JP2006324700A

JP2006324700A - 基板の接続方法および半導体パッケージの製造方法

Info

Publication number: JP2006324700A
Application number: JP2006229685A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Enomoto; 哲也榎本; Hidehiro Nakamura; 英博中村; Fumio Inoue; 文男井上; Akira Nagai; 朗永井; Toshihiro Endo; 俊博遠藤
Original assignee: Hitachi Chemical Co Ltd
Current assignee: Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date: 2000-12-12
Filing date: 2006-08-25
Publication date: 2006-11-30

Abstract

【課題】高い生産性を有し、接続抵抗が小さく、接続信頼性の高い基板の接続方法および半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】突出した接続端子を有する基板に、接着性樹脂層を形成し、別の接続端子を有する基板と、接続端子同士が向かい合うように重ね、２つの基板を押し付けるとともに、少なくとも一方の基板の面方向に超音波振動を加えることで、前記突出した接続端子上に形成された前記接着性樹脂層を排除しつつ前記接続端子同士を接触させる基板の接続方法。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板の接続方法および半導体パッケージの製造方法に関する。

基板と基板の接続、特に、半導体チップと基板の接続は、従来、異方導電性接着剤を用いるか、あるいは、特殊な方法として、硬化収縮の大きな樹脂を用い、半導体チップと基板とを接触させた状態で硬化収縮させ、その収縮力によって接触を保つ方法が知られている。接着性樹脂層を形成する方法としては、ワニスやペーストなどを印刷、スピンコート、ディスペンスする方法やフィルムを個片に切出して貼り付ける方法が用いられている。
特開平０３−０２４７４２

異方導電性接着剤は、かなり性能がよくなってきたとはいえ、電流が少ない個所での使用はできても、ＣＰＵのように大電流を必要とするような回路に用いるのは困難であるという課題がある。

また、硬化収縮による方法では、一般に、接続が点接触となりやすく、やはり大電流の回路に用いるには困難がある上、点接触によるノイズの発生を無視することができず実用的でないという課題があった。

印刷、ディスペンス、スピンコートによる接着樹脂層の形成では、樹脂の供給量にばらつきが生じる可能性があり、フィルムの貼り付けは個片対応となるために生産性が低いという課題がある。

本発明は、高い生産性を有し、接続抵抗が小さく、接続信頼性の高い基板の接続方法および半導体パッケージの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、以下のことを特徴とする。

（１）突出した接続端子を有する基板に、接着性樹脂層を形成し、別の接続端子を有する基板と、接続端子同士が向かい合うように重ね、２つの基板を押し付けるとともに、少なくとも一方の基板の面方向に超音波振動を加えることで、前記突出した接続端子上に形成された前記接着性樹脂層を排除しつつ前記接続端子同士を接触させる基板の接続方法。

（２）超音波振動を加える方の基板の接続端子の大きさが、他方の基板の接続端子の大きさよりも、超音波振動の振幅分以上に大きく形成されていることを特徴とする、上記（１）に記載の基板の接続方法。

（３）超音波振動を加える方の基板の接続端子の大きさと、他方の基板の接続端子の大きさの差が、超音波振動の振幅分以内になるように形成されていることを特徴とする、上記（１）に記載の基板の接続方法。

（４）前記押し付けを、圧力０．１〜１０ＭＰａ、加圧時間０．５秒以上の条件下で行い、前記超音波振動を、周波数２０〜５００ｋＨｚ、振幅０．０１μｍ以上、印加時間０．０１秒以上の条件下で加えることを特徴とする、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の基板の接続方法。

（５）突出した接続端子を有する半導体パッケージ用基板に、接着性樹脂層を形成し、別の接続端子を有する半導体チップと、接続端子同士が向かい合うように重ね、基板と半導体チップを押し付けるとともに、半導体チップの面方向に超音波振動を加えることで、前記突出した接続端子上に形成された前記接着性樹脂層を排除しつつ前記接続端子同士を接触させる半導体パッケージの製造方法。

