JP2007211284A - 成膜装置 - Google Patents

Abstract

【課題】真空容器の真空状態を維持したまま膜厚補正板の形状を変更できる成膜装置を提供する。
【解決手段】成膜装置１は、真空容器１０と、被処理物１１を搬送する搬送機構３と、成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）を保持するハース機構４と、真空容器１０内における搬送機構３とハース機構４との間の開口部１０ｇに設けられ、Ｘ軸方向における開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）をＹ軸方向に沿って変化させることにより、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１（Ｍｂ_２）に対する被処理物１１の暴露時間をＹ軸方向に沿って変化させる膜厚補正板８，９と、開口部１０ｇに設けられＸ軸方向に開閉するシャッタ７ａ及び７ｂとを備える。膜厚補正板８，９は、その形状が互いに異なっており、Ｚ軸方向に並設されている。一方の膜厚補正板９はシャッタ７ａに固定されており、シャッタ７ａは、開閉の途中で停止可能となっている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、成膜装置に関するものである。

被処理物の表面に成膜材料を成膜する方法として、物理蒸着法がある。物理蒸着法では、真空容器内において成膜材料に加熱、プラズマ照射、或いはイオン照射を行うことによって成膜材料を拡散させ、被処理物の表面に該成膜材料を付着させて成膜する。この方法では、真空容器内に成膜材料の濃度分布が生じると、成膜材料が被処理物の表面に均一に到達せず、均質な膜を得ることが難しい。

例えば、特許文献１には、被処理物と成膜材料との間の開口面積を増減可能とする開閉シャッタを取り付けることにより、被処理物の半径方向の膜厚分布を調整する成膜装置が開示されている。

特開２００３−１６６０５５

成膜装置においては、真空容器の真空状態を維持しながら、できるだけ長時間にわたって成膜を続け得ることが求められる。しかしながら、例えば成膜材料の種類を変更する際に、膜厚補正板の形状を変更することがある。従来より、膜厚補正板を変更する作業は真空容器を解放して行われていたので、長時間にわたる連続成膜を阻む一因となっていた。

本発明は、上記した問題点を鑑みてなされたものであり、真空容器の真空状態を維持したまま膜厚補正板の形状を変更できる成膜装置を提供することを目的とする。

上記した課題を解決するために、本発明による成膜装置は、成膜材料を拡散させて被処理物に付着させることにより成膜を行う成膜装置であって、真空容器と、真空容器内において被処理物を保持する被処理物保持部と、真空容器内において成膜材料を保持する材料保持部と、真空容器内における材料保持部と被処理物保持部との間の開口部に設けられ、膜厚分布を補正する複数の膜厚補正板とを備え、複数の膜厚補正板が、互いに異なる形状を有し、厚さ方向に並設されるとともに、少なくとも一つの膜厚補正板が可動であることを特徴とする。

上記した成膜装置においては、可動となっている膜厚補正板を他の膜厚補正板より大きくせり出させると、この膜厚補正板によって膜厚分布を補正でき、また、可動となっている膜厚補正板を他の膜厚補正板より引っ込めると、他の膜厚補正板によって膜厚分布を補正できる。従って、上記した成膜装置によれば、真空容器の真空状態を維持したまま膜厚補正板の形状を容易に変更できる。

また、成膜装置は、開口部を開閉するシャッタを更に備え、少なくとも一つの膜厚補正板がシャッタに固定されていることを特徴としてもよい。これにより、別途膜厚補正板用の駆動機構を設けることなく簡易な構成によって膜厚補正板を可動にできる。

また、成膜装置は、シャッタが開閉の途中で停止可能となっていることを特徴としてもよい。この成膜装置によれば、シャッタを開閉の途中で停止させることにより、上記少なくとも一つの膜厚補正板によって膜厚分布を補正でき、また、シャッタを完全に開けた場合には、他の膜厚補正板によって膜厚分布を補正できる。

