JP2006298607A - 基板処理方法、基板搬送装置及び搬送装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 被処理基板の撓みを抑えることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】 保持台２の上方の位置まで、被処理基板７を、被処理基板よりも撓みにくい支持板８に載せた状態で搬送する。複数のリフトピン４を保持面３から突出させた状態で、複数のリフトピン４により、被処理基板７が載った支持板８を支持する。被処理基板７が載った支持板８が保持面３に着地するように、複数のリフトピン４を下降させ、被処理基板７が載った支持板８を保持面３で保持する。被処理基板７が載った支持板８を保持面３で保持した状態で、被処理基板７にアニール処理を施す。複数のリフトピン４を保持面３から突出させて、処理済みの被処理基板７が載った支持板８を持ち上げ、処理済みの被処理基板７が載った支持板８を、保持台２の上方の位置から搬出する。
【選択図】 図２

Description

本発明は、被処理基板を処理する基板処理方法、及び被処理基板を搬送する基板搬送装置に関する。

図６を参照し、従来の基板処理装置について説明する（特許文献１参照）。被処理基板６１の厚さ方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座標系を考える。図６(Ａ)は、Ｚ軸に平行な視線でみた平面図であり、図６(Ｂ)は、Ｘ軸に平行な視線でみた正面図である。

図６(Ａ)に示すように、被処理基板６１は、保持台６２上に載置される。ロードアーム６３及びアンロードアーム６４が、保持台６２からＹ方向に離間した位置で待機している。ロードアーム６３及びアンロードアーム６４は、Ｚ軸方向に離間して配置されている。なお、図６(Ａ)は、両者がＸＹ面内方向に関して相互に重なった位置で待機した状態を示す。ロードアーム６３及びアンロードアーム６４は、被処理基板６１のＸ方向両端部を支持した状態で、被処理基板６１を搬送することができる。

図６(Ｂ)に示すように、保持台６２は、昇降可能な複数のリフトピン６２ａを有する。リフトピン６２ａは、保持台６２の表面から突出した状態で、被処理基板６１を水平に支持することができるよう、図６(Ａ)にも示すように、保持台６２の表面内に分布している。

以下、この基板処理装置の動作を説明する。まず、未処理の被処理基板６１を支持したロードアーム６３が、保持台６２の上方の位置に移動する。次に、保持台６２の表面からリフトピン６２ａが上昇する。これにより、複数のリフトピン６２ａによって未処理の被処理基板６１が支持される。その後、ロードアーム６３は保持台６２の位置から退く。次に、リフトピン６２ａが下降し、未処理の被処理基板６１が保持台６２の表面において保持される。この状態で、被処理基板６１に露光処理が施される。

次に、リフトピン６２ａが上昇し、処理済みの被処理基板６１が持ち上げられる。次に、アンロードアーム６４が、持ち上げられた被処理基板６１の裏面と、保持台６２の表面との間に進入する。次に、複数のリフトピン６２ａが下降することにより、処理済みの被処理基板６１が、アンロードアーム６４に支持される。その後、アンロードアーム６４が、処理済みの被処理基板６１を保持台６２の位置から搬出する。

特開２００１−１７６９４７号公報

図７(Ａ)は、図６(Ａ)及び(Ｂ)のロードアーム６３（又はアンロードアーム６４。以下同じ。）によって被処理基板６１が支持されている様子を示す概略図である。ロードアーム６３によってＸ軸方向両端部を支持された被処理基板６１のＸ軸方向中央部が撓んでいる。将来、被処理基板６１が大型化及び薄型化されると、被処理基板６１の撓みは大きくなると考えられる。被処理基板６１の撓みが大きくなると、搬送時等に被処理基板６１が破損してしまうことも考えられる。

図７(Ｂ)は、図６(Ａ)及び(Ｂ)のリフトピン６２ａによって被処理基板６１が支持されている様子を示す概略図である。リフトピン６２ａによって支持されているときにも被処理基板６１に撓みが生じている。被処理基板６１の裏面と保持台６２の上面との間に、ロードアーム６３が進入するための隙間Ｃを確保することが必要である。被処理基板６１の撓みが大きい程、隙間Ｃを確保するために必要なリフトピン６２ａの高さを高く設計する必要がある。例えば、保持台６２をチャンバ内に配置する構成を採る場合には、リフトピン６２ａの高さが高くなる程、チャンバの高さも高く設計する必要があり、チャンバの大型化を招くことになる。

