JP2006352106A5

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Publication number: JP2006352106A5
Application number: JP2006140724A
Authority: JP
Filing date: 2006-05-19
Publication date: 2009-06-18
Anticipated expiration: 2026-05-19

Claims

第１の電極上に順に積層されたホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極とを有し、
前記発光層は下記一般式（１）で表される構造を有する有機金属錯体を有し、
前記電子注入層は、有機化合物と前記有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有することを特徴とする発光素子。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^５は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。またＡｒは電子吸引性の置換基を有するアリール基または電子吸引性の置換基を有する複素環基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。）
第１の電極上に順に積層されたホール輸送層と、発光層と、電子輸送層と、電子注入層と、第２の電極とを有し、
前記発光層は下記一般式（２）で表される有機金属錯体を有し、
前記電子注入層は、有機化合物と前記有機化合物に対して電子供与性を示す物質とを有することを特徴とする発光素子。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^５は水素、ハロゲン元素、アシル基、アルキル基、アルコキシル基、アリール基、シアノ基、複素環基のいずれかを表す。またＡｒは電子吸引性の置換基を有するアリール基または電子吸引性の置換基を有する複素環基を表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表し、前記Ｍが第９族元素の場合はｎ＝２、第１０族元素の場合はｎ＝１となる。Ｌはアニオン性の配位子を表す。）
請求項２において、前記アニオン性の配位子Ｌが、下記式（３）〜（９）のいずれかで表される配位子であることを特徴とする発光素子。
請求項２において、前記アニオン性の配位子Ｌが、ベータジケトン構造を有するアニオン性の配位子、カルボキシル基を有するアニオン性の二座配位子またはフェノ−ル性水酸基を有するアニオン性の二座配位子であることを特徴とする発光素子。
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、外部量子効率５％以上かつＣＩＥ色度座標Ｘ≧０．７、Ｙ≦０．３であることを特徴とする発光素子。
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、電流効率が２．０ｃｄ／Ａ以上かつＣＩＥ色度座標Ｘ≧０．７、Ｙ≦０．３であることを特徴とする発光素子。
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、前記電子供与性を示す物質は仕事関数が小さい金属であることを特徴とする発光素子。
請求項７において、前記金属はＬｉ、Ｍｇ、Ｃｓのいずれか一であることを特徴とする発光素子。
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、前記電子輸送層は、前記有機金属錯体の三重項励起エネルギーよりも高い三重項励起エネルギーを有することを特徴とする発光素子。
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、前記ホール輸送層は、前記有機金属錯体の三重項励起エネルギーよりも高い三重項励起エネルギーを有することを特徴とする発光素子。
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、前記発光層は、前記有機金属錯体の三重項励起エネルギーよりも高い三重項励起エネルギーを有するホスト材料を有することを特徴とする発光素子。
請求項１乃至請求項１１のいずれか一項に記載の発光素子を有することを特徴とする発光装置。