JPH0626909A - 圧力容器における接触界面位置調節方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】圧力容器の内部での被処理流体と超臨界流体と
の接触界面の高さを一定に維持できる圧力容器における
接触界面位置調節方法及び装置を提供する。 【構成】鉛直方向に対して幅Ｘのレーザー光を被処理流
体27及び超臨界流体28に入射させて被処理流体27, 超臨
界流体28を透過したレーザー光の減衰率Ａ及びＢを夫々
測定する。次に任意の位置に被処理流体27又は超臨界流
体28にレーザー光を入射させた際のレーザー光の減衰率
Ｃ₁ を測定する。接触界面が任意の位置におけるレーザ
ー光の上端部から鉛直方向に距離Ｙを隔てた基準位置に
存在すると仮定した場合における減衰率Ｃ₁ の基準値Ｃ
₂ を式(1) に従って算出する。減衰率Ｃ₁ が基準値Ｃ₂
より小さい場合に被処理流体の供給量を過剰にし、基準
値Ｃ₂ より大きい場合に排出量を過剰にして接触界面を
基準位置に維持する。 基準値Ｃ₂ ＝Ａ（１−Ｙ／Ｘ）＋Ｂ（Ｙ／Ｘ）・・・
（１）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、例えば、超臨界二酸化
炭素を用いた抽出装置に用いられる圧力容器における接
触界面位置調節方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、例えば、超臨界二酸化炭素を用い
た抽出装置においては、抽出器として圧力容器が使用さ
れている。すなわち、圧力容器の下端部から上端部に向
かって超臨界二酸化炭素を流通させると同時に、圧力容
器の上端部から液体原料を供給する。そして、圧力容器
の内部で超臨界二酸化炭素と液体原料（以下、単に流体
ともいう）とを互いに接触させて、超臨界二酸化炭素中
に原料流体中の目的成分を抽出させる。この後、目的成
分を含有する超臨界二酸化炭素は、圧力容器の上端部か
ら後段に設けられた分離器へ導入される。一方、抽出処
理された液体原料の残渣は、圧力容器の下端部から排出
される。このような抽出方法は、一般に向流接触抽出と
呼ばれている。このような向流接触抽出において、圧力
容器の内部での液体原料と超臨界二酸化炭素との接触界
面の高さを一定にすることが、液体原料の抽出条件を一
定にして抽出を安定的且つ効率良く行うために重要であ
る。この接触界面の高さを一定にするためには、接触界
面の高さを検出し、それに応じて液体原料の供給量また
は残渣の排出量またはその両方を調節する必要がある。

【０００３】従来、液体と液体または気体と液体との接
触界面の高さを一定に維持する手段としては、容器の最
上端部と最下端部の圧力差を測定したり、複数本の電気
プローブを容器の内部に設置して、例えば電気容量や電
導度の違いを測定したりすることにより接触界面の高さ
を検出し、検出信号に応じて容器への液体または気体の
供給量を調節して、接触界面の高さを一定に維持する方
法が用いられている。また、互いに対向する複数対の透
過窓を、容器の側面部に所定の間隔をおいて順次形成
し、一方の透過窓からレーザー光を入射し他方の透過窓
に配置した受光素子で透過光を受光し、この際に接触界
面を形成する気体および液体または液体および液体の間
でレーザー光の透過光量に違いがあることから、隣り合
う受光素子の間で透過光量に違いがある箇所を接触界面
の高さとして検出する方法も行われている。また、電磁
波を用いて接触界面の高さを検出する方法も知られてい
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
向流接触抽出方法において、圧力容器中の液体原料と超
臨界二酸化炭素の接触界面の高さを検出するために、上
記説明した従来の接触液面の高さを検出する方法を適用
した場合、次のような問題がある。まず、容器の最上端
部と最下端部の圧力差を測定する方法は、液体原料と超
臨界二酸化炭素との間の密度差を利用して接触界面の高
さを検出するが、高圧条件下では両者間の密度差がほと
んどないか、あるいは、その密度差が容器内部の全圧に
比べて非常に小さいために検出が困難であり適用できな
い。また、電気プローブを使用する方法では、通常の電
気プローブは耐圧性が低く、圧力容器の内部に配置する
のが困難であり、設置するためにはかなりの費用を必要
とする。