（６）前記半導体チップの接続端子の大きさが、半導体パッケージ用基板の接続端子の大きさよりも、超音波振動の振幅分以上に大きく形成されていることを特徴とする、上記（５）に記載の半導体パッケージ製造方法。

（７）前記半導体チップの接続端子の大きさと、半導体パッケージ用基板の接続端子の大きさの差が、超音波振動の振幅分以内になるように形成されていることを特徴とする、上記（５）に記載の半導体パッケージの製造方法。

（８）前記押し付けを、圧力０．１〜１０ＭＰａ、加圧時間０．５秒以上の条件下で行い、前記超音波振動を、周波数２０〜５００ｋＨｚ、振幅０．０１μｍ以上、印加時間０．０１秒以上の条件下で加えることを特徴とする、上記（５）〜（７）のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。

本発明によれば、高い生産性を有し、接続抵抗が小さく、接続信頼性の高い基板の接続方法および半導体パッケージの製造方法を提供することができる。

突出した接続端子を有する２つの基板は、通常の回路基板でもよく、また、半導体チップでもよい。回路基板の場合、接続端子は、配線導体と同時に形成されたものでよく、銅箔などの金属箔の不要な個所をエッチング除去して形成することもでき、絶縁基板の上に回路の形状にのみ無電解めっきで形成することもできる。その接続端子上に、バンプと呼ばれる突起状の導体を形成するには、比較的厚い導体の突起部分以外の個所を厚さ方向にハーフエッチングして突起の部分を形成し、さらに薄くなった導体の回路部分を残してほかの部分をエッチング除去することによって形成できる。また、別の方法では、回路を形成した後に、接続端子の個所だけめっきによって厚くする方法でも形成できる。

基板が、半導体チップの場合、接続端子は、通常アルミニウムで構成されるが、さらに、その表面に、ニッケル、金、プラチナなどの貴金属めっきを行うこともでき、さらに、ニッケルや金バンプ、はんだボールなどによる突起を形成することもできる。

突出した接続端子を有する基板上に接着樹脂を供給する方法としては、ワニスやペーストを印刷、スピンコート、ディスペンスする方法、接着フィルムを圧着またはラミネートする方法を用いることができる。

ワニスを用いる場合、突出した接続端子が形成された基板表面全体に印刷やスピンコートによって塗布してもよいし、印刷マスクを用いて、所定の領域のみに塗布してもよい。塗布する領域は任意であるが、突出した接続端子が形成された領域を含む方が望ましい。

ペーストを用いる場合には、突出した接続端子が形成された基板表面全体に印刷によって塗布してもよいし、印刷マスクを用いて、所定領域のみに塗布してもよいし、ディスペンスによって所定の領域に配置してもよい。ペーストを配置する領域は任意であるが、突出した接続端子が形成された領域を含む方が望ましい。

接着フィルムを用いる場合、接着フィルムを個片に切り出して基板表面に配置し、加圧あるいは加熱と加圧を併用して固定してもよいし、真空ラミネータを用いて固定してもよい。接着フィルムを配置する領域は任意であるが、突出した接続端子が形成された領域を含む方が望ましい。また、接着フィルムを突出した接続端子が形成された基板表面全体にラミネートによって貼り付けてもよい。

さらに、接着樹脂として光硬化性を有する樹脂を用いる場合、ペーストを基板表面全体に印刷で塗布したり、フィルムを個片に切り出して基板表面に配置してもよい。また、接続端子が形成された基板表面全体にフィルムをラミネートによって貼り付けてもよい。接着樹脂層を形成する領域は任意であるが、突出した接続端子が形成された領域を含むほうが望ましい。

