JP2006273696A - 誘電体セラミックス - Google Patents
誘電体セラミックス Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006273696A JP2006273696A JP2005099073A JP2005099073A JP2006273696A JP 2006273696 A JP2006273696 A JP 2006273696A JP 2005099073 A JP2005099073 A JP 2005099073A JP 2005099073 A JP2005099073 A JP 2005099073A JP 2006273696 A JP2006273696 A JP 2006273696A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- dielectric
- dielectric ceramic
- powder
- combustion synthesis
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
【課題】燃焼合成により、優れた誘電特性を有する酸化物系誘電体セラミックスを提供する。
【解決手段】 比表面積が0.01〜2m2/gの4族元素であるチタンを含む金属粉末と、2族元素であるストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも1つの元素の炭酸塩と、1族元素またはNH4を含む加熱により酸素を発生する物質とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られ、比誘電率が15以上、誘電正接が0.01未満である。
【選択図】 なし
【解決手段】 比表面積が0.01〜2m2/gの4族元素であるチタンを含む金属粉末と、2族元素であるストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも1つの元素の炭酸塩と、1族元素またはNH4を含む加熱により酸素を発生する物質とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られ、比誘電率が15以上、誘電正接が0.01未満である。
【選択図】 なし
Description
本発明は誘電体セラミックスに関する。
従来のセラミックスの合成には、1000℃から2000℃前後に加熱できる炉を用いて外部加熱を行なわなくてはならない。このため、セラミックスの合成には、膨大なエネルギーと大型の加熱機構を必要とし、これが製造コストを高くする原因となっている。
外部加熱を行なわない製造方法として、燃焼合成法によるセラミックス粉末の合成が提案されている(特許文献1)。
燃焼合成法は、外部加熱を必要とすることなく、化合時に放出される大量の化学熱反応を利用して連鎖的に物質を合成する方法である。
特許文献1による製造方法では、1種類の金属酸化物と2種類の異なる金属元素の計3種類の原料を出発原料とし、金属間化合物あるいは非酸化物セラミックスと酸化物セラミックスの2種類を合成している。例えば、酸化ニッケル粉末とアルミニウム粉末とアルミナ粉末とを混合し成形体とした後、高圧反応容器内に収納し、アルゴン雰囲気下で該成形体の上端面を着火することによりアルミニウム粉末の酸化燃焼反応を誘導し、還元されたニッケルが過剰に添加したアルミニウムと反応してNiAlを合成しながら、燃焼反応が連鎖的に進行する。その結果、外部加熱なしに金属間化合物の1つであるNiTiのインゴットを製造することができる。
外部加熱を行なわない製造方法として、燃焼合成法によるセラミックス粉末の合成が提案されている(特許文献1)。
燃焼合成法は、外部加熱を必要とすることなく、化合時に放出される大量の化学熱反応を利用して連鎖的に物質を合成する方法である。
特許文献1による製造方法では、1種類の金属酸化物と2種類の異なる金属元素の計3種類の原料を出発原料とし、金属間化合物あるいは非酸化物セラミックスと酸化物セラミックスの2種類を合成している。例えば、酸化ニッケル粉末とアルミニウム粉末とアルミナ粉末とを混合し成形体とした後、高圧反応容器内に収納し、アルゴン雰囲気下で該成形体の上端面を着火することによりアルミニウム粉末の酸化燃焼反応を誘導し、還元されたニッケルが過剰に添加したアルミニウムと反応してNiAlを合成しながら、燃焼反応が連鎖的に進行する。その結果、外部加熱なしに金属間化合物の1つであるNiTiのインゴットを製造することができる。
しかしながら、上記の場合、同時に合成されるAl2O3はNiTiに対する濡れ性や比重、粘性、融点および熱力学的安定性の違いから、NiTiから容易に分割して得られるとされているが、これら2種類の合成物を正確に分離することは難しく、またこの製造方法で得られるセラミックスは誘電材料ではないという問題がある。
特開平5−9009号公報
本発明は、このような課題に対処するためになされたもので、燃焼合成により、優れた誘電特性を有する誘電体セラミックスの提供を目的とする。