【０００５】一方、上述のレーザー光を使用する方法で
は、液体原料および超臨界二酸化炭素に対するレーザー
光の反射性または透過性が予めわかっており、かつ、常
に一定でなければならない。しかし、超臨界二酸化炭素
を使用した抽出では、抽出過程で各流体中に含まれる各
種成分の濃度が絶えず変化しているため、これに伴って
各流体のレーザー光の反射性および透過性が変化してい
る。このため、上述のようにレーザー光の透過光量の違
いに基づいて接触界面の高さを正確に検出することは不
可能である。この結果、従来の超臨界二酸化炭素を用い
た抽出では接触界面を正確に一定の高さに維持し、抽出
を効率良く行うことが困難である。

【０００６】本発明は、かかる点に鑑みてなされたもの
であり、例えば、超臨界流体を用いた抽出において使用
される圧力容器の内部での被処理流体と超臨界流体との
接触界面の高さを一定に維持することができる圧力容器
における接触界面位置調節方法および装置を提供するも
のである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明は、被処理流体を
圧力容器の内部に一時的に貯溜させながら連続的に流通
させる工程と、超臨界流体を前記被処理流体と接触させ
ながら前記圧力容器内を流通させる工程と、鉛直方向に
対して幅Ｘを有するレーザー光を前記被処理流体および
前記超臨界流体に入射させて前記被処理流体および前記
超臨界流体を透過した前記レーザー光の減衰率Ａおよび
Ｂを夫々測定する工程と、鉛直方向に対して幅Ｘを有す
るレーザー光を前記圧力容器の任意の位置で前記被処理
流体または前記超臨界流体に入射させた際の前記レーザ
ー光の減衰率Ｃ₁を測定する工程と、前記被処理流体お
よび前記超臨界流体の接触界面が前記任意の位置におけ
る前記レーザー光の上端部から鉛直方向に距離Ｙを隔て
た基準位置に存在すると仮定した場合における減衰率Ｃ
₁ の基準値Ｃ₂ を式（１）に従って算出する工程と、 基準値Ｃ₂ ＝Ａ（１−Ｙ／Ｘ）＋Ｂ（Ｙ／Ｘ） ・・・ （１） 前記減衰率Ｃ₁ が前記基準値Ｃ₂ よりも小さい場合には
前記被処理流体の供給量を過剰にし、前記減衰率Ｃ₁ が
前記基準値Ｃ₂ よりも大きい場合には前記被処理流体の
排出量を過剰にして前記接触界面を前記基準位置に維持
する工程、を具備することを特徴とする圧力容器におけ
る接触界面位置調節方法を提供する。