本発明の目的は、被処理基板の撓みを抑えることができる基板処理方法及び基板搬送装置を提供することにある。

本発明の一観点によれば、（Ａ）保持面を画定するとともに、該保持面から突出するように上昇し、かつ下降することができる複数のリフトピンを備えた保持台の上方の位置まで、被処理基板を、該被処理基板よりも撓みにくい支持板に載せた状態で搬送する工程と、（Ｂ）前記複数のリフトピンを前記保持面から突出させた状態で、該複数のリフトピンにより、該被処理基板が載った支持板を支持する工程と、（Ｃ）前記被処理基板が載った支持板が前記保持面に着地するように、前記複数のリフトピンを下降させ、該被処理基板が載った支持板を前記保持面で保持する工程と、（Ｄ）前記被処理基板が載った支持板を前記保持面で保持した状態で、該被処理基板に処理を施す工程と、（Ｅ）前記複数のリフトピンを前記保持面から突出させて、処理済みの被処理基板が載った前記支持板を持ち上げ、該処理済みの被処理基板が載った支持板を、前記保持台の上方の位置から搬出する工程と
を有する基板処理方法が提供される。

本発明の他の観点によれば、被処理基板を、貫通孔を有する支持板に載せた状態で支持し、かつ搬送することができる支持ハンドと、前記支持板を支持する基部、及び該基部から上方に突出し、前記支持板の貫通孔に挿通することができる突出部を有する着脱具と、前記被処理基板が、前記突出部の頂上部で支持され、前記貫通孔が前記突出部に貫かれた状態の支持板が、前記基部で支持されるように、前記着脱具と前記支持ハンドとの少なくとも一方を他方に対して上下方向に相対変位させる制御、及び前記被処理基板が前記支持板に載るように、前記基部で前記支持板を支持し、前記突出部の頂上部で前記被処理基板を支持している着脱具と前記支持ハンドとの少なくとも一方を他方に対して上下方向に相対変位させる制御を行う制御装置とを備えた基板搬送装置が提供される。

本発明の基板処理方法によれば、被処理基板を、被処理基板よりも撓みにくい支持板に載せた状態で搬送するので、搬送時に被処理基板に撓みが生じることを抑えることができる。また、リフトピンが、被処理基板が載った支持板を支持するので、リフトピンによって支持されている際に、被処理基板が撓むことを抑制できる。

本発明の基板搬送装置によれば、着脱具の位置において、被処理基板を支持板に載せることができ、かつ被処理基板が載った支持板から被処理基板を脱離させることができるので、被処理基板ごとに別の支持板を用意する必要がなくなる。即ち、１枚の支持板を用いながら、複数枚の被処理基板を順次処理することが可能となる。

図１に、実施例によるレーザアニール処理装置の概略図を示す。上下方向をＺ軸方向とするＸＹＺ直交座標系を考える。図１は、Ｚ軸に平行な視線でみたレーザアニール処理装置の断面図である。気密構造を有するプロセスチャンバ１内に、保持台２が配置されている。保持台２は、その表面に保持面３を画定している。保持台２は、ＸＹステージ１１によりＸＹ面に平行な方向に移動される。また、保持台２は、複数（ここでは７つ）のリフトピン４を有する。リフトピン４の各々は、保持面３から突出するように上昇し、かつ下降することができる。

図２(Ａ)及び(Ｂ)に、図１の一点鎖線Ａ−Ａにおける保持台２の断面図を示す。図２(Ａ)はリフトピン４が保持面３から突出している状態を示し、図２(Ｂ)はリフトピン４の先端が保持面３の位置又はそれよりも低い位置に没入している状態を示す。図２(Ａ)及び(Ｂ)に示すように、保持台２には、各々保持面３に開口した複数の吸引用孔５が形成されている。各吸引用孔５の開口の直径は、例えば１ｍｍ以下である。真空ポンプ６が、各吸引用孔５の内部空洞を真空引きする。

