JP2006275966A - プローバ測定補正基板及びそのプログラム及びその記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 インピーダンスアナライザでコンタクトプローブを使用する測定に関し、負荷補正に適した補正基板およびそのためのプログラムまたはそのプログラムの記録媒体を提供する。
【解決手段】 ５００Ω以上の抵抗１１４と、前記抵抗の両端にそれぞれ接続された、プローブ針が接触するための第１と第２のパッド（１１２、１１６）とを備えた負荷補正用パターン１０２を有する補正基板１００。
【選択図】 図１

Description

本発明は、プローブ針あるいは探針あるいはメンブレンプローブなどのコンタクトプローブを用いて被測定物（ＤＵＴ：Ｄｅｖｉｃｅ Ｕｎｄｅｒ Ｔｅｓｔ）の電極に接触させ、被測定物をインピーダンス測定する際の補正方法に関し、特に半導体ウエハ上の被測定物のインピーダンス測定に関する。

従来、ウエハプローバを使って半導体ウエハ（以下、本明細書では半導体ウエハを単にウエハと称する）上で高周波信号を測定する場合には、インピーダンス基準基板（ＩＳＳ：Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅ）と呼ばれる補正基板を使って、測定器から針先までの補正をする必要があった。ＩＳＳには、例えば非特許文献１に記載のものが知られている。このＩＳＳは、主にＲＦ信号用の補正に使われ、典型的には、図４（Ａ）に示すように、１．５センチ×１センチ程度の基盤４００の上に、スルー（ＴＨＵＲ）補正用のパッド（電極）群４０４、短絡（ＳＨＯＲＴ）補正用のパッド群４０６、負荷（ＬＯＡＤ）補正用のパッド群４０８を備えている。各パッド群は、それぞれの測定目的に適したパターンで構成され、プローブ針などのコンタクトプローブによるプロービングの磨耗対策のためにそれぞれ複数個形成されている。なお本明細書で記述するコンタクトプローブとは、ミクロンオーダのパッドにプロービングすることができる器具のことであり、プローブ針、探針、あるいは、メンブレンプローブなどがあげられる。

負荷補正用のパッド群の中の負荷補正用パターン４０２について、図４（Ｂ）を用いてより詳細に説明する。負荷補正用パターン４０２はＳＧ（Ｓｉｇｎａｌ−Ｇｒｏｕｎｄ）型（タイプ）と呼ばれる補正パターンで、Ｓ側（信号線側）のプロービングがされるパッド４１２とＧ側（グランド側）のプロービングがされるパッド４１６とその間に設けられた基準抵抗４１４で形成されている。基準抵抗４１４は、５０Ωである。Ｇ側パッド４１６は、Ｓ側パッドよりも長く、両パッドをプロービングする際、複数のピッチに対応できるようになっている。一例として、このピッチは１００μｍ〜２５０μｍに対応する。負荷補正の際には、Ｓ側パッド４１２とＧ側パッド４１６にコンタクトプローブを接触させて抵抗値を測定して補正する。なお、ＲＦ信号用の補正では、４本のコンタクトプローブを用いた測定システムでも構成できるように、負荷補正用パターン４０２を図４（Ａ）に示されるように２本ずつ並べて設けたＩＳＳも知られている。

図４（Ｃ）に示すのは、図４（Ｂ）に示したのとは別の負荷補正用パターン４２０である。これはＧＳＧ（Ｇｒｏｕｎｄ−Ｓｉｇｎａｌ−Ｇｒｏｕｎｄ）型と呼ばれ、Ｓ側パッド４２６の両側にそれぞれ基準抵抗４２４と４２８を介してＧ側パッド４２２と４３０が設けられている。基準抵抗４２４と４２８には、合成インピーダンスが５０Ωになるように、それぞれ１００Ωの抵抗が用いられる。ケーブルからの接続方法によりＳＧ型、ＧＳＧ型あるいはその他のパターンの型が用いられるが、ＬＯＡＤ補正用のそれぞれの基準抵抗の値は、ＲＦ帯域での測定のために、合成インピーダンスが５０Ωになるように定められる。

