JP2006337146A - 軟ｘ線多層膜ミラー及びその製造方法、軟ｘ線多層膜ミラーを備えた光学系 - Google Patents

Abstract

【課題】低屈折率層と高屈折率層との間に中間層３を形成した多層膜ミラーにおいて、より高い反射率を達成することが可能となる軟Ｘ線多層膜ミラー及びその製造方法、軟Ｘ線多層膜ミラーを備えた光学系を提供する。
【解決手段】Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が大きい材料からなる低屈折率層５と、屈折率の差が小さい材料からなる高屈折率層４とを、基板１側から交互に積層した多層膜層により構成された軟Ｘ線多層膜ミラーにおいて、前記低屈折率層と前記高屈折率層との間に、Ｌｉ化合物からなる中間層３を少なくとも１層設ける構成とする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、軟Ｘ線多層膜ミラー及びその製造方法、軟Ｘ線多層膜ミラーを備えた光学系に関するものである。

近年、半導体集積回路素子の微細化の進展に伴い、従来の紫外線に変わって軟Ｘ線（１１〜１４ｎｍ）を使用したリソグラフィーであるＥＵＶリソグラフィー（以下ＥＵＶＬとよぶ）技術が開発されている。しかしながら、このような軟Ｘ線領域では、光は全ての物質で強く吸収されると共に、屈折率が１に近いため、原理的には屈折によるレンズ作用を利用することができない。そのためミラーを利用して光学系を組むことになるが、通常の単層膜を形成した反射鏡の直入射反射率はほとんどゼロに近く機能しない。
このようなことから、比較的吸収の少ない材料を用いて構成された、直入射ミラーとして機能し得る多層膜ミラーによる光学系が用いられる。

多層膜ミラーは、使用するＸ線波長における屈折率と真空の屈折率（＝１）との差が大きい物質層（第１層：低屈折率層）と、差の小さい物質層（第２層：高屈折率層）とを交互に多数積層することによって得られる。すなわち、Ａ，Ｂ二種類の物質を交互に数十層以上積層させ、さらに、それらの界面である反射面を多数形成して各々の界面からの反射波の位相が一致するような光学的干渉理論に基づいた波長オーダーの厚さを持つ多層膜からなる反射鏡が開発された。ここで、高反射率を得るためにはＡ，Ｂ物質の組み合わせとして、吸収係数が出来るだけ小さく、屈折率の差が大きい２つの物質を選ぶ必要がある。
高反射率の得られる多層膜ミラーとしては、例えば、特許文献１のように、入射波の波長が軟Ｘ線領域である１１〜１４［ｎｍ］の範囲で高反射率が得られるＭｏ層（屈折率：０．９２）とＳｉ層（屈折率：０．９９）の交互多層膜による多層膜ミラーが提案されている。

このような多層膜ミラーは、マグネトロンスパッタ・ＥＢ蒸着・イオンビームスパッタ等の薄膜形成技術によって形成することができる。しかしながら、これらによって成膜される際に、層界面が平滑にならずに荒れてしまうことにより、あるいはＭｏとＳｉの材料間で相互に原子レベルでの相互拡散を生じ、隣接する材料間の屈折率差が小さくなってしまうことにより、反射率が低下してしまうという問題を有していた。
そのため、特許文献１、特許文献２等では、低屈折率層と高屈折率層との交互層の間に中間層を形成し、上記の荒れを緩和し、相互拡散を防止する提案がなされている。そのため、例えば特許文献２では、この中間層の形成材料として炭化ホウ素Ｂ₄Ｃ等を用いることで、上記した荒れの緩和や、相互拡散の防止が図られている。また、そこではこれらの中間層の膜厚を薄く形成することによって、高屈折率層と低屈折率層との間に、これらの材料によりシリサイド等の界面化合物が生成されないように配慮されている。
特開平０５−０８９８１８号公報 特開平０２−２４２２０１号公報 特登録０２−７２３９５５号公報

上記したように、多層膜ミラーにおいては層界面の荒れを緩和し、相互拡散を防止するため、低屈折率層と高屈折率層との交互層の間に中間層が形成されるが、これら中間層の屈折率や吸収率は上記交互層と異なることから、多層膜ミラーの反射率は、このような中間層を含むことにより理論上は必然的に低下する。
また、低屈折率層と高屈折率層との交互層の間に、これらの材料によりシリサイド等の界面化合物が生成されることによっても、これら界面化合物の屈折率や吸収率は上記交互層と異なることから、多層膜ミラーの反射率が低下する。