図２(Ａ)に示すように、複数のリフトピン４は、保持面３から突出した状態で、被処理基板７が載った支持板８を水平に支持することができる。被処理基板７は、ガラス板上に、アモルファスシリコン膜を形成したものである。被処理基板７のサイズは、平面視において、例えば７３０ｍｍ×９２０ｍｍである。被処理基板７の厚さは、例えば０．７ｍｍである。

支持板８は、被処理基板７よりも曲げ剛性が高く、被処理基板７よりも撓みにくい。また、支持板８は、その表裏面間を連通させる多数の微細な気孔を内部に有する多孔質体である。具体的には、支持板８は、例えばアルミナ等の金属からなる粉粒物を焼結して得ることができる。支持板８には、複数の貫通孔８ａが形成されている。各貫通孔８ａの開口の直径は、各リフトピン４の太さ（例えば、８ｍｍ）よりも小さい。具体的には、各貫通孔８ａの開口の直径は、例えば５ｍｍである。

図２(Ｂ)に示すように、保持台２は、リフトピン４を保持面３の下方に没入させた状態で、保持面３において被処理基板７が載った支持板８を保持する。支持板８がその表裏面間を連通させる多孔質構造を有するため、真空ポンプ６の吸引力によって、被処理基板７及び支持板８を保持面３に吸着させて保持することができる。

図３に、プロセスチャンバ１のＸＺ平面に平行な断面図を示す。保持面３において被処理基板７及び支持板８を保持している様子を示す。なお、図３では、図１のリフトピン４の図示、及び支持板８の貫通孔８ａの図示を省略している。

プロセスチャンバ１に、ガス導入管１２とガス排気管１３とが接続されている。ガス導入管１２からプロセスチャンバ１内に不活性ガス、具体的には例えばＮ_２ガスが供給され、ガス排気管１３からプロセスチャンバ１内のガスが排気される。また、プロセスチャンバ１の上壁の一部は、窓１４で構成されている。窓１４は、処理用レーザ光Ｌを透過させる材料からなる。

プロセスチャンバ１の外部に、レーザ出射装置１５が配置されている。レーザ出射装置１５は、例えばレーザ発振器とビームホモジナイザとを含んで構成される。レーザ出射装置１５が処理用レーザ光Ｌを出射する。処理用レーザ光Ｌは、例えば紫外域の波長を有する。レーザ出射装置１５から出射された処理用レーザ光Ｌが、窓１４を透過して被処理基板７の表面に入射する。ＸＹステージ１１が、処理用レーザ光Ｌに対して保持台２を移動させる。

図１に戻って説明を続ける。トランスファチャンバ１６が、第１のゲートバルブ１７を介して、プロセスチャンバ１に接続されている。トランスファチャンバ１６内に、搬送ロボット１８が配置されている。搬送ロボット１８は支持ハンド１９を有する。支持ハンド１９は、平面視において略Ｕ字状をなしている。搬送ロボット１８は、支持ハンド１９において、被処理基板７が載った支持板８を支持することができる。支持ハンド１９の上面には、凸部２０が複数設けられている。このため、支持ハンド１９は、凸部２０において支持板８の裏面と点接触した状態で、支持板８を支持することができる。

ロードロックチャンバ２１が、第２のゲートバルブ２２を介して、トランスファチャンバ１６に接続されている。ロードロックチャンバ２１内に、着脱具２３が配置されている。着脱具２３は、ベース面２４を画定するとともに、各々ベース面２４から上方に突出した複数（ここでは７つ）の固定ピン２５を有する。

図４(Ａ)〜(Ｃ)に、図１の一点鎖線Ｂ−Ｂにおける着脱具２３の断面図を示す。固定ピン２５の各々は、ベース面２４よりも上方の位置に配置され、支持板８の貫通孔８ａの開口よりも半径方向外方に大きく張り出したつば状部２５ａと、つば状部２５ａから上方に突出し、支持板８の貫通孔８ａに挿通することができる突出部２５ｂとを有する。上述したように、貫通孔８ａの開口の直径は、例えば５ｍｍであり、各突出部２５ｂの太さは、例えば４ｍｍである。なお、図示しないが、支持板８の貫通孔８ａは、平面視において、各固定ピン２５と対応するように分布している。即ち、本実施例では、支持板８には７つの貫通孔８ａが形成されている。