ところで、近年、半導体製造プロセスにおける絶縁膜の容量測定手法、特に、容量−電圧特性の測定手法が注目されている。ここでいう半導体製造プロセスにおける絶縁膜とは、例えば、トランジスタの絶縁膜でできたＭＩＳ（Ｍｅｔａｌ Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ Ｓｉｌｉｃｏｎ）−ＣＡＰ（ＣＡＰａｃｉｔｏｒ）、あるいは、トランジスタの絶縁膜でできたＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｉｌｉｃｏｎ）−ＣＡＰ、あるいは、ＭＩＳ−ＦＥＴのゲート絶縁膜、あるいは、ＭＯＳ−ＦＥＴのゲート絶縁膜、あるいは、ＭＯＳキャパシタのゲート絶縁膜などが挙げられる。なおここで、ゲート酸化膜はゲート絶縁膜に包含される。

絶縁膜の測定では、非特許文献２に記載のように、測定器にインピーダンスアナライザ（例えばアジレント・テクノロジー社製Ａｇｉｌｅｎｔ ４２８４Ａ、または、Ａｇｉｌｅｎｔ ４２８５Ａ、または、Ａｇｉｌｅｎｔ ４２９４Ａなど）などのインピーダンス測定器を用いて、容量測定が行われる。その際、ウエハ上の絶縁膜を１ＭＨｚ以上の高周波信号を用いて測定する場合、プローブ針などのコンタクトプローブを含む測定系で生じる誤差を低減させるために、補正基板（ＩＳＳ）を用いてコンタクトプローブの先端におけるＯＰＥＮ／ＳＨＯＲＴ／ＬＯＡＤ補正（以下、開放／短絡／負荷補正と称する）を実施する必要がある。なお、ゲート酸化膜はゲート絶縁膜に含まれる。

ＩＳＳを用いた開放／短絡／負荷補正は次のように行われる。開放状態の測定には、コンタクトプローブをＩＳＳにタッチダウンさせない状態、すなわち、コンタクトプローブに何も接触させない状態でインピーダンス測定器によってインピーダンス測定を行う。短絡状態の測定では、コンタクトプローブをＩＳＳの短絡用パターンに接触させてインピーダンス測定を行う。負荷状態の測定では、コンタクトプローブをＩＳＳの負荷用パターンのパッドに接触させてインピーダンス測定を行う。それらの測定値を用いて非特許文献２の図５−２（Ｂ）の式により測定値を補正する。

ところで、コンタクトプローブの先端の劣化や汚染、パッド表面の劣化（タッチダウンの跡あるいは酸化）によっては、接触抵抗が大きくなり、それが補正の測定値に含まれる。そのため、短絡補正の測定値あるいは負荷補正の測定値のどちらかの接触抵抗が増大したときには、それが測定値の補正に大きな影響を与えている場合がある。このような場合には、測定結果は正しく補正されない。そのため、被測定物の測定をして、測定結果がおかしい場合には、接触抵抗の増大が疑われ、オペレータは、コンタクトプローブの先端をクリーニングあるいは研磨したり、ＩＳＳのパッドをクリーニングしたり、コンタクトプローブのパッドへの接触位置の微調整をする、ＩＳＳで使用するパッドをまだタッチダウンされてない別の新しいパッドに変更する、などの対処をする。この場合、いずれの対処をするにせよ、測定の再開に少なからぬ時間がかかるという問題がある。また、測定結果から接触抵抗の増大に気づかない場合には、正しくない補正による測定結果を得ているという問題がある。

