JP2006344963A - 半導体素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】(a)リセスゲート118の突出部120とディープトレンチキャパシタ素子102の上部104とが露出した状態で、リセスゲートとディープトレンチキャパシタ素子とを有する基板100を準備する工程と、(b)ディープトレンチキャパシタ素子の上部とリセスゲートの突出部の側壁を取り囲むスペーサ124を形成する工程と、(c)スペーサの間隙126に埋込部130を形成する工程と、(d)パターンニングにより、平行なシャロートレンチを形成して活性領域を規定する工程と、(e)シャロートレンチ中に誘電材料の層を形成し、埋込部のいくつかを埋込ビット線コンタクトとする工程と、(f)リセスゲートと重なり合う部分を含むと共に、前記重なり合う部分が少なくとも1つのリセスゲートの幅よりも狭くなるように、ワード線をリセスゲートに交差させて形成する工程とを含む半導体素子の製造方法。
【選択図】図12
Description
さらに、本発明は、(g)埋込ビット線コンタクトのうちの1つの上に上部ビット線コンタクトを形成すると共に、前記上部ビット線コンタクトに接続するビット線を形成する工程を含んでいても良い。
本発明の第1実施形態に係る半導体素子の製造方法では、始めに、(a)リセスゲートとディープトレンチキャパシタ素子とをその内部に有する基板を準備する。ここで、この基板においては、リセスゲートの突出部とディープトレンチキャパシタ素子の上部とがその表面に露出している。そして、(b)ディープトレンチキャパシタ素子の上部と、リセスゲートの突出部の側壁を取り囲むようにスペーサを形成する。次いで、(c)基板上に設けられたスペーサに存在する間隙に、導電材料からなる埋込部を形成する。
リセストランジスタ112の形状は(profile)は、リセストランジスタ112を取り囲むように位置するディープトレンチキャパシタ素子102と、このディープトレンチキャパシタ素子の上部の側壁の周りに位置するスペーサとにより規定される。
言い換えると、ディープトレンチキャパシタ素子102の上部104は、基板100上に露出(突出)している。
基板100の上面には、パッド層106と誘電被覆層(dielectric cap layer)108とが設けられている。本実施の形態の場合、誘電被覆層108として、例えば窒化シリコン(SiN)が用いられている。
パッド層106と誘電被覆層108とは、基板100の表面上に突出しているディープトレンチキャパシタ素子102の上部104を取り囲むように設けられている。すなわち、パッド層106と誘電被覆層108とは、ディープトレンチキャパシタ素子102の上部104の側壁上(側壁の周り)に設けられている。
これにより、誘電被覆層108、パッド層106および基板100に対して自己整合およびエッチングプロセスを行うと、トレンチキャパシタ素子102間にリセストレンチ110が形成されることとなる。
続いて、基板100のリセストレンチ110の内側に、ゲート誘電体層116を形成する。ここで、このゲート誘電体層116は、酸化シリコンを含んで構成されることが好ましく、このゲート誘電体層116は、例えば熱処理によって形成することができる。
続いて、導電材料をリセストレンチ110に充填してリセスゲート電極118を形成する。ここで、このリセスゲート電極118を構成する導電材料としては、例えば、ポリシリコン、タングステン、そしてタングステンシリサイドなどを用いることができる。
また、外拡散領域(out diffusion region)122が、ゲート誘電体層116を形成する際の熱処理の際に、またはこの熱処理行程に続いて行われる別の工程における熱処理の際に、若しくは前記した両方の熱処理の際において形成される。
この平坦化処理は、化学機械研磨(CMP)プロセスを用いる方法、ブランケットエッチバックプロセス(blanket etching back process)を用いる方法、そしてリセスエッチングプロセス(recess etching process)を用いる方法などにより行われる。
ここで、リセスゲート電極118の突出部120の上面(上端面)の高さは、ディープトレンチキャパシタ素子102の上部104の上面(上端面)の高さと、ほぼ同じとなるようにされている。
これにより、本実施の形態の場合、形成されたスペーサ124の間に、間隙126が自己整合的に形成されることになる。
スペーサ124は、堆積と、CVD窒化シリコン膜に対するドライエッチバックによって形成することができる。これにより、スペーサ124がディープトレンチキャパシタ素子102の上部104と突出部120とを取り囲むように形成されることとなる。これにより、ディープトレンチキャパシタ素子102と、リセストランジスタ112と、環状の間隙126を取り囲むよう位置するスペーサ124とにより、基板100が被覆されることになる。
この後、イオン注入により、間隙126のリセスチャネル領域114を挟んで向かい合う領域に、ソース/ドレイン領域128が形成される。