本発明の誘電体セラミックスは、比表面積が0.01〜2m2/gの4族元素を含む金属粉末(以下、4族金属粉末と略称する)と、2族元素を含む元素の炭酸塩(以下、2族炭酸塩と略称する)と、1族元素またはNH4を含む加熱により酸素を発生する物質(以下、酸素発生物質と略称する)とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られ、比誘電率が15以上、誘電正接が0.01未満であることを特徴とする。ここで、比誘電率は25℃での値であり、誘電正接は25℃、1GHzでの値である。
また、出発原料として配合される上記4族元素がチタンであることを特徴とする。
また、出発原料として配合される上記2族元素がストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも1つの元素であることを特徴とする。
また、出発原料として配合される上記酸発生物質が過塩素酸ナトリウムであることを特徴とする。
また、出発原料として配合される上記4族元素がチタンであることを特徴とする。
また、出発原料として配合される上記2族元素がストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも1つの元素であることを特徴とする。
また、出発原料として配合される上記酸発生物質が過塩素酸ナトリウムであることを特徴とする。
4族金属粉末と、2族炭酸塩と、酸素発生物質とを少なくとも含む反応原料を用いて、断熱火炎温度が1500℃以上の燃焼合成により、比誘電率が15以上、誘電正接が0.01未満の誘電体セラミックスが得られた。
出発原料となる4族元素を含む金属としては、好ましくは4族元素単独であり、より好ましくは4族A元素である。具体的には、チタン(Ti)、ジルコニウム(Zr)、ハフニウム(Hf)が挙げられ、その中でも特にTiが誘電特性に優れるセラミックスが得られるので好ましい。
4族A元素は単独でもあるいは混合しても使用できる。また、これら4族A元素と同時に配合できる元素としては、ラザホージウム(Rf)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、テルル(Te)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ビスマス(Bi)、ポロニウム(Po)、アスタチン(At)等が挙げられる。
4族A元素は単独でもあるいは混合しても使用できる。また、これら4族A元素と同時に配合できる元素としては、ラザホージウム(Rf)、スズ(Sn)、アンチモン(Sb)、テルル(Te)、ランタン(La)、セリウム(Ce)、プラセジウム(Pr)、ネオジウム(Nd)、プロメチウム(Pm)、サマリウム(Sm)、ユーロピウム(Eu)、ビスマス(Bi)、ポロニウム(Po)、アスタチン(At)等が挙げられる。
4族元素を含む金属の形状は、微粉末であることが好ましく、比表面積が0.01〜2m2/gである。燃焼波が伝播し、かつ取り扱いやすいので好ましい比表面積の範囲は0.1〜0.6m2/gである。比表面積が0.01m2/g未満の場合、発熱源となる金属粉未と酸素供給源となる過酸化物の接触面積が少ないため、燃焼波が伝播せず、誘電体セラミックスが合成できない場合がある。また、比表面積が2m2/gをこえる金属粉未は極めて活性であり、取り扱いが困難となるため好ましくない。
本発明において、金属粉未の比表面積は、BET法により測定された値をいう。
本発明において、金属粉未の比表面積は、BET法により測定された値をいう。
燃焼合成に使用できる金属微粉末は、平均粒子径が同一であっても、比表面積が異なると反応性に差が認められた。すなわち、球状よりも比表面積が大きくなる形状の金属粉末を用いると燃焼合成反応がより速やかに進行した。比表面積が大きくなる形状としては、球状粒子表面に複数の凹凸が形成された粒子、粒子全体としていびつな形状の粒子、またはこれらの組み合わせがある。
本発明に使用できる平均粒子径としては150μm以下、好ましくは0.1〜100μmである。150μmをこえると、他の原材料との混合が十分でなくなり、燃焼波が伝播しない場合が生じる。
表面に凹凸が形成された粒子またはいびつな形状の平均粒子径の測定方法は、画像解析法が好ましい。
本発明に使用できる平均粒子径としては150μm以下、好ましくは0.1〜100μmである。150μmをこえると、他の原材料との混合が十分でなくなり、燃焼波が伝播しない場合が生じる。
表面に凹凸が形成された粒子またはいびつな形状の平均粒子径の測定方法は、画像解析法が好ましい。
2族元素を含む元素としては、好ましくは2族元素単独であり、より好ましくは2族A元素である。具体的には、ベリリウム(Be)、マグネシウム(Mg)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、バリウム(Ba)、ラジウム(Ra)が挙げられ、その中でも特にCa、Sr、Baが上記金属粉末との組み合わせにおいて誘電特性に優れるセラミックスが得られるので好ましい。
2族A元素は単独でもあるいは混合しても使用できる。また、これら2族A元素と同時に配合できる元素としては、Rf、Sn、Sb、Te、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Bi、Po、At等が挙げられる。
