JP2006303138A - 半導体製造装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 除電完了前の半導体基板がピンによって押し上げられることを抑制できる半導体製造装置を提供する。
【解決手段】表面に半導体基板１を静電吸着するステージ２２と、ステージ２２の表面から出没できるように設けられ、半導体基板１を上方に持ち上げる、接地された導電性のピン部材３２と、ピン部材の下端に設けられたバネ部材３２ａと、バネ部材３２ａを介してピン部材３２を支持し、上下に移動することによりピン部材３２を上下させるピン台座３４と、ピン台座３４を、ピン部材３２が半導体基板１に押し付けられる位置で一時的に静止させて半導体基板１の除電を行った後、更にピン台座１を上方に移動させる制御部６０とを具備する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、半導体基板を静電吸着する半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、除電完了前の半導体基板がピンによって押し上げられることを抑制できる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関する。

図７（Ａ）は、従来の半導体製造装置の構成を説明する為の断面図である。本図に示す半導体製造装置はエッチング装置又はスパッタリング装置であり、上部電極１１０及び下部電極１２０を有する。下部電極１２０には、半導体基板１０１を静電吸着する静電吸着ステージ１２２が設けられている。下部電極１２０には、下部電極１２０本体及び静電吸着ステージ１２２を上下に貫通する貫通孔１２０ａが複数設けられている。

下部電極１２０の下方にはピン台座１３４が設けられている。ピン台座１３４の上面には複数のリフトピン１３２が設けられている。リフトピン１３２それぞれは、ピン台座１３４が上下に移動することにより、貫通孔１２０ａの中を上下に移動し、静電吸着ステージ１２２の表面から突出する。リフトピン１３２が上昇することにより、半導体基板１０１は静電吸着ステージ１２２の上方に持ち上げられる（例えば特許文献１参照）。
特開２０００−１００９１５号公報（図９）

半導体基板をリフトピンで持ち上げる前には、半導体基板を除電する必要がある。半導体基板を除電する方法としては、半導体基板を持ち上げる前に、接地されたリフトピンを半導体基板の下面に一定期間接触させる方法と、静電吸着ステージに、静電吸着時とは逆電位を一定時間印加する方法とがある。

しかし、静電吸着ステージの消耗度合い、及び半導体基板の裏面の状況等により、除電スピードは異なってくる。従って、上記したいずれの方法においても、半導体基板の除電が完了しない前に半導体基板を持ち上げることがある。また、後者の方法では、逆電位を長時間印加しすぎることにより、半導体基板が再び静電吸着ステージに吸着する場合がある。

これらの場合、図７（Ｂ）に例示するように、半導体基板の除電が完了しない部分（例えば半導体基板の端部１０１ａ）が静電吸着ステージに吸着した状態で、他の部分がリフトピンによって持ち上げられるため、半導体基板が位置ずれを起こす場合があった。

また、リフトピンが上昇することによって、半導体基板のうち静電吸着している部分が静電吸着ステージから強制的に離されることがある。このとき、半導体基板が跳ね上がって上部電極に衝突する場合があった。

本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、除電完了前の半導体基板がピンによって押し上げられることを抑制できる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明に係る半導体製造装置は、表面に半導体基板を静電吸着するステージと、
前記ステージの表面から出没できるように設けられ、前記半導体基板を上方に持ち上げるピン部材と、
前記ピン部材の下端に設けられたバネ部材と、
前記バネ部材を介して前記ピン部材を支持し、上下に移動することにより前記ピン部材を上下させるピン台座と、
前記ピン台座を上下させる駆動機構と、
前記半導体基板を除電する除電手段と、
前記バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定するバネ部材測定手段と、
前記駆動機構を制御することにより、前記ピン台座を、前記ピン部材が前記半導体基板に押し付けられる位置で一時的に静止させ、前記半導体基板の除電が完了した後、更に前記ピン台座を上方に移動させる制御部とを具備し、
前記制御部は、前記バネ部材測定手段の測定結果に基づいて、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断する。

前記半導体基板の除電が完了する前後において、バネ部材に加わる荷重は、半導体基板に加わる静電吸着力の有無により変化する。このため、この荷重の変化、又はバネ部材の収縮量の変化を測定することにより、除電が完了したか否かを判断することができる。従って、除電完了前の半導体基板がピンによって押し上げられることを抑制できる。
前記半導体製造装置は、例えばスパッタリング装置又はエッチング装置である。

