JP2006278648A - 両面露光方法 - Google Patents
両面露光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006278648A JP2006278648A JP2005094583A JP2005094583A JP2006278648A JP 2006278648 A JP2006278648 A JP 2006278648A JP 2005094583 A JP2005094583 A JP 2005094583A JP 2005094583 A JP2005094583 A JP 2005094583A JP 2006278648 A JP2006278648 A JP 2006278648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exposed
- photomask
- photomasks
- alignment marks
- exposure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
【課題】被露光物と該被露光物の表裏両面側に配置されたフォトマスクとを正確に位置合せして被露光物の表裏両面を高精度に露光することのできる両面露光方法を提供する。
【解決手段】二つのフォトマスクを被露光物の表面側と裏面側に配置して被露光物１１の表裏両面を同時に露光する際に、被露光物１１に二つのアライメントマークＡＭ１１を形成すると共に被露光物１１の表面側に配置されたフォトマスク１２Ａに二つのアライメントマークＡＭ１２Ａを形成し、さらに被露光物１１の裏面側に配置されたフォトマスクに二つのアライメントマークＡＭ１２Ｂを形成する。そして、これらアライメントマークが撮像装置１３の光軸上に位置するようにフォトマスク１２Ａ，１２Ｂの位置を調整した後、被露光物１１の表裏両面を露光するようにする。
【選択図】図５
【解決手段】二つのフォトマスクを被露光物の表面側と裏面側に配置して被露光物１１の表裏両面を同時に露光する際に、被露光物１１に二つのアライメントマークＡＭ１１を形成すると共に被露光物１１の表面側に配置されたフォトマスク１２Ａに二つのアライメントマークＡＭ１２Ａを形成し、さらに被露光物１１の裏面側に配置されたフォトマスクに二つのアライメントマークＡＭ１２Ｂを形成する。そして、これらアライメントマークが撮像装置１３の光軸上に位置するようにフォトマスク１２Ａ，１２Ｂの位置を調整した後、被露光物１１の表裏両面を露光するようにする。
【選択図】図５
Description
本発明は、液晶基板や回路基板の表裏両面にレジストパターンを形成する場合に用いられる両面露光方法に関する。
液晶基板や回路基板の表裏両面にレジストパターンを形成する方法の一つとして、被露光物の表面側と裏面側にそれぞれフォトマスクを配置して被露光物の表裏両面を同時に露光する両面露光方法が知られている（特許文献１参照）。このような両面露光方法により被露光物の表裏両面を露光する場合、被露光物とフォトマスクとの間に位置ずれが生じていると、被露光物の表裏両面を高精度に露光することが困難となることから、従来においては、図６に示すように、被露光物１１に形成されたアライメントマークＡＭ１１とフォトマスク１２Ａ，１２Ｂに形成されたアライメントマークＡＭ１２Ａ，ＡＭ１２ＢをＣＣＤカメラ等の撮像装置で撮像し、これらのアライメントマークを位置合せした後、被露光物１１の表裏両面を高精度に露光するようにしている。
特開平１２−１５５４３０号公報
このような方法によると、被露光物とフォトマスクとの間に大きな位置ずれが生じることを抑制できるが、従来では、被露光物１１の表面側に配置されたフォトマスク１２Ａの位置を調整した後、被露光物１１の裏面側に配置されたフォトマスク１２ＢのアライメントマークＡＭ１２Ｂを被露光物１１の表面側に配置されたフォトマスク１２ＡのアライメントマークＡＭ１２Ａに位置合せして被露光物１１に対するフォトマスク１２Ｂの位置を調整している。このため、被露光物１１に対するフォトマスク１２Ａの位置精度とフォトマスク１２Ａに対するフォトマスク１２Ｂの位置精度とを足し合わせたものが被露光物１１に対するフォトマスク１２Ｂの位置精度となるため、被露光物１１の表面側に配置されたフォトマスク１２Ａと被露光物１１の裏面側に配置されたフォトマスク１２Ｂとの間に位置合せ精度の差が生じるという問題点があった。
また、従来においては、被露光物１１の表裏両面側に配置された二つのフォトマスク１２Ａ，１２Ｂのうち一方のフォトマスクに４つのアライメントマークを形成して被露光物１１に対するフォトマスク１２Ａ，１２Ｂの位置を調整している。このため、全部で４台の高価な撮像装置を必要とするため、コストの増大を招くおそれがあった。
本発明は、このような問題点に着目してなされたものであり、被露光物と該被露光物の表裏両面側に配置されたフォトマスクとを正確に位置合せして被露光物の表裏両面を高精度に露光することのできる両面露光方法を提供することを目的とするものである。
本発明は、このような問題点に着目してなされたものであり、被露光物と該被露光物の表裏両面側に配置されたフォトマスクとを正確に位置合せして被露光物の表裏両面を高精度に露光することのできる両面露光方法を提供することを目的とするものである。
