JP2006283152A - 膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 真空容器の真空状態を維持したまま膜厚分布の経時変化を補正できる膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜装置1は、真空容器10と、被処理物11をX軸方向に搬送する搬送機構3と、搬送機構3に対しZ軸方向に配置されて成膜材料Maを保持する主陽極4と、膜厚補正板8とを有する。膜厚補正板8は、真空容器10における搬送機構3と主陽極4との間の開口部10gに設けられ、X軸方向における開口部の幅W(Y)をY軸方向に沿って変化させることにより、成膜材料粒子Mbに対する被処理物11の暴露時間をY軸方向に沿って変化させる。また、膜厚補正板8は、主板8aと、Y軸方向における主板8aの両端に配置された端板8bとを有し、端板8bは、主板8aとは独立してX軸方向に移動可能に構成されている。
【選択図】 図1
【解決手段】 成膜装置1は、真空容器10と、被処理物11をX軸方向に搬送する搬送機構3と、搬送機構3に対しZ軸方向に配置されて成膜材料Maを保持する主陽極4と、膜厚補正板8とを有する。膜厚補正板8は、真空容器10における搬送機構3と主陽極4との間の開口部10gに設けられ、X軸方向における開口部の幅W(Y)をY軸方向に沿って変化させることにより、成膜材料粒子Mbに対する被処理物11の暴露時間をY軸方向に沿って変化させる。また、膜厚補正板8は、主板8aと、Y軸方向における主板8aの両端に配置された端板8bとを有し、端板8bは、主板8aとは独立してX軸方向に移動可能に構成されている。
【選択図】 図1
Description
本発明は、膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法に関するものである。
被処理物の表面に被成膜材料を成膜する方法として、物理蒸着法がある。物理蒸着法では、真空容器内において成膜材料に加熱、プラズマ照射、或いはイオン照射を行うことによって成膜材料を飛散させ、被処理物の表面に該成膜材料を付着させて成膜する。この方法では、真空容器内に成膜材料の濃度分布が生じると、成膜材料が被処理物の表面に均一に到達せず、均質な膜を得ることが難しい。
例えば、特許文献1には、1枚の被処理物(基板)に成膜を行う成膜装置において、被処理物と成膜材料との間の開口面積を増減可能とする開閉シャッタを取り付けることにより、被処理物の半径方向の膜厚分布を調整する装置が開示されている。
被処理物に成膜を行う成膜装置の形式としては、特許文献1に開示された形式の他に、例えば複数の被処理物を水平方向に搬送しつつ、被処理物の下方に配置された成膜材料を飛散させることにより、複数の被処理物に順に成膜材料を付着させて成膜を行う形式がある。このような形式を有する装置においては、例えば、真空容器における被処理物と成膜材料との間の開口部に膜厚補正板を設けることにより、搬送方向における該開口部の幅を搬送方向及び上下方向と直交する左右方向に変化させるとよい。これにより、飛散した成膜材料に対する被処理物の暴露時間を左右方向に沿って変化させて、成膜材料の濃度分布に起因する膜厚の不均一を補正できる。
しかしながら、上述した形式の成膜装置では、真空容器の真空状態を維持しながら、できるだけ長時間にわたって多くの被処理物に対し成膜を続け得ることが求められる。本発明者らの知見によれば、長時間にわたって多くの被処理物に対し成膜を続けると、膜厚補正板を設けていても、経時的に被処理物上の膜厚分布が変化してしまう。一般的に、真空容器内に保持された成膜材料上を被処理物が搬送される際、被処理物の表面のうち成膜材料から遠い部分は成膜速度が遅く、近い部分は成膜速度が速い。この成膜速度のばらつきに起因する膜厚の不均一を補正するために膜厚補正板が用いられるのであるが、長時間にわたって多くの被処理物に成膜を続けた場合、成膜材料から遠い被処理物表面における成膜速度が徐々に遅くなってしまい、被処理物表面における膜厚分布が次第に不均一となることがある。この状態を元に戻すためには真空状態を解除してメンテナンスを伴う場合があるので、真空状態を維持しながら成膜を長時間続けることが困難となる。
本発明は、上記した問題点を鑑みてなされたものであり、真空容器の真空状態を維持したまま膜厚分布の経時変化を補正できる膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法を提供することを目的とする。