図１に戻って説明を続ける。ロードロックチャンバ２１の外部に、外部ハンド２６が配置されている。外部ハンド２６は、第３のゲートバルブ２７を介して、ロードロックチャンバ２１内に進入し、着脱具２３に未処理の被処理基板７を渡すことができる。また、外部ハンド２６は、着脱具２３から処理済みの被処理基板７を取得することができる。

以下、上述したレーザアニール処理装置の動作を説明する。

図４(Ａ)に示すように、予め着脱具２３に支持板８が準備されている。準備された支持板８は、各貫通孔８ａが突出部２５ｂによって貫かれた状態で、つば状部２５ａで支持されている。

図４(Ｂ)に示すように、まず、外部ハンド２６が、未処理の被処理基板７を着脱具２３に渡す。具体的には、未処理の被処理基板７を支持した外部ハンド２６が、着脱具２３の上方の位置に移動し、次いで着脱具２３に対して下方に変位する。これにより、未処理の被処理基板７が、着脱具２３の突出部２５ｂの先端に載る。その後、外部ハンド２６は、図１のロードロックチャンバ２１の外部に退く。

図４(Ｃ)に想像線（破線）で示すように、次に、支持ハンド１９が、つば状部２５ｂで支持された支持板８の裏面と、ベース面２４との間の隙間に進入する。なお、図１にも、このときの支持ハンド１９の進入位置を想像線（破線）で示している。次に、支持ハンド１９が、突出部２５ｂの頂上部よりも上方の位置まで変位する。これにより、未処理の被処理基板７が、支持板８ごと支持ハンド１９によってすくい上げられる。即ち、未処理の被処理基板７が支持板８に載せられる。

図１を参照して説明を続ける。着脱具２３から未処理の被処理基板７が載った支持板８（図４(Ｃ)参照）を取得した支持ハンド１９が、ロードロックチャンバ２１からトランスファチャンバ１６内に移動する。そして、搬送ロボット１８が１８０度旋回し、支持ハンド１９が、プロセスチャンバ１内における保持台２の上方の位置まで移動する。図１では、このときの支持ハンド１９の位置を想像線（破線）で示している。

図２(Ａ)に示すように、次に、保持台２の複数のリフトピン４が上昇する。複数のリフトピン４は、支持ハンド１９の凸部２０よりも上方まで上昇する。これにより、複数のリフトピン４が、未処理の被処理基板７が載った支持板８を、支持ハンド２０から取得する。即ち、複数のリフトピン４によって、未処理の被処理基板７が載った支持板８が支持される。なお、各リフトピン４の太さは、支持板８の貫通孔８ａの開口直径よりも太いので、貫通孔８ａがリフトピン４の頂上部に配置されても、リフトピン４により支持板８を支持することができる。

図２(Ｂ)に示すように、次に、未処理の被処理基板７が載った支持板８が保持面３に着地するように、複数のリフトピン４を下降させ、保持面３において被処理基板７が載った支持板８を保持する。上述したように、支持板８が多孔質構造を有するので、真空ポンプ６を作動させることにより、保持台２は被処理基板７及び支持板８の双方を吸着させて保持することができる。

図３に示すように、次に、レーザ出射装置１５が、保持台２に保持された被処理基板７に処理用レーザ光Ｌを入射させる。これにより、処理用レーザ光Ｌが入射した領域のアモルファスシリコン膜が溶融する。溶融した領域の固化に伴なって、その領域内でシリコン結晶が成長する。ＸＹステージ１１が、処理用レーザ光Ｌに対して保持台２を移動させることにより、被処理基板７表面の所望領域を多結晶化することができる。このようにして、被処理基板７のレーザアニール処理を行う。なお、レーザアニール処理中は、プロセスチャンバ１内がＮ_２ガスで満たされる。

図２(Ａ)に示すように、次に、複数のリフトピン４が上昇することにより、処理済みの被処理基板７が載った支持板８を、保持面３の位置から持ち上げる。そして、持ち上げられた支持板８の裏面と、保持面３との間に支持ハンド１９が進入する。その後、複数のリフトピン４が下降することにより、処理済みの被処理基板７が載った支持板８が、支持ハンド１９に支持される。

