JP2006298714A - 酸化物焼結体、スパッタリングターゲットおよび透明導電膜 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】一般式Zn1-xAxO(式中、AはTiおよびHfからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を表し、xの値の範囲は、0.05≦x≦0.40である)で表示される酸化物焼結体を用いてスパッタリングターゲットを作製する。作製したスパッタリングターゲットを用いてスパッタリングを実施して、透明導電膜を作製する。
【選択図】 図1
Description
市販のZnO粉末(白水化学製)とTiO2粉末(高純度化学製TIO11PB、3N、粒径2μm)を、一般式Zn1-xTixOにおいて、原子比xが0.10、0.25、0.35となるように適量秤量し、x=0.10のときを実施例1、x=0.25のときを実施例2、x=0.35のときを実施例3とした。そして、それぞれについて、蒸留水を加えてボールミルで混合し、乾燥させた後、カーボン製のホットプレス用の型に充填し、ホットプレスを行った。ホットプレス条件は、真空中で、温度を1300℃とし、ホットプレス圧力を19.6MPa(200kgf/cm2)とし、ホットプレス時間を1時間とした。
一般式Zn1-xTixOにおける原子比xが、x=0.03(比較例1)、x=0.50(比較例2)となるように秤量した以外は、実施例1〜3と同様にしてターゲットを作製するとともに、実施例1〜3と同様の測定を行った。測定結果を表1に示す。
TiO2粉末をHfO2粉末(高純度化学製HFO01PB、98%、粒径2μm)に変え、一般式Zn1-xHfxOにおける原子比xが、x=0.10(実施例4)、x=0.25(実施例5)、x=0.35(実施例6)となるように秤量した。それ以外は、実施例1〜3と同様にしてターゲットを作製するとともに、実施例1〜3と同様の測定を行った。測定結果を表1に示す。
一般式Zn1-xHfxOにおける原子比xが、x=0.03(比較例3)、x=0.50(比較例4)となるように秤量した以外は、実施例4〜6と同様にしてターゲットを作製するとともに、実施例4〜6と同様の測定を行った。測定結果を表1に示す。
添加元素を従来から用いられているAl2O3(高純度化学製ALO05PB、3N、粒径2〜3μm)に変え、一般式Zn1-xAlxOにおける原子比xが、x=0.1となるように秤量した以外は、実施例1〜3と同様にしてターゲットを作製するとともに、実施例1〜3と同様の測定を行った。測定結果を表1に示す。
2 ターゲット
3 直流電源
4 ガラス基板
5 供給管
6 マグネット
Claims (6)
- 一般式Zn1-xAxO(式中、AはTiおよびHfからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を表し、xの値の範囲は、0.05≦x≦0.40である)で表示される酸化物焼結体。
- 請求項1に記載の酸化物焼結体を平板状に加工し、冷却用金属板に貼り合わせたスパッタリングターゲット。
- 一般式Zn1-xAxO(式中、AはTiおよびHfからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を表し、xの値の範囲は、0.03≦x≦0.25である)で表示される透明導電膜。
- 請求項3に記載の透明導電膜を電極に用いた太陽電池。
- 一般式Zn1-xAxO(式中、AはTiおよびHfからなる群より選ばれた少なくとも一種の元素を表し、xの値の範囲は、0.05≦x≦0.40である)で表示される酸化物焼結体を用いたスパッタリングターゲットをスパッタリング装置の真空容器内に取り付け、該真空容器内の圧力が1×10-4Pa以上の状態で不活性ガスを該真空容器内に導入し、スパッタリングを行うことを特徴とする透明導電膜の製造方法。
- 前記不活性ガスがアルゴンガスである請求項5に記載の透明導電膜の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2006298714A true JP2006298714A (ja) | 2006-11-02 |
JP5167575B2 JP5167575B2 (ja) | 2013-03-21 |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5167575B2 (ja) |
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JP5167575B2 (ja) | 2013-03-21 |
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