また、成膜装置は、シャッタを開閉の途中で停止させるストッパ機構を更に備えることを特徴としてもよい。或いは、成膜装置は、シャッタを駆動するモータを更に備え、モータが、回転角制御によりシャッタを開閉の途中で停止させることを特徴としてもよい。これらの構成により、シャッタを開閉の途中で停止させるための機構を簡易に構成できるとともに、シャッタに固定された膜厚補正板を精度良く位置決めできる。

本発明による成膜装置によれば、真空容器の真空状態を維持したまま膜厚補正板の形状を変更できる。

以下、添付図面を参照しながら本発明による成膜装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。

図１は、本発明による成膜装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。本実施形態の成膜装置１は、いわゆるイオンプレーティング法に用いられるイオンプレーティング装置である。なお、図１には、説明を容易にする為にＸＹＺ直交座標系も示されている。

本実施形態の成膜装置１は、搬送機構３、ハース機構４、プラズマ源５、補助陽極６、シャッタ７ａ及び７ｂ、膜厚補正板８及び９、並びに真空容器１０を備える。

真空容器１０は、成膜対象である被処理物１１を搬送するための搬送路１０ａと、成膜材料Ｍａ_１（またはＭａ_２）を拡散させて被処理物１１の表面に付着させるための成膜室１０ｂと、プラズマ源５から照射されるプラズマＰを真空容器１０内へ受け入れるプラズマ口１０ｃと、酸素等の雰囲気ガスを真空容器１０内部へ導入するためのガス供給口１０ｄ、１０ｅと、成膜室１０ｂ内の残余ガスを排気する排気口１０ｆとを有する。なお、この真空容器１０は、導電性の材料からなり、接地電位に接続されている。

搬送路１０ａには、搬送機構３が設けられている。搬送機構３は、被処理物１１を保持するキャリア３２をハース機構４の上方において支持しつつ移動させるための機構である。すなわち、本実施形態においては、真空容器１０内において被処理物１１を保持するための被処理物支持部が、搬送機構３及びキャリア３２によって構成されている。搬送機構３は、真空容器１０の搬送路１０ａ内に設置された複数の搬送ローラ３１によって構成されている。搬送ローラ３１は、Ｘ軸方向に沿って等間隔で並んでおり、キャリア３２を支持しつつＸ軸方向に搬送することができる。なお、被処理物１１としては、例えばガラス基板などの板状部材が例示される。

成膜室１０ｂには、ハース機構４、プラズマ源５、及び補助陽極６が設けられている。プラズマ源５は、圧力勾配型であることが好ましく、その本体部分が成膜室１０ｂの側壁に設けられている。プラズマ源５において生成されたプラズマＰは、成膜室１０ｂの側壁に設けられたプラズマ口１０ｃから成膜室１０ｂ内へ出射される。プラズマＰの出射方向は、プラズマ源５の出射口を囲むように設けられた図示しないステアリングコイルによって制御される。

ハース機構４は、成膜材料Ｍａ_１，Ｍａ_２を保持するための材料保持部である。ハース機構４は、成膜室１０ｂ内に設けられ、搬送機構３に対し、Ｘ軸方向と交差するＺ軸方向の負方向に配置されている。ハース機構４は、プラズマ源５から出射されたプラズマＰを成膜材料Ｍａ_１，Ｍａ_２それぞれへ導く複数のハース４１ａ，４１ｂを有する。すなわち、複数のハース４１ａ，４１ｂは、それぞれ成膜材料Ｍａ_１，Ｍａ_２を保持する主陽極である。ハース４１ａ，４１ｂは、回転可能なテーブル４２上の周方向に並置されており、一方のハース４１ａ（または４１ｂ）がハース押上げ機構４３によって上方の所定位置へ押し上げられることにより、成膜材料Ｍａ_１（またはＭａ_２）が成膜に供される。ハース４１ａ（または４１ｂ）は、ハース押上げ機構４３によって押し上げられた状態で、接地電位である真空容器１０に対して正電位に保たれ、プラズマＰを吸引する。