Ｃａｓｃａｄｅ Ｍｉｃｒｏｔｅｃｈ，Ｉｎｃ．、"Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ Ｓｔａｎｄａｒｄ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｔｏ ｓｕｐｐｏｒｔ ａｌｌ ｏｆ ｙｏｕｒ ｈｉｇｈ−ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｐｒｏｂｉｎｇ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ"、［ｏｎｌｉｎｅ］、平成１６年、カタログ、［平成１７年２月１日検索］、インターネット<URL : http://www.cmicro.com/pubs/ISSFAM-DS.PDF> アジレント・テクノロジー株式会社、プロダクトノート、"Ａｇｉｌｅｎｔ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ ４２９４ＡによるＭＯＳキャパシタのゲート酸化膜のＣ−Ｖ特性評価 プロダクト・ノート４２９４−３"、［online］、２００３年６月２５日、プロダクト・ノート、［平成１７年２月１日検索］、インターネット <URL : http://www.home.agilent.com/cgi-bin/pub/agilent/reuse/cp_ObservationLogRedirector.jsp?NAV_ID=-11144.0.00&LANGUAGE_CODE=jpn&CONTENT_KEY=1000002192%3aepsg%3aapn&COUNTRY_CODE=JP&CONTENT_TYPE=AGILENT_EDITORIAL >、ｐ６〜７

上述の背景技術の問題点に鑑みて、本発明者は、コンタクトプローブとパッドの接触抵抗が、多いときには１０Ω程度にもなるときがあり、その場合は、５０Ω負荷測定では２０％に及ぶ誤差を含むことになり、そのため、この増大した接触抵抗によって補正用の測定値が２０％もの大きな誤差を含むことになり、測定値の補正に大きな影響を与えることに着目した。

さらに、半導体製造プロセスにおける絶縁膜の容量測定に使われる測定器であるインピーダンス測定器は、負荷インピーダンスとして必ずしも５０Ωを用いて補正する必要がなく、任意のインピーダンスで補正できる点にも着目した。特に、ＭＯＳキャパシタなどの絶縁膜を被測定物とする場合、そのインピーダンスは通常１ｋΩ以上なので、インピーダンス測定器の負荷補正に使うインピーダンスも５０Ωよりも被測定物のインピーダンスに近い値を使用した方が誤差も低減でき望ましい。

また、従来の補正基板はＲＦ用途に開発されているため、インピーダンス整合を考慮して５０Ωまたは１００Ωの比較的低い抵抗値が負荷抵抗と用意されるのが主流であるという点にも着目した。

以上の考察から、本発明の目的は、インピーダンスアナライザでプローブ針などのコンタクトプローブを使用する測定に関し、負荷補正に適した補正基板およびそのための測定プログラムまたはそのプログラムの記録媒体を提供することである。

本発明による別の目的は、上記の測定に関し、負荷補正での接触抵抗の増大による負荷補正のやり直し回数を低減させる補正基板及びそのための測定プログラム及びそのプログラムの記録媒体を提供することである。

本発明による別の目的は、上記の測定に関し、被測定物に近いインピーダンス値で負荷補正を行い、測定誤差を低減させる補正及びそのための測定プログラム及びそのプログラムの記録媒体を提供することである。

本発明による第１の実施態様である補正基板は、５００Ω以上の抵抗と、前記抵抗の両端にそれぞれ接続された、コンタクトプローブが接触するための第１と第２のパッドとを備えた負荷補正用パターンを備えたことを特徴とする。さらに、この実施態様は、前記負荷補正用パターンを複数設けた態様や、前記抵抗は、１ｋΩである態様や、短絡補正用パターンも備えた態様も含む。その上、この実施態様は、前記コンタクトプローブはプローブ針である態様や、前記補正基板は、半導体製造プロセスにおける絶縁膜の容量測定の補正に使われる補正基板である態様も含む。

本発明による第２の実施態様であるインピーダンス基準基板は、コンタクトプローブを接触させて補正を行うためのインピーダンス基準基板において、５００Ω以上の負荷補正用基準抵抗を備えたことを特徴とする。さらに、この実施態様は、前記インピーダンス基準基板が、半導体製造プロセスにおける絶縁膜の容量測定の補正に使われる基板である態様も含む。

本発明による第３実施態様である補正を行うコンピュータプログラムは、上記の第１とそれに付随する実施態様のいずれかの補正基板の実施態様と、前記補正基板の第１と第２のパッドにそれぞれ第１と第２のコンタクトプローブを介して接続されてインピーダンスを測定する測定器と、前記測定器を制御する演算手段すなわちＣＰＵを備えたコンピュータであるコントローラとを備えた測定システムにおいて、前記測定器に、開放補正のインピーダンス測定を行う命令と、前記測定器に、短絡補正のインピーダンス測定を行う命令と、前記測定器に、前記５００Ω以上の抵抗に対する負荷補正のインピーダンス測定を行う命令とを前記コントローラに対して実行させることを特徴とする。また、この実施態様は、前記測定器に、前記補正基板の５００Ω以上の抵抗の事前に定められたインピーダンス値の入力をする命令を前記コントローラに対して実行させる態様も含む。

