥工程によって影響を受けず構造的に一貫性があることを証明した。
(MEMsからの水および汚染物質の除去)
一連の静電アクチュエータを含有するMEMsデバイスの製造中には、犠牲酸化物層がフッ化水素酸水溶液を用いて除去され、基板表面に平行な一連の回転プレートが露光された。連続的リンスステップ後には、デバイスは高圧CO2を含む乾燥チャンバへ移され、そこで液体CO2混合物が飽和蒸気圧で添加された。液体CO2は、均質な組成物を保証するためにCO2と事前に混合された親CO2性/親水性の界面活性剤を含有した。循環期間後、純粋な液体CO2が液体CO2としてチャンバ内に挿入され、定圧の容器から界面活性剤、水および水に含まれる溶質が除去された。チャンバ内に残留している液体CO2は次に、流体を超臨界状態へ転換させる臨界温度より上方へ加熱された。処理チャンバ内の超臨界流体は次に、流体/気体混合物の温度がCO2の臨界温度より上方にとどまることを保証するために役立つように、貯蔵タンク内に排気された。これは、排出/排気するステップ中に液体状態、液体メニスカス、および関連する表面張力が回避されることを保証するために役立つものである。MEMsデバイスのSEM分析は、回転プレートがリリース・スティクションの証拠を伴わずに基板表面に全部実質的に平行であることを証明していた。
(CMP後洗浄)
研磨用スラリ、研磨残留物および粒子状物質は、以下の工程ステップを用いてCMP後に除去した。金属または誘電体表面を備える半導体ウエハである基板を圧力容器内に装填した。高純度親CO2性−b−親水性界面活性剤を含有する液体CO2エマルジョン中の過酸化水素の水溶液(水中で濃度30%)を1,200psiおよび室温で導入した。周期的相転移を使用してエマルジョンをウエハの表面上で凝縮させ、次に再乳化させた。これは、室温での1,200psiから約15℃での790psiへの圧力低下を引き起こすように洗浄チャンバの有効量を増加させることによって実施した。この容量は自動可変容量シリンダおよび適切なバルブを用いて増加させた。洗浄用水溶液は、液体CO2の密度が低下するにつれてウエハの表面上で短時間凝縮させた。圧力は、容器容量を低下させて次に洗浄チャンバ内の圧力を1,200psiへ回復させることによって増加させた。このサイクルを20回繰り返した。次に第1溶液は高純度親CO2性−b−親水性界面活性剤とともにCO2エマルジョン中のフッ化物水溶液からなる第2洗浄溶液によって容器から移動させた。次に、圧力を上述したように20回、周期的に変化させた。次に1,800psiおよび40℃である超臨界CO2を高純度界面活性剤とともに、残っている粒子状物質の除去を促進するために容器を通して流れさせた。次に超臨界CO2リンスは、純粋なCO2を容器へ添加することによって完了した。このシステムを最後に排気し、基板を取り出した。
研磨用スラリ、研磨残留物および粒子状物質は、以下の工程ステップを用いてCMP後に除去した。金属または誘電体表面を備える半導体ウエハである基板を圧力容器内に装填した。高純度親CO2性−b−親水性界面活性剤を含有する液体CO2エマルジョン中の過酸化水素の水溶液を1,200psiおよび室温で導入した。洗浄用水溶液は、洗浄容器に接続している可変容量チャンバを用いてウエハの表面上で短時間凝縮させた。圧力は、圧力を初期値へ回復させるために容器容量を減少させることによって増加させた。このサイクルを20回繰り返した。第1溶液は高純度親CO2性−b−親水性界面活性剤とともにCO2エマルジョン中のフッ化物水溶液からなる第2洗浄溶液によって容器から移動させた。次に、圧力を、可変容量チャンバを用いて上述したように20回変化させた。次に残っている金属イオンの除去を促進するために、少量のCO2可溶性キレート剤(エチレンジアミン四酢酸)を含有する超臨界CO2を容器に通して流れさせた。次に超臨界CO2を高純度界面活性剤とともに、残っている粒子状物質の除去を促進するために容器に通して流れさせた。次に超臨界CO2リンスは、純粋なCO2を容器へ添加することによって完了した。このシステムを最後に排気し、基板を取り出した。
フォトレジストを使用してイオン注入のために基板をパターニングした。この工程のために使用したフォトレジストを以下のステップにおいて取り出した。イオン注入後の半導体である基板を圧力容器内に装填した。超臨界CO2を3,000psiおよび35℃で容器に添加した。超臨界CO2が容器を通して循環するにつれて、トリエタノールアミン、N−メチル−2−ピロリドン、親CO2性および親水性成分をどちらも含有する界面活性剤から構成されるコソルベント混合物、ならびに水を添加した。混合物の組成は重量で7:2:1:1であり、そして添加した添加剤の総濃度は、流体系の2.5%(w/v)であった。容器の圧力は、可変容量チャンバおよび適切なバルブを用いて低下させ、洗浄チャンバ内の処理流体の膨張を引き起こし、それによって基板の表面上への添加剤混合物の濃縮混合物を凝縮させた。混合物の温度は、膨張の経過においてTc未満へ低下し、液体CO2への遷移を引き起こした。この系を再加圧し、再び可変容量チャンバおよび内部加熱器を用いて流体混合物をTcより上方へ加熱した。このサイクルを20回繰り返し、次に純粋な超臨界CO2リンスを実施した。このシステムを排気し、基板を取り出した。
ポリマーフォトレジストおよびレジスト残留物を、以下の工程ステップを用いて反応性イオンエッチング後に試験ウエハの構造から除去した。親CO2性および親油性部分の両方を備える超臨界CO2と高純度界面活性剤との混合物中のアミン(トリエチルアミン)を3,000psiおよび60℃で容器に添加した(2%(w/v)アミン、1%(w/v)界面活性剤)。流体混合物を容器に通して循環させた。流体混合物の圧力を急速に1,500psiへ減少させ、それによって添加剤を基板の表面上へ凝縮させた。この圧力は、次に急速に3,000psiへ増加し、全化学的添加剤を再分散させた。可変容量チャンバを用いてこのサイクルを20回繰り返した。温度をできる限り60℃近くに保持するために内部加熱器を用いてチャンバへ熱を加えた。チャンバの底部にあるバルブが廃棄物容器へ開放されたので、3,500psiでのヘリウムガスが次に洗浄チャンバへ添加された。処理流体はチャンバから急速にフラッシュされ、純粋ヘリウムの加圧大気によって置換された。ヘリウムを排気した後、洗浄容器を純粋な超臨界CO2でリンスした。コソルベント(2,4−ペンタンジオン、総計3%(w/v))および高純度界面活性剤(1%(w/v))から構成される第2洗浄溶液を3,000psiおよび60℃にあるCO2を洗浄容器に添加した。本系の圧力は上述したように20回変化させたが、その間に流体の温度は内部加熱器を用いてできる限り60℃近くに維持した。洗浄流体は上述したように第2気体としてヘリウムを使用して排出させた。最後に、純粋な超臨界CO2リンスを完了し、この系を第2気体としてヘリウムを使用して排出させ、次に排気させ、そして基板を取り出した。
