JP2006295007A

JP2006295007A - 半導体処理液の製造方法、製造装置及び製造システム

Info

Publication number: JP2006295007A
Application number: JP2005116223A
Authority: JP
Inventors: Hikari Kobayashi; 光小林; Masao Takahashi; 昌男高橋; Kazuo Seki; 和夫関
Original assignee: YAMANAKA HUTECH CORP; Osaka University NUC
Current assignee: YAMANAKA HUTECH CORP; Osaka University NUC
Priority date: 2005-04-13
Filing date: 2005-04-13
Publication date: 2006-10-26
Anticipated expiration: 2025-04-13
Also published as: JP4947454B2

Abstract

【課題】
シアン化物イオンを含む半導体処理液の安全かつ工業生産性に優れた製造方法、製造装置及び製造システムを実現する。
【解決手段】
不活性ガスの通気中で、まず、金属シアン化合物と酸性液とを反応させてシアン化水素ガスを生成する。次に、該シアン化水素ガスを冷却後、アルカリ性溶液に導入してシアン化物イオンを含む半導体処理液を調製することにより、安全かつ工業生産性に優れた該半導体処理液の製造方法を提供することができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、シアン化物イオンを含む半導体処理液の安全かつ工業生産性に優れた製造方法、製造装置及び製造システムに関するものである。

半導体基板の製造工程における重要なプロセスとして、半導体基板の洗浄工程があり、半導体基板の洗浄方法としてＲＣＡ処理方法（非特許文献１）が一般に広く知られている。

ＲＣＡ処理方法は、塩酸、過酸化水素水、アンモニア水などを混合した溶液で、半導体基板を洗浄して該基板表面に付着したパーティクルや不純物金属を除去する技術である。例えば、過酸化水素水とアンモニア水との混液はパーティクルの除去に有効であり、塩酸と過酸化水素水の混液は不純物金属の除去に有効である。しかし、該ＲＣＡ処理方法は、工程が複雑で、溶液の維持管理に格段の注意を要する。また、洗浄処理により、半導体基板表面がエッチングされてしまうため、半導体基板表面が粗面化したり、半導体製造プロセスが複雑化したり、あるいは洗浄後の半導体基板に欠陥を生じるという問題がある。

一方、本発明者の一人は、前述のＲＣＡ処理方法の問題を解決する手段として、特許文献１において、シアン化合物を含有する溶液を半導体基板の洗浄に用いる技術を提案している。また、特許文献２において、金属シアン化合物と酸性液との反応で生成したシアン化水素を溶媒に溶解させてシアン化物イオンを含む溶液を調製し、該溶液を半導体処理液として用いる技術を提案している。該技術により、半導体基板表面領域の汚染金属を洗浄除去することができ、さらに同表面領域の欠陥、あるいはそれらに起因する表面準位を著しく低減させることができた。
特開２００４−３４２７２３号公報特開２００５−３９１９８号公報ＲＣＡＲｅｖｉｅｗ・Ｊｕｎｅ１９７０（Ｖｏｌ．３１）１８７−２０６頁ＷｅｒｎｅｒＫｅｒｎ、ＤａｖｉｄＡ．Ｐｕｏｔｉｎｅｎ著、「ＣｌｅａｎｉｎｇＳｏｌｕｔｉｏｎｓＢａｓｅｄｏｎＨｙｄｒｏｇｅｎＰｅｒｏｘｉｄｅｆｏｒｕｓｅｉｎＳｉｌｉｃｏｎＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ」

本発明者らは、シアン化物イオン（シアノイオンと呼ばれることもある）を含む溶液を半導体基板表面の洗浄に用いることで、該表面の汚染金属を除去できるだけでなく、半導体基板の欠陥を減少させることに成功した。しかしながら、前述の半導体処理液の製造方法は、特に最近になって着目され始めたため、安全かつ安定的に該半導体処理液を供給する工業生産性について、未だ数多くの課題が残されている。

本発明は、かかる事情に鑑みてなされたものであり、該半導体処理液の工業的利用性を高めることを主な目的とする。具体的には、シアン化物イオンを含む溶液からなる半導体処理液の安全かつ工業生産性に優れた製造方法、製造装置及び製造システムを提供することを目的とする。