上記した課題を解決するために、本発明による膜厚補正機構は、真空容器内に、被処理物を第1の方向に搬送する搬送機構と、搬送機構に対し第1の方向と交差する第2の方向に配置されて成膜材料を保持する材料保持部とを有し、成膜材料を飛散させて被処理物に付着させることにより成膜を行う成膜装置に用いられる膜厚補正機構であって、真空容器内における搬送機構と材料保持部との間の開口部に設けられ、第1の方向における開口部の幅を第1及び第2の方向と交差する第3の方向に沿って変化させることにより、飛散した成膜材料に対する被処理物の暴露時間を第3の方向に沿って変化させる膜厚補正板を備え、膜厚補正板は、主板と、第3の方向における主板の両端に配置された端板とを有し、端板が、主板とは独立して第1の方向に移動可能に構成されていることを特徴とする。
上記した膜厚補正機構においては、膜厚補正板が、主板と、第3の方向における主板の両端に配置された端板とを有することにより、被処理物の表面のうち材料保持部から近い部分の膜厚を主板が補正し、遠い部分の膜厚を端板が補正できる。そして、膜厚補正板の端板が主板とは独立して第1の方向に移動可能に構成されているので、被処理物の表面のうち材料保持部から遠い部分における成膜速度が時間経過とともに変化してしまう場合に、この成膜速度の変化に対応して端板を移動させることにより、真空容器の真空状態を保ったまま、膜厚分布の経時変化を好適に補正できる。従って、上記した膜厚補正機構によれば、真空容器の真空状態を長時間維持しつつより多くの被処理物に対して連続して成膜を行うことができる。
また、膜厚補正機構は、主板が、第1の方向に移動可能に構成されていることを特徴としてもよい。これにより、被処理物の表面のうち材料保持部から遠い部分だけでなく近い部分の成膜速度も時間経過とともに変化するような場合においても、膜厚分布の経時変化を好適に補正できる。
また、膜厚補正機構は、端板を冷却する冷却機構を更に備えることを特徴としてもよい。物理蒸着法においては、飛散した成膜材料が加熱されている場合が多い。端板を冷却する冷却機構を膜厚補正機構が備えることにより、端板の過熱を防ぎ、端板を第1の方向に好適に動作させることができる。
また、膜厚補正機構は、冷却機構が、端板に固定され、内部を流れる冷却液によって端板を冷却する第1の配管と、真空容器との相対位置が固定されており、冷却液を導く第2の配管と、第1の配管と第2の配管とを互いに接続するとともに、第2の配管に対する第1の配管の変位を吸収する変位吸収手段とを有することを特徴としてもよい。これにより、第1の方向に移動する端板の配管(第1の配管)へ冷却液を好適に供給できる。
また、本発明による成膜装置は、成膜材料を飛散させて被処理物に付着させることにより成膜を行う成膜装置であって、真空容器と、真空容器内に設けられ、被処理物を第1の方向に搬送する搬送機構と、真空容器内に設けられ、搬送機構に対し第1の方向と交差する第2の方向に配置されて成膜材料を保持する材料保持部と、真空容器内における搬送機構と材料保持部との間の開口部に設けられ、第1の方向における開口部の幅を第1及び第2の方向と交差する第3の方向に沿って変化させることにより、飛散した成膜材料に対する被処理物の暴露時間を第3の方向に沿って変化させる膜厚補正板とを備え、膜厚補正板は、主板と、第3の方向における主板の両端に配置された端板とを有し、端板が、主板とは独立して第1の方向に移動可能に構成されていることを特徴とする。
上記した成膜装置によれば、上述した膜厚補正機構と同様に、膜厚補正板の端板が主板とは独立して第1の方向に移動可能に構成されているので、真空容器の真空状態を保ったまま、膜厚分布の経時変化を補正できる。これにより、真空容器の真空状態を長時間維持しつつより多くの被処理物に対して連続して成膜を行うことができる。
また、成膜装置は、真空容器の側壁に配置され、成膜材料にプラズマを照射することにより成膜材料を飛散させるプラズマ源を更に備え、プラズマ源が配置された側壁とは反対側の側壁に膜厚補正板が設けられていることが好ましい。また、この場合、成膜装置は、プラズマ源が配置された側壁とは反対側の側壁に設けられた膜厚補正板とは別に、プラズマ源が配置された側壁に膜厚補正板を更に備えることがより好ましい。
また、本発明による成膜方法は、真空容器内において、被処理物を第1の方向に搬送しつつ、被処理物に対し第1の方向と交差する第2の方向に配置された成膜材料を飛散させて被処理物に付着させる成膜方法であって、被処理物と成膜材料との間の開口部に設けられ、主板と、第1及び第2の方向と交差する第3の方向における主板の両端に配置された端板とを有し、第1の方向における開口部の幅を第3の方向に沿って変化させる膜厚補正板を用い、真空容器の真空状態を維持しながら複数の被処理物に対し成膜を行う際に、端板を時間経過に応じて第1の方向に移動させることにより、飛散した成膜材料に対する被処理物の暴露時間を時間経過に応じて変更することを特徴とする。