ここで、不純物が添加されたポリシリコンや、金属を含む導電材料が、充填される導電材料として用いられることが好ましい。
続いて、この導電材料の層と、スペーサ124と、ディープトレンチキャパシタ素子102と、リセスゲート112の表面の平坦化処理を行うことで、スペーサ124により規定される間隙126内に埋込部130が形成されることになる。
図5および図6に示すように、埋込部130は、ディープトレンチキャパシタ素子102の上部104を取り囲むように設けられている。
ここで、平坦化処理は、化学機械研磨(CMP)プロセスを用いる方法、ブランケットエッチバックプロセス(blanket etching back process)を用いる方法、そしてリセスエッチングプロセス(recess etching process)を用いる方法などにより行われる。
このパターンニングプロセス(パターンニング処理)は、フォトリソグラフィープロセスとエッチングプロセスによって実行される。
このパターンニング処理により、活性領域(active region)136の規定と、トランジスタを分離するアイソレーションの形成が、一度に行われることになる。
言い換えると、スペーサ124の残りの部分と埋込部130の残りの部分とは、ディープトレンチキャパシタ素子102とリセスゲート112の側方において、複数の分離した領域として存在することになる。
これにより、パターン化された埋込部134a、134bが形成され、パターン化された埋込部134aは、埋込コンタクトまたは埋込ビット線コンタクトとして用いられることになる。
そして、誘電材料の平坦化処理により、上部104、スペーサ124、パターン化された埋込部134a、134b、そして突出部120が露出させられることになる。
ここで、導電材料の層136の厚さは、約800〜1500Åであることが好ましい。導電材料の層136は、基板100上の全面に亘って覆うように堆積(blanketly-deposited)されることが好ましい。
誘電材料の層138は、後続のプロセスにおいて形成される自己整合(self-aligned)された上部ビット線コンタクトホールのエッチストップ層として使用されることとなる。
さらに、本発明の実施形態では、純金属または純金属のシリサイドをゲートの導体として用いており、ポリシリコン層が存在しないので、ゲート導体の全体的な厚さを薄くすることができる。
ゲート導体の厚さを薄くできるということは、後続のSACビット線コンタクトホールエッチングプロセスがより容易に実行できるようになると共に、ビット線とワード線のカップリング(coupling)を減らすことができる。
ワード線140は、ディープトレンチキャパシタ素子102のいくつか、および/または、リセスゲート112のいくつかと交差するように形成される。
上部ビット線コンタクトホール148を選択的なセルフアラインRIE(selective self-aligned RIE)により形成して、埋込ビット線コンタクト134aを露出させ、ビット線トレンチをシンプルなBPSGエッチングによって形成する。次いで、金属のライナー(CVDまたはPVDTi/TiN)およびCVDタングステン(W)を堆積してから、CMPにより研磨して、デュアルダマシンビット線および上部ビット線コンタクトを形成する。
102 ディープトレンチキャパシタ素子
104 上部
106 パッド層
108 誘電被覆層
110 リセストレンチ
112 リセストランジスタ
114 チャネル領域
116 ゲート誘電体層
118 リセスゲート
120 突出部
122 外拡散領域
124 スペーサ
126 間隙
128 ソース/ドレイン領域
130 埋込部
132 平行なシャロートレンチ
134a、134b パターン化された埋込部
136 活性領域(導電材料の層)
138 誘電材料の層
140 ワード線
142 ゲート被覆誘電体層
144 スペーサ
146 第2の誘電材料の層
148 ビット線コンタクトホール
150 ビット線
W1、W2 幅
Claims (32)
- (a)リセスゲートとディープトレンチキャパシタ素子とをその内部に有すると共に、前記リセスゲートの突出部と前記ディープトレンチキャパシタ素子の上部とが露出する基板を準備する工程と、
(b)前記ディープトレンチキャパシタ素子の上部と、前記リセスゲートの突出部の側壁を取り囲むスペーサを形成する工程と、
(c)前記スペーサの間の間隙に、導電材料からなる埋込部を形成する工程と、
(d)前記基板、前記スペーサ、および前記埋込部のパターンニングにより、平行なシャロートレンチを形成し、これにより活性領域を規定する工程と、
(e)前記シャロートレンチ中に誘電材料の層を形成し、前記埋込部のいくつかを埋込ビット線コンタクトとする工程と、
(f)そのうちの少なくとも1本が前記リセスゲートと重なり合う部分を含むと共に、少なくとも1つの該重なり合う部分が少なくとも1つの前記リセスゲートの幅よりも狭くなるように、ワード線を前記リセスゲートに交差させて形成する工程と、