発明者らは、シアン化物イオンを含む半導体処理液の製造方法について、前述の課題を解決すべく検討した。具体的には、発明者らは、シアン化物イオンの供給源として用いるシアン化合物に着目した。シアン化合物としては、非金属シアン化合物と金属シアン化合物があるが、非金属シアン化合物は、極めて高価であり、また、特にガス化した非金属シアン化合物は、その危険性から取り扱いに細心の注意を要する。

しかし、シアン化物イオンの供給源として、直接的に金属シアン化合物を用いると、塩基である金属（例えばカリウム、ナトリウム）がシアン化物イオンを含む溶液中に混入することになる。溶液中への不要な金属の混入は、半導体基板を汚染するため好ましくない。

そこで、発明者らは、安全性を確保した上で、金属シアン化合物と酸性液とを反応させて生成するシアン化水素ガスを、反応系の一部においてのみ生成させ、そのシアン化水素ガスをシアン化物イオンの供給源として利用することが、工業的用途として適していることを知見した。

かかる知見に基づき、発明者らは、金属シアン化合物を出発物質としてシアン化水素ガスを生成させるとともに、該シアン化水素ガスを反応系の一部のみに封じ込めることを可能にする半導体処理液の製造方法を見出し、この発明を完成した。

すなわち、この発明は、不活性ガスの通気中でシアン化合物と酸性液とを反応させてシアン化水素ガスを生成した後に、該シアン化水素ガスを沸点である２５．６４℃以下に冷却し、その後、該冷却したシアン化水素をアルカリ性溶液に導入してシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を調製する半導体処理液の製造方法である。金属シアン化合物と酸性液とを反応させてシアン化水素ガスを生成させ、これを直接のシアン化物イオンの供給源とすることにより、溶液への金属の持ち込みを防ぐことが出来る。また、不活性ガスを通気することで、外気の混入を防ぐとともに、生成したシアン化水素ガスの系外への流出を防ぎ、安全を確保することができる。また、生成したシアン化水素ガスをシアン化水素の沸点である２５．６４℃以下に冷却することで、シアン化水素ガスを液体のシアン化水素にすることができ、その安全性を高めるとともに取り扱いを容易にする。尚、アルカリ性溶液のｐＨとしては、ｐＨ７超１２以下が好ましく、更に好ましくはｐＨ８以上１１以下である。

また、前述のシアン化水素ガスを生成した直後に、冷却管を通過させることが望ましい。シアン化合物と酸性液を反応させると、発熱反応によって突沸が起こり、突沸した高温の溶液がアルカリ性溶液に混入する危険がある。冷却管を設けることで、突沸した高温の溶液を素早く冷却し、次工程への持ち込みが防止できる。尚、２５．６５℃を下限値として冷却することにより、次工程に送られるべきシアン化水素が生成直後に冷却されて液化することを防ぐことができる。

また、冷却管のかわりにラビリンス構造の流路を通過させてもよい。突沸した溶液をトラップすることで、次工程への持込を防止できるからである。また、ラビリンス構造の流路を下限値を２５．６５℃として冷却することで、冷却管を設けたときと同様の効果も奏する。

また、シアン化水素ガスを超純水中に導入する工程を、該シアン化水素ガスを生成する工程と該シアン化水素ガスを２５．６４℃以下に冷却する工程の間に設けることが好ましい。シアン化水素ガスを超純水中に導入することで、生成したシアン化水素ガスに同伴されたわずかな金属不純物（例えばカリウム、ナトリウム）を除去することができる。尚、シアン化水素ガスの超純水への吸収量を少なくするために、超純水は室温、具体的には２７度以上３５度以下であることが好ましい。

また、シアン化水素ガスを逆流防止装置を通過させた直後に、前述の超純水中に導入することが好ましい。生成したシアン化水素ガスを超純水中に導入する工程において、導入する配管の先端は超純水の界面よりも低い位置に設置することになる。このため、超純水が逆流することが考えられるが、シアン化水素ガスを逆流防止装置を通過させることで、超純水の逆流を防ぐことができる。