本発明による第４の実施態様であるコンピュータ読み取り可能な記録媒体は、上記の第３とそれに付随する実施態様のいずれかのコンピュータプログラムを記録したことを特徴とする。

以上のように、本発明を用いると、インピーダンスアナライザなどのインピーダンス測定器でコンタクトプローブを使用する測定に関し、従来は５０Ωなどの低抵抗を使って行っていた負荷補正を、５００Ω以上のインピーダンスで補正することができるので、コンタクトプローブやパッドの磨耗の影響を受けにくく、負荷補正に適した補正基板およびそのための測定プログラムまたはそのプログラムの記録媒体を提供することがでる。

また、本発明を用いると、上記の測定に関し、従来は５０Ωまたは１００Ω程度の低抵抗を使って行っていた負荷補正を、５００Ω以上の抵抗を使って行うことができるので、コンタクトプローブやパッドの多少の劣化や汚染による接触抵抗の増大に起因する負荷補正のやり直しの低減と測定値に占める接触抵抗に起因する誤差の割合を低減させる補正基板及びそのためのプログラム及びそのプログラムの記録媒体を提供することができる。

さらに、本発明を用いると、上記の測定に関し、従来は５０Ωなどの低抵抗を使って行っていた負荷補正を、被測定物のインピーダンスに近い値で補正することができるので、被測定物に近いインピーダンス値で負荷補正ができ、従って、測定誤差を低減することができる。

図１（Ａ）を参照して、本発明によるＩＳＳ（１００）について説明する。本発明によるＩＳＳ（１００）は、複数の負荷抵抗のパッド群１０４、及び、複数の短絡補正用パターンを備えた短絡補正用のパッド群１０６を備える。この短絡校正用パターンは、図４の背景技術のＩＳＳの短絡校正用のパターンと同じ物である。負荷抵抗のパッド群１０４の内の負荷補正用パターンの一つ１０２を図１（Ｂ）に詳しく示す。負荷補正用パターン１０２はＳＧ（Ｓｉｇｎａｌ−Ｇｒｏｕｎｄ）型について示している。Ｓ側のプロービングがされるパッド１１２とＧ側のプロービングがされるパッド１１６とその間に設けられた基準抵抗１１４で形成されている。基準抵抗１１４は５００Ω以上の抵抗であり、例えば５００Ωあるいは１ｋΩである。Ｇ側パッド１１６は、Ｓ側パッドよりも長く、両パッドをプロービングする際の複数のピッチに対応できるようになっている。一例として、このピッチとしては１００μｍ〜２５０μｍに対応する。負荷補正の際には、Ｓ側パッド１１２とＧ側パッド１１６にコンタクトプローブを接触させて抵抗値を測定して補正する。

また、図１（Ｃ）には、ＧＳＧ型の負荷補正用パターン１２０を示す。ここで、Ｓ側パッド１２６の両側にそれぞれ基準抵抗１２４と１２８を介してＧ側パッド１２２と１３０が設けられている。基準抵抗１２４と１２８の抵抗値は、合成インピーダンスが５００Ω以上になるように決定される。一例として、合成インピーダンスを５００Ωとすると、基準抵抗１２４と１２８の抵抗値は、どちらも１ｋΩである。また、合成インピーダンスが１ｋΩの場合は、基準抵抗１２４と１２８の抵抗値は、どちらも２ｋΩである。さらに、ＳＧ，ＧＳＧ型以外の負荷補正用パターンに付いても、同様に抵抗値を決定することで、５００Ω以上の基準抵抗を用いたものを使用することができる。

ここで、コンタクトプローブとパッドの状態が良くなかった場合の補正時の誤差を考える。まず、図５に示す回路モデルから、被測定物のインピーダンスＺｄｕｔは、次式で算出される。