上記した成膜方法によれば、端板を成膜時間に応じて第1の方向に移動させ、飛散した成膜材料に対する被処理物の暴露時間を成膜時間に応じて変更することにより、被処理物の表面のうち材料保持部から遠い部分が時間経過とともに薄く成膜されてしまうような場合であっても、真空容器の真空状態を保ったまま、膜厚分布の経時変化を補正できる。従って、真空容器の真空状態を長時間維持しつつより多くの被処理物に対して連続して成膜を行うことができる。
また、成膜方法は、プラズマを誘導するための電磁石を成膜材料の周囲に有し、成膜材料にプラズマを照射することにより成膜材料を飛散させるとともに、電磁石に流す電流を時間経過に応じて変更することを特徴としてもよい。成膜材料をプラズマ照射によって飛散させる方法においては、プラズマを誘導するために成膜材料の周囲に配置された電磁石に流す電流量に応じて被処理物の表面における膜厚分布が変化する。従って、この電流量を時間経過に応じて変化させることによっても被処理物表面の膜厚分布の経時変化を補正できるので、この電磁石への電流量の変化と端板の移動とを併用することにより、真空容器の真空状態を維持したまま膜厚分布の経時変化をより精度よく補正できる。
本発明による膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法によれば、真空容器の真空状態を維持したまま膜厚分布の経時変化を補正できる。
以下、添付図面を参照しながら本発明による膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図1は、本発明による成膜装置の第1実施形態の構成を示す側面断面図である。本実施形態の成膜装置1は、いわゆるイオンプレーティング法に用いられるイオンプレーティング装置である。なお、図1には、説明を容易にする為にXYZ直交座標系も示されている。
本実施形態の成膜装置1は、膜厚補正機構2、搬送機構3、主陽極4、プラズマ源5、補助陽極6、及び真空容器10を備える。
真空容器10は、成膜対象である被処理物11を搬送するための搬送路10aと、成膜材料Maを飛散させて被処理物11の表面に付着させる成膜室10bと、プラズマ源5から照射されるプラズマPを真空容器10内へ受け入れるプラズマ口10cと、酸素等の雰囲気ガスを真空容器10内部へ導入するためのガス供給口10d、10eと、成膜室10b内の残余ガスを排気する排気口10fとを有する。なお、この真空容器10は、導電性の材料からなり、接地電位に接続されている。
搬送機構3は、被処理物11を保持する被処理物保持部材32を主陽極4の上方で適宜移動させるための機構である。搬送機構3は、真空容器10の搬送路10a内に設置された複数の搬送ローラ31によって構成されている。搬送ローラ31は、X軸方向(第1の方向)に沿って等間隔で並んでおり、被処理物保持部材32を支持しつつX軸方向に搬送することができる。なお、被処理物11としては、例えばガラス基板などの板状部材が例示される。
プラズマ源5は、圧力勾配型であり、その本体部分が成膜室10bの側壁(プラズマ口10c)に設けられている。プラズマ源5において生成されたプラズマPは、プラズマ口10cから成膜室10b内へ出射される。プラズマPは、プラズマ口10cに設けられた図示しないステアリングコイルによって出射方向が制御される。
主陽極4は、成膜材料Maを保持するための材料保持部である。主陽極4は、真空容器10の成膜室10b内に設けられ、搬送機構3に対し、X軸方向と交差するZ軸方向(第2の方向)の負方向に配置されている。主陽極4は、プラズマ源5から出射されたプラズマPを成膜材料Maへ導くハース41を有する。ハース41は、接地電位である真空容器10に対して正電位に保たれており、プラズマPを吸引する。このプラズマPが入射するハース41の中央部には、成膜材料Maを装填するための貫通孔が形成されている。そして、成膜材料Maの先端部分が、この貫通孔から突出している。
成膜材料Maが絶縁性物質からなる場合、ハース41にプラズマPが照射されると、プラズマPからの電流によってハース41が加熱され、成膜材料Maの先端部分が蒸発して成膜材料粒子Mbが成膜室10b内に飛散する。また、成膜材料MaがITOなどの導電性物質からなる場合、ハース41にプラズマPが照射されると、プラズマPが成膜材料Maに直接入射し、成膜材料Maの先端部分が加熱されて蒸発し、成膜材料粒子Mbが成膜室10b内に飛散する。成膜室10b内に飛散した成膜材料粒子Mbは、プラズマPによりイオン化され、成膜室10bの上方(Z軸正方向)へ移動し、被処理物11の表面に付着する。なお、成膜材料Maは、常に先端部分がハース41から突出するように、主陽極4の下方から押し出される。