また、接着樹脂として露光・現像が可能な樹脂を用いる場合、突出した接続端子が形成された基板表面全体に、ペーストを印刷で塗布したり、フィルム状のものをラミネートによって貼り付けることによって接着樹脂層を形成した後、所定の領域のみを露光し、未露光部を現像液を用いて処理することによって除去してもよい。露光する領域は任意であるが、突出した接続端子が形成された領域を含む方が望ましい。

基板表面に接着樹脂層を形成した場合、突出した接続端子を形成していない基板では、形成された接着樹脂層の厚み分の樹脂を排除しなければならないが、突出した接続端子を形成した基板では、形成された接着樹脂層の厚みから接続端子の高さを差し引いた厚み分の樹脂を排除すればよい。このため、排除すべき樹脂量が少なくなり、接続に要する時間を短縮することができる。接着樹脂層の厚さは突出した接続端子の高さから３０μｍ以下になるように形成する。より好ましくは２０μｍ以下になるように形成する。接続端子の高さから３０μｍを越える場合、全体の樹脂量が多くなり、樹脂を硬化させるのに要する時間が長くなり、生産性が低下する。

突出した接続端子を形成した基板表面に形成する接着樹脂層は、未硬化および／または半硬化の熱硬化性樹脂、光硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、未加硫（未架橋）のゴム、露光・現像が可能な樹脂、嫌気性接着剤、を用いることができる。

熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、などのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したもの、あるいはこれらを加熱し、半硬化状にしたものが使用できる。これらの樹脂を、直接、基板と基板、あるいは、基板と半導体チップを接続する箇所に塗布することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着フィルムとして、用いることができる。

光硬化性樹脂としては、不飽和ポリエステル樹脂、ポリエステルアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、シリコーンアクリレート樹脂、エポキシアクリレート樹脂、などのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その光開始剤、硬化剤、硬化促進剤などを混合したもの、あるいはこれらを露光あるいは加熱し、半硬化状にしたものが使用できる。これらの樹脂を、直接、基板と基板、あるいは、基板と半導体チップを接続する箇所に塗布することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、露光、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着フィルムとして、用いることができる。

熱可塑性樹脂としては、ポリカーボネート樹脂、ポリスルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、熱可塑性ポリイミド樹脂、四フッ化ポリエチレン樹脂、六フッ化ポリプロピレン樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、塩化ビニル樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリオキシベンゾエート樹脂、などのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その硬化剤、硬化促進剤などを混合したもの、あるいはこれらを加熱し、半硬化状にしたものが使用できる。これらの樹脂を、直接、基板と基板、あるいは、基板と半導体チップを接続する箇所に塗布することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着フィルムとして、用いることができる。未加硫（未架橋）のゴムとしては、天然ゴム、ニトリルゴム、ブタジエンゴム、シリコーンゴム、イソブチレンゴム、などのうちから選択された１種以上と、必要な場合に、その架橋剤などを混合したもの、あるいはこれらを加熱し、半硬化状にしたものが使用できる。これらの樹脂を、直接、基板と基板、あるいは、基板と半導体チップを接続する箇所に塗布することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着フィルムとして、用いることができる。

露光・現像可能な樹脂としては分子内に遊離のカルボキシル基、スルホン基、フェノール性水酸基などの水溶性官能基を含む光硬化性樹脂を用いることができる。必要な場合には、光開始剤、硬化剤、硬化促進剤などを混合したものを用いることができる。これらの樹脂を、直接、基板と基板、あるいは、基板と半導体チップを接続する箇所に塗布することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムをキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着フィルムとして、用いることができる。

露光・現像が可能で、かつ熱硬化性を有する樹脂としては、分子内に遊離のカルボキシル基、スルホン基、フェノール性水酸基などの水溶性官能基を含む光硬化性樹脂と、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、シアノアクリレート樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、尿素樹脂、ポリイソシアネート樹脂、フラン樹脂、レゾルシノール樹脂、キシレン樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シロキサン変性エポキシ樹脂、シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などの熱硬化性樹脂を任意の割合で混合した樹脂を用いることができる。これらの樹脂を、直接、基板と基板、あるいは、基板と半導体チップを接続する箇所に塗布することもできるが、ポリエチレンテレフタレートフィルムのようなプラスチックフィルムや銅箔あるいはアルミニウム箔のような金属箔をキャリアとし、その表面に塗布し、加熱乾燥してドライフィルム状にした接着フィルムとして、用いることができる。