図１を参照して説明を続ける。処理済みの被処理基板７が載った支持板８（図２(Ａ)参照）を支持した支持ハンド１９が、プロセスチャンバ１からトランスファチャンバ１６内に移動する。そして、搬送ロボット１８が１８０度旋回し、支持ハンド１９が、ロードロックチャンバ２１内に進入する。

図４(Ｃ)に示すように、支持ハンド１９は、着脱具２３の上方の位置に移動する。このとき、支持板８の各貫通孔８ａが、突出部２５ｂの直上に配置される。次に、支持ハンド１９が、ベース面２４に向かって下降する。具体的には、支持ハンド１９は、図４(Ｃ)中、想像線で示したように、つば状部２５ａよりも下方まで下降する。

図４(Ｂ)に示すように、これにより、処理済みの被処理基板７が、突出部２５ｂの頂上部で支持され、各々の貫通孔８ａが対応する突出部２５ｂによって貫かれた支持板８が、つば状部２５ａで支持される。即ち、着脱具２３の位置（以下、着脱位置という。）において処理済みの被処理基板７が支持板８から脱離される。次に、外部ハンド２６が、処理済みの被処理基板７と支持板８との隙間に進入し、着脱具２３に対して上昇することにより、処理済みの被処理基板７を取得する。その後、外部ハンド２６は、取得した処理済みの被処理基板７を、着脱位置からロードロックチャンバ２１の外部に搬出する。

図４(Ａ)に示すように、支持板８は、つば状部２５ａの位置に残されたままとされる。その後、再び、外部ハンド２６が、未処理の被処理基板７を、突出部２５ｂに載置し、以上説明してきた動作を繰り返す。このようにして、複数枚の被処理基板を順次アニール処理することができる。なお、本実施例のアニール結果物、即ち処理済みの被処理基板７は、例えば液晶表示パネルに用いられる。

本実施例のレーザアニール処理装置にれば、支持ハンド１９が、被処理基板７を、被処理基板７よりも撓みにくい支持板８に載せた状態で支持するので、支持ハンド１９による搬送時に、被処理基板７に撓みが生じることを抑制できる。

本実施例では、被処理基板７が載った支持板８が、第１及び第２のゲートバルブ１７及び２２の開口（以下、ゲート開口という。）を支持板８に平行な方向（Ｘ軸方向）に通過する。支持板８を用いない場合には、被処理基板７の撓みを考慮して、ゲート開口の上下方向の寸法を大きくしなければならない。これに対し本実施例では、被処理基板７に撓みが生じることを抑制できるので、ゲート開口の上下方向の寸法を大きくする必要がない。特に、被処理基板７が大型化され、又は薄型化されると、撓みが大きくなるため、支持板８を使用する効果が大きくなる。

本実施例では、保持台２のリフトピン４が、被処理基板７が載った支持板８を支持するので、リフトピン４によって被処理基板７を上下方向に移動させる時に、被処理基板７に撓みが生じることを防止できる。また、リフトピン４によって被処理基板７を上下方向に移動させる際に、慣性力によって被処理基板７が破損してしまうことを防止できるので、リフトピン４による被処理基板７の上下方向の移動の速度を従来よりもはやめることが可能となる。この結果、処理のスループットを高めることができる。

支持板８を用いない場合には、図２(Ａ)において、リフトピン４の間の領域の被処理基板７が下方に撓む。保持面３と被処理基板７との間に、支持ハンド１９を挿入するための充分な空間を確保するために、被処理基板７の撓みの量だけリフトピン４を高くしなければならない。これに対し本実施例では、支持板８により被処理基板７の撓みを抑制できるので、被処理基板７の撓みに起因してリフトピン４の高さを高く設計しなければならなくなる事態を回避できる。この結果、プロセスチャンバ１の大型化を防止できる。

本実施例では、着脱具２３において、支持板８への被処理基板７の載置、及び被処理基板７が載った支持板８からの被処理基板７の脱離を行うことができるので、被処理基板７ごとに別の支持板８を準備する必要がなくなる。即ち、１枚の支持板８を使用しながら、複数枚の被処理基板７を順次処理することができる。

