JP2006317443A - 検査装置及び検査方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ターゲットを照射するための照明ビームを提供するようになされた照明システムと、このターゲットから非ゼロ次数回折方向に散乱する放射を検出するようになされた第1の検出システムとを備えた検査装置であって、この検出システムが、ターゲットから非ゼロ次数回折方向に散乱する放射を分散させるための分散エレメントと、該分散エレメントによって分散する放射の強度を測定するように構築され、且つ、配置された放射感応デバイスとを備えている。
【選択図】図1
Description
B 青色サブ・ビーム
Gr 緑色サブ・ビーム
G1、G2 回折格子
IB 照明ビーム
IS 照明システム
L1、L2、L3、L4 レンズ
R 赤色サブ・ビーム
RSD1、RSD2 放射感応検出器(放射感応デバイス、放射感応センサ)
T ターゲット
Claims (17)
- 検査装置であって、
ターゲットを照射するための照明ビームを提供するようになされた照明システムと、
前記ターゲットから非ゼロ次数回折方向に回折する放射を検出するようになされた第1の検出システムであって、
前記ターゲットから非ゼロ次数回折方向に回折する前記放射を分散させるための第1の分散エレメントと、
前記第1の分散エレメントによって分散する前記放射の強度を測定するように構築され、且つ、配置された第1の放射感応デバイスと
を備えた第1の検出システムと、を備えた検査装置。 - 前記照明ビームが広い帯域幅を有し、前記検出システムが、前記ターゲットから回折する前記放射の強度を波長の関数として測定するように構築され、且つ、配置された、請求項1に記載の検査装置。
- 前記帯域幅が約300nmと約700nmの間であって、それぞれその両端も含む、請求項2に記載の検査装置。
- 前記第1の分散エレメントが前記放射を横方向の第1の方向に分散させる横方向分散エレメントであり、前記放射感応デバイスが前記第1の方向に細分化され、細分化された各々が、その細分化された部分が受け取る前記放射の強度を測定するように構築され、且つ、配置された、請求項1又は2に記載の検査装置。
- 前記第1の分散エレメントが、前記放射を前記第1の方向に分散させるようになされ、且つ、配置されたプリズムである、請求項4に記載の検査装置。
- 前記第1の分散エレメントが、前記放射を前記第1の方向に分散させるようになされ、且つ、配置された回折格子である、請求項4に記載の検査装置。
- 前記第1の検出システムが、前記ターゲットを前記第1の放射感応デバイスに投影するためのレンズを備えた、請求項1に記載の検査装置。
- 前記放射感応デバイスがCCDアレイである、請求項1に記載の検査装置。
- 前記照明ビームがキセノン源から照射される、請求項1に記載の検査装置。
- 前記検査装置が、前記ターゲットからゼロ次数回折方向に散乱する放射を検出するようになされた第2の検出システムであって、
前記ターゲットから前記ゼロ次数回折方向に散乱する前記放射を分散させるための第2の分散エレメントと、
前記第2の分散エレメントで分散する前記放射の強度を測定するように構築され、且つ、配置された第2の放射感応デバイスと
を備えた第2の検出システムを備えた、請求項1に記載の検査装置。 - 前記第2の分散エレメントが回折格子である、請求項10に記載の検査装置。
- 基板上のターゲットを検査するための検査装置であって、
前記基板を保持するための基板ホルダと、
前記基板上のターゲットを照射するための照明ビームを提供するようになされた照明システムと、
前記ターゲットから非ゼロ次数回折方向に回折する放射を検出するようになされた第1の検出システムであって、
前記ターゲットから前記非ゼロ次数回折方向に回折する前記放射を分散させるための第1の分散エレメントと、
前記第1の分散エレメントによって分散する前記放射の強度を測定するように構築され、且つ、配置された第1の放射感応デバイスと
を備えた第1の検出システムと、を備えた検査装置。 - 基板上のターゲットを検査する方法であって、
前記ターゲットを照明ビームで照射するステップと、
前記ターゲットから非ゼロ次数方向に回折する放射の少なくとも一部を分散させるステップと、
第1の放射感応デバイス上に前記分散する放射の強度を検出するステップとを含む方法。 - 前記ターゲットが回折格子である、請求項13に記載の方法。
- 前記分散エレメントが前記ターゲットの回折周期より短い回折周期を有する回折格子である、請求項14に記載の方法。
- 前記照明ビームが約300nmと約700nmの間であって、その両端も含む波長を有する、請求項15に記載の方法。
- 検査装置であって、
ターゲットを照射する照明システムと、
前記ターゲットから非ゼロ次数回折方向に回折する放射を検出する放射検出器であって、
i)前記ターゲットから前記非ゼロ次数回折方向に回折する前記放射を分散させる分散光学エレメントと、
ii)前記分散光学エレメントによって分散する前記放射の強度を測定する放射検出器と
を備えた放射検出器とを備えた検査装置。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US11/125,322 US7315384B2 (en) | 2005-05-10 | 2005-05-10 | Inspection apparatus and method of inspection |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006317443A true JP2006317443A (ja) | 2006-11-24 |
Family
ID=37418788
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006130084A Pending JP2006317443A (ja) | 2005-05-10 | 2006-05-09 | 検査装置及び検査方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7315384B2 (ja) |
JP (1) | JP2006317443A (ja) |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20061208 |
|
RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20070524 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080710 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080730 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081030 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090126 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090417 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090624 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090914 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091028 |