現像液としては、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化テトラメチルアンモニウムなどの水溶液を用いることができる。

さらには嫌気性接着剤として、テトラエチレングリコールジメタクリレートを用いることもできる。

これらの接着性樹脂層は、共重合体であってもよく、または異種の樹脂の混合体であってもよく、さらに、シリカや金属酸化物などの無機フィラーを含むものでもよく、ニッケル、金、銀などの導電粒子、あるいはこれらの金属をめっきした樹脂粒子であってもよい。

一方の基板にその基板の面方向に超音波振動を加えながら、２つの基板を押し付けるには、下の基板をワークプレートに固定し、上の基板を超音波振動する軸に平行に取り付ける固定具に固定し、その固定具を上から押し付ける機構を有する装置を用いるのが、好ましく、そのときの接続条件は、以下に示す条件の範囲が好ましい。このような範囲で接続するための装置としては、市販のもので、ＳＨ５０ＭＰ（アルテクス株式会社製、商品名）がある。

この接続時の条件は、圧力：０．１〜１０ＭＰａ、超音波の周波数：２０〜５００ｋＨｚ、振動の振幅：０．０１μｍ以上、加圧時間：０．５秒以上、超音波の印加時間：０．０１秒以上の範囲であり、超音波と加圧のタイミングは、加圧時間内に超音波の印加を開始し、加圧時間内に印加が終了すればよい。

圧力が０．１ＭＰａ未満であると、対向する接続端子間に接着剤が残り、接続時の金属の拡散が十分でなく、接続抵抗が高くなるおそれがあり、圧力が１０ＭＰａを超えると、接続端子や配線が破壊されるおそれがある。より好ましくは、０．３〜４．０ＭＰａの範囲である。

超音波の周波数が２０ｋＨｚ未満であると、伝達のエネルギーが大きく、接続に適した大きさに制御するのが困難となり、振動数が５００ｋＨｚを超えると、伝達のエネルギーが小さく、対向する接続端子間に接着剤が残り、接続時の金属の拡散が十分でなく、接続抵抗が高くなるおそれがある。より好ましくは、４０〜１００ｋＨｚの範囲である。

振動の振幅が０．０１μｍ未満であると、対向する接続端子間に接着剤が残り、接続時の金属の拡散が十分でなく、接続抵抗が高くなるおそれがある。より好ましくは、０．１〜１０μｍの範囲である。

加圧時間が、０．５秒未満であると、対向する接続端子間に接着剤が残り、接続時の金属の拡散が十分でなく、接続抵抗が高くなったり、接続信頼性が低下するおそれがあり、加圧時間が長くなると、生産性が低下する。より好ましくは、１００秒以内である。

超音波の印加時間が０．０１秒未満であると、対向する接続端子間に接着剤が残り、接続時の金属の拡散が十分でなく、接続抵抗が高くなったり、接続信頼性が低下するおそれがあり、印加時間が長くなると、生産性が低下したり、接続端子や配線が破壊されるおそれがある。より好ましくは、１０秒以内である。

超音波の印加のタイミングが加圧している間でないと、接続端子が傷ついたり、接続時の位置合わせが精度よくできないおそれがある。

実施例１
（１）回路基板の作製
図１（ａ）に示すように、厚さ３５μｍの銅箔を回路用導体１とし、キャリア２である厚さ２５μmのポリイミドフィルムに貼り合わせたフレキシブル配線板用銅張りフィルムを準備した。