補助陽極6は、プラズマPを誘導するための電磁石である。補助陽極6は、成膜材料Maを保持するハース41の周囲に配置されており、環状の容器、並びに該容器内に収容されたコイル6a及び永久磁石6bを有する。コイル6a及び永久磁石6bは、コイル6aに流れる電流量に応じて、ハース41に入射するプラズマPの向きを制御する。
膜厚補正機構2は、被処理物11の表面における膜厚分布を補正するための機構である。膜厚補正機構2は、膜厚補正板8を有する。膜厚補正板8は、真空容器10内部における搬送機構3と主陽極4との間の開口部10gのうち、搬送路10aと成膜室10bとの境界部分に設けられている。また、膜厚補正板8は、真空容器10の側壁のうちプラズマ源5が配置された側壁とは反対側の側壁に設けられている。膜厚補正板8は、X軸方向における開口部の幅W(Y)を、X軸及びZ軸と交差するY軸方向(第3の方向)に沿って変化させることにより、飛散した成膜材料粒子Mbに対する被処理物11の暴露時間をY軸方向に沿って変化させる。
ここで、図2は、本実施形態における膜厚補正機構2の構成を示す平面図である。なお、この図2は、図1におけるI−I線に沿った断面を示している。
膜厚補正板8は、X軸方向における開口部10gの幅W(Y)を、Y軸方向に沿って変化させている。通常、成膜室内において飛散した成膜材料粒子の濃度(正確には、成膜材料粒子がプラズマによってイオン化されたイオン濃度)は、ハースの直上が最も高く、ハースから離れるに従って減少する。本実施形態の成膜装置1では、図2に示すように2つのハース41がY軸方向に並んで配置されているので、これらのハース41から飛散する成膜材料粒子Mbの成膜室10b内における濃度分布は、2つのハース41の直上から互いにやや寄ったY座標位置で最も高くなる。従って、膜厚補正板8は、開口部10gの幅W(Y)がこのY座標位置で最も狭くなるように形成されている。そして、膜厚補正板8は、このY座標位置から離れるに従って開口部10gの幅W(Y)が広くなるように形成されている。
膜厚補正板8は、Y軸方向における開口部10gの中央部分に配置された主板8aと、Y軸方向における主板8aの両端に配置された2枚の端板8bとを有する。端板8bは、主板8aとは独立してX軸方向に移動可能に構成されている。これにより、主板8aによって規定される幅W(Y)を維持したまま、端板8bによって規定される幅W(Y)を任意に変更できる。また、主板8aも端板8bと同様に、端板8bとは独立してX軸方向に移動可能であることが好ましい。これにより、端板8bによって規定される幅W(Y)とは別に、主板8aによって規定される幅W(Y)を任意に変更できる。
本実施形態の膜厚補正機構2は、上述した膜厚補正板8に加え、更に冷却機構9を有する。冷却機構9は、配管9a、9b、9g、及び接続部9cを有する。
配管9aは、本実施形態における第1の配管である。配管9aは、2枚の端板8bのそれぞれに固定されており、端板8bの面上になるべく長く配置されるように幾重にも折れ曲がって設けられている。配管9aの内部には水等の冷却液が導入され、この冷却液によって端板8bが冷却される。配管9aの一端は、配管9bの一端に接続されている。配管9bの他端は、接続部9cに接続されている。接続部9cは、成膜装置1に固定された配管(すなわち、真空容器10との相対位置が固定された第2の配管)と、配管9bとを互いに接続する。
配管9b及び接続部9cは、本実施形態における変位吸収手段である。すなわち、配管9bは、その一部が曲げられた略V字形状を有しており、該一部における曲がり角度が変化可能なように柔軟性を有している。また、接続部9cは、真空容器10に固定されるとともに、配管9bの他端を、配管9bを含む平面(本実施形態ではXY平面)内において回転可能に支持している。端板8bとともに配管9aがX軸方向に移動すると、配管9bの一端が配管9aによりX軸方向に引っ張られる。このとき、配管9bの曲がり角度が拡大するとともに配管9bの他端が接続部9cにおいて回転する。配管9b及び接続部9cは、この構成及び動作により、真空容器10との相対位置が固定された第2の配管に対する配管9aのX軸方向変位を吸収し、X軸方向に移動する端板8bの配管9aへ冷却液を好適に供給できる。
配管9gは、主板8aに固定されており、主板8aの面上に幾重にも折れ曲がって設けられている。配管9gの内部にも冷却液が導入され、この冷却液によって主板8aが冷却される。