上記の目的を達成するために、請求項１の発明に係る両面露光方法は、二つのフォトマスクを被露光物の表面側と裏面側に配置して前記被露光物の表裏両面を同時に露光する際に、前記フォトマスク及び前記被露光物にそれぞれ二つのアライメントマークを形成し、該アライメントマークが撮像装置の光軸上に位置するように前記フォトマスクの位置を調整した後、前記被露光物の表裏両面を露光するようにしたことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載の両面露光方法において、前記二つのフォトマスクのうち一方のフォトマスクに形成されたアライメントマークを他方のフォトマスクに形成されたアライメントマークより大きい内径を有し且つ前記被露光物に形成されたアライメントマークより小さい外径を有するアライメントマークとしたことを特徴とする。
請求項２の発明は、請求項１記載の両面露光方法において、前記二つのフォトマスクのうち一方のフォトマスクに形成されたアライメントマークを他方のフォトマスクに形成されたアライメントマークより大きい内径を有し且つ前記被露光物に形成されたアライメントマークより小さい外径を有するアライメントマークとしたことを特徴とする。
本発明に係る両面露光方法によれば、被露光物及びフォトマスクにそれぞれ二つのアライメントマークを形成し、これらのアライメントマークが撮像装置の光軸上に位置するようにアライメントマークの位置合せを行った後、被露光物の表裏両面を露光するようにしたことで、被露光物に対する二つのフォトマスクの位置を同時に且つ同じ位置合せ精度で調整することができる。したがって、被露光物と該被露光物の表裏両面側に配置されたフォトマスクとを正確に位置合せして被露光物の表裏両面を高精度に露光することができる。
また、被露光物の表面側と裏面側に配置された二つのフォトマスクのうち一方のフォトマスクに四つのアライメントマークを形成しなくても被露光物に対するフォトマスクの位置を正確に調整することができるので、アライメントマークを撮像する撮像装置の台数を削減することができる。
また、被露光物の表面側と裏面側に配置された二つのフォトマスクのうち一方のフォトマスクに四つのアライメントマークを形成しなくても被露光物に対するフォトマスクの位置を正確に調整することができるので、アライメントマークを撮像する撮像装置の台数を削減することができる。
以下、図面を参照して本発明に係る両面露光方法について説明する。
本発明に係る両面露光方法に用いられる被露光物とフォトマスクの一例を図１乃至図３に示す。図１に示されるように、本発明に係る両面露光方法に用いられる被露光物１１には、二つのアライメントマークＡＭ１１がそれぞれ所定位置に形成されている。また、被露光物１１の表面側に配置されるフォトマスク１２Ａには、図２に示されるように、アライメントマークａｍ１１より径の小さい二つのアライメントマークＡＭ１２Ａがそれぞれ所定位置に形成され、被露光物１１の裏面側に配置されるフォトマスク１２Ｂには、図３に示されるように、アライメントマークＡＭ１２Ａより大きい内径を有し且つアライメントマークＡＭ１１より小さい外径を有する二つのアライメントマークＡＭ１２Ｂがそれぞれ所定位置に形成されている。
本発明に係る両面露光方法に用いられる被露光物とフォトマスクの一例を図１乃至図３に示す。図１に示されるように、本発明に係る両面露光方法に用いられる被露光物１１には、二つのアライメントマークＡＭ１１がそれぞれ所定位置に形成されている。また、被露光物１１の表面側に配置されるフォトマスク１２Ａには、図２に示されるように、アライメントマークａｍ１１より径の小さい二つのアライメントマークＡＭ１２Ａがそれぞれ所定位置に形成され、被露光物１１の裏面側に配置されるフォトマスク１２Ｂには、図３に示されるように、アライメントマークＡＭ１２Ａより大きい内径を有し且つアライメントマークＡＭ１１より小さい外径を有する二つのアライメントマークＡＭ１２Ｂがそれぞれ所定位置に形成されている。
このようなフォトマスク１２Ａ，１２Ｂを用いて被露光物１１の表裏両面を露光する場合には、図４に示すように、被露光物１１の表面側と裏面側にフォトマスク１２Ａ，１２Ｂを相対向させて配置する。次に、被露光物１１及びフォトマスク１２Ａ，１２Ｂに形成されたアライメントマークＡＭ１１，ＡＭ１２Ａ，ＡＭ１２ＢをＣＣＤカメラ等の撮像装置１３Ａ，１３Ｂにより被露光物１１の表面側又は裏面側から撮像する。そして、図５に示すように、被露光物１１及びフォトマスク１２Ａ，１２Ｂに形成された各アライメントマークが撮像装置１３Ａ，１３Ｂの光軸上に位置するように被露光物１１に対するフォトマスク１２Ａ，１２Ｂの位置を調整した後、被露光物１１の表面側と裏面側に相対向して配置された光源ユニット１４Ａ，１４Ｂ（図４参照）を点灯して被露光物１１の表裏両面を同時に露光する。
このように、二つのフォトマスク１２Ａ，１２Ｂを被露光物１１の表面側と裏面側に配置して被露光物１１の表裏両面を同時に露光する際に、フォトマスク１２Ａ，１２Ｂ及び被露光物１１にそれぞれ二つのアライメントマークＡＭ１１，ＡＭ１２Ａ，ＡＭ１２Ｂを形成し、これらのアライメントマークが撮像装置１３Ａ，１３Ｂの光軸上に位置するようにフォトマスク１２Ａ，１２Ｂの位置を調整した後、被露光物１１の表裏両面を露光することにより、被露光物１１に対する二つのフォトマスク１２Ａ，１２Ｂの位置を同時に且つ同じ位置合せ精度で調整することができる。したがって、被露光物と該被露光物の表裏両面側に配置されたフォトマスクとを正確に位置合せして被露光物の表裏両面を高精度に露光することができる。