【０００８】また、本発明は、圧力容器の下端部に接続
された超臨界流体を前記圧力容器に供給する超臨界流体
供給管と、前記圧力容器の上端部に接続された前記超臨
界流体を排出させる超臨界流体排出管と、前記上端部に
接続された被処理流体を連続的に供給する被処理流体供
給源と、前記下端部に接続された前記被処理流体を連続
的に排出する被処理体排出部と、前記圧力容器の側面部
であって前記上端部側に設けられた互いに対向する一対
の第一透過窓と、前記圧力容器の側面部であって前記下
端部側に設けられた互いに対向する一対の第二透過窓
と、前記圧力容器の側面部であって前記第一透過窓およ
び前記第二透過窓の間の任意の位置に設けられた互いに
対向する一対の第三透過窓と、前記第一透過窓、前記第
二透過窓および前記第三透過窓の一方に夫々設けられ
た、前記各透過窓から前記圧力容器の内部に鉛直方向に
対して幅Ｘを有するレーザー光を入射させるレーザー光
発生部と、前記第一透過窓、前記第二透過窓および前記
第三透過窓の他方に夫々設けられた、前記各透過窓を介
して前記圧力容器の内部に存在する前記超臨界流体また
は前記被処理流体を透過した前記レーザー光を受光する
レーザー光受光部と、前記レーザー光受光部からの出力
信号に基づいて、前記第一透過窓、前記第二透過窓およ
び前記第三透過窓における前記被処理流体または前記超
臨界流体を透過した前記レーザー光の減衰率Ａ，Ｂ，Ｃ
₁ を夫々算出すると共に、前記被処理流体および前記超
臨界流体の接触界面が前記第三透過窓における前記レー
ザー光の上端部から鉛直方向に距離Ｙを隔てた基準位置
に存在すると仮定した場合における減衰率Ｃ₁ の基準値
Ｃ₂ を上記式（１）に従って算出する演算部と、前記減
衰率Ｃ₁ が前記基準値Ｃ₂ よりも小さい場合には前記被
処理流体の供給量が過剰になり、前記減衰率Ｃ₁ が前記
基準値Ｃ₂ よりも大きい場合には前記被処理流体の排出
量が過剰になるように前記被処理流体供給源および前記
被処理流体排出部を制御する制御部とを具備することを
特徴とする圧力容器における接触界面位置制御装置を提
供する。

【０００９】

【作用】本発明の圧力容器における接触界面位置制御方
法および装置によれば、レ−ザー光が被処理流体および
超臨界流体を透過した際の減衰率Ａ，Ｂに基づいて、接
触界面が基準位置にあると仮定した場合におけるレーザ
ー光の減衰率を基準値Ｃ₂ を求め、実際に測定した減衰
率Ｃ₁ と比較して、減衰率Ｃ₁ が基準値Ｃ₂ よりも小さ
い場合、すなわち、接触界面が基準位置よりも低く、レ
−ザー光の減衰率が小さい超臨界流体中を通過するレー
ザー光の割合が多いかまたは全てのレーザー光が超臨界
流体中を通過する場合には、被処理流体の供給量を過剰
にする。一方、減衰率Ｃ₁ が基準値Ｃ₂ よりも大きい場
合、すなわち、接触界面が基準位置よりも高く、レーザ
ー光の減衰率が大きい被処理流体中を通過するレーザー
光の割合が多いかまたは全てのレーザー光が被処理流体
中を通過している場合には、被処理流体の排出量を過剰
にする。これにより、接触界面の位置を基準位置に正確
に維持することができる。

【００１０】また、圧力容器内部に存在する超臨界流体
および被処理流体を透過したレーザー光の減衰率Ａ，Ｂ
を基準として接触界面の位置を制御しているので、抽出
過程において流体の圧力および温度や各流体中に含まれ
る各種成分の濃度の変化に伴って、各流体のレーザー光
の反射性および透過性が変化した場合であっても影響を
受け難い。

【００１１】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して詳細に説明する。

【００１２】本実施例では、超臨界抽出で抽出器として
使用する圧力容器において被処理流体および超臨界二酸
化炭素の接触界面位置を制御する場合について説明す
る。

【００１３】図１は、本発明の圧力容器における接触界
面位置制御装置の一例を示す説明図である。

【００１４】図中１１は、例えば、内径２５mm、高さ５
００mmの円筒形の圧力容器である。圧力容器１１は、例
えば、０〜３００ kg/cm² の内部圧力条件で使用される
ものである。

【００１５】圧力容器１１の下端部には、超臨界流体と
して超臨界二酸化炭素を圧力容器１１に供給する超臨界
流体供給管１２が接続されている。超臨界流体供給管１
２の他端部は、超臨界流体供給源（図示せず）が接続さ
れている。また、圧力容器１１の上端部には、超臨界二
酸化炭素を排出させる超臨界流体排出管１３が接続され
ている。超臨界流体排出管１３の他端部は、超臨界流体
中の抽出成分を分離する分離器（図示せず）に接続され
ている。