また、前述のシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液の温度が、２５．６４℃以下に保たれることが好ましい。アルカリ性溶液の温度を、シアン化水素の沸点以下に制御することで、導入したシアン化水素がガスとなって、溶液から流出することを防ぐことができる。

また、前述の酸性液は、硫酸、リン酸、および過塩素酸の群から選ばれる少なくとも１種類を用いることができる。強酸を用いることで、シアン化合物との反応がスムーズに行われ、シアン化水素の生成速度が大きくなるという効果が得られる。

また、前述のシアン化合物が、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム、シアン化セシウム、およびシアン化ルビジウムの群から選ばれる少なくとも１種類を用いることができる。

前述の溶液は、溶媒として、純水または超純水、アルコール類、ケトン類、ニトリル類、芳香族炭化水素、四塩化炭素、エーテル類、脂肪族アルカン、の群から選ばれる少なくとも１種類を用いることができる。また、該溶液の溶質として、アンモニア、コリン、及び水酸化テトラメチルアンモニウムの少なくとも１種類を添加することが好ましい。該溶質を加えることにより、溶液をアルカリ性に調整することができる。

また、前述のシアン化水素を、その全量が当量反応でシアン化アンモニウムに置換できる量以上のアンモニア含有量のアルカリ性溶液中に導くことが好ましい。アンモニアを過剰に加えることで溶液中のシアン化水素を積極的に電離させ、シアン化物イオンを供給することが出来る。また、電離の結果、溶液中のシアン化水素の濃度が低下してシアン化水素ガスとして気化することを防ぐ。

本発明の半導体処理液の製造装置は、不活性ガスを全工程に渡って通気させる機構と、シアン化合物と酸性液とを反応させてシアン化水素ガスを生成する処理部と、該処理部で生成されたシアン化水素ガスを２５．６４℃以下に制御する温度制御装置により冷却する冷却部と、該冷却部で冷却されたシアン化水素とアルカリ性溶液を混合してシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を調製する処理部を備えたものである。この装置により、外気の混入を防ぐとともに、生成したシアン化水素ガスの系外への流出を防ぎ、安全を確保することができる。また、生成したシアン化水素ガスをシアン化水素の沸点である２５．６４℃以下に冷却することで、シアン化水素ガスを液体又は固体のシアン化水素にすることができ、その安全性を高めるとともに取り扱いを容易にする。また、液化した後にアルカリ性溶液に導入することから、高濃度のシアン化物イオンを含む処理液の調製を可能にする。さらに、このシアン化水素をアルカリ性溶液に導入することにより、溶液中でシアン化水素を積極的に電離させ、安定的にシアン化物イオンを供給することができ、高い洗浄能力を有する半導体処理液を供給できる。

また、前述のシアン化水素ガスを生成する処理部の直後に、該シアン化水素ガスを通過させる冷却管を配置することが好ましい。これにより、突沸した高温の溶液を素早く冷却し、次工程への持ち込みが防止できる。尚、２５．６５℃を下限値として冷却することにより、次工程に送られるべきシアン化水素が生成直後に冷却されて液化することを防ぐことができる。

また、冷却管の代わりにラビリンス構造を有する流路を配置しても良い。突沸した溶液をトラップすることで、次工程への持込を防止できるからである。また、ラビリンス構造の流路を下限値を２５．６５℃として冷却することで、冷却管を設けたときと同様の効果も奏する。

また、シアン化水素ガスを超純水に導入する処理部を、前述のシアン化水素ガスを生成する処理部と前述のシアン化水素ガスを２５．６４℃以下に制御する温度制御装置により冷却する冷却部の間に設けることが好ましい。この処理部を設けることにより、生成したシアン化水素ガスに同伴にされた金属不純物（例えばカリウム、ナトリウム）を除去することができる。尚、該超純水に導入する処理部に逆流防止装置を備えることにより、超純水の逆流を防ぐ効果を奏する。

また、前述のシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を調製する処理部にアルカリ性溶液を２５．６４℃以下に制御する温度制御装置を設けることが好ましい。シアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を、シアン化水素の沸点以下に制御することで、導入したシアン化水素がガスとなって、溶液から流出することを防ぐことができる。