この厚さ３５μmの銅箔に、バンプ３となる個所にエッチングレジストを形成し、厚さ方向に２０μmハーフエッチし、そのエッチングレジストを剥離除去した。

さらに、ドライフィルムレジストを全面にラミネートした後、回路の形状に光を透過するフォトマスクを重ね、紫外線を８０ｍJ／ｃｍ^２照射し、現像液で現像してエッチングレジストを形成し、厚さ１５μmになった個所をエッチング除去して、厚さ３５μmのバンプ３を有する第１の接続端子３１を含む回路を形成した。回路表面には、めっきによってニッケル層、金層を形成して、図１（ｂ）に示すような、回路基板３２とした。

（２）接着層の準備
以下の組成の接着剤を準備した。

（組成）
・フェノキシ樹脂 …２００ｇ
・ビスフェノールＡ …３００ｇ
・硬化剤：２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール … ３０ｇ
・溶剤：酢酸エチル …３５０ｇ
（３）接続
図１（ｂ）に示す回路基板３２上に、上記樹脂を、厚さ８０μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上に厚さ約４５μmの接着層４となるよう、２度塗布し、１００℃で１０分間乾燥したドライフィルム状のものを、半導体チップ５とほぼ同じ大きさに切断し、回路基板３２に、圧力０．１ＭＰａ、８０℃で５秒の条件で熱圧着した（図１（ｃ）に示す。）。この時、バンプ３の直上領域に残っている樹脂層の厚さは２０μmであった。

次に、回路基板３２をワークプレート（図示せず。）に固定し、図１（ｄ）に示すような、第２の接続端子６を有する半導体チップ５を、回路基板３２に重ね、半導体チップ５の角部と、回路基板３２上に設けた位置合わせパターンが重なるように位置合わせをし、半導体チップ５の上に超音波振動する軸に接続した固定具を重ね、圧力を１．７ＭＰａに調整し、超音波振動を５０ｋＨｚ、振幅３μｍに調整し、半導体チップを１８０℃に加熱し、５秒間加圧しながら、超音波振動を０．２秒間加え、回路基板３２と半導体チップ５を接続した（図１（ｅ）に示す。）。

実施例２
（１）回路基板の作製
実施例１と同じものを用いた。

（２）接着層の準備
樹脂として、以下の組成の樹脂を準備した。

（組成）
主剤
・ＴＨＰＡＣ変性クレゾールノボラックエポキシアクリレート …５０ｗｔ％
・ベンジル …１０ｗｔ％
・溶剤：酢酸エチル …４０ｗｔ％
硬化剤
・クレゾールノボラックエポキシアクリレート …３０ｗｔ％
・ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂 …２５ｗｔ％
・多官能アクリレート …２５ｗｔ％
・溶剤：酢酸エチル …２０ｗｔ％
主剤と硬化剤を７０：３０の割合で使用直前に混合した。

（３）接続
図１（ｂ）に示す回路基板３２上に、上記ワニスを印刷によって基板表面からの厚さが４５μｍになるように塗布した後、８０℃で２０分間乾燥して接着樹脂層４１を形成した。（図２（ｆ）に示す。）。

次に、図２（ｇ）に示すようにマスク５１を接着樹脂層４１上に配置して、露光量４００ｍＪ/ｃｍ^２で露光した後、１．０％炭酸ナトリウム水溶液を用いて、温度３０℃、処理時間２０秒、スプレー圧１．３ｋｇｆ/ｃｍ^２で現像して、未露光部の接着樹脂を除去して、図２（ｈ）に示すように接着樹脂層４２を形成した。

第２の接続端子６を有する半導体チップ５を、接着樹脂層４２を形成した回路基板３２に重ね、半導体チップ５の角部と、回路基板３２上に設けた位置合わせパターンが重なるように位置合わせをし、半導体チップ５の上に超音波振動する軸に接続した固定具を重ね、圧力を１．７ＭＰａに調整し、超音波振動を５０ｋＨｚ、振幅３μｍに調整し、半導体チップを１８０℃に加熱し、５秒間加圧しながら、超音波振動を０．２秒間加え、回路基板３２と半導体チップ５を接続した。