ここで、図3は、接続部9cの構成例を示す側面図である。図3を参照すると、接続部9cは、回転軸Aに沿って延びる配管部分9dと、ロータリージョイント9eとを有する。また、図3には、第2の配管として配管9fが例示されている。配管部分9dの一端は配管9bに接続されており、配管部分9dの他端はロータリージョイント9eに接続されている。配管部分9dは、真空容器10の壁に設けられた貫通孔に挿通され、ベアリング等によって軸支されている。また、ロータリージョイント9eは、真空容器10との相対位置が固定された配管9fの一端と、回転可能に軸支された配管部分9dとを互いに接続する。配管9fの他端は、冷却装置9hに接続されている。これにより、配管部分9dを回転軸Aまわりに回転させつつ、配管9fから配管部分9dを介して配管9bへ冷却液を導入(或いは、配管9bから配管部分9dを介して配管9fへ冷却液を排出)できる。
次に、成膜装置1を用いた本実施形態による成膜方法について説明する。まず、主陽極4に配置されたハース41へ成膜材料Maを装着するとともに、被処理物11を保持した被処理物保持部材32を搬送機構3にセットする。そして、真空容器10内を真空に保持する。
続いて、接地電位にある真空容器10を挟んで、負電圧をプラズマ源5に、正電圧を主陽極4に印加して放電を生じさせ、プラズマPを生成する。プラズマPは、補助陽極6に案内されて主陽極4へ照射される。本方法では、被処理物保持部材32をX軸方向に搬送しつつ、このようにプラズマPを主陽極4へ照射する。プラズマPに曝された主陽極4内の成膜材料Maは、徐々に加熱される。成膜材料Maが十分に加熱されると、成膜材料Maが昇華し、成膜材料粒子Mbとなって成膜室10b内に飛散する。成膜室10b内に飛散した成膜材料粒子Mbは、成膜室10b内をZ軸方向の正方向に上昇する際、プラズマPによって活性化されてイオン化し、被処理物11に向けて飛翔する。
このとき、主陽極4の中心から所定幅内ではプラズマPの密度はほぼ均一となるが、主陽極4から比較的遠い位置(成膜室10bの側壁付近)では、プラズマPの密度が低くなる。このため、成膜材料粒子Mbが成膜室10bの側壁付近を上昇する際には、プラズマPによって活性化が十分に行われず、イオン化状態や、被処理物11へ向けた飛翔状態が不安定となる。したがって、主陽極4から遠い被処理物11の端部付近では中央付近と較べて成膜速度が遅くなる。ここで、図4は、被処理物11の表面におけるY軸方向に沿った膜厚分布を示すグラフである。主陽極4から遠い位置でプラズマPの密度が低くなった場合、図4のグラフG1に示すように、Y軸方向における被処理物11の端部付近で成膜速度が小さくなる。
この現象を補正するために、本実施形態の成膜装置1は膜厚補正板8を備えている。すなわち、膜厚補正板8が、X軸方向における開口部10gの幅W(Y)を、(イオン化した)成膜材料粒子Mbの濃度分布に応じてY軸方向に沿って変化させている。従って、被処理物11において成膜速度が遅い部分では成膜材料粒子Mbに対する暴露時間が比較的長くなり、成膜速度が早い部分では成膜材料粒子Mbに対する暴露時間が比較的短くなる。こうして、被処理物11の表面には、均一な厚さの膜が成膜される。
しかしながら、本発明者らの知見によれば、真空容器10の真空状態を維持したまま連続して多くの被処理物11に成膜を行うと、図4のグラフG2に示すように、主陽極4から遠い被処理物11の端部付近の成膜速度が徐々に低下してしまう。そこで、連続成膜作業の時間経過に応じて経時的に膜厚補正板8の端板8bをX軸方向の正方向へ移動させる。これにより、成膜室10b内で飛散した成膜材料粒子Mbに対する被処理物11の端部付近の暴露時間が、連続成膜作業の時間経過に応じて変更され、より長時間暴露されることとなる。従って、被処理物11の端部付近の成膜速度の低下が補われ、被処理物11の表面に均一な厚さの膜が成膜される。
また、被処理物11の表面における成膜速度の分布は、上述したようにプラズマPの密度の偏りに起因する。このことから、プラズマPを主陽極4へ誘導する補助陽極6のコイル6aに流す電流量を変化させることによって、プラズマPの密度分布を変化させ、被処理物11の表面における成膜速度の分布を変化させることができる。従って、コイル6aに流す電流量を連続成膜作業の時間経過に応じて経時的に変化させることにより、被処理物11の中央付近の成膜速度と端部付近の成膜速度との差を縮小し、より均一な厚さの膜を被処理物11の表面に成膜できる。
以上に説明した本実施形態による成膜装置1、膜厚補正機構2、及び成膜方法による効果について説明する。本実施形態の成膜装置1、膜厚補正機構2、及び成膜方法においては、上述したように、被処理物11の表面のうち主陽極4から近い部分の膜厚を膜厚補正板8の主板8aが補正し、遠い部分の膜厚を端板8bが補正できる。そして、膜厚補正板8の端板8bが主板8aとは独立してX軸方向に移動可能に構成されているので、被処理物11の表面のうち主陽極4から遠い端部付近における成膜速度が時間経過とともに変化してしまう場合に、この成膜速度の変化に対応して端板8bを移動させることにより、真空容器10の真空状態を保ったまま、膜厚分布の経時変化を好適に補正できる。従って、本実施形態の成膜装置1、膜厚補正機構2、及び成膜方法によれば、真空容器10の真空状態を長時間維持しつつより多くの被処理物11に対して連続して成膜を行うことができる。