(超臨界ヘリウムと超臨界二酸化炭素との界面の形成)
充填した高圧観察セルに約55℃の温度および約2,800psigの圧力で超臨界二酸化炭素を充填した。超臨界二酸化炭素は、容積で約4%未満のコソルベントN−メチルピロリドンを含有していた。排出は、セル内を定圧近くに維持するために背圧レギュレータを通して行った。図8は、約2,900psigの圧力および超臨界二酸化炭素と同一の温度で観察セルの上部への超臨界ヘリウムの添加を示している。写真は、わずかに高い位置からセル内の観察ポートを通して撮影されている。超臨界ヘリウムはセルの上部部分にあり、超臨界二酸化炭素はセルの底部部分にあり、そして超臨界二酸化炭素はセルの底部で排出管を通してセルから排出されている。2種の超臨界流体間の界面の形成は、セル内の上方および下方領域間の暗色の境界として観察された。追加の時間および追加のヘリウムが添加された後、図9においては追加の超臨界二酸化炭素がセルの底部で排出管から排出されていることに留意されたい。超臨界二酸化炭素の薄層は、その中に運ばれたいずれかのコーティング成分とともに、被覆されている基板を表す観察セルウィンドウへ接着している。
(超臨界流体からのポリマーのコーティング)
固形基板上にコーティングされるべきポリマーまたはその他の材料を、混合物(DEN1およびVIS1)に対して適切な密度および粘度を生じさせる濃度で超臨界流体1(SF1)中に溶解させた。SF1は、コーティングされる材料の必要な溶解度に到達するため、または必要な密度および粘度を達成するために、適切な添加剤をさらに含有することができる。第2超臨界流体2(SF2)は、この第2流体の密度および粘度が各々DEN2およびVIS2であるように純粋な流体または添加剤を備える純粋な流体のいずれかを有することによって調製できる。SF1およびSF2はどちらも、それらが完全に均質溶液であるより上方の臨界点を示している。
(多層沈着)
厚膜または多層膜を形成する工程を以下のとおりに実施した。1)Cuの有機金属前駆体を、基板を含有する高圧セル内のCO2中に溶解させた。2)CO2流体混合物に緩徐に置換して基板上に溶質を含有する有機金属膜を残すために、ヘリウムガスを圧力容器に添加した。3)本系の圧力を10atm低下させて表面膜からCO2の蒸発を促進した、および4)酸化状態のCu(II)からCu(0)へ金属種を還元させて金属膜を残すために、10atmのH2ガスを圧力容器へ添加した。5)次に圧力容器にヘリウム/H2ガスに置換するCO2/有機金属混合物を再充填し、次に再び6)緩徐なヘリウム置換および7)H2還元を実施した。この工程を数回繰り返した。
Claims (22)
- 二酸化炭素を含む超臨界流体を収容した密閉圧力容器を準備するステップと、
前記超臨界流体の密度より低い密度を有する第2の流体を、前記超臨界流体の圧力より大きな圧力で、前記容器へ添加するステップと、
前記超臨界流体と前記第2の流体との界面を形成するステップと、
前記界面を維持しながら前記第2の流体の圧力を用いて前記超臨界流体の少なくとも一部を前記容器から移動させるステップと
を含む超臨界流体を圧力容器から移動させる方法。 - 前記界面が視認できる界面である請求項1に記載の方法。
- 前記界面が光学的に検出可能な界面である請求項1に記載の方法。
- 前記超臨界流体が少なくとも50重量%の二酸化炭素を含む請求項1に記載の方法。
- 前記第2の流体が超臨界流体を含む請求項1に記載の方法。
- 前記第2の流体が少なくとも50重量%のヘリウムを含む請求項1に記載の方法。
- 前記第2の流体が実質的にヘリウムからなる請求項1に記載の方法。
- 前記容器が洗浄されるべき物品を収容し、前記超臨界流体が洗浄剤をさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記容器がコーティングされるべき物品を収容し、前記超臨界流体がコーティング成分をさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記容器が重合用容器であり、前記超臨界流体がポリマーをさらに含む請求項1に記載の方法。
- 前記容器が組成物を収容し、この組成物から少なくとも1種の化合物が抽出されることとなり、前記超臨界流体が前記化合物から抽出される少なくとも1種の化合物をさらに含む請求項1に記載の方法。
- 二酸化炭素を含む超臨界流体を収容した密閉圧力容器を準備するステップと、
前記超臨界流体の密度より低い密度を有する第2の流体を、前記超臨界流体の圧力より大きな圧力で、前記容器へ添加するステップと、
前記超臨界流体と前記第2の流体との間の界面を形成するステップであって、前記容器が前記超臨界流体の移動方向に長さ寸法を有し、前記界面が前記長さ寸法の約10%以下である厚さを有するステップと、
前記界面を維持しながら前記第2の流体の圧力を用いて前記超臨界流体の少なくとも一部を前記容器から移動させるステップと
を含む超臨界流体を圧力容器から移動させる方法。 - 前記界面が視認できる界面である請求項12に記載の方法。
- 前記界面が光学的に検出可能な界面である請求項12に記載の方法。
- 前記超臨界流体が少なくとも50重量%の二酸化炭素を含む請求項12に記載の方法。
- 前記第2の流体が超臨界流体を含む請求項12に記載の方法。
- 前記第2の流体が少なくとも50重量%のヘリウムを含む請求項12に記載の方法。
- 前記第2の流体が実質的にヘリウムからなる請求項12に記載の方法。
- 前記容器が洗浄されるべき物品を収容し、前記超臨界流体が洗浄剤をさらに含む請求項12に記載の方法。
- 前記容器がコーティングされるべき物品を収容し、前記超臨界流体がコーティング成分をさらに含む請求項12に記載の方法。
- 前記容器が重合用容器であり、前記超臨界流体がポリマーをさらに含む請求項12に記載の方法。
- 前記容器が組成物を収容し、この組成物から少なくとも1種の化合物が抽出されることとなり、前記超臨界流体が前記化合物から抽出される少なくとも1種の化合物をさらに含む請求項12に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US44286703P | 2003-01-27 | 2003-01-27 | |
US10/448,474 US6905555B2 (en) | 2001-02-15 | 2003-05-30 | Methods for transferring supercritical fluids in microelectronic and other industrial processes |
