JP2004309499A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004309499A5 JP2004309499A5 JP2004167929A JP2004167929A JP2004309499A5 JP 2004309499 A5 JP2004309499 A5 JP 2004309499A5 JP 2004167929 A JP2004167929 A JP 2004167929A JP 2004167929 A JP2004167929 A JP 2004167929A JP 2004309499 A5 JP2004309499 A5 JP 2004309499A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sample
- processing apparatus
- stage
- piece
- chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Claims (17)
- 投射イオンビームを試料に照射するための照射光学系と、
前記投射イオンビームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、
前記試料を載置する試料ステージと、
該試料ステージに載置された前記試料を格納する試料室と、
前記試料室内に、前記投射イオンビームを照射して前記試料より分離された試料片を前記試料から摘出して該試料片を移動させる移送手段とを備えることを特徴とする試料加工装置。 - 投射イオンビームを試料に照射するための照射光学系と、
前記投射イオンビームの照射によって発生する二次粒子を検出する二次粒子検出手段と、
前記試料を載置する試料ステージと、
該試料ステージに載置された前記試料を格納する試料室と、
プローブを含む移送手段と,
少なくとも前記試料片と前記プローブとの間、前記試料片と前記試料ホルダの間のいずれか一方にデポジション膜を形成するためのガス供給源とを備えることを特徴とする試料加工装置。 - 請求項1または2に記載の試料加工装置において、
前記試料ステージを微動させる微動手段を備え、
前記微動手段は前記試料室の外部に設けられることを特徴とする試料加工装置。 - 請求項1または2に記載の試料加工装置において、
前記試料ステージから摘出された前記試料片を移設するための保持手段を備えた第二の試料ステージを有することを特徴とする試料加工装置。 - 請求項4に記載の試料加工装置において、
前記試料保持手段とは、試料ホルダまたは保持用メッシュであることを特徴とする試料加工方法。 - 請求項1から5のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記第二の試料ステージは、前記試料ステージから前記試料片が前記移動手段により摘出された後に前記試料ステージと交換して前記試料室に搭載されることを特徴とする試料作成装置。 - 請求項1から6のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記微動手段に前記第二のステージを搭載して、当該第二のステージを前記試料室内に搭載することを特徴とする試料加工装置。 - 請求項1から7のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記試料ステージ及び第二の試料ステージはサイドエントリ型であることを特徴とする試料加工装置。 - 請求項1から8のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記投射イオンビームを前記試料に照射するためのステンシルマスクを備えることを特徴とする試料加工装置。 - 請求項1に記載の試料加工装置において、
前記試料ステージは試料設置面を備えた試料設置部と、該試料設置部を前記試料設置面の面内に回転させる面内回転調整部を備えたことを特徴とする試料加工装置。 - 請求項1から10のいずれかに記載の試料加工装置において、
前記試料ステージがSEMにも導入できる形状であることを特徴とする試料加工装置。 - 請求項1または2に記載の試料加工装置において、
試料の加工を増速するガスを供給するエッチングガス供給手段を備えることを特徴とする試料加工装置。 - 投射イオンビームを試料に照射するための照射光学系と、
該照射光学系を制御するイオンビーム制御部と、
前記試料を載置する試料ステージと、
該試料ステージに載置された前記試料を格納する試料室と、
該試料室内に設けられ、前記試料から摘出された試料片を載せる試料保持手段と、
前記試料片を前記試料保持手段に載せるための移送手段と、
前記試料保持手段へ前記試料片を載せる作業が前記試料室内で実行可能であることを特徴とする試料加工装置。 - イオンビームを発生するイオン源と、所望の形状の開口を有するマスクと、偏向器とを少なくとも有する照射光学系と、
該照射光学系を制御するイオンビーム制御部と、
試料を載置する試料ステージと、
該試料ステージに載置された前記試料を格納する試料室と、
該試料室内に設けられ、前記試料から摘出された試料片を載せる試料保持手段と、
前記試料片を前記試料保持手段に載せるための移送手段と、
前記試料保持手段へ前記試料片を載せる作業が前記試料室内で実行可能であることを特徴とする装置。 - イオンビームを発生するイオン源と、所望の形状の開口を有するマスクと、偏向器とを少なくとも有する照射光学系と、
前記試料を載置する試料ステージと、
前記試料から摘出された試料片を載せる試料保持手段と、
プローブを含む移送手段と,
少なくとも前記試料片と前記プローブとの間、前記試料片と前記試料ホルダの間のいずれか一方にデポジション膜を形成するためのガス供給源と、
少なくとも前記試料ステージ、前記プローブ及び前記試料保持手段を格納する試料室とを備えることを特徴とする試料加工装置。 - 請求項14または15に記載の試料加工装置において、
前記マスクはステンシルマスクであることを特徴とする装置。 - 請求項14または15に記載の試料加工装置において、