表1は、本実施形態の一実施例として、図2に示した膜厚補正板8の端板8bを、X軸方向に移動させる前とX軸方向の正方向に40mm移動させた後とで膜厚分布の変化を調べた結果を示す実施例である。また、図5は、横軸を測定位置、縦軸を膜厚として表1をグラフ化した図である。この実施例では、端板8bを移動する前に3回(実施例1〜3)成膜を行い、端板8bを移動した後に3回(実施例4〜6)成膜を行った。また、Y軸方向における膜厚分布の測定点として、被処理物11の中心を原点とした3点(Y=−339mm、0mm、339mm)を選択した。なお、端板8bを移動する前と移動した後とで成膜速度分布は殆ど変化していない。
表1及び図5を参照すると、端板8bを動作させる前と比較して、端板8bを動作させた後では、被処理物11の端部(Y=−339mm、339mm)における膜厚が全て厚くなっている。また、被処理物11の中央付近(Y=0mm)における膜厚は、殆ど変化していない。このように、本実施形態の膜厚補正板8を用いれば、被処理物11の中央付近における暴露時間を維持したまま、被処理物11の端部付近における暴露時間を長く変更することが可能であり、時間経過に応じた成膜速度の変化に対しても膜厚を好適に補正できる。
表1及び図5を参照すると、端板8bを動作させる前と比較して、端板8bを動作させた後では、被処理物11の端部(Y=−339mm、339mm)における膜厚が全て厚くなっている。また、被処理物11の中央付近(Y=0mm)における膜厚は、殆ど変化していない。このように、本実施形態の膜厚補正板8を用いれば、被処理物11の中央付近における暴露時間を維持したまま、被処理物11の端部付近における暴露時間を長く変更することが可能であり、時間経過に応じた成膜速度の変化に対しても膜厚を好適に補正できる。
また、本実施形態のように、上述した端板8bの移動に加え、コイル6aに流す電流を時間経過に応じて変更することにより、膜厚分布の経時変化を補正できる。すなわち、成膜材料Maをプラズマ照射によって飛散させる本実施形態のようなイオンプレーティング法においては、プラズマPを誘導するためのコイル6aに流す電流量に応じてプラズマPの密度分布が変化し、被処理物11の表面における成膜速度分布が変化する。従って、この電流量を時間経過に応じて変化させることによっても被処理物11表面の膜厚分布の経時変化を補正できるので、このコイル6aへの電流量の変化と端板8bの移動とを併用することにより、真空容器10の真空状態を維持したまま膜厚分布の経時変化をより精度よく補正できる。
表2は、本実施形態の他の実施例として、補助陽極6のコイル6aに流す電流量と膜厚分布との相関を調べた結果を示す実施例である。また、図6は、横軸を測定位置、縦軸を膜厚として表2をグラフ化した図である。この実施例では、コイル6aに25[A]の電流を流して3回(実施例7〜9)成膜を行い、コイル6aの電流を28[A]に変更して更に3回(実施例10〜12)成膜を行った。なお、Y軸方向における膜厚分布の測定点は、上述した表1と同様である。また、電流量を変更する前と変更した後とで成膜速度分布は殆ど変化していない。
表2及び図6を参照すると、コイル6aに25[A]の電流を流した場合と比較して、コイル6aに28[A]の電流を流した場合では、被処理物11の端部(Y=−339mm、339mm)における膜厚が全て厚くなっている。また、被処理物11の中央付近(Y=0mm)における膜厚は、殆ど変化していない。このように、コイル6aに流す電流量を変化させることによっても、被処理物11の中央付近における膜厚を維持したまま、被処理物11の端部付近における膜厚を調整することが可能であり、時間経過に応じた成膜速度の変化に対しても膜厚を好適に補正できる。
表2及び図6を参照すると、コイル6aに25[A]の電流を流した場合と比較して、コイル6aに28[A]の電流を流した場合では、被処理物11の端部(Y=−339mm、339mm)における膜厚が全て厚くなっている。また、被処理物11の中央付近(Y=0mm)における膜厚は、殆ど変化していない。このように、コイル6aに流す電流量を変化させることによっても、被処理物11の中央付近における膜厚を維持したまま、被処理物11の端部付近における膜厚を調整することが可能であり、時間経過に応じた成膜速度の変化に対しても膜厚を好適に補正できる。
また、主板8aは、端板8bとは独立してX軸方向に移動可能に構成されていることが好ましい。これにより、被処理物11の表面のうち主陽極4から遠い端部付近だけでなく主陽極4から近い中央付近の成膜速度が時間経過とともに変化するような場合においても、膜厚分布の経時変化を好適に補正できる。
