JP2006276315A - ストロボ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】自励式DC−DCコンバータの制御回路10を、発振トランスTの一次側に流れる電流I1が第1の規定値IPK1になると励磁期間を終了して二次側にエネルギーを伝達して主コンデンサ2を充電する充電期間を実行し、二次側に流れる電流値I2が第2の既定値Ith2よりも低下したことを検出してから遅延時間t1後に前記励磁期間を再開するよう構成したことを特徴とする。
【選択図】図2
Description
この種の一般的なストロボ装置は、図5に示すように構成されている。
先ず、駆動回路5が図6(a)に示すようにゲート信号をトランジスタQ1のゲートに印加すると、発振トランスTの一次側巻線Pに図6(b)に示すように電流が電池から流れる。駆動回路5は抵抗R1の端子電圧を監視しており、一次側巻線Pの電流I1がピーク電流値IPK1に達したことを検出するとゲート信号をLレベルに反転させる。これによって、発振トランスTの一次側巻線Pに蓄積されたエネルギーが発振トランスTの二次側巻線Sに放電され、二次側巻線Sの出力電圧でダイオードDを介して主コンデンサ2が充電される。
これによって、駆動回路5がゲート信号を再び“H”レベルに反転させる。この繰り返しによって、主コンデンサ2が充電される。充電がフル充電状態になり、撮影にストロボが必要とされる時に、端子FSWより“H”レベルの信号が出力されると、トランジスタQ2がオンして、高圧トリガ回路4から数キロボルトの高電圧パルスが出力されキセノン管3が励起され発光する。
図1は本発明のストロボ装置を示す。
発振トランスTの一次側巻線Pと直列に電界効果トランジスタQ1を接続し、このトランジスタQ1のスイッチングなどを制御回路10によって行っている。発振トランスTの二次側巻線SにはダイオードDを介して主コンデンサ2が並列に接続されている。また、キセノン管3と絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ(Insulated Gate Bipolar Transistor)Q2の直列回路が主コンデンサ2と並列に接続されている。R1は発振トランスTの一次側巻線Pに流れる電流を検出する抵抗、R2は発振トランスTの二次側巻線Sに流れる電流を検出する抵抗、R3,R4は主コンデンサ2に充電される電圧を検出する抵抗、4はキセノン管3を励起させる高電圧パルスを発生させる高圧トリガ回路である。
駆動回路5が図2(a)に示すようにゲート信号をトランジスタQ1のゲートに印加すると、発振トランスTの一次側巻線Pに図2(b)に示すように直線的に増加する電流が電池から流れて一次側巻線Pにエネルギーが蓄積される。
P 発振トランスTの一次側巻線
S 発振トランスTの二次側巻線
D ダイオード
2 主コンデンサ
3 キセノン管
5 駆動回路
6 放電検出回路
11 遅延回路
IPK1 一次側巻線Pの電流I1のピーク電流値
Ith2 二次側巻線Sを流れる電流I2の閾値電流値
t1 ,t2 遅延時間(= Tdly1 + δ1,= Tdly2 + δ2)
Tdly1,Tdly2 ダイオードDの逆回復時間
Claims (3)
- 自励式DC−DCコンバータを介して昇圧した出力電圧をダイオードで整流して主コンデンサを充電するストロボ装置であって、
自励式DC−DCコンバータの制御回路を、
発振トランスの一次側に流れる電流値が第1の規定値になると励磁期間を終了して前記発振トランスの一次側から二次側にエネルギーを伝達して主コンデンサを充電する充電期間を実行し、
前記発振トランスの二次側に流れる電流値が第2の既定値よりも低下したことを検出してから遅延時間後に前記励磁期間を再開するよう構成した
ストロボ装置。 - 前記遅延時間を、前記発振トランスの二次側に流れる電流値が第2の既定値よりも低下して電流値がゼロになるまでの時間と前記ダイオードの逆回復時間とを合わせた時間以上に設定した
請求項1記載のストロボ装置。 - 請求項1記載のストロボ装置の制御回路として使用する特定用途集積回路装置であって、
第1の外部接続端子の電圧が第1の規定値になると励磁期間を終了し、
第2の外部接続端子の電圧が第2の既定値よりも低下したことを検出してから遅延時間後に前記励磁期間を再開するよう構成した
特定用途集積回路装置。
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