【００１６】一方、圧力容器１１の上端部には、被処理
流体供給管１４を介して被処理流体供給源１５が接続さ
れている。被処理流体供給管１４には、第一流量調節弁
１６が設けられている。また、圧力容器１１の下端部に
は、被処理流体排出管１７が接続されている。被処理流
体排出管１７の他端部には、被処理流体回収部１８が設
けられている。被処理流体排出管１７には、第二流量調
節弁１９が設けられている。

【００１７】圧力容器１１の側面部であって上端部側に
は、互いに対向する一対の第一透過窓２０ａ，２０ｂが
設けられている。また、圧力容器１１の側面部であって
下端部側には、互いに対向する一対の第二透過窓２１
ａ，２１ｂが設けられている。さらに、圧力容器１１の
側面部であって第一透過窓２０ａ，２０ｂおよび第二透
過窓２１ａ，２１ｂの間の任意の位置には、互いに対向
する一対の第三透過窓２２ａ，２２ｂが設けられてい
る。第三透過窓２２ａ、２２ｂの高さは、超臨界流体お
よび被処理流体の接触界面を調節しようとする高さｈの
位置が、第三透過窓２２ａ、２２ｂの開口部に含まれる
ように設定する。

【００１８】これらの透過窓２０〜２２は、例えば、圧
力容器１１の内部圧力が１５０ｋｇ／ｃｍ² を越える場
合にはサファイヤ窓が好ましく、内部圧力が１５０ｋｇ
／ｃｍ² 以下の場合には、ガラス窓も使用することがで
きる。透過窓２０〜２２の大きさは、例えば、１０mmで
ある。

【００１９】一方の第一透過窓２０ａ，第二透過窓２１
ａおよび第三透過窓２２ａには、各透過窓から圧力容器
１１の内部に幅Ｘを有するレーザー光を入射させるレー
ザー光発生部２３，２４，２５が夫々設けられている。
各レ−ザー光発生部２３，２４，２５には、夫々、電源
部２６が接続されている。レーザー光発生部２３，２
４，２５は、例えば、幅１ｃｍの波長７８０mm、最大３
mWのレーザー光を発生する半導体レーザー投光器であ
る。

【００２０】他方の第一透過窓２０ｂ，第二透過窓２１
ｂ，第三透過窓２２ｂには、各透過窓を介して圧力容器
１１の内部に存在する超臨界流体２７または被処理流体
２８を透過したレーザー光を受光するレーザー光受光部
２９，３０、３１が夫々設けられている。レーザー光受
光部２９，３０、３１は、例えば、受光素子を有する受
光器である。

【００２１】レーザー光受光部２９〜３１は、出力信号
を伝達し得るように、計測制御装置３２の演算部３３に
電気的に接続されている。演算部３３には、演算結果を
伝達し得るように制御部３４が電気的に接続されてい
る。さらに、制御部３４は、第一および第二流量調節弁
１６，１９に、制御信号を伝達し得るように電気的に接
続されている。第一および第二流量調節弁１６，１９は
制御信号に応じて開閉し、流量を調節し得る。

【００２２】上述のような構成からなる圧力容器におけ
る接触界面位置調節装置１０により、次のようにして、
圧力容器１１中の超臨界流体２７および被処理流体２８
の接触界面３５の位置を制御する。

【００２３】まず、超臨界流体２７を、超臨界流体供給
源から超臨界流体供給管１２を介して圧力容器１１に供
給し、超臨界流体排出管１３から排出させることによ
り、超臨界流体２７を、所定の流量（例えば、５〜１０
ml／min ）で圧力容器１１の内部を流通させる。