前記ピン部材は、導電性である場合、前記除電手段を兼ねていてもよい。前記バネ部材及び前記ピン台座は導電性である場合、前記ピン部材は、前記バネ部材及び前記ピン台座を介して接地されていてもよい。
また、前記除電手段は、前記ステージに電位を印加する電荷調整手段であってもよい。

本発明に係る他の半導体製造装置は、表面に半導体基板を静電吸着するステージと、
前記半導体基板を前記ステージから持ち上げる基板上昇手段と、
前記ステージの表面から出没できるように設けられ、前記半導体基板に押し付けられることにより前記半導体基板を除電する、導電性のピン部材と、
前記ピン部材の下端に設けられたバネ部材と、
前記バネ部材を介して前記ピン部材を支持し、上下に移動することにより前記ピン部材を上下させるピン台座と、
前記バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定するバネ部材測定手段と、
前記バネ部材測定手段の測定結果に基づいて、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断し、前記半導体基板の除電が完了したと判断した後、前記基板上昇手段を動作させて前記半導体基板を前記ステージから持ち上げる制御部とを具備する。

前記基板上昇手段は、前記ステージの表面から出没できるように設けられたリフトピンである場合、前記リフトピンは、前記ピン部材より前記半導体基板の中心部側に位置しているのが好ましい。このようにすると、搬送アームが半導体基板を搬送するとき、前記リフトピンが搬送アームの動作の妨げになることが抑制される。

前記半導体基板は半導体ウェハである場合、前記ピン部材は、前記半導体ウェハと同心の円に沿って複数設けられていてもよい。この場合、前記円の半径は、前記半導体ウェハの半径の０．２倍以上０．６倍未満であるのが好ましい。

前記ピン部材が複数設けられている場合、前記ピン台座及び前記バネ部材は、前記ピン部材毎に複数設けられていてもよい。また、前記バネ部材は前記ピン部材毎に複数設けられ、これらバネ部材が同一の前記ピン台座に取り付けられていてもよい。

本発明に係る半導体装置の製造方法は、ステージの表面に半導体基板を静電吸着し、該半導体基板を処理する工程と、
導電性のピン部材がバネ部材を介して取り付けられたピン台座を上昇させることにより、前記導電性のピン部材を、前記ステージに設けられた開口部内を上昇させて前記半導体基板に押し付けることにより、前記半導体基板を除電する工程と、
バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定することにより、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断する工程と、
前記半導体基板の除電が完了したと判断した後に、前記ピン台座を更に上昇させることにより、前記半導体基板を上方に持ち上げる工程とを具備する。

本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、ステージの表面に半導体基板を静電吸着し、該半導体基板を処理する工程と、
バネ部材を介してピン部材が取り付けられたピン台座を上昇させることにより、前記ピン部材を、前記ステージに設けられた開口部内を上昇させて前記半導体基板に押し付ける工程と、
前記半導体基板を除電する工程と、
バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定することにより、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断する工程と、
前記半導体基板の除電が完了したと判断した後に、前記ピン台座を更に上昇させることにより、前記半導体基板を上方に持ち上げる工程とを具備する。

本発明に係る他の半導体装置の製造方法は、ステージの表面に半導体基板を静電吸着し、該半導体基板を処理する工程と、
バネ部材を介して導電性のピン部材が取り付けられたピン台座を上昇させることにより、前記導電性のピン部材を、前記ステージに設けられた開口部内を上昇させて前記半導体基板に押し付けることにより、前記半導体基板を除電する工程と、
バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定することにより、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断する工程と、
前記半導体基板の除電が完了したと判断した後に、半導体基板を持ち上げる半導体上昇手段を用いて、前記半導体基板を上方に持ち上げる工程とを具備する。

発明を実施するための形態

以下、図面を参照して本発明の実施形態について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る半導体製造装置の断面概略図である。この半導体製造装置は、エッチング装置又はスパッタリング装置であり、上部電極１０及び下部電極２０を有する。下部電極２０には、シリコンウェハ１を静電吸着する静電吸着ステージ２２が設けられている。この半導体装置を用いて静電吸着ステージ２２上のシリコンウェハ１を処理する場合、上部電極１０に高周波が入力される。これにより、上部電極１０と下部電極２０の間にはプラズマが生成し、このプラズマによってエッチング又はスパッタリングが行われる。

