JP2006351696A5 - - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 15
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 4
- 210000002381 Plasma Anatomy 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 1
Description
上記の目的を達成するため、請求項１の発明は、真空の処理室と、当該処理室に導入される反応ガスをプラズマにより励起させて被処理物の処理を行う半導体処理装置の部材において、前記処理室内には、前記被処理物を載置するステージが設けられ、前記ステージは、載置面とそれに隣接して設けられた非載置面とを備え、前記非載置面の少なくとも一部は、ニッケルを含む材料で覆われていることを特徴とする。
半導体装置の裏面エッチングを行うような場合に、半導体装置のデバイス面側に保護テープ等を貼付した場合や、ステージに対する半導体装置の自重のみによるシールでは、半導体装置のデバイス面側に生じる隙間からラジカルが浸入し、結果としてデバイス面側がエッチングされてしまう。しかしながら、請求項１記載の発明では、半導体装置周囲のステージをニッケルを含む材料で覆うことにより、このような過剰なラジカルが失活され、デバイス面側に隙間が生じていても、デバイス面側がエッチングされることを防ぐことができる。また、成膜においても過剰なラジカルが失活されて不要な反応ガス分解生成物の堆積を防ぐことができる。
請求項２記載の発明は、半導体処理装置が、請求項１記載の半導体処理装置用部材を備えることを特徴とする。
以上のような請求項２記載の発明は、半導体処理装置の処理室を構成する各種部材をニッケルを含む材料で覆った半導体処理装置用部材を備えることによって、不要な堆積やエッチングに寄与する過剰なラジカルを失活させることができる。これにより、半導体処理装置及びウェハへの反応ガス分解生成物の不要な堆積や不要なエッチングを防止することが可能となる。
以上のような請求項２記載の発明は、半導体処理装置の処理室を構成する各種部材をニッケルを含む材料で覆った半導体処理装置用部材を備えることによって、不要な堆積やエッチングに寄与する過剰なラジカルを失活させることができる。これにより、半導体処理装置及びウェハへの反応ガス分解生成物の不要な堆積や不要なエッチングを防止することが可能となる。
Claims (2)
- 真空の処理室と、当該処理室に導入される反応ガスをプラズマにより励起させて被処理物の処理を行う半導体処理装置の部材において、
前記処理室内には、前記被処理物を載置するステージが設けられ、
前記ステージは、載置面とそれに隣接して設けられた非載置面とを備え、
前記非載置面の少なくとも一部は、ニッケルを含む材料で覆われていることを特徴とする半導体処理装置用部材。 - 請求項１に記載の半導体処理装置用部材を備えることを特徴とする半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005173703A JP4773142B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | ステージ及びそれを備えた半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005173703A JP4773142B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | ステージ及びそれを備えた半導体処理装置 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006351696A JP2006351696A (ja) | 2006-12-28 |
| JP2006351696A5 true JP2006351696A5 (ja) | 2008-07-31 |
| JP4773142B2 JP4773142B2 (ja) | 2011-09-14 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005173703A Active JP4773142B2 (ja) | 2005-06-14 | 2005-06-14 | ステージ及びそれを備えた半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4773142B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2010004620A1 (ja) * | 2008-07-08 | 2010-01-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 窒化膜除去装置及び窒化膜除去方法 |
| JP5378902B2 (ja) * | 2009-08-04 | 2013-12-25 | 株式会社アルバック | プラズマ処理装置のプラズマ処理方法及びプラズマ処理装置 |
| CN105051871B (zh) * | 2013-03-28 | 2018-06-12 | 芝浦机械电子株式会社 | 放置台及等离子体处理装置 |
| CN117153656A (zh) * | 2016-01-13 | 2023-12-01 | 应用材料公司 | 用于蚀刻硬件的基于氢等离子体的清洗工艺 |
| US10043674B1 (en) * | 2017-08-04 | 2018-08-07 | Applied Materials, Inc. | Germanium etching systems and methods |
| US10297458B2 (en) * | 2017-08-07 | 2019-05-21 | Applied Materials, Inc. | Process window widening using coated parts in plasma etch processes |
| CN113000233B (zh) * | 2019-12-18 | 2022-09-02 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 等离子体反应器及其气体喷嘴 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07106301A (ja) * | 1993-09-29 | 1995-04-21 | Shibaura Eng Works Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP3576828B2 (ja) * | 1998-08-31 | 2004-10-13 | 株式会社東芝 | エッチング方法及び基板処理装置 |
| JP2000299305A (ja) * | 1999-04-16 | 2000-10-24 | Toshiba Corp | プラズマ処理装置 |
| JP2000306883A (ja) * | 1999-04-19 | 2000-11-02 | Hitachi Ltd | プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
| JP2002306957A (ja) * | 2001-04-11 | 2002-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JP4456412B2 (ja) * | 2004-05-27 | 2010-04-28 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
-
2005
- 2005-06-14 JP JP2005173703A patent/JP4773142B2/ja active Active
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