JP2006286957A - 半導体用接着剤の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 (A)熱硬化性樹脂と(B)充填剤とを含む半導体用接着剤の製造方法であって、減圧下、振動処理工程を含むことを特徴とする半導体用接着剤の製造方法。
Description
従来内包気泡を取り除くために真空減圧処理(例えば、特許文献1参照)、回転処理、自転・公転式攪拌脱泡ミキサーを利用した処理などにより脱泡処理を行った接着剤によるディスペンスも検討され効果は上げているが、未だ内包される微小気泡については十分満足なレベルにはいたっていなかった。
[1](A)熱硬化性樹脂と(B)充填剤とを含む半導体用接着剤の製造方法であって、減圧下、振動処理工程を含むことを特徴とする半導体用接着剤の製造方法。
[2]上記減圧下、振動処理条件が、真空度1mmHg以上、20mmHg以下、振動数100Hz以上、500Hz以下、処理時間1分以上、60分以下である第[1]項記載の半導体用接着剤の製造方法。
[3]減圧下、振動処理工程を半導体用接着剤組成物のシリンジ充填工程後に行う第[1]又は[2]項記載の半導体用接着剤の製造方法。
以下詳細に説明する。
さらに、エポキシ樹脂を用いる場合の硬化促進剤兼硬化剤としては、例えば、各種のイミダゾール化合物として、2−メチルイミダゾール、2−エチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、2−C11H23−イミダゾール等の一般的なイミダゾール、トリアジンやイソシアヌル酸を付加した2,4−ジアミノ−6−{2−メチルイミダゾール−(1)}−エチル−S−トリアジン、またそのイソシアネート付加物等があり、これらはいずれも1種類あるいは複数種併用して使うことが可能である。
[実施例1、2、3、4、5]
ビスフェノールAとエピクロルヒドリンとの反応により得られるジグリシジルビスフェノールA(エポキシ当量180、室温で液体、全塩素量500ppm、以下ビスAエポキシ)、クレジルグリシジルエーテル(エポキシ当量185、以下CGE)、フェノールノボラック樹脂(水酸基当量104、軟化点85℃、以下PN)、ジシアンジアミド、キュアゾール2MZ−A(四国化成工業(株)製、以下2MZ−A)、グリシジル基を有するシランカップリング剤(信越化学工業(株)製、KBM−403E、以下エポキシシラン)、平均粒径5μm、最大粒径30μmのフレーク状銀粉(以下銀粉)を表1のように配合し、3本ロールを用いて混練し、混練時の巻き込み気泡を取り除くために5mmHg、30分間真空減圧脱泡を実施した。その後100メッシュでろ過してシリンジ充填し、表1記載の条件にて減圧下、振動処理することで半導体用接着剤を得て、以下の方法で評価した。配合割合は重量部である。
表1に示す割合で配合し実施例と同様に混練した後真空減圧処理を実施し、その後100メッシュでろ過してシリンジ充填し、表1記載の条件にて脱泡処理を行った。比較例1ではシリンジ充填後の減圧下、振動処理を実施しなかった。比較例2ではシリンジ充填後に自転・公転式攪拌脱泡ミキサー((株)EME製、あわとり完太郎 VMX−360)にて自転600rpm、公転2000rpm、処理時間1分を実施した。比較例3では、シリンジ充填前の100メッシュでのろ過を実施せず、その後の減圧下、振動処理も実施しなかった。
粘度:E型粘度計(3°コーン)を用い25℃、0.5rpmおよび2.5rpmでの値を測定した。粘度の単位はPa・s。2.5rpmの粘度に対する0.5rpmの粘度を粘度比とした。
熱水抽出塩素含有率:上記半導体用接着剤を200℃60分硬化させ、粉砕した半導体用接着剤の硬化物2gおよび純水40mlを抽出釜にいれ125℃20時間抽出を行った。冷却、遠心分離後の上澄み液を検体としイオンクロマトグラフにて塩素イオン濃度を測定した。得られた抽出液濃度と以下の式により対試料濃度に換算した。ただし純水の比重は1として計算した。
塩素イオン濃度(対試料)
=塩素イオン濃度(抽出液)/硬化物重量(2g)×純水重量(40g)
打点試験:上記シリンジ充填した半導体用接着剤を打点試験機(武蔵エンジニアリング(株)製、SHOTMASTER−300)にて金属ニードル25Gシングルノズル(内径0.26mm、長さ15mm)を用いて70,000点塗布(塗布量20mg/1点)し、空打ちを測定した。空打ちが7点以下(100ppm以下)の場合を合格とした。
耐リフロー性:上記半導体用接着剤を用いて、下記のフレームにディスペンスし、チップをマウントし150℃60分間硬化接着し、さらに封止材料(スミコンEME−6300SL、住友ベークライト(株)製)を用いて封止し、パッケージを作製した。このパッケージを30℃、相対湿度60%、168時間吸湿処理した後、IRリフロー処理(260℃、10秒、3回リフロー)を行った。処理後のパッケージを超音波探傷装置(反射型)によりチップ上、ダイパッド裏の剥離面積が10%以下でパッケージクラックが発生していないことを確認した。剥離面積が10%以下でパッケージクラックのないものを○、剥離面積が10%以下でパッケージクラックのあるものを×とした。
パッケージ :SOT23(2×1.5×1mm)
フレーム :銅フレーム
チップサイズ:0.5×0.5mm
Claims (3)
- (A)熱硬化性樹脂と(B)充填剤とを含む半導体用接着剤の製造方法であって、減圧下、振動処理工程を含むことを特徴とする半導体用接着剤の製造方法。
- 上記減圧下、振動処理条件が、真空度1mmHg以上、20mmHg以下、振動数100Hz以上、500Hz以下、処理時間1分以上、60分以下である請求項1記載の半導体用接着剤の製造方法。
- 減圧下、振動処理工程を半導体用接着剤組成物のシリンジ充填工程後に行う請求項1又は2記載の半導体用接着剤の製造方法。
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JP2017119442A (ja) * | 2014-04-07 | 2017-07-06 | ユニチカ株式会社 | 積層多孔質フィルムおよびその製造方法 |
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