前記イオン源は液体金属イオン源を含むことを特徴とする装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004167929A JP4016969B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 試料作製装置および試料作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004167929A JP4016969B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 試料作製装置および試料作製方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP33368198A Division JP3633325B2 (ja) | 1998-11-25 | 1998-11-25 | 試料作製装置および試料作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004309499A JP2004309499A (ja) | 2004-11-04 |
JP2004309499A5 true JP2004309499A5 (ja) | 2005-07-07 |
JP4016969B2 JP4016969B2 (ja) | 2007-12-05 |
Family
ID=33475715
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004167929A Expired - Fee Related JP4016969B2 (ja) | 2004-06-07 | 2004-06-07 | 試料作製装置および試料作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4016969B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5033314B2 (ja) | 2004-09-29 | 2012-09-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置及び加工方法 |
JP4185062B2 (ja) | 2005-03-04 | 2008-11-19 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 加工用ステージ及び集束ビーム加工装置並びに集束ビーム加工方法 |
JP4628153B2 (ja) * | 2005-03-18 | 2011-02-09 | 富士通株式会社 | ナノレベル構造組成観察装置及びナノレベル構造組成観察方法 |
JP5127148B2 (ja) | 2006-03-16 | 2013-01-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | イオンビーム加工装置 |
JP5710887B2 (ja) * | 2010-03-18 | 2015-04-30 | 株式会社日立ハイテクサイエンス | 複合荷電粒子加工観察装置 |
CN109283027B (zh) * | 2018-11-05 | 2023-10-13 | 长沙岱勒新材料科技股份有限公司 | 金刚线金相试样制作装置及方法 |
-
2004
- 2004-06-07 JP JP2004167929A patent/JP4016969B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4481592B2 (ja) | 集束された電子ビームによって誘導された化学反応を用いた材料表面のエッチング方法 | |
US7452477B2 (en) | Procedure for etching of materials at the surface with focussed electron beam induced chemical reaction at said surface | |
JP5244396B2 (ja) | 固体凝縮ガス層のエネルギー誘導局所除去を用いるリフトオフパターニング方法 | |
JP5619002B2 (ja) | イオンミリング装置 | |
JP7420726B2 (ja) | リソグラフィ装置におけるインシチュ粒子除去のための装置及び方法 | |
JP2007180403A5 (ja) | ||
JP2010520465A5 (ja) | ||
JPH0945639A (ja) | 高速原子線を用いた加工方法及び加工装置 | |
JP2008204905A (ja) | イオンミリング装置、及びイオンミリング加工方法 | |
JP5542749B2 (ja) | 試料の作製装置,作製方法、及びそれを用いた荷電粒子線装置 | |
JP2004309499A5 (ja) | ||
TW201939572A (zh) | 具有可控制噴束尺寸之處理噴霧的微電子處理系統 | |
TW201222617A (en) | Sample device for charged particle beam | |
JP2008226991A (ja) | プラズマ処理装置 | |
He et al. | Maskless laser nano-lithography of glass through sequential activation of multi-threshold ablation | |
JP2009146887A (ja) | 物体を加工するシステムおよび方法 | |
JP5684171B2 (ja) | レーザイオン源 | |
JP2004295146A5 (ja) | ||
US20020145714A1 (en) | Reticle chucks and methods for holding a lithographic reticle utilizing same | |
JP2009245783A (ja) | イオンミリング装置及びイオンミリング方法 | |
KR20160000431A (ko) | 표면 처리 장치 | |
JP2009025243A (ja) | 試料作製装置 | |
TWI813629B (zh) | 試料製造裝置及試料片的製造方法 | |
TW201812476A (zh) | 微影方法及設備 | |
JP2023541666A (ja) | 試料を粒子線で分析および/または処理するための装置および方法 |