また、前述した従来例のように、被露光物１１の表面側と裏面側に配置された二つのフォトマスク１２Ａ，１２Ｂのうち一方のフォトマスクに四つのアライメントマークを形成しなくても被露光物１１に対するフォトマスク１２Ａ，１２Ｂの位置を正確に調整することができるので、アライメントマークを撮像する撮像装置の台数を削減することができる。
１１ 被露光物
１２Ａ，１２Ｂ フォトマスク
１３Ａ，１３Ｂ 撮像装置
１４Ａ，１４Ｂ 光源ユニット
ＡＭ１１，ＡＭ１２Ａ，ＡＭ１２Ｂ アライメントマーク
１２Ａ，１２Ｂ フォトマスク
１３Ａ，１３Ｂ 撮像装置
１４Ａ，１４Ｂ 光源ユニット
ＡＭ１１，ＡＭ１２Ａ，ＡＭ１２Ｂ アライメントマーク
Claims (2)
- 二つのフォトマスクを被露光物の表面側と裏面側に配置して前記被露光物の表裏両面を同時に露光する際に、前記フォトマスク及び前記被露光物にそれぞれ二つのアライメントマークを形成し、該アライメントマークが撮像装置の光軸上に位置するように前記フォトマスクの位置を調整した後、前記被露光物の表裏両面を露光するようにしたことを特徴とする両面露光方法。
- 請求項１記載の両面露光方法において、前記二つのフォトマスクのうち一方のフォトマスクに形成されたアライメントマークを他方のフォトマスクに形成されたアライメントマークより大きい内径を有し且つ前記被露光物に形成されたアライメントマークより小さい外径を有するアライメントマークとしたことを特徴とする両面露光方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005094583A JP2006278648A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 両面露光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005094583A JP2006278648A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 両面露光方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2006278648A true JP2006278648A (ja) | 2006-10-12 |
Family
ID=37213103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005094583A Pending JP2006278648A (ja) | 2005-03-29 | 2005-03-29 | 両面露光方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006278648A (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101576506B (zh) * | 2008-05-08 | 2012-11-28 | 索尼株式会社 | 微珠自动识别方法和微珠 |
| CN103399465A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-11-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法 |
| JP2014074888A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-04-24 | Nippon Mektron Ltd | フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 |
| CN104460249A (zh) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | 北大方正集团有限公司 | 一种检测电路板内层基板两面曝光对准度的方法 |
| CN109725501A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 株式会社阿迪泰克工程 | 两面曝光装置 |
| KR20190049563A (ko) | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 양면 노광 장치 및 양면 노광 방법 |
| KR20190049561A (ko) | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 양면 노광 장치 및 양면 노광 방법 |
| KR20190064472A (ko) | 2017-11-30 | 2019-06-10 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 마스크 쌍, 양면 노광 장치 및 마스크 교환 방법 |
| JP2022033962A (ja) * | 2017-10-31 | 2022-03-02 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 両面露光装置及び両面露光方法 |
-
2005
- 2005-03-29 JP JP2005094583A patent/JP2006278648A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101576506B (zh) * | 2008-05-08 | 2012-11-28 | 索尼株式会社 | 微珠自动识别方法和微珠 |