成膜材料Ｍａ_１，Ｍａ_２としては、ＩＴＯなどの透明導電材料や、ＳｉＯなどの絶縁封止材料が例示される。成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）が絶縁性物質からなる場合、ハース４１ａ（４１ｂ）にプラズマＰが照射されると、プラズマＰからの電流によってハース４１ａ（４１ｂ）が加熱され、成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）の先端部分が蒸発する。また、成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）が導電性物質からなる場合、ハース４１ａ（４１ｂ）にプラズマＰが照射されると、プラズマＰが成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）に直接入射し、成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）の先端部分が加熱されて蒸発する。蒸発した成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）は、プラズマＰによってイオン化されてイオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１（Ｍｂ_２）となる。イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１（Ｍｂ_２）は、成膜室１０ｂ内に拡散しながら成膜室１０ｂの上方（Ｚ軸正方向）へ移動し、被処理物１１の表面に付着する。なお、成膜材料Ｍａ_１（Ｍａ_２）は、その先端部分が所定の位置を常に維持するように、ハース４１ａ（４１ｂ）の下方から材料押上げ部材４４によって押し出される。

補助陽極６は、プラズマＰを誘導するための電磁石である。補助陽極６は、押し上げられたハース４１ａ（４１ｂ）の周囲に配置されており、環状の容器、並びに該容器内に収容されたコイル及び永久磁石を有する。コイル及び永久磁石は、コイルに流れる電流量に応じて、ハース４１ａ（４１ｂ）に入射するプラズマＰの向きを制御する。

また、真空容器１０内には、シャッタ７ａ及び７ｂ、並びに複数の膜厚補正板８及び９が設けられている。シャッタ７ａ及び７ｂは、真空容器１０内部における搬送機構３とハース機構４との間の開口部１０ｇのうち、搬送路１０ａと成膜室１０ｂとの境界部分に設けられている。シャッタ７ａ及び７ｂは、真空容器１０内の開口部１０ｇにおいて、Ｘ軸方向に開閉可能に設けられている。具体的には、シャッタ７ａは、真空容器１０の側壁のうちプラズマ源５が配置された側壁とは反対側の側壁の上方に設けられている。また、シャッタ７ｂは、真空容器１０の側壁のうちプラズマ源５が配置された側壁の上方に設けられている。そして、シャッタ７ａ及び７ｂは、互いに近接するようＸ軸方向に移動することにより開口部１０ｇを閉じ、また、互いに離間するようＸ軸方向に移動することにより開口部１０ｇを開く。

膜厚補正板８及び９は、開口部１０ｇに設けられており、互いに厚さ方向（Ｚ軸方向）に並設されている。膜厚補正板８及び９は、膜厚分布を補正するための部材である。本実施形態では、膜厚補正板８及び９は、真空容器１０の側壁のうちシャッタ７ａが設けられた側の側壁の上方に設けられている。そして、一方の膜厚補正板８は真空容器１０に固定されており、他方の膜厚補正板９はシャッタ７ａの先端に固定され、シャッタ７ａと共に可動となっている。膜厚補正板８及び９は、Ｘ軸方向における開口部の開口幅Ｗ（Ｙ）をＹ軸方向に沿って変化させることにより、拡散したイオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１（Ｍｂ_２）に対する被処理物１１の暴露時間をＹ軸方向に沿って変化させる。

ここで、図２〜図４は、開口部１０ｇ付近の詳細な構造及び動作を示す図である。図２（ａ）、図３（ａ）、及び図４（ａ）は開口部１０ｇ付近の断面図を示しており、図２（ｂ）、図３（ｂ）、及び図４（ｂ）は開口部１０ｇ付近の平面図を示している。以下、図２〜図４を参照して、シャッタ７ａ及び７ｂ、並びに膜厚補正板８及び９の構造及び動作について説明する。

シャッタ７ａ及び７ｂは、ＸＹ平面に沿った板状に形成されており、Ｙ軸方向における幅が開口部１０ｇの幅と同じかそれよりも大きくなっている。シャッタ７ａ及び７ｂは、Ｙ軸方向を長手方向とするガイド孔７ｃ及び７ｄをそれぞれ有している。該ガイド孔７ｃ及び７ｄのそれぞれには、アーム１２ａ及び１２ｂそれぞれの一端に設けられたピン１２ｃ及び１２ｄがスライド可能に挿入されている。アーム１２ａ及び１２ｂの他端は駆動機構（不図示）に連結されており、Ｚ軸周りに回動可能な状態で真空容器１０に支持されている。従って、アーム１２ａ及び１２ｂの他端が回動することにより、シャッタ７ａ及び７ｂがＸ軸方向に開閉することができる。図２（ａ）及び（ｂ）はシャッタ７ａ及び７ｂが完全に開いた状態を示しており、図３（ａ）及び（ｂ）はシャッタ７ａ及び７ｂが完全に閉じた状態を示している。