したがって、中間層の厚さは、屈折率面で反射率低下への影響を小さくすること、界面化合物の生成を防ぐことができること、等を考慮した厚さによる極薄膜厚（Ｍｏ層やＳｉ層よりさらに薄い膜厚）として形成されることになる。
このようなことから、上記したように特許文献３においても、中間層の厚みを薄く形成して界面化合物が生成されることの防止が図られているが、このように界面化合物の生成の防止を、中間層の厚さを薄くするという膜厚制御によるだけでは、更なる高い反射率の多層膜ミラーを得る上で、必ずしも満足の得られるものではない。

本発明は、上記課題に鑑みて、低屈折率層と高屈折率層との間に中間層を形成した多層膜ミラーにおいて、より高い反射率を達成することが可能となる軟Ｘ線多層膜ミラー及びその製造方法、軟Ｘ線多層膜ミラーを備えた光学系を提供することを目的とする。

本発明は、上記課題を達成するために、以下のように構成した軟Ｘ線多層膜ミラー及びその製造方法、軟Ｘ線多層膜ミラーを備えた光学系を提供するものである。
すなわち、本発明の軟Ｘ線多層膜ミラーは、Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が相対的に大きい材料からなる低屈折率層と、屈折率の差が相対的に小さい材料からなる高屈折率層とを、基板側から交互に積層した多層膜層により構成された軟Ｘ線多層膜ミラーにおいて、
前記低屈折率層と前記高屈折率層との間に、Ｌｉ化合物からなる中間層を少なくとも１層設けることを特徴としている。なお、ここでの軟Ｘ線領域とは、ＶＵＵ領域〜軟Ｘ線領域を指し、数値的には波長＝０．２ｎｍ〜３０ｎｍの範囲を指す。
また、本発明の軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法は、低屈折率層と高屈折率層とを、基板上に交互に積層した多層膜層による軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法において、前記低屈折率層と前記高屈折率層との間に、これらの材料により生成される化合物の発生を防ぐための中間層を、Ｌｉ化合物からなる中間層を少なくとも１層形成することを特徴としている。
また、本発明の光学系は、上記した軟Ｘ線多層膜ミラー、または上記した軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法によって作製された軟Ｘ線多層膜ミラーを備えたことを特徴としている。

本発明によれば、低屈折率層と高屈折率層との間に中間層を形成した多層膜ミラーにおいて、より高い反射率を達成することが可能となる。

上記構成により本発明の課題を達成することができるが、それは本発明者らが鋭意研究した結果によるつぎのような知見に基づくものである。
前述したように、従来例においてはＭｏ層とＳｉ層の界面に発生する界面化合物の発生による多層膜ミラーの反射率の低下を防止するため、中間層の厚さを薄くするという膜厚制御による手法が採られてきた。
しかしながら、このような膜厚制御だけでは、高い反射率の多層膜ミラーを得る上で、必ずしも満足な結果が得られないことから、Ｍｏ層とＳｉ層との間に、これらの材料により自然生成される界面化合物の発生を防ぐ材料による中間層を形成することで、より高い反射率を達成することが可能となる軟Ｘ線多層膜ミラーを構成することが可能となることを見出した。
ここで、このような中間層材料として、Ｍｏ層とＳｉ層と化合しにくい材料として、Ｌｉからなる化合物を用いることができる。Ｌｉ化合物とは、Ｌｉと他元素が結合し安定した化合物として大気中に存在できるものである。Ｌｉ単体では、大気中で窒化されるため、他元素との結合は必要となる。例えば、Ｌｉ―Ｂ化合物（ＬｉＢ₂、Ｌｉ₅Ｂ₄、Ｌｉ₇Ｂ₆）、Ｌｉ₃Ｐ、Ｌｉ₂Ｓ、ＬｉＢＦ₄、が存在する。Ｌｉ化合物がＭｏ層やＳｉ層と化合しにくいのは、Ｌｉが半導体結晶や金属結晶の表面に於けるダングリングボンド（未結合手）とダイマー化した構造を形成し（表面再構成）、ダングリングボンドを減らす働きを担っているからである。
ここではＬｉＢ₂を用いた。ＬｉＢ₂はＬｉとＢが金属結合し、通常粉末として大気中に存在するものである。ＬｉＢ₂を中間層として用いたことで、多層膜中への軟Ｘ線吸収量が減少し高反射率を達成することができた。また、ＬｉＢ₂は半金属のＢを含む金属化合物であることによりアモルファス化し易い。このアモルファス材料が多層膜の界面粗さや表面粗さを緩和し、反射率向上にもさらに寄与する。
このＬｉＢ₂を、従来例と同じ厚みを持つ中間層として使用することで、例えば従来使用されてきた材料Ｂ₄Ｃに比べ、多層膜内に吸収される入射光も３５％減少することが可能となった。これにより、この中間層によって吸収されなかった軟Ｘ線光の一部が界面で反射され、結果的に多層膜の反射率を向上させることが可能となった。