| JP2014074888A (ja) * | 2012-09-13 | 2014-04-24 | Nippon Mektron Ltd | フォトマスク、フォトマスク組、露光装置および露光方法 |
| CN103399465A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-11-20 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种利用单面曝光机实现双面对准光刻的方法 |
| CN104460249A (zh) * | 2013-09-23 | 2015-03-25 | 北大方正集团有限公司 | 一种检测电路板内层基板两面曝光对准度的方法 |
| CN109725501A (zh) * | 2017-10-31 | 2019-05-07 | 株式会社阿迪泰克工程 | 两面曝光装置 |
| KR20190049562A (ko) | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 양면 노광 장치 |
| KR20190049563A (ko) | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 양면 노광 장치 및 양면 노광 방법 |
| KR20190049561A (ko) | 2017-10-31 | 2019-05-09 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 양면 노광 장치 및 양면 노광 방법 |
| JP2022033962A (ja) * | 2017-10-31 | 2022-03-02 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 両面露光装置及び両面露光方法 |
| JP7121184B2 (ja) | 2017-10-31 | 2022-08-17 | 株式会社アドテックエンジニアリング | 両面露光装置及び両面露光方法 |
| KR20240005244A (ko) | 2017-10-31 | 2024-01-11 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 양면 노광 장치 및 양면 노광 방법 |
| KR20190064472A (ko) | 2017-11-30 | 2019-06-10 | 가부시키가이샤 아도텟쿠 엔지니아린구 | 마스크 쌍, 양면 노광 장치 및 마스크 교환 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006278648A (ja) | 両面露光方法 | |
| TWI379175B (en) | Optical alignment system for photolithography and method of optical aligning substrate therewith | |
| TW200734832A (en) | Explosure method, explosure apparatus, photomask, and method for manufacturing photomask | |
| JP2001066757A (ja) | 露光方法 | |
| WO2007049640A1 (ja) | 露光方法及び露光装置 | |
| US9232632B2 (en) | Methods and apparatuses for detecting registration offsets | |
| TW202223556A (zh) | 具有校準的無光罩曝光設備 | |
| JP2006310446A (ja) | 半導体装置の製造方法、および露光装置 | |
| JP2015012258A5 (ja) | ||
| JP2008098311A5 (ja) | ||
| JP2011232549A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2007102093A (ja) | フォトマスク及びそれを用いた露光方法 | |
| KR101349558B1 (ko) | 마스크 리스 노광 장치 및 그의 정렬 방법 | |
| CN101194210B (zh) | 曝光方法和曝光装置 | |
| JP2005148531A (ja) | 基板伸縮に対応したプリント配線基板用露光装置 | |
| JP2008096665A (ja) | フォトマスク及び半導体装置の製造方法 | |
| TWI444759B (zh) | 光罩、曝光方法與曝光裝置 | |
| JP2005175383A5 (ja) | ||
| JP2004325965A (ja) | 両面露光方法 | |
| JP4401834B2 (ja) | 露光装置及び位置合わせ方法 | |
| JP2008294352A (ja) | 露光方法及び露光用フォトマスク | |
| TWI801685B (zh) | 形成方法、系統、光刻裝置、物品之製造方法及程式 | |
| JP2004252313A (ja) | 露光装置 | |
| JP7160637B2 (ja) | 露光装置の検査方法 | |
| JP2006203032A (ja) | 素子の製造方法 |