膜厚補正板８及び９は、膜厚補正板９が膜厚補正板８に対して上方（Ｚ軸正方向）に位置するように、互いに厚さ方向に並設されている。そして、一方の膜厚補正板８が真空容器１０に固定され、他方の膜厚補正板９がシャッタ７ａの端部に固定されることにより、それぞれのＸ軸方向位置が相対的に可変となっている。すなわち、シャッタ７ａが開くと、Ｘ軸負方向へ膜厚補正板８の端部８ａが膜厚補正板９の端部９ａよりも突出する（図２（ａ），（ｂ））。この場合、開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）は、膜厚補正板８の端部８ａの形状に依存する。また、シャッタ７ａが開閉動作の途中で停止すると、Ｘ軸負方向へ端部９ａが端部８ａよりも突出する（図４（ａ），（ｂ））。この場合、開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）は、膜厚補正板９の端部９ａの形状に依存する。このように、シャッタ７ａの停止位置を適宜調整することにより、膜厚補正板の端部の形状として端部８ａ及び９ａのいずれかの形状を選択できる。

膜厚補正板８の端部８ａ、及び膜厚補正板９の端部９ａは、Ｘ軸方向における開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）をＹ軸方向に沿って変化させるように形成されている。通常、成膜室内において拡散したイオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１（Ｍｂ_２）の濃度は、ハース４１ａ（４１ｂ）の直上が最も高く、ハース４１ａ（４１ｂ）から離れるに従って減少する。すなわち、成膜室１０ｂ内におけるイオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１（Ｍｂ_２）の濃度分布は、Ｙ軸方向における中央付近で最も高くなり、中央付近から遠ざかるに従って減少する。従って、図２（ｂ）に示すように、端部８ａ及び９ａは、Ｙ軸方向における成膜室１０ｂの中央付近において開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）が最も狭くなるように形成されている。そして、端部８ａ及び９ａは、成膜室１０ｂの中央付近からＹ軸方向に離れるに従って開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）が広くなるように形成されている。

また、膜厚補正板８及び９それぞれの端部８ａ及び９ａの形状は互いに異なっている。例えば、膜厚補正板８の端部８ａの形状はイオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１特有の濃度分布に対応する形状であり、膜厚補正板９の端部９ａの形状はイオン化成膜材料粒子Ｍｂ_２特有の濃度分布に対応する形状である。成膜材料Ｍａ_１及びＭａ_２の種類が互いに異なる場合（例えば成膜材料Ｍａ_１がＩＴＯであり、成膜材料Ｍａ_２がＳｉＯであるような場合）、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１及びＭｂ_２の濃度分布は互いに異なる。従って、膜厚補正板８及び９が成膜材料Ｍａ_１及びＭａ_２のそれぞれに適した形状を有し、使用する成膜材料に応じて膜厚補正板８及び９のいずれか一方を選択的に用いることにより、成膜材料の種類に依らず一定の膜厚分布が得られる。

ここで、図５は、成膜装置１が備えるストッパ機構１３の構成を示す図である。ストッパ機構１３は、シャッタ７ａを開閉の途中で停止させるための機構である。本実施形態のストッパ機構１３は、アーム１２ａの他端を軸支する駆動軸１２ｅに取り付けられたクランク１３ａと、クランク１３ａの先端にピン支持されたロッド１３ｂと、ロッド１３ｂの移動経路に挿入されるストッパ１３ｃとを有する。ロッド１３ｂは、シャッタ７ａの移動（すなわち駆動軸１２ｅの回動）に応じて平行移動する。ストッパ１３ｃが突き出ると、ロッド１３ｂは、平行移動の途中でストッパ１３ｃに当接して停止する。これにより、駆動軸１２ｅの回動が停止され、シャッタ７ａも停止する。このとき、Ｘ軸負方向へ膜厚補正板９の端部９ａが膜厚補正板８の端部８ａよりも突出することとなる。