下部電極２０には貫通孔２０ａが複数設けられている。複数の貫通孔２０ａは、シリコンウェハ１と同心の円に沿って配置されている。この円の半径は、シリコンウェハ１の半径の０．２倍以上０．６倍以下であるのが好ましい。貫通孔２０ａそれぞれは、下部電極２０本体及び静電吸着ステージ２２を上下に貫通している。

下部電極２０の下方にはピン台座３４が設けられている。ピン台座３４の上面には、複数のリフトピン３２が、それぞれコイルバネ３２ａを介して取り付けられている。リフトピン３２それぞれは、ピン台座３４が上下に移動することにより、貫通孔２０ａの中を上下に移動する。リフトピン３２が上昇して静電吸着ステージ２２の表面上に突出することにより、処理後のシリコンウェハ１は静電吸着ステージ２２の上方に持ち上げられる。持ち上げられたシリコンウェハ１は、搬送アーム（図示せず）によって搬送される。なお、ピン台座３４は、モーター４０を動力源として、上下に移動する。

ピン台座３４の上面には、複数の圧力センサー３４ａが設けられている。圧力センサー３４ａそれぞれは、複数のコイルバネ３２ａそれぞれに加わる荷重を検出し、制御部６０に出力する。制御部６０は、圧力センサー３４ａの検出結果を参照しつつ、モーター４０を制御する。

なお、リフトピン３２及びコイルバネ３２ａそれぞれは、導電性の材料（例えばステンレス）から形成されており、ピン台座３４を介して接地されている。

図２（Ａ）及び（Ｂ）は、シリコンウェハ１を持ち上げるときの半導体製造装置の動作を説明する為の断面図である。
まず、図２（Ａ）に示すように、制御部６０はモーター４０を動作させて、ピン台座３４、複数のコイルバネ３２ａ、及び複数のリフトピン３２それぞれを上昇させる。そして、リフトピン３２の上端それぞれがシリコンウェハ１の裏面に押し付けられる位置で、モーター４０を一時的に停止させる。これにより、シリコンウェハ１の除電が行われる。この停止位置は、除電が完了した場合に、シリコンウェハ１が静電吸着ステージ２２の表面から１ｍｍ以上１ｃｍ以下浮くような位置とするのが好ましい。

なお、シリコンウェハ１の裏面にリフトピン３２の上端が押し付けられる前後において、コイルバネ３２ａそれぞれに加わる荷重が変化する。このため、制御部６０は、圧力センサー３４ａに加わる荷重の変化に基づいて、モーター４０を一時的に停止させるタイミングを判断することもできる。

また、シリコンウェハ１の裏面にリフトピン３２の上端が押し付けられる前後において、モーター４０に流れる電流量も変化するため、制御部６０は、この電流量の変化に基づいて、モーター４０を一時的に停止させるタイミングを判断することもできる。

複数のリフトピン３２は、シリコンウェハ１と同心の円に沿って配置されているが、この円の半径は、シリコンウェハ１の半径の０．２倍以上０．６倍以下である。このため、シリコンウェハ１には、リフトピン３２から大きく離れている部分が生じない。従って、シリコンウェハ１の除電は効率よく行われる。

なお、シリコンウェハ１は、縁の部分が除電されにくい。このため、図２（Ａ）に示すように、シリコンウェハ１は、中央部分がリフトピン３２によって少し持ち上げられ、縁が静電吸着ステージ２２に吸着された状態になる。この状態において、コイルバネ３２ａのそれぞれに加わる荷重の和には、シリコンウェハ１に加わる重力と、シリコンウェハ１の縁に加わる静電力が影響する。

除電が進んでいくと、シリコンウェハ１の縁は、除電が完了した部分から静電吸着ステージ２２から離れていく。そして、この離れた部分の近傍に位置するリフトピン３２は、上端がシリコンウェハ１の裏面に当接したまま上昇する。そして、このリフトピン３２を支持するコイルバネ３２ａに加わる荷重が小さくなる。