【００２４】一方、被処理流体を、被処理流体供給源１
５から、被処理流体供給管１４を介して、圧力容器１１
の内部に供給すると共に、被処理流体排出管１７を通じ
て被処理流体回収部１８に排出させる。この際、制御部
３４は、第一および第二流量調節弁１６，１９に制御信
号を出力して、圧力容器１１の内部に所定量の被処理流
体２８が、おおよそ、接触界面３５が第三透過窓２２
ａ，２２ｂが設けられた高さに一時的に貯溜されるよう
に制御する。

【００２５】このように、超臨界流体２７および被処理
流体２８の向流接触抽出が行われている圧力容器１１に
対して、レーザー光発生部２３〜２５から、鉛直方向に
対して幅Ｘを有するレーザー光を、第一透過窓２０ａ、
第二透過窓２１ａおよび第三透過窓２１を介して入射さ
せる。入射された各レーザー光は、第一透過窓２０ａで
は、超臨界流体２７のみを透過し、第二透過窓２１ａで
は被処理流体２８のみを透過して、対応する第一透過窓
２０ｂ，第二透過窓２１ｂを経て、レーザー光受光部２
９，３０で受光される。これに対して、第三透過窓２２
ａに入射されたレーザー光は、接触界面３５の高さに応
じて、超臨界流体２７および／または被処理流体２８を
透過して、第三透過窓２２ｂを経て、レーザー光受光部
３１で受光される。各レーザー光発生部２３〜２５から
入射されるレーザー光は、すべて同じ強度であり、その
値は、演算部３３に予め入力されている。

【００２６】各レーザー光受光部２９，３０，３１で夫
々受光されたレーザー光の強度は、各受光部２９〜３１
からの出力信号として、演算部３３に伝達される。演算
部３３では、入射前のレーザー光の強度および受光され
たレーザー光の強度に基づいて、超臨界流体２７または
被処理流体２８を透過したレーザー光の減衰率を夫々算
出する。すなわち、第一透過窓２０ａ，２０ｂでのレー
ザー光の減衰率Ａ，第二透過窓２１ａ，２１ｂでのレー
ザー光の減衰率Ｂ，第三透過窓２２ａ，２２ｂでのレー
ザー光の減衰率Ｃ₁ を夫々算出する。

【００２７】一方、演算部３３は、図２に示す如く、接
触界面３５が第三透過窓２２ａ，２２ｂにおけるレーザ
ー光４０の上端部から鉛直方向に距離Ｙを隔てた基準位
置Ｓに存在すると仮定した場合における減衰率Ｃ₁ の基
準値Ｃ₂ を式（１）に従って算出する。基準位置Ｓは、
接触界面３５の位置を調節しようとする高さｈに対応す
る位置である。

【００２８】 基準値Ｃ₂ ＝Ａ（１−Ｙ／Ｘ）＋Ｂ（Ｙ／Ｘ） ・・・ （１） この仮定では、鉛直方向に対して幅Ｘを有するレーザー
光４０が、所定の割合で超臨界流体２７および被処理流
体２８の両方を透過する。このため、幅Ｘのうち幅Ｙの
レーザー光４０は、超臨界流体２７中を透過し、残りの
レーザー光４０は、被処理流体２８中を透過する。従っ
て、第三透過窓２２ａ、２２ｂにおけるレーザー光４０
の減衰率Ｃ₁ は、超臨界流体２７中を透過する第一透過
窓２０ａ，２０ｂにおけるレーザー光４０の減衰率Ａ
と、超臨界流体２８中を透過する第二透過窓２１ａ，２
１ｂにおけるレーザー光４０の減衰率Ｂを、透過するレ
ーザー光４０の幅の割合（Ｙ／Ｘまたは１−（Ｙ／
Ｘ））をかけたものの合計である。

【００２９】このようにして求められた減衰率Ａ，Ｂ，
Ｃ₁ ，Ｃ₂ は、制御部３４に伝達される。次いで、制御
部３４では、算出された減衰率Ｃ₁ およびＣ₂ を比較
し、次のようにして、被処理流体２８の供給・排出量を
制御する。