また、図６は、シャッタ７ａを開閉の途中で停止させるための機構の他の例を示す図である。図６に示すように、成膜装置１は、モータ１４を備えてもよい。モータ１４は、アーム１２ａの他端を軸支する駆動軸１２ｅをＺ軸周りに回動させるための駆動機構である。また、モータ１４は、ステッピングモータ等の回転角制御が可能なモータであり、この回転角制御によってアーム１２ａの角度を制御し、シャッタ７ａを開閉の途中で停止させることができる。

次に、本実施形態による成膜装置１の動作の一例について説明する。まず、成膜材料Ｍａ_１，Ｍａ_２を装着したハース４１ａ，４１ｂをハース機構４へ配置する。そして、キャリア３２に被処理物１１を搭載し、搬送室１０ａ内を成膜室１０ｂ上へ搬送する。

続いて、シャッタ７ａ及び７ｂを開き、被処理物１１の表面に成膜材料Ｍａ_１を成膜する。このとき、成膜材料Ｍａ_１に対応する膜厚補正板８を用いるために、シャッタ７ａ及び７ｂを完全に開いた状態とする（図２（ａ），（ｂ）参照）。そして、接地電位にある真空容器１０を挟んで、負電圧をプラズマ源５に、正電圧をハース４１ａにそれぞれ印加して放電を生じさせ、プラズマＰを生成する。プラズマＰは、補助陽極６に案内されてハース４１ａへ照射される。本実施形態では、被処理物１１を搬送方向（Ｘ軸方向）に搬送しつつ、このようにプラズマＰをハース４１ａ（成膜材料Ｍａ_１）へ照射する。これにより、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１が発生し、被処理物１１の表面に付着する。このとき、開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）は膜厚補正板８の端部８ａによって規定され、この開口幅Ｗ（Ｙ）に応じた時間、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１が被処理物１１の表面に付着する。すなわち、被処理物１１において成膜速度が遅い部分ではイオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１に対する暴露時間が比較的長くなり、成膜速度が早い部分ではこの暴露時間が比較的短くなる。こうして、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_１の不均一な濃度分布が補正され、均一な厚さの成膜材料Ｍａ_１からなる膜（以下、Ｍａ_１膜）が被処理物１１の表面に形成される。

続いて、被処理物１１のＭａ_１膜上に、更に成膜材料Ｍａ_２を成膜する。まず、成膜材料を交換するために、シャッタ７ａ及び７ｂを完全に閉じる（図３（ａ），（ｂ）参照）。そして、ハース機構４のハース押し上げ機構４３を降下させて、成膜材料Ｍａ_１を保持しているハース４１ａをテーブル４２へ戻す。テーブル４２を回転させて、成膜材料Ｍａ_２を保持しているハース４１ｂをハース押し上げ機構４３の直上に移動させた後、ハース４１ｂをハース押し上げ機構４３によって押し上げる。

その後、成膜材料Ｍａ_２に対応する膜厚補正板９を用いるために、シャッタ７ａを、開く途中で停止させる（図４（ａ），（ｂ）参照）。なお、このとき、シャッタ７ｂは完全に開かれる。そして、上述した方法と同様にしてプラズマＰをハース４１ｂ（成膜材料Ｍａ_２）へ照射する。これにより、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_２が発生し、被処理物１１のＭａ_１膜上に付着する。このとき、開口部１０ｇの開口幅Ｗ（Ｙ）は膜厚補正板９の端部９ａによって規定され、この開口幅Ｗ（Ｙ）に応じた時間、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_２が被処理物１１のＭａ_１膜上に付着する。こうして、イオン化成膜材料粒子Ｍｂ_２の不均一な濃度分布が補正され、均一な厚さの成膜材料Ｍａ_２からなる膜がＭａ_１膜上に形成される。