を含む半導体素子の製造方法。 - 前記スペーサが、窒化シリコン(SiN)を含んで構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記導電材料が、ポリシリコンを含んで構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記スペーサが、さらに、前記ディープトレンチキャパシタ素子の前記上部を取り囲む
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記誘電材料が、酸化物を含んで構成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記パターンニングが、フォトリソグラフィープロセスとエッチングプロセスとを含む処理により行われる
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記平行なシャロートレンチが、前記ディープトレンチキャパシタ素子と前記リセスゲートのパターン化された端縁に隣接して形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - (g)前記埋込ビット線コンタクトのうちの1つの上に上部ビット線コンタクトを形成すると共に、前記上部ビット線コンタクトに接続するビット線を形成する工程をさらに含む
ことを特徴とする請求項1に記載の半導体素子の製造方法。 - (a)リセスゲートとディープトレンチキャパシタ素子とをその内部に有すると共に、前記リセスゲートの突出部と前記ディープトレンチキャパシタ素子の上部とが露出する基板を準備する工程と、
(b)前記ディープトレンチキャパシタ素子の上部と、前記リセスゲートの突出部の側壁を取り囲むスペーサを形成する工程と、
(c)前記基板上に第1の導電材料の層を形成する工程と、
(d)前記第1の導電材料の層の平坦化処理により、前記スペーサの間の間隙に埋込部を形成する工程と、
(e)前記基板、前記スペーサ、前記埋込部、前記ディープトレンチキャパシタ素子、および前記リセスゲートのパターンニングにより、平行なシャロートレンチを形成し、これにより活性領域を規定する工程と、
(f)前記シャロートレンチ中に第1の誘電材料の層を形成し、前記埋込部のいくつかを埋込ビット線コンタクトとする工程と、
(g)そのうちの少なくとも1本が前記リセスゲートと重なり合う部分を含むと共に、少なくとも1つの該重なり合う部分の幅が少なくとも1つの前記リセスゲートの幅よりも狭くなるように、ワード線を前記リセスゲートに交差させて形成する工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。 - (h)前記基板上に第2の誘電材料の層を形成する工程と、
(i)前記第2の誘電材料の層をエッチングして、前記埋込ビット線コンタクトのうちの1つの上に、ビット線コンタクトホールを形成する工程と、
(j)前記第2の誘電材料の層の上に第2の導電材料の層を形成すると共に、前記ビット線コンタクトホールを充填して上部ビット線コンタクトを形成する工程と、
(k)前記第2の導電材料の層をパターンニングして前記上部ビット線コンタクトに接続するビット線を形成する工程と、
をさらに含む請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記スペーサが、窒化シリコン(SiN)を含んで構成される
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1の導電材料が、ポリシリコンを含んで構成される
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記平坦化処理は、機械化学研磨(CMP)、ブランケットエッチバック(blanket etching back)、またはリセスエッチング(recess etching)を含む処理により行われる
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記スペーサがさらに、前記ディープトレンチキャパシタ素子の前記上部を取り囲む
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1の誘電材料が、酸化物を含んで構成される
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記パターンニングが、フォトリソグラフィープロセスとエッチングプロセスとを含む処理により行われる
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記平行なシャロートレンチが、前記ディープトレンチキャパシタ素子と前記リセスゲートのパターン化された端縁に隣接して形成される
ことを特徴とする請求項9に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2の誘電材料が、酸化物を含んで構成される