【００３０】（１）Ｃ₁ ＜Ｃ₂ 接触界面３５の位置が基準位置Ｓよりも低く、減衰率Ｃ
₁ が小さい超臨界流体２７中を透過するレーザー光４０
の割合が多くなっているか、減衰率Ｃ₁ が減衰率Ａと等
しく、全て超臨界流体２７中を透過している。この場
合、制御部３４は、被処理流体２８の供給量が過剰にな
るように、第一流量調節弁１６を開放し、一方で第二流
量調節弁１９を閉じさせる。

【００３１】（２）Ｃ₁ ＞Ｃ₂ 接触界面３５の位置が基準位置Ｓよりも高く、減衰率Ｃ
₁ が大きい被処理流体２８中を透過するレーザー光の割
合が多くなっているか、減衰率Ｃ₁ が減衰率Ｂと等し
く、全て被処理流体２８中を透過している。この場合、
制御部３４は、被処理流体２８の排出量が過剰になるよ
うに、第一流量調節弁１６を開放し、一方で第二流量調
節弁１９を閉じるような制御信号を出力する。

【００３２】（３）Ｃ₁ ＝Ｃ₂ 接触界面３５の位置が基準位置Ｓと一致している。この
場合、制御部３４は、被処理流体２８の供給・排出量を
現状で維持させる。

【００３３】以上のような操作を繰り返すことにより、
接触界面３５の位置を微調整し、基準位置Ｓ、すなわ
ち、所望の高さｈに正確に維持することができる。

【００３４】また、圧力容器１１の内部に存在する超臨
界流体２７および被処理流体２８を透過したレーザー光
の減衰率Ａ，Ｂを基準として、接触界面３５の位置を制
御している。このため、抽出過程において、超臨界流体
２７および被処理流体２８の圧力および温度や、各流体
中に含まれる各種成分の濃度の変化に伴って、超臨界流
体２７および被処理流体２８のレーザー光の反射性およ
び透過性が変化した場合であっても、同様な状態下にあ
る超臨界流体２７および被処理流体２８におけるレーザ
ー光の減衰率Ａ，Ｂも同様に変化しているので、制御に
対する影響を著しく低減することができる。この結果、
接触界面３５の位置を正確かつ一定に維持することが可
能である。

【００３５】

【発明の効果】以上説明した如くに、本発明の圧力容器
における接触界面位置調節方法および装置によれば、超
臨界流体および被処理流体に含まれる各種成分の濃度変
化や圧力容器内部の圧力状態の変化の影響を受けるのを
防止して、圧力容器の内部での被処理流体および超臨界
流体との接触界面の高さを一定に維持することができ
る。この結果、例えば、超臨界流体を用いた向流接触抽
出を極めて効率良く行うことができる等顕著な効果を有
するものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の圧力容器における接触界面位置調節装
置の一例を示す説明図。

【図２】同実施例の圧力容器における接触界面位置調節
装置の要部を示す断面図。

【符号の説明】

１０…接触界面位置調節装置、１１…圧力容器、１２…
超臨界流体供給管、１３…超臨界流体供給管、１４…被
処理流体供給管、１５…被処理流体供給部、１６…第一
流量調節弁、１７…被処理流体排出管、１８…被処理流
体回収部、１９…第二流量調節弁、２０ａ，２０ｂ…第
一透過窓、２１ａ，２１ｂ…第二透過窓、２２ａ，２２
ｂ…第三透過窓、２３，２４，２５…レーザー光発生
部、２７…超臨界流体、２８…被処理流体、２９，３
０，３１…レーザー光受光部、３２…測定・制御装置、
３３…演算部、３４…制御部、３５…接触界面。