つぎに、本実施の形態の軟Ｘ線多層膜ミラーについて図を用いて説明する。
図１に本実施の形態の軟Ｘ線多層膜ミラーの構成を示す。
図において、１は基板、２は多層膜、３は中間層（Ｌｉ金属化合物）、４はＭｏを主たる材料とする膜（低屈折率層）、５はＳｉを主たる材料とする膜（高屈折率層）、６は軟Ｘ線である。なお、低屈折率層の材料はＭｏに限られず、Ｍｏを含む族、ならびにそれらの材料の合金または化合物から選択されたものによっても良い。また、高屈折率層材料はＳｉに限られず、Ｓｉを含む族、ならびにそれらの材料の合金または化合物から選択されたものによってもよい。

これらの積層においては、基板１に、多層膜２を成膜していく。その際、低屈折率層であるＭｏ層４と高屈折率層であるＳｉ層５の間に、低屈折率層材料と高屈折率層材料の化合物質（「界面化合物」）の発生を防ぐための中間層３を挿入する。この低屈折率層４、中間層３、高屈折率層５、中間層３の４層を１周期として、積み重ねていく。中間層３は、低屈折率層４や高屈折率層５と化合しにくいＬｉＢ₂を用いた。
ここで、層厚については、上記中間層の厚さを１Å以上に定めた上で、前記高屈折率層と前記低屈折率層の厚さを多層膜設計で決定する。その際、中間層の厚さは、好ましくは０．１ｎｍ〜３ｎｍの範囲の厚さ、より好ましくは０．５ｎｍ〜１ｎｍの厚さとすることが望ましい。
本実施の形態によれば、Ｍｏ層とＳｉ層との間に、これらの材料により自然生成される界面化合物の発生を防ぐＬｉ−Ｂ金属化合物による中間層３が設けられているため、界面化合物の生成を防ぐことができ、高反射率を有する軟Ｘ線多層膜ミラーを実現することが可能となる。
前記高屈折率層、前記低屈折率層及び中間層は、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法のいずれかの薄膜形成技術により成膜することで、その効果が特に有効に発揮される。
なお、本発明による軟Ｘ線多層膜ミラーは、各種軟Ｘ線光学系、例えば、軟Ｘ線リソグラフィ、軟Ｘ線望遠鏡、露光装置に好適に使用でき、これらにおいては、微細なパターンまで解像可能となる。

以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１においては、本発明を適用して軟Ｘ線多層膜ミラーを構成した。
図２に、本実施例の軟Ｘ線多層膜ミラーの構成を示す。図１に示した構成と同様の構成には同一の符号が付されており、重複する部分の説明は省略する。図において、７はＬｉＢ₂層（厚さ０．５［ｎｍ］）による中間層である。
本実施例の軟Ｘ線多層膜ミラーは、マグネトロンスパッタリング法により、基板１上に、Ｍｏを主とする層（低屈折率層）４と、Ｓｉを主とする層（高屈折率層）５の間に、中間層７を挿入して構成した。この低屈折率層４→中間層７→高屈折率層５→中間層７、の順で形成される４層多層膜を１周期として、これらを繰り返し積み重ねることによって多層膜２を形成した（この時の低屈折率層と高屈折率層は、ＬｉＢ₂＝０．５［ｎｍ］を確定させた上で、それぞれの最適膜厚を決定している）。