PCT/US2003/040155 WO2004070776A2 (en) | 2003-01-27 | 2003-12-08 | Methods for transferring supercritical fluids in microelectronic and other industrial processes |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006513582A true JP2006513582A (ja) | 2006-04-20 |
Family
ID=32853325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004568030A Pending JP2006513582A (ja) | 2003-01-27 | 2003-12-08 | マイクロエレクトロニクス及び他の工業プロセスにおける超臨界流体の移送方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6905555B2 (ja) |
EP (1) | EP1590307A4 (ja) |
JP (1) | JP2006513582A (ja) |
KR (1) | KR20050097514A (ja) |
AU (1) | AU2003299658A1 (ja) |
WO (1) | WO2004070776A2 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011029455A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2021061399A (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
Families Citing this family (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1303870A2 (en) * | 2000-07-26 | 2003-04-23 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
JP2005510369A (ja) * | 2001-11-02 | 2005-04-21 | ポリ・システムズ・プロプライエタリー・リミテッド | ネイルガン |
US20040016450A1 (en) * | 2002-01-25 | 2004-01-29 | Bertram Ronald Thomas | Method for reducing the formation of contaminants during supercritical carbon dioxide processes |
US6924086B1 (en) * | 2002-02-15 | 2005-08-02 | Tokyo Electron Limited | Developing photoresist with supercritical fluid and developer |
US7387868B2 (en) * | 2002-03-04 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2 |
CN1642665A (zh) * | 2002-03-22 | 2005-07-20 | 东京毅力科创株式会社 | 用超临界工艺清除杂质 |
EP1442802A1 (en) * | 2003-01-28 | 2004-08-04 | Linde Aktiengesellschaft | Cleaning with liquid carbon dioxide |
US20040231707A1 (en) * | 2003-05-20 | 2004-11-25 | Paul Schilling | Decontamination of supercritical wafer processing equipment |
US20050288485A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Mahl Jerry M | Method and apparatus for pretreatment of polymeric materials utilized in carbon dioxide purification, delivery and storage systems |
DE102004037902A1 (de) * | 2004-08-05 | 2006-03-16 | Robert Bosch Gmbh | Verfahren zur Abscheidung einer Anti-Haftungsschicht |
US20060081273A1 (en) * | 2004-10-20 | 2006-04-20 | Mcdermott Wayne T | Dense fluid compositions and processes using same for article treatment and residue removal |
US20060186088A1 (en) * | 2005-02-23 | 2006-08-24 | Gunilla Jacobson | Etching and cleaning BPSG material using supercritical processing |
US7550075B2 (en) * | 2005-03-23 | 2009-06-23 | Tokyo Electron Ltd. | Removal of contaminants from a fluid |
US7767145B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-03 | Toyko Electron Limited | High pressure fourier transform infrared cell |
US20060226117A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Bertram Ronald T | Phase change based heating element system and method |