以下に、支持板８を多孔質構造としたことの効果について説明する。

図５(Ａ)を参照して、まず従来技術の課題を説明する。図５(Ａ)は、従来の真空チャックプレート５１の吸引用孔５２の周りを拡大して示した断面図である。真空ポンプによって吸引用孔５２の内部空洞を真空引きした際、その吸引力により、吸引用孔５２の位置において被処理基板７が変形し、被処理基板７の表面に窪みＫが生じてしまうことがある。窪みＫが生じると、例えば、被処理基板７に処理用レーザ光を入射させたときに、窪みＫが生じている部分と、窪みＫが生じていない部分とで、処理用レーザ光のパワー密度が異なってしまう事態を招く。

図５(Ｂ)は、本実施例による保持台２の吸引用孔５の周りを拡大した断面図である。既述のように、本実施例では、支持板８が多孔質構造を有するため、吸引用孔５の開口と被処理基板７との間に支持板８を介在させても、保持台２が、被処理基板７を吸着させて保持することができる。このため、吸引用孔５の位置において、被処理基板７を支持板８で支持することができる。従って、被処理基板７に窪みＫが生じてしまうことを防止できる。この結果、被処理基板７の窪みに起因して、処理用レーザ光Ｌ（図３参照）のパワー密度が被処理基板７の表面内で異なってしまう事態を防止でき、レーザアニール処理の成果物の品質低下を防止できる。

以上、実施例について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、被処理基板７の厚さに対して吸引用孔５の開口の直径が充分に小さい場合等のように、吸引用孔５の位置における被処理基板５の窪みが特に問題とならない場合には、支持板８は必ずしも多孔質構造を有していなくてもよい。例えば、支持板８は、板状体に、吸引用孔５を被処理基板７の裏面まで延長させる延長用孔を形成したものであってもよい。この場合の板状体の材料としては、ＣＦＲＰ（Carbon Fiber Reinforced Plastics；炭素繊維強化プラスチック）や、ＧＦＲＰ（Glass FiberReinforced Plastics；ガラス繊維強化プラスチック）等のＦＲＰ材を用いることができる。また、支持板８は、ハニカム構造を有したものであってもよい。支持板８がハニカム構造を有する場合も、保持台２が被処理基板７及び支持板８の双方を保持面３に吸着させることができる。

また、実施例では、被処理基板７のサイズを７３０ｍｍ×９２０ｍｍとしたが、これよりも大型の被処理基板、例えば１０００ｍｍ×１２００ｍｍ、さらには１５００ｍｍ×１８５０ｍｍのサイズの被処理基板を用いることができるのは勿論である。また、実施例では、被処理基板７の厚さを、０．７ｍｍとしたが、これよりも薄型の被処理基板、例えば厚さ０．５ｍｍの被処理基板を用いることができるのは勿論である。

また、実施例では、着脱具２３が固定されていて、支持ハンド１９及び外部ハンド２６が着脱具２３に対して上下方向に変位することとしたが、支持ハンド１９及び外部ハンド２６が着脱位置で静止していて、着脱具２３が、支持ハンド１９及び外部ハンド２６に対して上下方向に変位するようにしてもよい。また、支持ハンド１９及び外部ハンド２６と、着脱具２３との双方が相手方に対して上下方向に変位するようにしてもよい。

また、実施例では、支持ハンド１９が保持台２の上方の位置に静止した状態で、複数のリフトピン４が支持ハンド１９に対して上昇することとしたが、予め複数のリフトピン４を上昇させておいて、支持ハンド１９が複数のリフトピン４に対して下方に変位するようにしてもよい。また、複数のリフトピン４が上昇し、かつ支持ハンド１９が下降している過程で、被処理基板７が載った支持板８の受け渡しが行われるようにしてもよい。

また、実施例では、着脱具２３において支持板８を支持する基部を、つば状部２５ａとして実現したが、基部は必ずしもつば状をなしていなくてもよい。基部は、その基部で支持された状態の支持板８を下方からすくい上げることができる形状、具体的には、支持板８を支持した状態で、その支持板８の裏面とベース面２４との間に支持ハンド１９の進入用隙間を確保することができる形状であればよい。より具体的には、基部は、例えば平面視において支持板８よりも小さな台であってもよい。この他、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。

