JP2006351797A - 面発光半導体レーザ装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体レーザ装置1は、メサ12と、メサ12の周囲に形成されたトレンチ溝14によってメサ12から隔離された外周部16を含むVCSELと、トレンチ溝14内に充填された透光性の樹脂18とを備えている。トレンチ溝14内の樹脂の熱応力を緩和するため、メサ12と対向する外周部16の側壁に基板と垂直方向に延在する複数の溝20が形成されている。
【選択図】 図1
Description
10:基板
12:メサ
14:トレンチ溝
16:外周部
18:樹脂
20:溝
101:バッファ層
102:下部DBR層
103:活性領域
104:上部DBR層
105:AlAs層(電流狭窄層)
106:コンタクト層
107:n側電極層
108:出射開口
109:p側電極層
110:酸化領域
111:酸化アパーチャ
Claims (27)
- メサと、メサの周囲に形成された溝によってメサから隔離された外周部と、溝内に充填される樹脂とを含む面発光型半導体レーザ装置であって、
樹脂の応力を緩和するための応力緩和領域を備えた、面発光型半導体レーザ装置。 - 応力緩和領域は、メサと対向する外周部の側壁に形成された垂直方向に延在する溝である、請求項1に記載の半導体レーザ装置。
- 前記外周部の側壁に形成された垂直方向に延在する溝を複数備え、該複数の溝は、外周部の側壁に等しい間隔で配置されている、請求項2に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 応力緩和領域は、外周部のメサと対向する側壁に形成された水平方向に延びる空隙である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 外周部は、メサと同一積層構造の半導体多層膜を含み、応力緩和領域は、半導体多層膜の一部に水平方向に形成された複数の空隙である、請求項4に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 半導体多層膜は、Alの組成が相対的に高い化合物半導体膜を含み、当該Alの組成が高い化合物半導体膜に空隙が形成されている、請求項4に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 応力緩和領域は、メサの周囲に形成された溝の底部に形成された凹部または凸部を含む、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 応力緩和領域は、メサの周囲に形成された溝内に充填された樹脂中に形成される気泡である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 樹脂は、メサの周囲に形成された溝の少なくとも一部を充填する第1の樹脂と、第1の樹脂上に第1の樹脂よりも熱膨張率が小さい第2の樹脂とを含み、該第2の樹脂の領域が応力緩和流域である、請求項1に記載の面発光型半導体レーザ装置。
- メサは、活性層を含む、請求項1ないし9いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 樹脂は、第1の樹脂と、第1の樹脂よりも熱膨張率が小さい第2の樹脂とを含み、第2の樹脂は、メサの周囲に形成された溝内のメサの活性層の周囲を少なくとも充填する、請求項1ないし10いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- メサは、上部半導体ミラー層、下部半導体ミラー層、上部半導体ミラー層と下部半導体ミラー層との間に活性層と電流狭窄層を含み、電流狭窄層は、Alを含む半導体層を選択的に酸化した領域を含む、請求項1ないし11いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置。
- 請求項1ないし12いずれか1つに記載の面発光型半導体レーザ装置をパッケージ化したモジュール。
- 請求項13に記載されたモジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を送信する送信手段とを備えた、光送信装置。
- 請求項13に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送装置。
- 請求項13に記載されたモジュールと、モジュールから発せられたレーザ光を送信する送信手段とを備えた、光送信システム。
- 請求項13に記載されたモジュールと、モジュールから発せられた光を空間伝送する伝送手段とを備えた、光空間伝送システム。
- メサと、メサの周囲に形成された溝によってメサから隔離された外周部と、溝内に充填される樹脂とを含む面発光型半導体レーザ装置の製造方法であって、
基板上に形成された複数の半導体多層膜をエッチングし、基板上に溝を形成し、メサと対向する外周部の側壁に基板と垂直方向に延在する複数の溝を形成するステップと、
溝内に樹脂を充填するステップと、
を有する製造方法。 - メサと、メサの周囲に形成された溝によってメサから隔離された外周部と、溝内に充填される樹脂とを含む面発光型半導体レーザ装置の製造方法であって、
基板上に形成された複数の半導体多層膜をエッチングし、基板上に溝を形成するステップと、
メサと対向する外周部の側壁に水平方向に延在する空隙を形成するステップと、
溝内に樹脂を充填するステップと、
を有する、製造方法。 - 空隙を形成するステップは、溝内にエッチャントを充填させ外周部の側壁をウエットエッチングするステップを含む、請求項19に記載の製造方法。
- 外周部は、Alの組成の相対的に高い化合物半導体膜を含み、当該Alの組成の高い化合物半導体膜をバッファードフッ酸(BHF)によりエッチングして空隙を形成する、請求項19または20に記載の製造方法。
- メサと、メサの周囲に形成された溝によってメサから隔離された外周部と、溝内に充填される樹脂とを含む面発光型半導体レーザ装置の製造方法であって、
基板上に形成された複数の半導体多層膜をエッチングし、基板上にメサを形成するとともに溝の底部に複数の凹部または凸部を形成するステップと、
溝内に樹脂を充填するステップと、
を有する、製造方法。 - メサと、メサの周囲に形成された溝によってメサから隔離された外周部と、溝内に充填される樹脂とを含む面発光型半導体レーザ装置の製造方法であって、
基板上に形成された複数の半導体多層膜をエッチングし、基板上にメサを形成するステップと、
溝内に、真空成形により第1の樹脂を充填するステップと、
を有する製造方法。 - メサと、メサの周囲に形成された溝によってメサから隔離された外周部と、溝内に充填される樹脂とを含む面発光型半導体レーザ装置の製造方法であって、
基板上に形成された複数の半導体多層膜をエッチングし、メサを形成するステップと、
少なくとも溝内に、第1の樹脂を充填するステップと、
第1の樹脂の上に第1の樹脂よりも熱膨張率が小さい第2の樹脂を充填するステップと、
を有する製造方法。 - 樹脂を充填するステップはさらに、第1の樹脂よりも熱膨張率が小さい第2の樹脂を加圧成形により充填するステップを含む、請求項24に記載の製造方法。
- メサと、メサの周囲に形成された溝によってメサから隔離された外周部と、溝内に充填される樹脂とを含む面発光型半導体レーザ装置の製造方法であって、
基板上に形成された複数の半導体多層膜をエッチングし、活性層を含むメサを形成するステップと、
溝内に、第1の樹脂を充填するステップと、
第1の樹脂よりも熱膨張率が小さい第2の樹脂をメサの活性層の周囲に充填するステップと、
を有する製造方法。 - 製造方法はさらに、メサに含まれる電流狭窄層をメサ側面から選択的に酸化するステップを含む、請求項16ないし26いずれか1つに記載の製造方法。
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JP2018508122A (ja) * | 2015-04-10 | 2018-03-22 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 光センシング応用のための安全なレーザデバイス |
DE102019125442B4 (de) * | 2018-09-27 | 2021-07-01 | Broadcom International Pte. Ltd. | Optische Vorrichtungen mit Bandbreite steigernden Strukturen |
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JP2003086896A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-03-20 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 半導体素子及び面発光型半導体レーザ素子 |
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2005
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