本実施例では、Ｍｏ層とＳｉ層との間に、これらの材料により自然生成される界面化合物の発生を防ぐＬｉＢ₂層による中間層７が設けられているため、界面化合物の生成を防ぐことができる。ＬｉＢ₂は安定した金属化合物であるため、ＬｉＢ₂層とＭｏ層、またはＬｉＢ₂層とＳｉ層との間に、自然生成される界面化合物を殆ど発生しないようにすることができる。
また、ＬｉＢ₂は、従来用いられた中間層Ｂ₄Ｃと比較して吸収係数が３５％程度も小さい。したがって本実施例によれば、高反射率を有する軟Ｘ線多層膜ミラーを実現することができる。
さらに、ＬｉＢ₂がアモルファス化し易い材料であるため、Ｓｉ層やＭｏ層の界面粗さや表面粗さを緩和させ、粗さによる散乱を抑えることによっても、高反射率に寄与することが可能となる。
図３に本実施例を実施した時の、理論反射率を示す（中間層にＢ₄Ｃを用いた場合と比較）。
なお、ＬｉＢ₂からなる中間層７は、超高真空中においてスパッタリングすることによりＭｏ層４上、またＳｉ層５上に形成した。

［実施例２］
実施例２においては、本発明を適用して軟Ｘ線多層膜ミラーを構成した。
図４に、本実施例の軟Ｘ線多層膜ミラーの構成を示す。図１に示した構成と同様の構成には同一の符号が付されており、重複する部分の説明は省略する。図において、７はＬｉＢ₂層（厚さ０．５［ｎｍ］）による中間層である。
本実施例の軟Ｘ線多層膜ミラーは、マグネトロンスパッタリング法により、基板１上に、Ｓｉを主とする層（高屈折率層）５を形成し、その上に中間層７としてＬｉＢ₂層（厚さ０．５［ｎｍ］）を形成し、その上にＭｏを主とする層（低屈折率層）４を形成した。この高屈折率層５→中間層７→低屈折率層４、の順で形成される３層多層膜を１周期とし、これらを繰り返し積み重ねることによって多層膜２を形成した（この時の低屈折率層と高屈折率層は、ＬｉＢ₂＝０．５［ｎｍ］を確定させた上で、それぞれの最適膜厚を決定している）。この積層順序はこれに限らず、Ｍｏを主とする層（低屈折率層）の上に、中間層７としてＬｉＢ₂層（厚さ０．５［ｎｍ］）を形成し、その上にＳｉを主とする層（高屈折率層）５を形成するようにしてもよい。

本実施例では、Ｍｏ層上の界面化合物よりＳｉ層上の方が、界面化合物生成量が大きいというこれまでの実験事実に基づき、Ｓｉ層上にＭｏ層が重ならない多層膜構成が採られている。これによりＳｉ層上とＭｏ層下の間に自然生成される界面化合物の生成を防ぐことが可能となる。ＬｉＢ₂層上のＭｏ層ＬｉＢ₂は安定した金属化合物であるため、ＬｉＢ₂層とＭｏ層、またはＬｉＢ₂層とＳｉ層との間に、自然生成される界面化合物を殆ど発生しないようにすることができる。
また、ＬｉＢ₂は、従来用いられた中間層Ｂ₄Ｃと比較して吸収係数が３５％程度も小さい。したがって本実施例によれば、高反射率を有する軟Ｘ線多層膜ミラーを実現することができる。
さらに、ＬｉＢ₂がアモルファス化し易い材料であるため、Ｓｉ層やＭｏ層の界面粗さや表面粗さを緩和させ、粗さによる散乱を抑えることによっても、高反射率に寄与することが可能となる。
なお、ＬｉＢ₂からなる中間層７は、超高真空中においてスパッタリングすることによりＭｏ層４上、またＳｉ層５上に形成した。

［実施例３］
実施例３における軟Ｘ線多層膜ミラーは、実施例１に示した中間層ＬｉＢ₂層の代わりに、中間層としてＬｉ₃Ｐ層厚さ０．５［ｎｍ］）が設けられている。
本実施例の軟Ｘ線多層膜ミラーは、マグネトロンスパッタリング法により、基板１上に、Ｍｏを主とする層（低屈折率層）４と、Ｓｉを主とする層（高屈折率層）５の間に、中間層７を挿入して構成した。この低屈折率層４→中間層７→高屈折率層５→中間層７、の順で形成される４層多層膜を１周期として、これらを繰り返し積み重ねることによって多層膜２を形成した（この時の低屈折率層と高屈折率層は、Ｌｉ₃Ｐ＝０．５［ｎｍ］を確定させた上で、それぞれの最適膜厚を決定している）。