また、前述のシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を調製する処理部の後工程に強アルカリ溶液又は強アルカリと次亜塩素酸の混合溶液を含むシアン化水素ガスのトラップ装置を設けたシステムを構築することが好ましい。わずかなシアン化水素ガスが前述のアルカリ性溶液を調製する処理部を通過しても、該トラップ装置を設けることにより、シアン化水素の系外への排気を防ぐことができる。具体的な強アルカリとしては、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムを使用することが好ましい。尚、トラップ装置内の液体が、前述のアルカリ性溶液を調製する処理部へ逆流することを防ぐために、トラップ装置に逆流防止装置を備えることが好ましい。

本発明の半導体処理液の製造方法、製造装置及び製造システムにより、金属シアン化合物から直接のシアン化物イオンの供給源であるシアン化水素を生成するとともに、特に取り扱いが困難なシアン化水素ガスを反応系内に封じ込めることに成功した。これにより、工業的利用が可能であるシアン化物イオンを含む半導体処理液の製造方法、製造装置及び製造システムが完成した。

本発明の具体的な実施形態を、添付する図面に基づいて詳細に述べる。

図１は、本発明の実施の形態であるシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を製造する際の製造装置及び製造システムを例示する概要図であり、以下、図１に従い、シアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を製造する過程を工程順に説明する。

まず、等圧滴下ロート３の上部より窒素ガスを通気し、装置内を窒素雰囲気とする。外気の混入や逆流の防止を目的とし、製造中は常に窒素通気を行う。この状態で、予め計量して用意した所定量の硫酸を等圧滴下ロート３より三角フラスコ４へ逐次滴下させる。三角フラスコ４には、この硫酸と当量のシアン化ナトリウムを加えておき、滴下する硫酸と接触させて反応させる。実際には、該三角フラスコ４内に５５ｇのシアン化ナトリウムを加え、６４ｇの濃硫酸を水で希釈して滴下した。

生成されたシアン化水素ガスを冷却管５Ａに通過させる。このとき、冷却管５Ａは２７℃に制御した。

次に、シアン化水素ガスは、冷却管８を通過する過程で液化される。このとき、冷却管８は−１３℃に冷却した。

液化されたシアン化水素は、アンモニア水を加えた製品タンク９内に導入され、シアン化アンモニウム水溶液が生成される。このとき、液化されたシアン化水素の全量がシアン化アンモニウムに置換できる量以上のアンモニアを含むように調製するとともに、シアン化アンモニウムの水溶液のｐＨを、ｐＨ８乃至１１とした。アンモニア水のｐＨをアルカリ性にすることで、シアン化水素の電離が進み、より洗浄力の高い処理液を調製することが出来る。また、ｐＨ１２以上ではアンモニアの気化が激しく起こるという点で好ましくない。本実施形態においては、２８容量％のアンモニア水を用いて、該製品タンク９内のアルカリ性溶液が０．３９容量％のアンモニア水溶液となるように調製した。また、該アンモニア水溶液はクーラー１１及び温度制御装置１０により、０℃に制御した。

以上の工程を経て、シアン化物イオンを含む溶液を調製することができた。この実施の形態において、反応系外にシアン化水素を流出させることなく、安全にシアン化イオンを含むアルカリ性溶液を製造することができ、本技術の工業的利用が可能となった。

また、極僅かのシアン化水素ガスが、製品タンク９内を通過した場合を想定し、シアン化水素ガス除去トラップ装置１３を設けた。これにより、万一、シアン化水素が製品タンク９内を通過したときであっても、該トラップ装置１３内の水酸化ナトリウムと反応させることで、シアン化ナトリウムとして回収することができ、全体としてより安全な製造システムが完成される。また、該トラップ装置１３内の溶液がタンク９内に逆流することを防ぐために、逆流防止装置１２を該トラップ装置１３の直前に設けた。以上の製造工程を経て、工業利用可能なシアン化物イオンを含む半導体処理液を製造することに成功した。