実施例によるレーザアニール処理装置の断面図である。 図１の一点鎖線Ａ−Ａにおける断面図である。 プロセスチャンバの断面図である。 図１の一点鎖線Ｂ−Ｂにおける断面図である。 被処理基板を支持した真空チャックの拡大断面図である。 従来技術による基板処理装置の概略図である。 (Ａ)は従来技術によるロードアームで支持された被処理基板の断面図であり、(Ｂ)は従来技術による保持台のリフトピンで支持された被処理基板の断面図である。

符号の説明

１ プロセスチャンバ（チャンバ）
２ 保持台
３ 保持面
４ リフトピン
５ 吸引用孔
６ 真空ポンプ（真空引き装置）
７ 被処理基板（第１の板状体）
８ 支持板（第２の板状体）
８ａ 貫通孔
１５ レーザ出射装置
１９ 支持ハンド
２３ 着脱具
２５ａ つば状部（基部）
２５ｂ 突出部
２６ 外部ハンド

Claims (16)

1. （Ａ）保持面を画定するとともに、該保持面から突出するように上昇し、かつ下降することができる複数のリフトピンを備えた保持台の上方の位置まで、被処理基板を、該被処理基板よりも撓みにくい支持板に載せた状態で搬送する工程と、
   （Ｂ）前記複数のリフトピンを前記保持面から突出させた状態で、該複数のリフトピンにより、該被処理基板が載った支持板を支持する工程と、
   （Ｃ）前記被処理基板が載った支持板が前記保持面に着地するように、前記複数のリフトピンを下降させ、該被処理基板が載った支持板を前記保持面で保持する工程と、
   （Ｄ）前記被処理基板が載った支持板を前記保持面で保持した状態で、該被処理基板に処理を施す工程と、
   （Ｅ）前記複数のリフトピンを前記保持面から突出させて、処理済みの被処理基板が載った前記支持板を持ち上げ、該処理済みの被処理基板が載った支持板を、前記保持台の上方の位置から搬出する工程と
   を有する基板処理方法。
2. 前記工程（Ｅ）が、前記処理済みの被処理基板が載った支持板を着脱位置まで搬送し、該着脱位置において該処理済みの被処理基板を該支持板から脱離させ、該支持板を該着脱位置に残したまま、該処理済みの被処理基板を該着脱位置から搬出する工程を含み、
   前記工程（Ａ）が、予め前記支持板が配置された前記着脱位置に、未処理の被処理基板を準備し、該着脱位置において該未処理の被処理基板を該支持板に載せる工程を含み、
   前記工程（Ａ）〜（Ｅ）が繰り返し行われる請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記支持板に、貫通孔が形成されており、
   前記着脱位置に、前記支持板を支持する基部と、該基部から上方に突出し、前記支持板の貫通孔に挿通することができる突出部とを有する着脱具が配置されており、
   前記工程（Ｅ）では、処理済みの被処理基板が、前記突出部の頂上部で支持され、前記貫通孔が前記突出部に貫かれた支持板が、前記基部で支持されるように、該処理済みの被処理基板が載った支持板と該着脱具との少なくとも一方を他方に対して上下方向に相対変位させ、その後、該支持板を該基部に残したまま、該処理済みの被処理基板を前記着脱位置から搬出し、
   前記工程（Ａ）では、予め前記基部で前記支持板を支持している前記着脱具の前記突出部に、未処理の被処理基板を載置し、該未処理の被処理基板が該支持板に載せられるように、該着脱具から該被処理基板及び支持板を取得する請求項２に記載の基板処理方法。
4. 前記保持台が、各々該保持面に開口した複数の吸引用孔と、該複数の吸引用孔の内部空洞を真空引きする真空引き装置とを有し、
   前記支持板が、前記工程（Ｃ）において、前記真空引き装置の吸引力により、前記被処理基板及び支持板を前記保持面に吸着させることができる構造を有する請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理方法。
5. 前記支持板が、多孔質構造を有する請求項４に記載の基板処理方法。
6. 前記支持板が、前記吸引用孔を前記被処理基板の裏面まで延長させる延長孔を有する請求項４に記載の基板処理方法。
7. 前記被処理基板の表層部が、アモルファス半導体からなり、
   前記工程（Ｃ）では、前記被処理基板にレーザ光を入射させ、レーザ光が入射した領域のアモルファス半導体を結晶化する請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理方法。