次いで、図２（Ｂ）に示すように除電が完了すると、シリコンウェハ１の全体が静電吸着ステージ２２から離れる。この状態において、コイルバネ３２ａそれぞれに加わる荷重の和は、シリコンウェハ１に加わる重力に略等しくなる。従って、制御部６０は、圧力センサー３４ａの検出結果に基づいて、シリコンウェハ１の除電が完了したと判断することができる。
また、コイルバネ３２ａそれぞれは、図２（Ａ）の状態と比べて少し（例えば１ｍｍ以上１ｃｍ以下）伸張する。

その後、制御部６０はモーター４０を動作させて、ピン台座３４、複数のコイルバネ３２ａ、及び複数のリフトピン３２それぞれを更に上昇させる。その後、搬送アーム（図示せず）がシリコンウェハ１を搬送する。

以上、本発明の第１の実施形態によれば、複数のリフトピン３２それぞれとピン台座３４の間に、コイルバネ３２ａを設けている。シリコンウェハ１の除電が完了する前後で、コイルバネ３２ａに加わる荷重が変化するため、この荷重の変化を圧力センサー３４ａで測定することにより、シリコンウェハ１の除電が完了したか否かを判断することができる。
従って、除電完了前の半導体基板がピンによって押し上げられることを抑制できる。

なお、圧力センサー３４ａの代わりに、コイルバネ３２ａの長さの変化を測定する測定手段を設け、この測定手段の測定結果に基づいて制御部６０がモーター４０を制御しても、上記した効果を得ることができる。

図３は、第２の実施形態に係る半導体製造装置の構成を説明する為の断面図である。本実施形態に係る半導体製造装置は、ピン台座３４及びモーター４０が、リフトピン３２及びコイルバネ３２ａの組み合わせそれぞれ毎に分離して設けられている点を除いて、第１の実施形態と同一の構成を有する。また、本半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法も、第１の実施形態に係る半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法と同一である。
以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

本実施形態によっても、第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、リフトピン３２の高さを個別に制御できる。例えば、シリコンウェハ１の除電が完了した部分の近くに位置するリフトピン３２は、他のリフトピン３２より少し上に上がるが、このリフトピン３２の高さを少し下げ、他のリフトピン３２の高さと合わせることができる。

図４は、第３の実施形態に係る半導体製造装置の構成を説明する為の断面図である。本実施形態に係る半導体製造装置は、リフトピン３２及びコイルバネ３２ａが接地されておらず、シリコンウェハ１の除電が電荷調整部５０を用いて行われる点を除いて、第１の実施形態と同一の構成である。また、本半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法も、第１の実施形態に係る半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法と同一である。
以下、第１の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

電荷調整部５０は、静電吸着ステージ２２に電位を加えることにより、静電吸着ステージ２２の電荷を調節する。シリコンウェハ１の除電を行う場合、電荷調整部５０は、シリコンウェハ１を静電吸着する場合とは逆の電位を静電吸着ステージ２２に加える。これにより、シリコンウェハ１の除電が行われる、なお、電荷調整部５０は、制御部６０によって制御されている。

また、シリコンウェハ１の除電を行う場合、制御部６０は、除電開始前にモーター４０を動作させて、ピン台座３４、複数のコイルバネ３２ａ、及び複数のリフトピン３２それぞれを上昇させる。そして、リフトピン３２の上端それぞれがシリコンウェハ１の裏面に押し付けられる位置で、モーター４０を一時的に停止させる。

そして、第１の実施形態と同様の作用により、シリコンウェハ１の除電が完了する前後で、コイルバネ３２ａに加わる荷重が変化する。この荷重の変化を圧力センサー３４ａで測定することにより、シリコンウェハ１の除電が完了したか否かを判断することができる。
従って、本実施形態によっても第１の実施形態と同一の効果を得ることができる。

図５は、第４の実施形態に係る半導体製造装置の構成を説明する為の断面図である。本実施形態に係る半導体製造装置は、ピン台座３４及びモーター４０が、リフトピン３２及びコイルバネ３２ａの組み合わせそれぞれ毎に分離して設けられている点を除いて、第３の実施形態と同一の構成を有する。また、本半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法も、第３の実施形態に係る半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法と同一である。このため、第３の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

