JP2006335582A - 結晶シリコン製造装置とその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 受台18に複数の坩堝16を載せ、その複数の坩堝16の隣合う側面同士を接触させる。この状態で加熱融解や冷却を行うことで、四隅の角部にのみクラックが発生し、坩堝16同士が接合する角部にはクラックが発生しない。この結果、本発明は1個の坩堝のみで製造する従来のものと比べて、均質な結晶シリコンインゴットを複数製造することができる。
【選択図】図1
Description
12 本体
16 坩堝
18 受台
22 へこみ部
24 原料シリコン
26 ヒーター
28 結晶シリコンインゴット
30 断熱材
32 上部ヒーター
Claims (10)
- 内部に炉内空間を形成した本体と、前記炉内空間に配置されるものであって内部に原料シリコンを入れる坩堝と、その坩堝を支持する受台と、前記坩堝を加熱するためのヒータとを有し、前記坩堝内の原料シリコンを前記ヒータで加熱して原料シリコンを融解し、融解したシリコンを下方から冷却して結晶シリコンを作る結晶シリコンの製造装置において、前記受台に載せる前記坩堝を複数とし、その複数の坩堝の隣合う側面同士を接触させたことを特徴とする結晶シリコン製造装置。
- 側面同士を接触させた前記複数の坩堝を平面からみた状態をほぼ正方形としたことを特徴とする請求項1記載の結晶シリコン製造装置。
- 側面同士を接触させた前記複数の坩堝の側面周辺を熱伝導率の小さいカーボン材料で覆うことを特徴とする請求項1記載の結晶シリコン製造装置。
- 前記受台の上面に前記複数の坩堝を嵌合させるためのへこみ部を形成したことを特徴とする請求項1記載の結晶シリコン製造装置。
- 前記複数の坩堝を載せる前記受台を融解したシリコンの冷却の際に回転させることを特徴とする請求項1記載の結晶シリコン製造装置。
- 前記ヒーターは、前記複数の坩堝の側面周囲に配置されるものと、前記複数の坩堝の上部に配置されるものとから成ることを特徴とする請求項1記載の結晶シリコン製造装置。
- 坩堝内部に原料シリコンを入れ、前記坩堝内の原料シリコンをヒータで加熱して原料シリコンを融解し、その後融解したシリコンを下方から冷却して結晶シリコンを作る結晶シリコンの製造方法において、受台に載せる前記坩堝を複数とし、その複数の坩堝の隣合う側面同士を接触させたことを特徴とする結晶シリコンの製造方法。
- 側面同士を接触させた前記複数の坩堝を平面からみた状態をほぼ正方形形状とすることを特徴とする請求項7記載の結晶シリコンの製造方法。
- 側面同士を接触させた前記複数の坩堝の側面周辺を熱伝導率の小さいカーボン材料で覆うことを特徴とする請求項7記載の結晶シリコンの製造方法。
- 前記複数の坩堝を載せる前記受台を融解したシリコンの冷却の際に回転させることを特徴とする請求項7記載の結晶シリコンの製造方法。
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