成膜室10b内における成膜材料粒子Mbの濃度分布は、同じ成膜条件であっても成膜材料Maの種類によって異なる。従って、成膜材料Maの種類を変更した場合においても、被処理物11の表面における成膜速度分布が変化することとなる。このため、従来の成膜装置では、成膜材料の種類を変更するたびに真空状態を解除して膜厚補正板を異なる形状のものに取り替えなければならない。これに対し、本実施形態の成膜装置1(膜厚補正機構2)によれば、主板8a及び端板8bを個別にX軸方向に移動させることにより、成膜材料Maの変更時においても膜厚分布を好適に補正できるので、真空容器10の真空状態を維持しつつ成膜材料Maの変更が可能となる。
また、本実施形態のように、膜厚補正機構2は、端板8bを冷却する冷却機構9を更に備えることが好ましい。イオンプレーティング法などの物理蒸着法においては、飛散した成膜材料粒子Mbが加熱されている場合が多い。端板8bを冷却する冷却機構9を膜厚補正機構2が備えることにより、端板8bの過熱を防ぎ、端板8bをX軸方向に好適に動作させることができる。
(第2の実施の形態)
図7は、本発明による成膜装置の第2実施形態の構成を示す側面断面図である。図7に示す本実施形態の成膜装置1aと上記第1実施形態の成膜装置1との相違点は、膜厚補正板の数である。すなわち、本実施形態の成膜装置1aが備える膜厚補正機構2aは、2枚の膜厚補正板81及び82を有する。このうち、膜厚補正板81の構成および動作については、第1実施形態の膜厚補正板8と同様なので詳細な説明を省略する。
図7は、本発明による成膜装置の第2実施形態の構成を示す側面断面図である。図7に示す本実施形態の成膜装置1aと上記第1実施形態の成膜装置1との相違点は、膜厚補正板の数である。すなわち、本実施形態の成膜装置1aが備える膜厚補正機構2aは、2枚の膜厚補正板81及び82を有する。このうち、膜厚補正板81の構成および動作については、第1実施形態の膜厚補正板8と同様なので詳細な説明を省略する。
膜厚補正板82は、真空容器10内部における搬送機構3と主陽極4との間の開口部10gのうち、搬送路10aと成膜室10bとの境界部分に設けられている。また、膜厚補正板82は、真空容器10の側壁のうちプラズマ源5が配置された側壁に設けられている。膜厚補正板82は、X軸方向における開口部の幅W(Y)を、膜厚補正板81と共にY軸方向に沿って変化させることにより、成膜材料粒子Mbに対する被処理物11の暴露時間をY軸方向に沿って変化させる。なお、この膜厚補正板82にも、図2に示した冷却機構9のような冷却機構が配置されることが好ましい。
成膜装置は、本実施形態の成膜装置1aのように、対向配置された2つの膜厚補正板81及び82を備えることが好ましい。これによって、膜厚分布の経時変化をより精度よく補正できる。
本発明による膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法は、上記した各実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記各実施形態では本発明の構成をイオンプレーティング装置に適用しているが、本発明の構成はこれ以外にも例えば真空蒸着装置やスパッタ装置などの様々な物理蒸着装置に適用できる。
1,1a…成膜装置、2,2a…膜厚補正機構、3…搬送機構、4…主陽極、5…プラズマ源、6…補助陽極、6a…コイル、6b…永久磁石、8,81,82…膜厚補正板、8a…主板、8b…端板、9…冷却機構、9a,9b,9f,9g…配管、9c…接続部、9d…配管部分、9e…ロータリージョイント、9h…冷却装置、10…真空容器、10a…搬送路、10b…成膜室、10c…プラズマ口、10d,10e…ガス供給口、10f…排気口、10g…開口部、11…被処理物、31…搬送ローラ、32…被処理物保持部材、41…ハース、Ma…成膜材料、Mb…成膜材料粒子、P…プラズマ。
Claims (9)
- 真空容器内に、被処理物を第1の方向に搬送する搬送機構と、前記搬送機構に対し前記第1の方向と交差する第2の方向に配置されて成膜材料を保持する材料保持部とを有し、前記成膜材料を飛散させて被処理物に付着させることにより成膜を行う成膜装置に用いられる膜厚補正機構であって、
前記真空容器内における前記搬送機構と前記材料保持部との間の開口部に設けられ、前記第1の方向における前記開口部の幅を前記第1及び第2の方向と交差する第3の方向に沿って変化させることにより、飛散した前記成膜材料に対する前記被処理物の暴露時間を前記第3の方向に沿って変化させる膜厚補正板を備え、
前記膜厚補正板は、
主板と、前記第3の方向における前記主板の両端に配置された端板とを有し、
