JP2006329929A - 半導体圧力センサ - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この発明に係る半導体圧力センサは、被測定流体の圧力に応動するダイアフラム4を備えた半導体圧力センサにおいて、ダイアフラム4は、ブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗素子7が埋設されたシリコン基板6と、被測定流体が接触する側のシリコン基板6の面に形成された電磁シールド用のシールド膜9とを備え、シールド膜9は、シリコン基板6と電気的に接続されて同電位である。
【選択図】図2
Description
このものの場合、被測定流体の圧力によりダイアフラムが歪むことでピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化し、この変化量を電気信号として出力することで被測定流体の圧力を検出するようになっている。
このものの場合、絶縁膜を形成することでピエゾ抵抗素子と荷電物との間の距離が拡がり、荷電物から発生する電界によるピエゾ抵抗素子に対する影響を軽減している。
また、別の対策として、表面を接地されたシールド膜で覆ったダイアフラムを備えた半導体圧力センサが知られている(特許文献2参照)。
このものの場合、電荷がダイアフラムのシールド膜の表面に付着しても、シールド膜は接地されているので、その電荷は外部に流出し、ピエゾ抵抗素子に対する荷電物からの電界の影響を防止している。
以下、この発明の一実施の形態について図に基づいて説明する。
図1はこの発明の実施の形態1の半導体圧力センサを示す平面図、図2は図1のII−II線に沿った矢視断面図である。
この半導体圧力センサでは、ガラス基板1とセンサチップ2との間に真空室3が形成されている。
センサチップ2には、被測定流体の圧力に応じて変形するダイアフラム4が形成されている。
アルミニウムパッド11aには、図示しない電源ICから基準電位が直接印加されている。また、このアルミニウムパッド11aには、シールド膜9が直接接続されており、アルミニウムパッド11aを通じて基準電位膜5に基準電位が印加される。
アルミニウムパッド11b、11cは拡散配線を通じてホイートストンブリッジ回路に接続されている。アルミニウムパッド11dは、前記電源ICのGNDと接続されている。
一方、ピエゾ抵抗素子7はホイートストンブリッジ回路を構成しており、外部からアルミニウムパッド11a、11dを通じて基準電位が印加されており、ピエゾ抵抗素子7の抵抗値の変化に伴い、ホイートストンブリッジ回路からの出力電圧が変化する。
ホイートストンブリッジ回路が拡散配線(図示せず)でアルミニウムパッド11b、11cに接続されているので、その出力電圧の変化量は、アルミニウムパッド11b、11cを通じて外部に出力され、被測定流体の圧力が検出される。
また、仮に、基準電位膜5の基準電位が変動しても、シールド膜9と基準電位膜5とは電気的に接続されて同電位であることには変わりがなく、ピエゾ抵抗素子7は、電界による影響を受けることは無い。
また、ピエゾ抵抗素子7は、同電位のシールド膜9と基準電位膜5との間で挟まれているので、外来の荷電をシールド膜9でGNDに流すことは必須ではなく、従ってシールド膜9の表面にセンサチップ2の保護膜として窒化膜10を形成することができる。
そのため、この実施の形態では、シールド膜9の材料として、シリコン基板6と物性値が近似したポリシリコンを用いている。本願発明者は、ポリシリコンを選定するに当たっては、実験により、半導体圧力センサとして十分に性能が維持できることを確認している。
本願発明者は、実験によりシールド膜の膜厚と感度との関係を調べた。図3はそのときの関係を示す図、図4は図3に示した関係をプロットした図である。
また、例えば感度変化率80とは、上記既存ダイアフラムを100としたときの、シールド膜を有するダイアフラム(但し、窒化膜は除かれている)の感度変化率が80であることを示している。
図3及び図4から分かるように、既存ダイアフラムの厚さに対して、シールド膜の厚さが1/50以下であれば、感度変化率は100であり、既存ダイアフラムと同じ感度が得られることが分かった。
この図から分かるように、シールド膜の抵抗率が7.5×103Ω・cm以下の場合には、十分な電磁シールド性が得られ、1×1012Ω・cmになるとシールド性は零であることが分かった。
なお、シールド膜の抵抗率が7.5×103Ω・cm以下に設定することは、リンをポリシリコン製のシールド膜にドープすることで確保される。
Claims (7)
- 被測定流体の圧力に応動するダイアフラムを備えた半導体圧力センサにおいて、
前記ダイアフラムは、ブリッジ回路を構成するピエゾ抵抗素子が埋設されたシリコン基板と、前記被測定流体が接触する側の前記シリコン基板の面に形成された電磁シールド用のシールド膜とを備え、
前記シールド膜は、前記シリコン基板と電気的に接続されて同電位であることを特徴とする半導体圧力センサ。 - 前記シリコン基板の反前記シールド膜側の面には、前記シールド膜と電気的に接続されているとともに前記ブリッジ回路に電圧を印加する基準電位膜が形成されている請求項1に記載の半導体圧力センサ。
- 前記シールド膜は、ポリシリコンで構成されている請求項1または請求項2に記載の半導体圧力センサ。
- 前記シールド膜の膜厚は、シールド膜を含まない前記ダイアフラムの厚さに対して、1/50以下である請求項3に記載の半導体圧力センサ。
- 前記シールド膜の抵抗率は、7.5×103Ω・cm以下である請求項3または請求項4に記載の半導体圧力センサ。
- 前記シールド膜は、前記基準電位膜と電気的に接続され外部から基準電位膜に電圧を印加するパッドに直接接続されている請求項2ないし請求項5の何れか1項に記載の半導体圧力センサ。
- 前記シールド膜の反シリコン基板側の面には、シールド膜の表面を物理的に保護する保護膜が形成されている請求項1ないし請求項6の何れか1項に記載の半導体圧力センサ。
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