US20060223899A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Hillman Joseph T | Removal of porogens and porogen residues using supercritical CO2 |
US7789971B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
US20070000519A1 (en) * | 2005-06-30 | 2007-01-04 | Gunilla Jacobson | Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing |
US20090062909A1 (en) * | 2005-07-15 | 2009-03-05 | Micell Technologies, Inc. | Stent with polymer coating containing amorphous rapamycin |
US8298565B2 (en) | 2005-07-15 | 2012-10-30 | Micell Technologies, Inc. | Polymer coatings containing drug powder of controlled morphology |
TWI291714B (en) * | 2005-12-09 | 2007-12-21 | Ind Tech Res Inst | Supercritical fluid washing method and system thereof |
US8530355B2 (en) | 2005-12-23 | 2013-09-10 | Infineon Technologies Ag | Mixed orientation semiconductor device and method |
ES2540059T3 (es) | 2006-04-26 | 2015-07-08 | Micell Technologies, Inc. | Recubrimientos que contienen múltiples fármacos |
US7807219B2 (en) * | 2006-06-27 | 2010-10-05 | Lam Research Corporation | Repairing and restoring strength of etch-damaged low-k dielectric materials |
US8636767B2 (en) | 2006-10-02 | 2014-01-28 | Micell Technologies, Inc. | Surgical sutures having increased strength |
CN102886326A (zh) | 2006-10-23 | 2013-01-23 | 米歇尔技术公司 | 用于在涂覆过程中为基底充电的保持器 |
JP5603598B2 (ja) | 2007-01-08 | 2014-10-08 | ミセル テクノロジーズ、インコーポレイテッド | 生物分解層を有するステント |
US11426494B2 (en) | 2007-01-08 | 2022-08-30 | MT Acquisition Holdings LLC | Stents having biodegradable layers |
US8142619B2 (en) * | 2007-05-11 | 2012-03-27 | Sdc Materials Inc. | Shape of cone and air input annulus |
WO2008148013A1 (en) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Micell Technologies, Inc. | Polymer films for medical device coating |
KR100872873B1 (ko) * | 2007-07-03 | 2008-12-10 | 세메스 주식회사 | 기판 제조용 초임계 유체 공급 장치 |
EP3360586B1 (en) | 2008-04-17 | 2024-03-06 | Micell Technologies, Inc. | Stents having bioabsorbable layers |
WO2011009096A1 (en) | 2009-07-16 | 2011-01-20 | Micell Technologies, Inc. | Drug delivery medical device |
CA2946195A1 (en) | 2008-07-17 | 2010-01-21 | Micell Technologies, Inc. | Drug delivery medical device |
US8153533B2 (en) * | 2008-09-24 | 2012-04-10 | Lam Research | Methods and systems for preventing feature collapse during microelectronic topography fabrication |
US8961701B2 (en) * | 2008-09-24 | 2015-02-24 | Lam Research Corporation | Method and system of drying a microelectronic topography |
US8834913B2 (en) | 2008-12-26 | 2014-09-16 | Battelle Memorial Institute | Medical implants and methods of making medical implants |
US9620410B1 (en) * | 2009-01-20 | 2017-04-11 | Lam Research Corporation | Methods for preventing precipitation of etch byproducts during an etch process and/or subsequent rinse process |
US20100184301A1 (en) * | 2009-01-20 | 2010-07-22 | Lam Research | Methods for Preventing Precipitation of Etch Byproducts During an Etch Process and/or Subsequent Rinse Process |