比較例１
接続時に超音波を印加せずに、加圧した以外は、実施例１と同様に接続をした。

比較例２
接続時に超音波を印加せずに、加圧した以外は、実施例２と同様に接続をした。

接続に要する時間は、実施例１、２が５秒、比較例１では１０秒、比較例２では２０秒であった。

このようにして作製した半導体チップ搭載基板の、１端子当たりの接続抵抗を調べると、実施例１、２が、１０〜１５ｍΩ、比較例１が３５ｍΩ、比較例２が４０ｍΩであった。

また、接続の信頼性を調べるために、１２５℃で１５分、−５５℃で１５分、を１サイクルとする熱衝撃試験を行い、接続抵抗が、元の１０％を超えるサイクル数を調べたところ、実施例１、２では１０００サイクル以上であったが、比較例１では、７００サイクル、比較例２では、５００サイクルであった。

本発明の半導体パッケージの製造方法の一実施形態を説明するため断面図及び平面図である。図１の（ｃ）における接着樹脂層４を露光・現像により形成する工程を説明するための断面図及び平面図である。

符号の説明

１．回路用導体
２．キャリア
３．バンプ
３１．第１の接続端子
３２．回路基板
４．接着樹脂層
４１．接着樹脂層
４２．接着樹脂層
５．半導体チップ
６．第２の接続端子
７．マスク

Claims

突出した接続端子を有する基板に、接着性樹脂層を形成し、別の接続端子を有する基板と、接続端子同士が向かい合うように重ね、２つの基板を押し付けるとともに、少なくとも一方の基板の面方向に超音波振動を加えることで、前記突出した接続端子上に形成された前記接着性樹脂層を排除しつつ前記接続端子同士を接触させる基板の接続方法。
超音波振動を加える方の基板の接続端子の大きさが、他方の基板の接続端子の大きさよりも、超音波振動の振幅分以上に大きく形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板の接続方法。
超音波振動を加える方の基板の接続端子の大きさと、他方の基板の接続端子の大きさの差が、超音波振動の振幅分以内になるように形成されていることを特徴とする、請求項１に記載の基板の接続方法。
前記押し付けを、圧力０．１〜１０ＭＰａ、加圧時間０．５秒以上の条件下で行い、前記超音波振動を、周波数２０〜５００ｋＨｚ、振幅０．０１μｍ以上、印加時間０．０１秒以上の条件下で加えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか１項に記載の基板の接続方法。
突出した接続端子を有する半導体パッケージ用基板に、接着性樹脂層を形成し、別の接続端子を有する半導体チップと、接続端子同士が向かい合うように重ね、基板と半導体チップを押し付けるとともに、半導体チップの面方向に超音波振動を加えることで、前記突出した接続端子上に形成された前記接着性樹脂層を排除しつつ前記接続端子同士を接触させる半導体パッケージの製造方法。
前記半導体チップの接続端子の大きさが、半導体パッケージ用基板の接続端子の大きさよりも、超音波振動の振幅分以上に大きく形成されていることを特徴とする、請求項５に記載の半導体パッケージ製造方法。
前記半導体チップの接続端子の大きさと、半導体パッケージ用基板の接続端子の大きさの差が、超音波振動の振幅分以内になるように形成されていることを特徴とする、請求項５に記載の半導体パッケージの製造方法。
前記押し付けを、圧力０．１〜１０ＭＰａ、加圧時間０．５秒以上の条件下で行い、前記超音波振動を、周波数２０〜５００ｋＨｚ、振幅０．０１μｍ以上、印加時間０．０１秒以上の条件下で加えることを特徴とする、請求項５〜７のいずれか１項に記載の半導体パッケージの製造方法。