以上述べたように、本実施形態の成膜装置１によれば、真空容器１０の真空状態を維持したまま、膜厚補正板の形状（膜厚補正板８の端部８ａ、または膜厚補正板９の端部９ａ）を容易に変更できるので、より長時間の連続成膜作業が可能となる。また、成膜装置１はシャッタ７ａ及び７ｂを備え、膜厚補正板９がシャッタ７ａに固定されていることが好ましい。これにより、簡易な構成によって膜厚補正板９を可動にできる。また、成膜装置１はストッパ機構１３またはモータ１４を備えることが好ましく、これにより、シャッタ７ａを開閉の途中で停止させるための機構を簡易に構成できるとともに、シャッタ７ａに固定された膜厚補正板９を精度良く位置決めできる。

本発明による成膜装置は、上記した実施形態に限られるものではなく、他に様々な変形が可能である。例えば、上記実施形態では本発明の構成をイオンプレーティング装置に適用しているが、本発明の構成はこれ以外にも例えば真空蒸着装置やスパッタ装置などの様々な物理蒸着装置に適用できる。

また、上記実施形態では成膜装置１が２枚の膜厚補正板８，９を備えているが、本発明による成膜装置は、膜厚補正板を３枚以上備えてもよい。そして、このうち少なくとも一枚の膜厚補正板がシャッタに固定されることにより、本発明による効果を好適に得ることができる。

また、上記実施形態では搬送機構を有する方式の成膜装置が示されているが、本発明はこの方式に限らず、被処理物を所定位置に固定して成膜を行う方式の成膜装置にも適用できる。

本発明による成膜装置の一実施形態の構成を示す側面断面図である。 開口部付近の構造（シャッタが開いた状態）を示す（ａ）断面図、及び（ｂ）平面図である。 開口部付近の構造（シャッタが閉じた状態）を示す（ａ）断面図、及び（ｂ）平面図である。 開口部付近の構造（シャッタが開閉途中で停止した状態）を示す（ａ）断面図、及び（ｂ）平面図である。 ストッパ機構の構成を示す図である。 シャッタを開閉の途中で停止させるための機構の他の例を示す図である。

符号の説明

１…成膜装置、３…搬送機構、４…ハース機構、５…プラズマ源、６…補助陽極、７ａ，７ｂ…シャッタ、７ｃ…ガイド孔、８，９…膜厚補正板、８ａ，９ａ…端部、１０…真空容器、１０ａ…搬送路、１０ｂ…成膜室、１０ｇ…開口部、１１…被処理物、１３…ストッパ機構、１４…モータ、３１…搬送ローラ、３２…キャリア、４１ａ，４１ｂ…ハース、Ｍａ_１，Ｍａ_２…成膜材料、Ｍｂ_１，Ｍｂ_２…イオン化成膜材料粒子、Ｐ…プラズマ。

Claims (5)

1. 成膜材料を拡散させて被処理物に付着させることにより成膜を行う成膜装置であって、
   真空容器と、
   前記真空容器内において前記被処理物を保持する被処理物保持部と、
   前記真空容器内において前記成膜材料を保持する材料保持部と、
   前記真空容器内における前記材料保持部と前記被処理物保持部との間の開口部に設けられ、膜厚分布を補正する複数の膜厚補正板と
   を備え、
   前記複数の膜厚補正板が、互いに異なる形状を有し、厚さ方向に並設されるとともに、少なくとも一つの前記膜厚補正板が可動であることを特徴とする、成膜装置。
2. 前記開口部を開閉するシャッタを更に備え、
   前記少なくとも一つの前記膜厚補正板が前記シャッタに固定されていることを特徴とする、請求項１に記載の成膜装置。
3. 前記シャッタが開閉の途中で停止可能となっていることを特徴とする、請求項２に記載の成膜装置。
4. 前記シャッタを開閉の途中で停止させるストッパ機構を更に備えることを特徴とする、請求項３に記載の成膜装置。
5. 前記シャッタを駆動するモータを更に備え、
   前記モータが、回転角制御により前記シャッタを開閉の途中で停止させることを特徴とする、請求項３に記載の成膜装置。

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