WO2010111232A2 (en) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | Micell Technologies, Inc. | Drug delivery medical device |
WO2010111238A2 (en) * | 2009-03-23 | 2010-09-30 | Micell Technologies, Inc. | Improved biodegradable polymers |
CN102481195B (zh) | 2009-04-01 | 2015-03-25 | 米歇尔技术公司 | 涂覆支架 |
WO2010121187A2 (en) | 2009-04-17 | 2010-10-21 | Micell Techologies, Inc. | Stents having controlled elution |
US20110117752A1 (en) * | 2009-11-18 | 2011-05-19 | Kwon Taek Lim | Method and system for etching a silicon dioxide film using densified carbon dioxide |
US11369498B2 (en) | 2010-02-02 | 2022-06-28 | MT Acquisition Holdings LLC | Stent and stent delivery system with improved deliverability |
US8795762B2 (en) | 2010-03-26 | 2014-08-05 | Battelle Memorial Institute | System and method for enhanced electrostatic deposition and surface coatings |
WO2011133655A1 (en) | 2010-04-22 | 2011-10-27 | Micell Technologies, Inc. | Stents and other devices having extracellular matrix coating |
GB2495256B (en) * | 2010-06-25 | 2014-07-23 | Anastasios J Tousimis | Integrated processing and critical point drying systems for semiconductor and mems devices |
EP2593039B1 (en) | 2010-07-16 | 2022-11-30 | Micell Technologies, Inc. | Drug delivery medical device |
JP5450494B2 (ja) * | 2011-03-25 | 2014-03-26 | 株式会社東芝 | 半導体基板の超臨界乾燥方法 |
WO2012133583A1 (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-04 | 大日本印刷株式会社 | 超臨界乾燥装置及び超臨界乾燥方法 |
WO2012166819A1 (en) | 2011-05-31 | 2012-12-06 | Micell Technologies, Inc. | System and process for formation of a time-released, drug-eluting transferable coating |
WO2013012689A1 (en) | 2011-07-15 | 2013-01-24 | Micell Technologies, Inc. | Drug delivery medical device |
US10188772B2 (en) | 2011-10-18 | 2019-01-29 | Micell Technologies, Inc. | Drug delivery medical device |
JP6326041B2 (ja) * | 2012-04-17 | 2018-05-16 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 二酸化炭素の精製された多相のプロセスツールへのデリバリーシステム |
US9604153B1 (en) * | 2012-07-31 | 2017-03-28 | Quinlan Properties, LLC | Separation systems and methods of using them |
EP2967803B1 (en) | 2013-03-12 | 2023-12-27 | Micell Technologies, Inc. | Bioabsorbable biomedical implants |
US10272606B2 (en) | 2013-05-15 | 2019-04-30 | Micell Technologies, Inc. | Bioabsorbable biomedical implants |
WO2016007874A1 (en) * | 2014-07-11 | 2016-01-14 | Applied Materials, Inc. | Supercritical carbon dioxide process for low-k thin films |
ES2953408T3 (es) | 2015-12-23 | 2023-11-10 | Novolabs Ltd | Método y aparato para tratar un líquido |
CN110663101B (zh) * | 2017-05-24 | 2023-08-18 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理装置和基板处理方法 |
KR102134261B1 (ko) * | 2018-10-25 | 2020-07-16 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7394563B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2023-12-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の洗浄方法及び基板処理システム |