8. （ｉ）被処理基板よりも撓みにくい支持板が予め配置された着脱位置に、未処理の被処理基板を準備し、該着脱位置において該未処理の被処理基板を該支持板に載せる工程と、
   （ｉｉ）前記被処理基板が載った支持板を保持台に渡す工程と、
   （ｉｉｉ）前記保持台において前記被処理基板及び支持板を保持した状態で、該被処理基板に処理を施す工程と、
   （ｉｖ）前記保持台から処理済みの被処理基板が載った前記支持板を取得して前記着脱位置まで搬送し、該着脱位置において該処理済みの被処理基板を該支持板から脱離させ、該支持板を該着脱位置に残したまま、該処理済みの被処理基板を該着脱位置から搬出する工程とを有し、
   前記工程（ｉ）〜（ｉｖ）が繰り返し行われる基板処理方法。
9. 被処理基板を、貫通孔を有する支持板に載せた状態で支持し、かつ搬送することができる支持ハンドと、
   前記支持板を支持する基部、及び該基部から上方に突出し、前記支持板の貫通孔に挿通することができる突出部を有する着脱具と、
   被処理基板が、前記突出部の頂上部で支持され、前記貫通孔が前記突出部に貫かれた状態の支持板が、前記基部で支持されるように、前記着脱具と前記支持ハンドとの少なくとも一方を他方に対して上下方向に相対変位させる制御、及び被処理基板が支持板に載るように、前記基部で支持板を支持し、前記突出部の頂上部で被処理基板を支持している着脱具と前記支持ハンドとの少なくとも一方を他方に対して上下方向に相対変位させる制御を行う制御装置と
   を備えた基板搬送装置。
10. さらに、保持面を画定した保持台であって、該保持面の位置から突出するように上昇し、かつ下降することができ、前記保持面の位置から突出した状態で、被処理基板が載った支持板を支持することができる複数のリフトピンを有する保持台を備え、
    前記支持ハンドが、前記保持面から突出した状態の複数のリフトピンとの間で、前記被処理基板が載った支持板の受け渡しを行うとともに、該保持台と前記着脱具との相互間で前記被処理基板が載った支持板を搬送する請求項９に記載の基板搬送装置。
11. さらに、前記保持台に保持された被処理基板に、レーザ光を入射させるレーザ出射装置を備えた請求項９又は１０に記載の基板搬送装置。
12. 被処理基板よりも撓みにくい支持板と、
    保持面を画定するとともに、該保持面の位置から突出するように上昇し、かつ下降することができ、前記保持面の位置から突出した状態で、前記被処理基板が載った支持板を支持することができる複数のリフトピンを有する保持台と、
    前記保持面の位置から突出した状態の前記複数のリフトピンとの間で、被処理基板が載った前記支持板の受け渡しを行う支持ハンドと
    を備えた基板搬送装置。
13. 前記保持台が、各々前記保持面に開口した複数の吸引用孔と、該複数の吸引用孔の内部空洞を真空引きする真空引き装置とを有し、
    前記支持板が、前記保持面において被処理基板が載った該支持板が保持されている際に、前記真空引き装置の真空吸引力によって、前記被処理基板及び支持板を前記保持面に吸着させることができる構造を有する請求項１２に記載の基板搬送装置。
14. 前記支持板が、多孔質構造を有する請求項１３に記載の基板搬送装置。
15. 前記支持板が、前記吸引用孔を前記被処理基板の裏面まで延長させる延長孔を有する請求項１３に記載の基板搬送装置。
16. 保持面を画定した保持台であって、該保持面の位置から突出するように上昇し、かつ下降することができ、該保持面の位置から突出した状態で、第１の板状体が載った第２の板状体を支持することができる複数のリフトピンを有する保持台と、
    第１の板状体を第２の板状体に載せ、該第１の板状体が載った第２の板状体を前記保持面から突出した状態の複数のリフトピンに渡すことができ、かつ該保持面から突出した状態の複数のリフトピンから、該第１の板状体が載った第２の板状体を取得し、取得した該第２の板状体から該第１の板状体を脱離させることができる受け渡し装置と
    を備えた搬送装置。

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