［数１］
Ｚｄｕｔ＝Ｚｓｔｄ（Ｚｏ−Ｚｓｍ）（Ｚｘｍ−Ｚｓ）／｛（Ｚｓｍ−Ｚｓ）（Ｚｏ−Ｚｘｍ）｝ ・・・ （１）
ここで、
Ｚｏは端子間を開放したときのインピーダンスの測定値、
Ｚｓは端子間を短絡したときのインピーダンスの測定値（接触抵抗を含まない）、
Ｚｓｔｄは既知の負荷インピーダンスの値、
Ｚｓｍは端子間に既知の負荷インピーダンスを接続したときのインピーダンスの測定値（接触抵抗を含まない）、
Ｚｘｍは被測定物（ＤＵＴ）のインピーダンスの測定値、
Ｚｄｕｔは補正後のＤＵＴのインピーダンス
である。

ところで、上記の（１）式では、ＺｓとＺｓｍには接触抵抗が含まれていないので、Ｚｄｕｔには接触抵抗の影響が考慮されてない。そこで、短絡補正測定時の接触抵抗をＲｃｓ、負荷補正測定時の接触抵抗をＲｃｌとして、
［数２］
Ｚｓ’＝Ｚｓ＋Ｒｃｓ
Ｚｓｍ’＝Ｚｓｍ＋Ｒｃｌ
とし、このＺｓ’とＺｓｍ’で（１）式のＺｓとＺｓｍを置き換えた、接触抵抗を含む被測定物のインピーダンスＺｄｕｔ’を考える。なお、ここで、Ｚｓ≒０，Ｚｓｍ≒Ｚｓｔｄであることに注意されたい。

このとき、ＺｄｕｔとＺｄｕｔ’との誤差の割合を示すＥｒｒｏｒは、次式で算出される。

［数３］
Ｅｒｒｏｒ＝１−（Ｚｄｕｔ’／Ｚｄｕｔ）
≒１−｛（Ｚｘｍ−Ｚｓ−Ｒｃｓ）／（Ｚｘｍ−Ｚｓ）｝｛（Ｚｓｍ−Ｚｓ）／（Ｚｓｍ＋Ｒｃｌ−Ｚｓ−Ｒｃｓ）｝
≒１−｛（Ｚｘｍ−Ｚｓ−Ｒｃｓ）／（Ｚｘｍ−Ｚｓ）｝｛（Ｚｓｔｄ−Ｚｓ）／（Ｚｓｔｄ＋Ｒｃｌ−Ｚｓ−Ｒｃｓ）｝
但し、ここで、Ｚｏ≫Ｚｓｍである。

ここで、最悪の場合として、Ｒｃｌ＝１０Ω、Ｒｃｓ＝０Ωの場合を考えると、Ｚｓｔｄ＝５００Ω、Ｚｓ＝０Ω、被測定物のインピーダンスを１０ｋΩとすると、誤差の割合Ｅｒｒｏｒは２％であるのに対し、従来のＺｓｔｄ＝５０ΩではＥｒｒｏｒが２０％となってしまう。また、Ｒｃｌ＝５Ωとして上記の条件を考えると、Ｚｓｔｄ＝５００ΩではＥｒｒｏｒが１％なのに対し、Ｚｓｔｄ＝５０ΩではＥｒｒｏｒが１０％となってしまう。

以上のように、１ＭＨｚ以上の高周波帯域でのインピーダンス測定のＩＳＳの負荷補正用基準抵抗では、測定器であるインピーダンス測定器の負荷補正が５０Ω以外の任意のインピーダンスで可能な上、被測定物のインピーダンスが１ｋΩ程度以上なので、５００Ω以上、一例としては１ｋΩの基準抵抗を用いた負荷補正用パターンを使用することにより、コンタクトプローブとパッドの接触抵抗が増大したとしても、その誤差を無視することができる。従って、負荷補正用の測定をやり直す必要はない。

