JP2006332661A - 有機薄膜トランジスタ及びその製造方法と有機薄膜トランジスタを備えた有機電界発光表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板と、基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、ソース及びドレイン電極とコンタクトされるように形成され、チャネル層を備えた半導体層と、半導体層上に形成された保護膜と、基板上に形成されたゲートと、ゲートとソース/ドレイン電極との間に形成されたゲート絶縁膜と、半導体層と保護膜とにかけて形成されて、半導体層のチャネル層に対応する部分を画定する分離パターンと、を備える薄膜トランジスタ。
【選択図】図3
Description
図3は、本発明の一実施形態によるOTFTの断面図を示すものである。図3に示すOTFT 100はトップゲート構造を持つ。図3を参照すれば、基板110上にソース/ドレイン電極121、125が形成される。前記ソース/ドレイン電極121、125とコンタクトされるように基板110上に半導体層130が形成され、前記半導体層130上に保護膜140が形成される。保護膜140上にゲート絶縁膜150が形成され、前記ソース/ドレイン電極121、125の間に位置した半導体層130のチャネル領域135に対応して、ゲート155がゲート絶縁膜150上に形成される。
図10は、本発明のさらに他の実施形態によるOTFTの断面図を示すものである。該実施形態によるOTFT 400は、ボトムゲート構造を持つ。図10を参照すれば、基板410上にゲート420が形成され、ゲート420上にゲート絶縁膜425が形成される。前記ゲート絶縁膜425上にソース/ドレイン電極431、435が形成され、前記ソース/ドレイン電極431、435とコンタクトされる半導体層445上に保護膜455が形成される。図7に示す薄膜トランジスタと同様に、前記基板410はガラス基板、プラスチック基板または金属基板を含む。前記ゲート絶縁膜425は単一層または多層膜で形成され、有機絶縁膜または無機絶縁膜を備えるか、または有機・無機複合ハイブリッド膜を備える。また、前記半導体層445は、有機半導体層を備える。
110 基板
121、125 ソース/ドレイン電極
130 半導体層
135 チャネル領域
140 保護膜
145 分離パターン
150 ゲート絶縁膜
155 ゲート
Claims (20)
- 基板と、
基板上に形成されたソース及びドレイン電極と、
前記ソース及びドレイン電極とコンタクトされるように形成され、チャネル層を備えた半導体層と、
前記半導体層上に形成され、前記半導体層と同じパターンを持ち、レーザー吸収の可能な保護膜と、
基板上に形成されたゲートと、
前記ゲートとソース/ドレイン電極との間に形成されたゲート絶縁膜と、
前記半導体層と前記保護膜とにかけて形成されて、前記半導体層のチャネル層に対応する部分を画定する分離パターンと、を備える薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層は有機半導体層であり、前記ゲート絶縁膜は有機、無機または有機・無機ハイブリッド膜の単一または多層膜であることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護膜は前記半導体層よりも薄く、10Åないし1000Åの厚さを持つことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護膜は、芳香族物質を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護膜は、フッ素系高分子物質を含むことを特徴とする請求項4に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記ゲート絶縁膜は、Ta2O5、Y2O3、TiO2、BST、PZTまたはBZTの高誘電膜を含むことを特徴とする請求項5に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、PVA(polyvinyl alcohol)、PVC(polyvinyl chloride)、PMMA(polymethylmethacrylate)、ポリイミド、パリレン、PVP(polyvinyl phenol)、PI/Al2O3及び感光性物質から選択される絶縁膜を備えることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。
- ゲート、ソース/ドレイン電極及び半導体層を備える薄膜トランジスタを製造する方法において、
基板上に半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に保護膜を形成する工程と、
前記半導体層及び保護膜をレーザーアブレーション法を通じてパターニングして半導体層のチャネル層に対応する部分を画定する工程と、を含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記保護膜は前記半導体層よりも薄く、10Åないし1000Åの厚さを持つことを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記保護膜はフッ素系高分子を含み、前記ゲート絶縁膜はTa2O5、Y2O3、TiO2、BST、PZTまたはBZTの高誘電膜を含むことを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層を形成する前にゲート、ゲート絶縁膜及びソース/ドレイン電極を形成するか、または前記半導体層を形成する前にソース/ドレイン電極を形成して半導体層をパターニングした後、ゲート絶縁膜及びゲートを形成することを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層及び保護膜をライン状またはボックス状にパターニングして半導体層のチャネル領域を画定することを特徴とする請求項8に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 基板上に形成され、ゲート、ソース/ドレイン電極及びチャネル層を備えた半導体層を備える薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタに連結される画素電極を備える表示素子と、
前記薄膜トランジスタの前記ソース及びドレイン電極とゲートとの間に形成された絶縁膜と、
前記半導体層上に形成されて、前記チャネル層に対応する部分を画定するように前記半導体層と同一パターンを持ち、レーザー吸収の可能な物質からなる保護膜と、を備える平板表示装置。 - 前記保護膜は前記半導体層よりも薄く、10Åないし1000Åの厚さを持つことを特徴とする請求項13に記載の平板表示装置。
- 前記保護膜は、芳香族物質を含むことを特徴とする請求項13に記載の平板表示装置。
- 前記保護膜は、フッ素系高分子物質を含むことを特徴とする請求項15に記載の平板表示装置。
- 前記ゲート絶縁膜は、Ta2O5、Y2O3、TiO2、BST、PZTまたはBZTの高誘電膜を含むことを特徴とする請求項16に記載の平板表示装置。
- 前記半導体層及び保護膜は、チャネル層に対応する部分を画定するための溝状の分離パターンを備えるか、またはライン状、ボックス状またはメッシュ状にパターニングされたことを特徴とする請求項13に記載の平板表示装置。
- 互いに交差するように配列されるゲートライン及びデータラインと、前記ゲートライン及びデータラインにより画定される画素領域をさらに備え、各画素領域には前記薄膜トランジスタと表示素子とがそれぞれ配列され、
前記半導体層及び保護膜は、閉曲線形態の溝または前記ゲートラインまたはデータラインに沿って延びる少なくとも1対の平行線形態の溝状の前記分離パターンを備えるか、または前記半導体層及び保護膜は、ソース/ドレイン電極とこれらの間の部分に少なくとも対応するボックス状、ゲートラインまたはデータライン方向に延びるライン状、そしてゲートラインまたはデータライン方向に延びるメッシュ状のうち一つにパターニングされたことを特徴とする請求項18に記載の平板表示装置。 - 前記保護膜は、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、PVA、PVC、PMMA、ポリイミド、パリレン、PVP、PI/Al2O3及び感光性物質から選択される絶縁膜を含むことを特徴とする請求項13に記載の平板表示装置。
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