MX2022007290A (es) * | 2019-12-17 | 2022-09-19 | Covalon Tech Ltd | Reactores para dispositivos de recubrimiento y sistemas y metodos relacionados. |
US11640115B2 (en) * | 2020-09-04 | 2023-05-02 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus, semiconductor manufacturing equipment, and substrate processing method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0626909A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Japan Tobacco Inc | 圧力容器における接触界面位置調節方法および装置 |
JPH08252549A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-10-01 | Texas Instr Inc <Ti> | 基板から汚染物を取り除く方法 |
JP2000154172A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Nippon Polyurethane Ind Co Ltd | 多官能ポリイソシアネート組成物の製造方法 |
WO2002066176A1 (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-29 | Micell Technologies, Inc. | Methods for cleaning microelectronic structures |
JP2002367943A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Kobe Steel Ltd | 高圧処理方法および高圧処理装置 |
JP2005515619A (ja) * | 2002-01-07 | 2005-05-26 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 物品を洗浄するための方法 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4491628A (en) | 1982-08-23 | 1985-01-01 | International Business Machines Corporation | Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone |
US4980264A (en) | 1985-12-17 | 1990-12-25 | International Business Machines Corporation | Photoresist compositions of controlled dissolution rate in alkaline developers |
US5071730A (en) | 1990-04-24 | 1991-12-10 | International Business Machines Corporation | Liquid apply, aqueous processable photoresist compositions |
US5370742A (en) * | 1992-07-13 | 1994-12-06 | The Clorox Company | Liquid/supercritical cleaning with decreased polymer damage |
EP0605089B1 (en) | 1992-11-03 | 1999-01-07 | International Business Machines Corporation | Photoresist composition |
JPH06324494A (ja) | 1993-05-12 | 1994-11-25 | Fujitsu Ltd | パターン形成材料およびパターン形成方法 |
US5866304A (en) | 1993-12-28 | 1999-02-02 | Nec Corporation | Photosensitive resin and method for patterning by use of the same |
JPH08330266A (ja) | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Texas Instr Inc <Ti> | 半導体装置等の表面を浄化し、処理する方法 |
US5783082A (en) | 1995-11-03 | 1998-07-21 | University Of North Carolina | Cleaning process using carbon dioxide as a solvent and employing molecularly engineered surfactants |
US5861231A (en) | 1996-06-11 | 1999-01-19 | Shipley Company, L.L.C. | Copolymers and photoresist compositions comprising copolymer resin binder component |
US5868856A (en) | 1996-07-25 | 1999-02-09 | Texas Instruments Incorporated | Method for removing inorganic contamination by chemical derivitization and extraction |
US5908510A (en) | 1996-10-16 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Residue removal by supercritical fluids |
US6306564B1 (en) | 1997-05-27 | 2001-10-23 | Tokyo Electron Limited | Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide |
US6200352B1 (en) | 1997-08-27 | 2001-03-13 | Micell Technologies, Inc. | Dry cleaning methods and compositions |
CA2302527A1 (en) | 1997-08-29 | 1999-03-04 | James P. Deyoung | End functionalized polysiloxane surfactants in carbon dioxide formulations |
US6001418A (en) | 1997-12-16 | 1999-12-14 | The University Of North Carolina At Chapel Hill | Spin coating method and apparatus for liquid carbon dioxide systems |
US6067728A (en) | 1998-02-13 | 2000-05-30 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Supercritical phase wafer drying/cleaning system |
US6120613A (en) | 1998-04-30 | 2000-09-19 | Micell Technologies, Inc. | Carbon dioxide cleaning and separation systems |
US6200943B1 (en) | 1998-05-28 | 2001-03-13 | Micell Technologies, Inc. | Combination surfactant systems for use in carbon dioxide-based cleaning formulations |
US6242165B1 (en) | 1998-08-28 | 2001-06-05 | Micron Technology, Inc. | Supercritical compositions for removal of organic material and methods of using same |
US6277753B1 (en) | 1998-09-28 | 2001-08-21 | Supercritical Systems Inc. | Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
EP1230008A1 (en) * | 1999-10-21 | 2002-08-14 | Aspen Systems, Inc. | Rapid aerogel production process |
US6562146B1 (en) | 2001-02-15 | 2003-05-13 | Micell Technologies, Inc. | Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide |
US6596093B2 (en) | 2001-02-15 | 2003-07-22 | Micell Technologies, Inc. | Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation |
-
2003
- 2003-05-30 US US10/448,474 patent/US6905555B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-08 JP JP2004568030A patent/JP2006513582A/ja active Pending
- 2003-12-08 AU AU2003299658A patent/AU2003299658A1/en not_active Abandoned
- 2003-12-08 KR KR1020057013683A patent/KR20050097514A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-12-08 EP EP03799942A patent/EP1590307A4/en not_active Withdrawn
- 2003-12-08 WO PCT/US2003/040155 patent/WO2004070776A2/en active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0626909A (ja) * | 1992-07-10 | 1994-02-04 | Japan Tobacco Inc | 圧力容器における接触界面位置調節方法および装置 |
JPH08252549A (ja) * | 1995-01-26 | 1996-10-01 | Texas Instr Inc <Ti> | 基板から汚染物を取り除く方法 |
JP2000154172A (ja) * | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Nippon Polyurethane Ind Co Ltd | 多官能ポリイソシアネート組成物の製造方法 |
WO2002066176A1 (en) * | 2001-02-15 | 2002-08-29 | Micell Technologies, Inc. | Methods for cleaning microelectronic structures |
JP2002367943A (ja) * | 2001-06-12 | 2002-12-20 | Kobe Steel Ltd | 高圧処理方法および高圧処理装置 |
JP2005515619A (ja) * | 2002-01-07 | 2005-05-26 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 物品を洗浄するための方法 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011029455A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP2021061399A (ja) * | 2019-10-07 | 2021-04-15 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
JP7287930B2 (ja) | 2019-10-07 | 2023-06-06 | セメス カンパニー,リミテッド | 基板処理装置及び方法 |