本実施形態によっても、第３の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、第２の実施形態と同様に、リフトピン３２の高さを個別に制御できる。

図６は、第５の実施形態に係る半導体製造装置の構成を説明する為の断面図である。本実施形態に係る半導体装置は、下部電極２０に貫通孔２０ｂが設けられている点、並びにリフトピン７２、リフトピン７２のピン台座７４、及びピン台座７４を上下動させるモーター７６が設けられている点を除いて、第２の実施形態と同一の構成を有する。
以下、第２の実施形態と同一の構成については同一の符号を付し、説明を省略する。

貫通孔２０ｂは、貫通孔２０ａよりシリコンウェハ１の中心側に位置しており、下部電極２０本体及び静電吸着ステージ２２を上下に貫通している。リフトピン７２は、貫通孔２０ｂの中を上昇することにより、除電が完了したシリコンウェハ１を上方に持ち上げる。また、モーター７６は制御部６０によって制御される。

本半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法は、シリコンウェハ１を静電吸着ステージ２２の上方に持ち上げるときの半導体製造装置の動作を除いて、第２の実施形態に係る半導体製造装置を用いて半導体装置を製造する方法と同一である。

本実施形態において、シリコンウェハ１を静電吸着ステージ２２の上方に持ち上げる場合、制御部６０は、まず、モーター４０それぞれが動作させて、ピン台座３４、コイルバネ３２ａ及びリフトピン３２それぞれを上昇させる。そして、リフトピン３２の上端それぞれがシリコンウェハ１の裏面に押し付けられる位置で、モーター４０を一時的に停止させる。これにより、シリコンウェハ１の除電が行われる。

シリコンウェハ１の除電が完了したら、制御部６０は、モーター７６を動作させてピン台座７４及びリフトピン７２を上昇させる。これにより、シリコンウェハ１はリフトピン７２によって上方に持ち上げられ、搬送アーム（図示せず）によって搬送される。なお、シリコンウェハ１の除電が完了したか否かを判断する方法は、第２の実施形態と同一である。

本実施形態によっても第２の実施形態と同一の効果を得ることができる。また、搬送アームがシリコンウェハ１を搬送するとき、シリコンウェハ１はリフトピン７２によって持ち上げられている。リフトピン７２はリフトピン３２よりシリコンウェハ１の中心側に位置しているため、搬送アームがシリコンウェハ１を搬送しやすくなる。

なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。

第１の実施形態に係る半導体製造装置の断面概略図。 （Ａ）はシリコンウェハ１を持ち上げるときの半導体製造装置の動作を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）の次の動作を説明する為の断面図。 第２の実施形態に係る半導体製造装置の構成を説明する為の断面図。 第３の実施形態に係る半導体製造装置の構成を説明する為の断面図。 第４の実施形態に係る半導体製造装置の構成を説明する為の断面図。 第５の実施形態に係る半導体製造装置の構成を説明する為の断面図。 （Ａ）は従来の半導体製造装置の構成を説明する為の断面図、（Ｂ）は（Ａ）に示す半導体製造装置の課題を説明する為の断面図。

符号の説明

１，１０１…シリコンウェハ、１０，１１０…上部電極、２０，１２０…下部電極、２０ａ，２０ｂ，１２０ａ…貫通孔、２２，１２２…静電吸着ステージ、３２，７２，１３２リフトピン、３２ａ…コイルバネ、３４，７４，１３４…ピン台座、３４ａ…圧力センサー、４０，７６…モーター、５０…電荷調整部、６０…制御部

Claims (13)