本実施例では、Ｍｏ層とＳｉ層との間に、これらの材料により自然生成される界面化合物の発生を防ぐＬｉ₃Ｐ層による中間層７が設けられているため、界面化合物の生成を防ぐことができる。Ｌｉ₃Ｐは安定した金属化合物であるため、Ｌｉ₃Ｐ層とＭｏ層、またはＬｉ₃Ｐ層とＳｉ層との間に、自然生成される界面化合物を殆ど発生しないようにすることができる。
また、Ｌｉ₃Ｐは、従来用いられた中間層Ｂ₄Ｃと比較して吸収係数が７％程度小さくなり、さらに屈折率がＳｉに近い値をとっている。したがって本実施例によれば、高反射率を有する軟Ｘ線多層膜ミラーを実現することができる。
さらに、Ｌｉ₃Ｐがアモルファス化し易い材料であるため、Ｓｉ層やＭｏ層の界面粗さや表面粗さを緩和させ、粗さによる散乱を抑えることによっても、高反射率に寄与することが可能となる。
なお、Ｌｉ₃Ｐからなる中間層７は、超高真空中においてスパッタリングすることによりＭｏ層４上、またＳｉ層５上に形成した。

［実施例４］
実施例における４軟Ｘ線多層膜ミラーは、実施例１に示した中間層ＬｉＢ₂層の代わりに、中間層としてＬｉ₂Ｓ層（厚さ０．５［ｎｍ］）が設けられている。
本実施例の軟Ｘ線多層膜ミラーは、マグネトロンスパッタリング法により、基板１上に、Ｍｏを主とする層（低屈折率層）４と、Ｓｉを主とする層（高屈折率層）５の間に、中間層７を挿入して構成した。この低屈折率層４→中間層７→高屈折率層５→中間層７、の順で形成される４層多層膜を１周期として、これらを繰り返し積み重ねることによって多層膜２を形成した（この時の低屈折率層と高屈折率層は、Ｌｉ₂Ｓ＝０．５［ｎｍ］を確定させた上で、それぞれの最適膜厚を決定している）。

本実施例では、Ｍｏ層とＳｉ層との間に、これらの材料により自然生成される界面化合物の発生を防ぐＬｉ₂Ｓ層による中間層７が設けられているため、界面化合物の生成を防ぐことができる。Ｌｉ₂Ｓは安定した金属化合物であるため、Ｌｉ₂Ｓ層とＭｏ層、またはＬｉ₂Ｓ層とＳｉ層との間に、自然生成される界面化合物を殆ど発生しないようにすることができる。
また、Ｌｉ₂Ｓは、従来用いられた中間層Ｂ₄Ｃと比較して吸収係数が２２％程度も小さく、さらに屈折率がＳｉに近い値をとっている。したがって本実施例によれば、高反射率を有する軟Ｘ線多層膜ミラーを実現することができる。
さらに、Ｌｉ₂Ｓがアモルファス化し易い材料であるため、Ｓｉ層やＭｏ層の界面粗さや表面粗さを緩和させ、粗さによる散乱を抑えることによっても、高反射率に寄与することが可能となる。
なお、Ｌｉ₂Ｓからなる中間層７は、超高真空中においてスパッタリングすることによりＭｏ層４上、またＳｉ層５上に形成した。

［実施例５］
実施例５における４軟Ｘ線多層膜ミラーは、実施例１に示した中間層ＬｉＢ₂層の代わりに、中間層としてＬｉＢＦ₄層（厚さ０．５［ｎｍ］）が設けられている。
本実施例の軟Ｘ線多層膜ミラーは、マグネトロンスパッタリング法により、基板１上に、Ｍｏを主とする層（低屈折率層）４と、Ｓｉを主とする層（高屈折率層）５の間に、中間層７を挿入して構成した。この低屈折率層４→中間層７→高屈折率層５→中間層７、の順で形成される４層多層膜を１周期として、これらを繰り返し積み重ねることによって多層膜２を形成した（この時の高屈折率層と低屈折率層は、ＬｉＢＦ₄＝０．５［ｎｍ］を確定させた上で、それぞれの最適膜厚を決定している）。