次に、別の実施形態として、前述の生成シアン化水素ガスを冷却管５Ａに通過させる工程の後であって、前述の冷却管８を通過させる工程の前に、逆流防止装置６を通過させ、さらに金属除去トラップ装置７の超純水内へ導入する工程を設けた製造装置及び製造システムを図２に示す。この実施形態では、該金属除去トラップ装置７を通過させることにより、生成シアン化水素ガス中に同伴されたわずかなナトリウム等の金属不純物が除去された。

表１に、図１の製造方法により調製された半導体処理液中の含有金属量（ｐｐｂ）を示す。表２に、図２の製造方法により調製された半導体処理液中の含有金属量（ｐｐｂ）を示す。尚、含有金属量はＩＣＰ−Ｍａｓｓ装置を用いて、質量分析法により定量した。表１において、特に、半導体に副作用のあるＣｕ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｒ等の重金属類はいずれも０．５ｐｐｂ以下で、またＮａ、Ｋは５ｐｐｂ以下であり、半導体の用途に十分対応できる極めて精製された処理液が実現された。

また、表２において、Ｎａが１ｐｐｂ以下に、Ｋが０．１ｐｐｂに抑えられており、金属除去装置等を設けることで、さらに工業利用に適した製造方法となった。

更に、別の実施形態として、前述の実施形態における冷却管５Ａをラビリンス構造５Ｂに置き換えたものを図３に示し、又、該冷却管５Ａを温度制御装置を備えたラビリンス構造５Ｃに置き換えたものを図４に示す。これらの実施形態においても、冷却管５Ａを備えたときと同様に、安全にシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液が製造できた。また、金属除去の効果は表２に示す結果と同等であった。

以上、シアン化ナトリウムと硫酸を用いてシアン化水素ガスを生成し、該ガスを冷却した後にアンモニア水中に導入して半導体処理液を製造する方法を述べたが、前述の硫酸に代えて、リン酸又は過塩素酸に代表される酸性液を使用しても良い。また、シアン化ナトリウムに代えて、シアン化カリウム、シアン化セシウムあるいはシアン化ルビジウムに代表される金属シアン化合物を使用しても良い。また、アンモニア水に代えて、コリン、水酸化テトラメチルアンモニウム等の非金属アルカリ溶液を使用してもよい。

また、シアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を製造した後、希フッ酸、過酸化水素又はコリンを該溶液に加えてもよい。これらの添加によるエッチング効果と、シアン化物イオンによる欠陥の充填効果により、より半導体処理に適した基板表面を形成することが出来る。

各実施形態においては、シアン化水素ガストラップ装置１３内に水酸化ナトリウム水溶液を加えたが、これに代えて水酸化カリウムなどの強アルカリ水溶液や、強アルカリと次亜塩素酸水溶液の混合溶液を加えても同様の効果が得られた。また、洗浄廃液をタンク９内から回収して、その洗浄廃液を回収装置内でオゾン処理あるいは紫外光照射併用オゾン処理する工程を付加しても良い。尚、製造工程で使用する部品や材料については、汚染を避けるため、例えば、石英ガラス等の非金属系部材を用いるのが最適である。

本発明の実施形態の１つである半導体処理液の製造装置及び製造システムを示す概要図である。本発明の実施形態の１つである半導体処理液の製造装置及び製造システムを示す概要図である。本発明の実施形態の１つである半導体処理液の製造装置及び製造システムを示す概要図である。本発明の実施形態の１つである半導体処理液の製造装置及び製造システムを示す概要図である。

符号の説明

１製造装置
２製造システム
３等圧滴下ロート
４三角フラスコ
５Ａ，８冷却管
５Ｂラビリンス構造を有する流路
５Ｃ温度制御装置を備えたラビリンス構造を有する流路
６，１２逆流防止装置
７金属除去トラップ装置
９製品タンク
１０温度制御装置
１１クーラー
１３シアン化水素ガス除去トラップ装置