次に、図２を用いて、本発明によるＩＳＳを用いて補正をする測定システムとして、図１（Ｂ）の負荷補正用パターン１０２を例にして補正をする測定システム２００を説明する。ＩＳＳ（１００）には、図１（Ｂ）で説明した負荷補正用パターン１０２が設けられ、そこに、インピーダンス測定をする測定器２１０のＨ側端子からパターン１０２のＳ側パッド１１２にケーブル２２２を介してコンタクトプローブ２２０によって、プロービングされ、測定器２１０のＬ側端子からパターン１０２のＧ側パッド１１６にケーブル２２６を介してコンタクトプローブ２２４によってプロービングされて、測定される。測定器２１０はＧＰ−ＩＢなどの制御バス２１２によりコントローラ２１４に接続され、制御される。コントローラ２１４は、好ましくは、ＰＣなどのコンピュータが望ましく、内部に演算手段としてのＣＰＵ２１６と、プログラム及びデータを格納するメモリ２１８を備える。なお、ＩＳＳ（１００）及びコンタクトプローブ２２０、２２４は、好ましくは位置合わせを高精度かつ容易にするために、プローバ２２８内に配置されることが望ましい。また、プローバ２２８は、コントローラ２１４から制御されずに、オペレータがマニュアルで操作して位置合わせをしてもよい。あるいは、プローバ２２８は、コントローラ２１４に接続されて、コントローラ２１４から制御されていても良い。

次に、図３を用いて、図２の測定システム２００で実行される補正用測定プログラムのフローチャートを説明する。測定システム２００は、インピーダンス測定器２１０によりコンタクトプローブ２２０および２２４を介して被測定物に対する測定を行う前に、まず、コントローラ２１４により、ＩＳＳなどの補正基板を用いた補正用測定のステップとして図３の３０４、３０６、３０８、３１０の各ステップを行う。すなわち、ステップ３０２でプログラムが開始し、ステップ３０４でコンタクトプローブを補正基板にタッチダウンせずに開放補正用のインピーダンス測定を行う。その後、ステップ３０６で、コンタクトプローブを補正基板の短絡用パターンに接触させて、短絡補正用のインピーダンス測定を行う。次に、ステップ３０８で、測定器にこれから行う負荷補正のインピーダンス値として５００Ω以上の値を入力する。ここでは、補正基板の負荷補正用抵抗の値として、別途高精度測定された測定値、あるいは、仕様値が入力される。次に、ステップ３１０で、５００Ω以上の抵抗を用いて負荷補正用の測定を行う。

さらに、測定システム２００は、得られた補正データを用いて、次のように実際にＤＵＴを測定して補正する。まず、ステップ３１２で、被測定物（ＤＵＴ）にコンタクトプローブを接触させて、測定器２１０によりインピーダンス測定を行う。次に、得られたＤＵＴのインピーダンス測定値と補正データを用いて、上述の（１）式を用いてＤＵＴの測定値を補正計算する。さらに、ステップ３１６で別のＤＵＴ測定を行うか判断し、測定を続行する場合には、ステップ３１２に進み、続行しない場合はステップ３１８に進んでプログラムを終了する。このように、補正基板の負荷補正用抵抗の値を５００Ω以上としたため、コンタクトプローブと負荷補正用パターンのパッドとの接触抵抗の値を気にせずに、補正用の測定と被測定物の測定を続行することができ、オペレータは補正測定のやり直しの時間や手間を節約することができる。

なお、図３において、ステップ３０４、３０６、３０８、３１０の順番を入れ替えても、補正をする上で支障はないし、ステップ３０８を、ステップ３１０の後で行うようにプログラムを変更することもできる。また、ステップ３１４は、必ずしもステップ３１２の直後に行う必要はなく、ＤＵＴの一連の測定が終了した後に、ステップ３０４、３０６、３０８、３１０を実行して、一連の測定結果についてステップ３１４を実行するように変更することもできる。