1. 表面に半導体基板を静電吸着するステージと、
   前記ステージの表面から出没できるように設けられ、前記半導体基板を上方に持ち上げるピン部材と、
   前記ピン部材の下端に設けられたバネ部材と、
   前記バネ部材を介して前記ピン部材を支持し、上下に移動することにより前記ピン部材を上下させるピン台座と、
   前記ピン台座を上下させる駆動機構と、
   前記半導体基板を除電する除電手段と、
   前記バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定するバネ部材測定手段と、
   前記駆動機構を制御することにより、前記ピン台座を、前記ピン部材が前記半導体基板に押し付けられる位置で一時的に静止させ、前記半導体基板の除電が完了した後、更に前記ピン台座を上方に移動させる制御部と、
   を具備し、
   前記制御部は、前記バネ部材測定手段の測定結果に基づいて、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断する半導体製造装置。
2. 前記ピン部材は導電性であり、前記除電手段を兼ねている請求項１に記載の半導体製造装置。
3. 前記バネ部材及び前記ピン台座は導電性であり、
   前記ピン部材は、前記バネ部材及び前記ピン台座を介して接地されている請求項２に記載の半導体製造装置。
4. 前記除電手段は、前記ステージに電位を印加する電荷調整手段である請求項１に記載の半導体製造装置。
5. 表面に半導体基板を静電吸着するステージと、
   前記半導体基板を前記ステージから持ち上げる基板上昇手段と、
   前記ステージの表面から出没できるように設けられ、前記半導体基板に押し付けられることにより前記半導体基板を除電する、導電性のピン部材と、
   前記ピン部材の下端に設けられたバネ部材と、
   前記バネ部材を介して前記ピン部材を支持し、上下に移動することにより前記ピン部材を上下させるピン台座と、
   前記バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定するバネ部材測定手段と、
   前記バネ部材測定手段の測定結果に基づいて、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断し、前記半導体基板の除電が完了したと判断した後、前記基板上昇手段を動作させて前記半導体基板を前記ステージから持ち上げる制御部と、
   を具備する半導体製造装置。
6. 前記基板上昇手段は、前記ステージの表面から出没できるように設けられたリフトピンであり、
   前記リフトピンは、前記ピン部材より前記半導体基板の中心部側に位置している請求項５に記載の半導体製造装置。
7. 前記半導体基板は半導体ウェハであり、
   前記ピン部材は、前記半導体ウェハと同心の円に沿って複数設けられており、
   前記円の半径は、前記半導体ウェハの半径の０．２倍以上０．６倍未満である請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
8. 前記ピン部材は複数設けられ、
   前記ピン台座及び前記バネ部材は、前記ピン部材毎に複数設けられている請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
9. 前記ピン部材は複数設けられ、
   前記バネ部材は前記ピン部材毎に複数設けられ、同一の前記ピン台座に取り付けられている請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
10. 前記半導体製造装置はスパッタリング装置又はエッチング装置である請求項１〜９のいずれか一項に記載の半導体製造装置。
11. ステージの表面に半導体基板を静電吸着し、該半導体基板を処理する工程と、
    導電性のピン部材がバネ部材を介して取り付けられたピン台座を上昇させることにより、前記導電性のピン部材を、前記ステージに設けられた開口部内を上昇させて前記半導体基板に押し付けることにより、前記半導体基板を除電する工程と、
    バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定することにより、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断する工程と、
    前記半導体基板の除電が完了したと判断した後に、前記ピン台座を更に上昇させることにより、前記半導体基板を上方に持ち上げる工程と、
    を具備する半導体装置の製造方法。
12. ステージの表面に半導体基板を静電吸着し、該半導体基板を処理する工程と、
    バネ部材を介してピン部材が取り付けられたピン台座を上昇させることにより、前記ピン部材を、前記ステージに設けられた開口部内を上昇させて前記半導体基板に押し付ける工程と、
    前記半導体基板を除電する工程と、
    バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定することにより、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断する工程と、
    前記半導体基板の除電が完了したと判断した後に、前記ピン台座を更に上昇させることにより、前記半導体基板を上方に持ち上げる工程と、
    を具備する半導体装置の製造方法。
13. ステージの表面に半導体基板を静電吸着し、該半導体基板を処理する工程と、
    バネ部材を介して導電性のピン部材が取り付けられたピン台座を上昇させることにより、前記導電性のピン部材を、前記ステージに設けられた開口部内を上昇させて前記半導体基板に押し付けることにより、前記半導体基板を除電する工程と、
    バネ部材に加わる荷重、又は前記バネ部材の収縮量を測定することにより、前記半導体基板の除電が完了したか否かを判断する工程と、
    前記半導体基板の除電が完了したと判断した後に、半導体基板を持ち上げる半導体上昇手段を用いて、前記半導体基板を上方に持ち上げる工程と、
    を具備する半導体装置の製造方法。

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