Claims

不活性ガスの通気中で、
シアン化合物と酸性液とを反応させてシアン化水素ガスを生成した後に、
前記シアン化水素ガスを２５．６４℃以下に冷却し、
その後、前記冷却したシアン化水素をアルカリ性溶液に導入してシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を調製する
半導体処理液の製造方法。
前記シアン化水素ガスを生成した直後に下限値を２５．６５℃として冷却した冷却管を通過させ、
その後、前記冷却したシアン化水素ガスをアルカリ性溶液に導入する前に２５．６４℃以下に冷却する
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
前記シアン化水素ガスを生成した直後にラビリンス構造の流路を通過させ、
その後前記シアン化水素ガスを２５．６４℃以下に冷却する
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
前記ラビリンス構造の流路を、下限値を２５．６５℃として冷却した
請求項３に記載の半導体処理液の製造方法。
前記シアン化水素ガスを超純水中に導入する工程を、
前記シアン化水素ガスを生成する工程と前記シアン化水素ガスを２５．６４℃以下に冷却する工程の間に設けた
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
前記生成したシアン化水素ガスを、
逆流防止装置を通過させた直後に超純水中に導入する
請求項５に記載の半導体処理液の製造方法。
前記シアン化物イオンを含むアルカリ性溶液の温度が２５．６４℃以下に保たれる
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
前記酸性液が、硫酸、リン酸及び過塩素酸の群から選ばれる少なくとも１種類である
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
前記シアン化合物が、シアン化ナトリウム、シアン化カリウム、シアン化セシウム及びシアン化ルビジウムの群から選ばれる少なくとも１種類である
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
前記アルカリ性溶液の溶媒が、純水、超純水、アルコール類、エーテル類、ケトン類、ニトリル類、芳香族炭化水素、四塩化炭素、及び脂肪族アルカンの群から選ばれる少なくとも１種類である
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
前記アルカリ性溶液の溶質が、アンモニア、コリン、及び水酸化テトラメチルアンモニウムの群から選ばれる少なくとも１種類である
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
前記シアン化水素を、その全量が当量反応でシアン化アンモニウムに置換できる量以上のアンモニア含有量のアルカリ性溶液中に導入する
請求項１に記載の半導体処理液の製造方法。
不活性ガスを全工程に渡って通気させる機構と、
シアン化合物と酸性液とを反応させてシアン化水素ガスを生成する処理部と、
前記処理部で生成されたシアン化水素ガスを２５．６４℃以下に制御する温度制御装置により冷却する冷却部と、
前記冷却部で冷却されたシアン化水素とアルカリ性溶液を混合してシアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を調製する処理部を備えた
半導体処理液の製造装置。
前記シアン化水素ガスを生成する処理部の直後に前記シアン化水素ガスを通過させる冷却管を配置し、
前記冷却管の下限値を２５．６５℃となるように制御した
請求項１３に記載の半導体処理液の製造装置。
前記シアン化水素ガスを生成する処理部の直後に前記シアン化水素ガスを通過させるラビリンス構造を有する流路を配置した
請求項１３に記載の半導体処理液の製造装置。
前記ラビリンス構造を有する流路に前記流路を２５．６５℃以上に制御する温度制御装置を備えた
請求項１５に記載の半導体処理液の製造装置。
前記シアン化水素ガスを超純水に導入する処理部を、
前記シアン化水素ガスを生成する処理部と前記シアン化水素ガスを２５．６４℃以下に制御する温度制御装置により冷却する冷却部の間に設けた
請求項１３に記載の半導体処理液の製造装置。
前記シアン化水素ガスを超純水中に導入する処理部に逆流防止装置を備えた
請求項１７に記載の半導体処理液の製造装置。
前記シアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を調製する処理部に、アルカリ性溶液を２５．６４℃以下に制御する温度制御装置を設けた
請求項１３に記載の半導体処理液の製造装置。
前記シアン化物イオンを含むアルカリ性溶液を調製する処理部の後工程に、強アルカリ溶液又は強アルカリと次亜塩素酸の混合溶液を含むシアン化水素ガスのトラップ装置を設けた
半導体処理液の製造システム。
前記強アルカリ溶液が、水酸化ナトリウム又は水酸化カリウムから選ばれる少なくとも1種類を含む請求項２０に記載の半導体処理液の製造システム。
前記シアン化水素ガスのトラップ装置に、逆流防止装置を備えた
請求項２０に記載の半導体処理液の製造システム。