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2の導電材料が、ポリシリコン、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)およびタングステン(W)を含む請求項10に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の導電材料の層のパターンニングが、フォトリソグラフィープロセスとエッチングプロセスとを含む処理により行われる
ことを特徴とする請求項10に記載の半導体素子の製造方法。 - (a)リセスゲートとディープトレンチキャパシタ素子とをその内部に有すると共に、前記リセスゲートの突出部と前記ディープトレンチキャパシタ素子の上部とが露出する基板を準備する工程と、
(b)前記ディープトレンチキャパシタ素子の上部と、前記リセスゲートの突出部の側壁を取り囲むスペーサを形成する工程と、
(c)前記基板上に第1の導電材料の層を形成する工程と、
(d)前記第1の導電材料の層、前記スペーサ、前記ディープトレンチキャパシタ素子および前記リセスゲートの平坦化処理により、前記スペーサの間の間隙に、前記ディープトレンチキャパシタ素子の前記上部を取り囲む埋込部を形成する工程と、
(e)前記基板、前記スペーサ、前記埋込部、前記ディープトレンチキャパシタ素子、および前記リセスゲートのパターンニングにより、平行なシャロートレンチを形成し、これにより活性領域を規定する工程と、
(f)前記シャロートレンチ中に第1の誘電材料の層を形成し、前記埋込部のいくつかを埋込ビット線コンタクトとする工程と、
(g)そのうちの少なくとも1本が前記リセスゲートと重なり合う部分を含むと共に、少なくとも1つの該重なり合う部分の幅が少なくとも1つの前記リセスゲートの幅よりも狭くなるように、ワード線を前記リセスゲートに交差させて形成する工程と、
を含む半導体素子の製造方法。 - (h)前記基板上に第2の誘電材料の層を形成する工程と、
(i)前記第2の誘電材料の層のパターンニングにより、ビット線コンタクトホールおよびこれに接続するビット線トレンチを形成する工程と、
(j)前記ビット線コンタクトホールおよび前記ビット線トレンチ中に第2の導電材料の層を形成する工程と、
をさらに含む請求項21に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記スペーサが、窒化シリコン(SiN)を含んで構成される
ことを特徴とする請求項21記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1の導電材料が、ポリシリコンを含んで構成される
ことを特徴とする請求項21に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記平坦化処理は、機械化学研磨(CMP)、ブランケットエッチバック(blanket etching back)、またはリセスエッチング(recess etching)を含む処理により行われる
ことを特徴とする請求項21に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記スペーサがさらに、前記ディープトレンチキャパシタ素子の前記上部を取り囲む
ことを特徴とする請求項21に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第1の誘電材料が、酸化物を含んで構成される
ことを特徴とする請求項21に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記パターンニングが、フォトリソグラフィープロセスとエッチングプロセスとを含む処理により行われる
ことを特徴とする請求項21に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記平行なシャロートレンチが、前記ディープトレンチキャパシタ素子と前記リセスゲートのパターン化された端縁に隣接して形成される請求項21記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の誘電材料が、酸化物を含んで構成される
ことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子の製造方法。 - 前記第2の導電材料が、ポリシリコン、チタン(Ti)、窒化チタン(TiN)およびタングステン(W)を含む請求項22に記載の半導体素子の製造方法。
- 前記第2の導電材料の層のパターンニングが、フォトリソグラフィープロセスとエッチングプロセスとを含む処理により行われる
ことを特徴とする請求項22に記載の半導体素子の製造方法。
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