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理流体を圧力容器の内部に一時的に
   貯溜させながら連続的に流通させる工程と、 超臨界流体を前記被処理流体と接触させながら前記圧力
   容器内を流通させる工程と、 鉛直方向に対して幅Ｘを有するレーザー光を前記被処理
   流体および前記超臨界流体に入射させて前記被処理流体
   および前記超臨界流体を透過した前記レーザー光の減衰
   率ＡおよびＢを夫々測定する工程と、 鉛直方向に対して幅Ｘを有するレーザー光を前記圧力容
   器の任意の位置で前記被処理流体または前記超臨界流体
   に入射させた際の前記レーザー光の減衰率Ｃ₁を測定す
   る工程と、 前記被処理流体および前記超臨界流体の接触界面が前記
   任意の位置における前記レーザー光の上端部から鉛直方
   向に距離Ｙを隔てた基準位置に存在すると仮定した場合
   における減衰率Ｃ₁ の基準値Ｃ₂ を式（１）に従って算
   出する工程と、 基準値Ｃ₂ ＝Ａ（１−Ｙ／Ｘ）＋Ｂ（Ｙ／Ｘ） ・・・ （１） 前記減衰率Ｃ₁ が前記基準値Ｃ₂ よりも小さい場合には
   前記被処理流体の供給量を過剰にし、前記減衰率Ｃ₁ が
   前記基準値Ｃ₂ よりも大きい場合には前記被処理流体の
   排出量を過剰にして前記接触界面を前記基準位置に維持
   する工程、 を具備することを特徴とする圧力容器における接触界面
   位置調節方法。
2. 【請求項２】 圧力容器の下端部に接続された超臨界流
   体を前記圧力容器に供給する超臨界流体供給管と、 前記圧力容器の上端部に接続された前記超臨界流体を排
   出させる超臨界流体排出管と、 前記上端部に接続された被処理流体を連続的に供給する
   被処理流体供給源と、 前記下端部に接続された前記被処理流体を連続的に排出
   する被処理体排出部と、 前記圧力容器の側面部であって前記上端部側に設けられ
   た互いに対向する一対の第一透過窓と、 前記圧力容器の側面部であって前記下端部側に設けられ
   た互いに対向する一対の第二透過窓と、 前記圧力容器の側面部であって前記第一透過窓および前
   記第二透過窓の間の任意の位置に設けられた互いに対向
   する一対の第三透過窓と、 前記第一透過窓、前記第二透過窓および前記第三透過窓
   の一方に夫々設けられた、前記各透過窓から前記圧力容
   器の内部に鉛直方向に対して幅Ｘを有するレーザー光を
   入射させるレーザー光発生部と、 前記第一透過窓、前記第二透過窓および前記第三透過窓
   の他方に夫々設けられた、前記各透過窓を介して前記圧
   力容器の内部に存在する前記超臨界流体または前記被処
   理流体を透過した前記レーザー光を受光するレーザー光
   受光部と、 前記レーザー光受光部からの出力信号に基づいて、前記
   第一透過窓、前記第二透過窓および前記第三透過窓にお
   ける前記被処理流体または前記超臨界流体を透過した前
   記レーザー光の減衰率Ａ，Ｂ，Ｃ₁ を夫々算出すると共
   に、前記被処理流体および前記超臨界流体の接触界面が
   前記第三透過窓における前記レーザー光の上端部から鉛
   直方向に距離Ｙを隔てた基準位置に存在すると仮定した
   場合における減衰率Ｃ₁ の基準値Ｃ₂ を式（１）に従っ
   て算出する演算部と、 基準値Ｃ₂ ＝Ａ（１−Ｙ／Ｘ）＋Ｂ（Ｙ／Ｘ） ・・・ （１） 前記減衰率Ｃ₁ が前記基準値Ｃ₂ よりも小さい場合には
   前記被処理流体の供給量が過剰になり、前記減衰率Ｃ₁
   が前記基準値Ｃ₂ よりも大きい場合には前記被処理流体
   の排出量が過剰になるように前記被処理流体供給源およ
   び前記被処理流体排出部を制御する制御部とを具備する
   ことを特徴とする圧力容器における接触界面位置制御装
   置。