US11942337B2 (en) | 2019-10-07 | 2024-03-26 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050097514A (ko) | 2005-10-07 |
US6905555B2 (en) | 2005-06-14 |
WO2004070776A3 (en) | 2005-01-20 |
WO2004070776A2 (en) | 2004-08-19 |
US20040020518A1 (en) | 2004-02-05 |
EP1590307A4 (en) | 2010-09-22 |
AU2003299658A8 (en) | 2004-08-30 |
AU2003299658A1 (en) | 2004-08-30 |
EP1590307A2 (en) | 2005-11-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2006513582A (ja) | マイクロエレクトロニクス及び他の工業プロセスにおける超臨界流体の移送方法 | |
US6596093B2 (en) | Methods for cleaning microelectronic structures with cyclical phase modulation | |
US6602351B2 (en) | Methods for the control of contaminants following carbon dioxide cleaning of microelectronic structures | |
US6613157B2 (en) | Methods for removing particles from microelectronic structures | |
US6562146B1 (en) | Processes for cleaning and drying microelectronic structures using liquid or supercritical carbon dioxide | |
US6641678B2 (en) | Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems | |
KR100853354B1 (ko) | 초임계수산화법에 의한 오염된 물품의 세척 방법 | |
KR101269783B1 (ko) | 반도체 웨이퍼로부터의 물질 제거 방법 및 이를 수행하기위한 장치 | |
JP2004527110A (ja) | マイクロエレクトロニック構造体を洗浄する方法 | |
TWI221007B (en) | Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy | |
Jones et al. | Applications of “dry” processing in the microelectronics industry using carbon dioxide | |
KR20050061381A (ko) | 농축 프로세싱 유체와 초음파 에너지를 사용한 반도체구성 요소의 처리 방법 | |
WO2003049167A1 (fr) | Procede de traitement haute pression | |
US7211553B2 (en) | Processing of substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols | |
Keagy et al. | Cleaning of patterned porous low-k dielectrics with water, carbon dioxide and ambidextrous surfactants | |
US7282099B2 (en) | Dense phase processing fluids for microelectronic component manufacture | |
TWI261290B (en) | Removal of contaminants using supercritical processing | |
Zhang et al. | Cleaning using CO2‐based solvents | |
EP1505146A1 (en) | Processing of substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols | |
US20040139987A1 (en) | Method for releasing and drying moveable elements of micro-electronic mechanical structures with organic thin film sacrificial layers | |
Zhang et al. | Supercritical CO2-based solvents in next generation microelectronics processing | |
US6786977B2 (en) | Gas-expanded liquids, methods of use thereof, and systems using gas-expanded liquids for cleaning integrated circuits | |
JP2004088095A (ja) | 洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20061129 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081104 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090204 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090731 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20091030 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20091109 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20100330 |