また、図３のステップ３１０及び／又はステップ３０６において、目的とする補正用パターンにコンタクトプローブを接触させた後、予備的なインピーダンス測定を行って大まかな測定値を得て、接触抵抗値が異常におかしくないか判断し、おかしくない場合は、目的とする補正用パターンの精密な補正用の測定をし、接触抵抗値がおかしい場合は、それを表示してプログラムを終了する態様とすることもできる。この場合、予備的なインピーダンス測定とは、短時間で大まかにインピーダンスを測定することであり、一例としては、１ｋＨｚから１０ｋＨｚ程度の低周波数でのインピーダンスを測ることである。このような低周波での予備的なインピーダンス測定により、測定系の残留インダクタと寄生容量の影響を除いた接触抵抗分のインピーダンスを手早く見積もることができる。予備的なインピーダンス測定の際の接触抵抗値の算出には、短絡補正の場合にはゼロΩとの差を用い、負荷補正の場合には、別途事前に値付けされた負荷補正用抵抗の抵抗値を用いることができる。

以上、本発明の実施態様を基づいて本発明を説明してきたが、本発明の思想に基づき、さまざまな変形・変更を施すことができる。例えば、図１の負荷補正パターン１０２を、図４の負荷補正パターン４０２のように２本ずつ並べて形成して、コンタクトプローブが４本の測定システムに対応することも可能である。

図１（Ａ）に本発明によるＩＳＳの概略図を示し、図１（Ｂ）に図１（Ａ）の負荷補正パターン１０２の詳細を示し、図１（Ｃ）に、図１（Ｂ）の代替実施形態の負荷補正パターンの詳細を示す。 本発明によるＩＳＳを用いた負荷補正測定をする測定システムの概略図である。 図２で示される測定システムで実行される構成プログラムのフローチャートである。 図４（Ａ）に従来のＩＳＳの概略図を示し、図４（Ｂ）に図４（Ａ）のＳＧ型の負荷補正パターン４０２の詳細を示し、図４（Ｃ）に、ＧＳＧ型の負荷補正パターンの詳細を示す。 本発明による補正の補正式を導くためのモデルの概念図である。

符号の説明

１００ ＩＳＳ
１０２ 負荷補正用パターン
１０４ 負荷補正用パッド群
１０６ 短絡補正用パッド群
１１２、１１６ パッド
１１４ 基準抵抗
２００ 測定システム
２１０ 測定器
２１２ 制御バス
２１４ コントローラ
２１６ ＣＰＵ
２１８ メモリ
２２８ プローバ

Claims (11)

1. ５００Ω以上の抵抗と、前記抵抗の両端にそれぞれ接続された、コンタクトプローブが接触するための第１と第２のパッドとを備えた負荷補正用パターンを有する補正基板。
2. 前記負荷補正用パターンを複数個設けたことを特徴とする請求項１に記載の補正基板。
3. 前記抵抗は、１ｋΩである請求項１または２に記載の補正基板。
4. さらに、短絡補正用パターンを有する請求項１ないし３のいずれかに記載の補正基板。
5. 前記コンタクトプローブはプローブ針であることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の補正基板。
6. 前記補正基板は、半導体製造プロセスにおける絶縁膜の容量測定の補正に使われることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の補正基板。
7. コンタクトプローブを接触させて補正を行うためのインピーダンス基準基板において、５００Ω以上の負荷補正用基準抵抗を備えたことを特徴とするインピーダンス基準基板。
8. 前記インピーダンス基準基板は、半導体製造プロセスにおける絶縁膜の容量測定の補正に使われることを特徴とする請求項７に記載のインピーダンス基準基板。
9. 請求項１ないし６のいずれかに記載の補正基板と、前記補正基板の第１と第２のパッドにそれぞれ第１と第２のコンタクトプローブを介して接続されてインピーダンスを測定する測定器と、前記測定器を制御する演算手段を備えたコントローラとを備えた測定システムにおいて、
   前記測定器に、開放補正のインピーダンス測定を行う命令と、
   前記測定器に、短絡補正のインピーダンス測定を行う命令と、
   前記測定器に、前記５００Ω以上の抵抗に対する負荷補正のインピーダンス測定を行う命令と
   を前記コントローラに対して実行させるコンピュータプログラム。
10. 前記測定器に、前記補正基板の５００Ω以上の抵抗の事前に定められたインピーダンス値の入力をする命令を前記コントローラに対して実行させる請求項９に記載のコンピュータプログラム。
11. 請求項９または１０に記載のコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
    
    

Images