JP6820247B2 - 圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサ - Google Patents
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- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 51
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 41
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 41
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 37
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 17
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 30
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 19
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 6
- 229920002545 silicone oil Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 3
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- -1 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/04—Means for compensating for effects of changes of temperature, i.e. other than electric compensation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description
14 ハーメチックガラス
16、66 センサチップ
17、65 環状部材
21、64 シールド部材
18 チップマウント部材
19、62 導電板
32、70 ダイヤフラム
40ai、52ai 入出力端子群
56 センサハウジング
Claims (4)
- 圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサチップと、該センサチップが配される液封室と該液封室に向き合う圧力室とを仕切るダイヤフラムと、該センサチップに電気的に接続される入出力端子群とを含んでなるセンサユニットと、
前記センサチップを取り囲むように配置され、一方の端面に形成される絶縁層、および、前記ダイヤフラムに対向する他方の端面に形成され前記入出力端子群に電気的に接続される導電層を有する導電板と、
前記導電板の導電層により支持されることにより、前記液封室内における前記センサチップの一方の端面と前記ダイヤフラムとの間に配され、該センサチップの信号処理電子回路部に作用する電界を遮断する電界遮断部材と、
前記液封室内における前記電界遮断部材、および、前記導電板の外周部に臨むように配される環状部材と、を備え、
前記電界遮断部材の電位が、前記センサチップの前記信号処理電子回路と同一の電位とされることを特徴とする圧力センサのシールド構造。 - 前記環状部材は、前記液封室に封入される圧力伝達媒体よりも熱膨張率が低いことを特徴とする請求項1記載の圧力センサのシールド構造。
- 圧力を検出し検出出力信号を送出するセンサチップと、該センサチップが配される液封室と該液封室に向き合う圧力室とを仕切るダイヤフラムと、該センサチップに電気的に接続される入出力端子群とを含んでなるセンサユニットと、
前記センサチップを取り囲むように配置され、一方の端面に形成される絶縁層、および、前記ダイヤフラムに対向する他方の端面に形成され前記入出力端子群に電気的に接続される導電層を有する導電板と、
前記導電板の導電層により支持されることにより、前記液封室内における前記センサチップの一方の端面と前記ダイヤフラムとの間に配され、該センサチップの信号処理電子回路部に作用する電界を遮断する電界遮断部材と、
前記液封室内における前記電界遮断部材、および、前記導電板の外周部に臨むように配される環状部材と、
前記センサユニットと前記電界遮断部材と、前記環状部材とを収容するセンサユニット収容部と、を備え、
前記電界遮断部材の電位が、前記センサチップの前記信号処理電子回路と同一の電位とされることを特徴とする圧力センサ。 - 前記環状部材と前記電界遮断部材とが一体となっていることを特徴とする請求項1記載の圧力センサのシールド構造。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017230552A JP6820247B2 (ja) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサ |
CN201880076158.3A CN111386451B (zh) | 2017-11-30 | 2018-11-06 | 压力传感器的屏蔽构造及具备该屏蔽构造的压力传感器 |
PCT/JP2018/041190 WO2019107086A1 (ja) | 2017-11-30 | 2018-11-06 | 圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017230552A JP6820247B2 (ja) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019100808A JP2019100808A (ja) | 2019-06-24 |
JP6820247B2 true JP6820247B2 (ja) | 2021-01-27 |
Family
ID=66665535
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017230552A Active JP6820247B2 (ja) | 2017-11-30 | 2017-11-30 | 圧力センサのシールド構造、および、それを備える圧力センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6820247B2 (ja) |
CN (1) | CN111386451B (ja) |
WO (1) | WO2019107086A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7433210B2 (ja) | 2020-12-23 | 2024-02-19 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58184639U (ja) * | 1982-06-03 | 1983-12-08 | 富士電機株式会社 | 圧力変換器 |
JPS61251714A (ja) * | 1985-04-30 | 1986-11-08 | Yokogawa Electric Corp | 容量式変位変換器 |
CN2098678U (zh) * | 1991-06-24 | 1992-03-11 | 陈才 | 电容式微压传感器 |
JP3987386B2 (ja) * | 2001-11-20 | 2007-10-10 | 株式会社鷺宮製作所 | 圧力センサ |
JP2006078417A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Toyoda Mach Works Ltd | 圧力センサ |
JP4421511B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2010-02-24 | 三菱電機株式会社 | 半導体圧力センサ |
WO2007004400A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Saginomiya Seisakusho, Inc. | 圧力センサ及びその製造方法 |
TWI286383B (en) * | 2005-12-23 | 2007-09-01 | Delta Electronics Inc | Semiconductor piezoresistive sensor and operation method thereof |
ITTO20080483A1 (it) * | 2008-06-19 | 2009-12-20 | Eltek Spa | Dispositivo sensore di pressione |
JP4947169B2 (ja) * | 2010-03-10 | 2012-06-06 | オムロン株式会社 | 半導体装置及びマイクロフォン |
CN203490024U (zh) * | 2013-08-02 | 2014-03-19 | 上海保隆汽车科技股份有限公司 | 轮胎压力监测传感器 |
-
2017
- 2017-11-30 JP JP2017230552A patent/JP6820247B2/ja active Active
-
2018
- 2018-11-06 WO PCT/JP2018/041190 patent/WO2019107086A1/ja active Application Filing
- 2018-11-06 CN CN201880076158.3A patent/CN111386451B/zh active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN111386451B (zh) | 2022-04-08 |
JP2019100808A (ja) | 2019-06-24 |
CN111386451A (zh) | 2020-07-07 |
WO2019107086A1 (ja) | 2019-06-06 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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