前記端板が、前記主板とは独立して前記第1の方向に移動可能に構成されていることを特徴とする、膜厚補正機構。 - 前記主板が、前記第1の方向に移動可能に構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の膜厚補正機構。
- 前記端板を冷却する冷却機構を更に備えることを特徴とする、請求項1または2に記載の膜厚補正機構。
- 前記冷却機構は、
前記端板に固定され、内部を流れる冷却液によって前記端板を冷却する第1の配管と、
前記真空容器との相対位置が固定されており、前記冷却液を導く第2の配管と、
前記第1の配管と前記第2の配管とを互いに接続するとともに、前記第2の配管に対する前記第1の配管の変位を吸収する変位吸収手段と
を有することを特徴とする、請求項3に記載の膜厚補正機構。 - 成膜材料を飛散させて被処理物に付着させることにより成膜を行う成膜装置であって、
真空容器と、
前記真空容器内に設けられ、被処理物を第1の方向に搬送する搬送機構と、
前記真空容器内に設けられ、前記搬送機構に対し前記第1の方向と交差する第2の方向に配置されて成膜材料を保持する材料保持部と、
前記真空容器内における前記搬送機構と前記材料保持部との間の開口部に設けられ、前記第1の方向における前記開口部の幅を前記第1及び第2の方向と交差する第3の方向に沿って変化させることにより、飛散した前記成膜材料に対する前記被処理物の暴露時間を前記第3の方向に沿って変化させる膜厚補正板と
を備え、
前記膜厚補正板は、
主板と、前記第3の方向における前記主板の両端に配置された端板とを有し、
前記端板が、前記主板とは独立して前記第1の方向に移動可能に構成されていることを特徴とする、成膜装置。 - 前記真空容器の側壁に配置され、前記成膜材料にプラズマを照射することにより前記成膜材料を飛散させるプラズマ源を更に備え、
前記プラズマ源が配置された前記側壁とは反対側の側壁に前記膜厚補正板が設けられていることを特徴とする、請求項5に記載の成膜装置。 - 前記プラズマ源が配置された前記側壁とは反対側の側壁に設けられた前記膜厚補正板とは別に、前記プラズマ源が配置された前記側壁に前記膜厚補正板を更に備えることを特徴とする、請求項6に記載の成膜装置。
- 真空容器内において、被処理物を第1の方向に搬送しつつ、前記被処理物に対し前記第1の方向と交差する第2の方向に配置された成膜材料を飛散させて前記被処理物に付着させる成膜方法であって、
前記被処理物と前記成膜材料との間の開口部に設けられ、主板と、前記第1及び第2の方向と交差する第3の方向における前記主板の両端に配置された端板とを有し、前記第1の方向における前記開口部の幅を前記第3の方向に沿って変化させる膜厚補正板を用い、
前記真空容器の真空状態を維持しながら複数の前記被処理物に対し成膜を行う際に、前記端板を時間経過に応じて前記第1の方向に移動させることにより、飛散した前記成膜材料に対する前記被処理物の暴露時間を時間経過に応じて変更することを特徴とする、成膜方法。 - 前記プラズマを誘導するための電磁石を前記成膜材料の周囲に有し、前記成膜材料にプラズマを照射することにより前記成膜材料を飛散させるとともに、前記電磁石に流す電流を時間経過に応じて変更することを特徴とする、請求項8に記載の成膜方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005106347A JP2006283152A (ja) | 2005-04-01 | 2005-04-01 | 膜厚補正機構、成膜装置、及び成膜方法 |
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JP2006283152A true JP2006283152A (ja) | 2006-10-19 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR20160115730A (ko) | 2015-03-25 | 2016-10-06 | (주)에스엔텍 | 대면적 기재의 성막을 위한 성막장치 |
KR101790625B1 (ko) * | 2015-03-25 | 2017-10-26 | (주)에스엔텍 | 성막 두께 조절이 가능한 성막장치 |
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2005
- 2005-04-01 JP JP2005106347A patent/JP2006283152A/ja active Pending
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