本実施例では、Ｍｏ層とＳｉ層との間に、これらの材料により自然生成される界面化合物の発生を防ぐＬｉＢＦ₄層による中間層７が設けられているため、界面化合物の生成を防ぐことができる。ＬｉＢＦ₄は安定した金属化合物であるため、ＬｉＢＦ₄層とＭｏ層、またはＬｉＢＦ₄層とＳｉ層との間に、自然生成される界面化合物を殆ど発生しないようにすることができる。
ＬｉＢＦ₄がアモルファス化し易い材料であるため、Ｓｉ層やＭｏ層の界面粗さや表面粗さを緩和させ、粗さによる散乱を抑えることによっても、高反射率に寄与することが可能となる。
なお、ＬｉＢＦ₄からなる中間層７は、超高真空中においてスパッタリングすることによりＭｏ層４上、またＳｉ層５上に形成した。

本発明の実施形態におけるＸ線多層膜ミラーの構成を示す模式図。 本発明の実施例１におけるＸ線多層膜ミラーの構成を示す模式図。 本発明の実施例１を実施した時の、理論反射率を示す図。 本発明の実施例２におけるＸ線多層膜ミラーの構成を示す模式図。

符号の説明

１：基板
２：多層膜
３：自然生成界面化合物の発生防止層（中間層＝Ｌｉ−Ｂ金属化合物）
４：Ｍｏを主たる材料とする膜（低屈折率層）
５：Ｓｉを主たる材料とする膜（高屈折率層）
６：軟Ｘ線

Claims (11)

1. Ｘ線領域での屈折率と真空の屈折率との差が相対的に大きい材料からなる低屈折率層と、屈折率の差が相対的に小さい材料からなる高屈折率層とを、基板側から交互に積層した多層膜層により構成された軟Ｘ線多層膜ミラーにおいて、
   前記低屈折率層と前記高屈折率層との間に、Ｌｉ化合物からなる中間層を少なくとも１層設けることを特徴とする軟Ｘ線多層膜ミラー。
2. 前記高屈折率層、中間層、低屈折率層、中間層を、この順に積層して形成された４層を一組とする多層膜を、複数組繰り返し積層して構成されていることを特徴とする請求項１に記載の軟Ｘ線多層膜ミラー。
3. 前記中間層の一層が、前記基板側からみて前記高屈折率層上で前記低屈折率層の下、または前記低屈折率層上で前記高屈折率層の下、のいずれかに設けられることを特徴とする請求項１に記載の軟Ｘ線多層膜ミラー。
4. 前記高屈折率層材料は、Ｓｉを含む族、ならびにそれらの材料の合金または化合物から選択されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の軟Ｘ線多層膜ミラー。
5. 前記低屈折率層材料は、Ｍｏを含む族、ならびにそれらの材料の合金または化合物から選択されたものであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の軟Ｘ線多層膜ミラー。
6. 低屈折率層と高屈折率層とを、基板上に交互に積層した多層膜層による軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法において、
   前記低屈折率層と前記高屈折率層との間に、これらの材料により生成される化合物の発生を防ぐための中間層を、Ｌｉ化合物からなる中間層を少なくとも１層形成することを特徴とする軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法。
7. 前記基板上に各層を積層する際に、前記高屈折率層、中間層、低屈折率層、中間層を、この順に積層して形成された４層を一組とする多層膜を、複数組繰り返し積層することを特徴とする請求項６に記載の軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法。
8. 前記基板上に各層を積層する際に、前記高屈折率層、中間層、低屈折率層を、この順に積層して形成された３層を一組とする多層膜、または、前記低屈折率層、中間層、高屈折率層を、この順に積層して形成された３層を一組とする多層膜を、複数組繰り返し積層することを特徴とする請求項６に記載の軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法。
9. 前記基板上に各層を積層する際に、前記各層の積層に際し、スパッタリング法、蒸着法、ＣＶＤ法のいずれかの方法を用いることを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法。
10. 前記基板上に各層を積層する際に、上記中間層の厚さを１Å以上に定めた上で、前記高屈折率層と前記低屈折率層の厚さを多層膜設計で決定して、前記基板上に交互に積層した多層膜層を形成することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法。
11. 請求項１〜５のいずれか１項に記載の軟Ｘ線多層膜ミラー、または請求項６〜１０のいずれか１項に記載の軟Ｘ線多層膜ミラーの製造方法によって作製された軟Ｘ線多層膜ミラーを備えたことを特徴とする軟Ｘ線光学系。

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