2族A元素は単独でもあるいは混合しても使用できる。また、これら2族A元素と同時に配合できる元素としては、Rf、Sn、Sb、Te、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Bi、Po、At等が挙げられる。
2族A元素は炭酸塩の形で使用される。2族A元素からなる炭酸塩としては、BeCO3、MgCO3、CaCO3、SrCO3、BaCO3、RaCO3等がある。その中で特にCaCO3、SrCO3、BaCO3が誘電特性に優れるセラミックスが得られるので好ましい。
本発明は上記出発原料とともに少なくとも1族元素またはNH4を含み、加熱により酸素を発生する物質が配合される。この加熱により酸素を発生する物質としては、KClO3、NaClO3、NH4ClO3等の塩素酸塩類、KClO4、NaClO4、NH4ClO4等の過塩素酸塩類、NaClO2などの亜塩素酸塩類、KBrO3などの臭素酸塩類、KNO3、NaNO3、NH4NO3等の硝酸塩類、NaIO3、KIO3等のよう素酸塩類、KMnO4、NaMnO4・3H2Oの過マンガン酸塩類、K2Cr2O7、(NH4)2Cr2O7等の重クロム酸塩類、NaIO4などの過よう素酸塩類、NaNO3などの亜硝酸塩等が挙げられる。
これらの中で塩素酸塩類、過塩素酸塩類、亜塩素酸塩類が好ましく、特にNaClO4が副生成物であるNaClの除去が容易であることから好適である。
これらの中で塩素酸塩類、過塩素酸塩類、亜塩素酸塩類が好ましく、特にNaClO4が副生成物であるNaClの除去が容易であることから好適である。
4族金属粉末、2族炭酸塩、および酸素発生物質とを少なくとも含む反応原料としては、4族金属粉末、2族炭酸塩、および酸素発生物質のみであることが優れた誘電特性を得るために好ましい。
反応原料はそれぞれ所定割合で配合するが、燃焼合成反応において誘電体セラミックスは、例えばチタン酸バリウムの場合、以下の化学反応式にしたがって生成する。各反応原料は、4族金属粉末と2族炭酸塩とは反応に必要なそれぞれのモル質量に相当する量を配合するが、酸素発生物質は反応に必要なモル質量以上を配合できる。
Ti+BaCO3+0.5NaClO4 → BaTiO3+CO2↑+0.5NaCl
反応原料はそれぞれ所定割合で配合するが、燃焼合成反応において誘電体セラミックスは、例えばチタン酸バリウムの場合、以下の化学反応式にしたがって生成する。各反応原料は、4族金属粉末と2族炭酸塩とは反応に必要なそれぞれのモル質量に相当する量を配合するが、酸素発生物質は反応に必要なモル質量以上を配合できる。
Ti+BaCO3+0.5NaClO4 → BaTiO3+CO2↑+0.5NaCl
4族金属粉末と、2族炭酸塩と、酸素発生物質とを少なくとも含む反応原料の混合は、ボールミル、乳鉢を用いた混合等特に制限されることなく使用できるが、量産性の面からボールミルを用いる混合が好ましい。
混合粉末は、るつぼに投入して燃焼合成を行なうが、そのるつぼの材質としては好ましくは非酸化物である炭素(C)、炭化珪素(SiC)、窒化珪素Si3N4等が使用できる。これらの中で炭素(C)材が熱伝導と形状加工性に優れているので好ましい。
混合粉末をるつぼへ投入する方法としては、混合粉末をパウダーベット状に敷き詰めたり、敷き詰めた後圧縮したり、ペレット状に押し固めたものをるつぼへ投入する方法等が使用できる。
混合粉末は、るつぼに投入して燃焼合成を行なうが、そのるつぼの材質としては好ましくは非酸化物である炭素(C)、炭化珪素(SiC)、窒化珪素Si3N4等が使用できる。これらの中で炭素(C)材が熱伝導と形状加工性に優れているので好ましい。
混合粉末をるつぼへ投入する方法としては、混合粉末をパウダーベット状に敷き詰めたり、敷き詰めた後圧縮したり、ペレット状に押し固めたものをるつぼへ投入する方法等が使用できる。
燃焼合成法の条件について、反応系の断熱火炎温度は1500℃以上である。1500℃以上であれば、燃焼波が伝播するからである。
燃焼合成はチャンバー内で行なうが、その雰囲気としては、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)等の希ガス雰囲気が好ましい。なお、反応生成物の誘電特性を劣化させなければ、窒素ガス、炭酸ガス雰囲気等を利用することも可能である。また、酸素分圧を制御可能であれば、酸素ガスを使用することも可能である。
燃焼合成を開始させるための混合粉末への着火方法は、金属粉が着火発熱可能となる方法であれば特に限定されない。カーボンフイルムを着火発熱させて熱源とし、混合粉末に接触させて着火発熱させる方法が取り扱いに優れているので好ましい。
燃焼合成はチャンバー内で行なうが、その雰囲気としては、ヘリウム(He)、ネオン(Ne)、アルゴン(Ar)、クリプトン(Kr)等の希ガス雰囲気が好ましい。なお、反応生成物の誘電特性を劣化させなければ、窒素ガス、炭酸ガス雰囲気等を利用することも可能である。また、酸素分圧を制御可能であれば、酸素ガスを使用することも可能である。
燃焼合成を開始させるための混合粉末への着火方法は、金属粉が着火発熱可能となる方法であれば特に限定されない。カーボンフイルムを着火発熱させて熱源とし、混合粉末に接触させて着火発熱させる方法が取り扱いに優れているので好ましい。
燃焼合成反応は、外部加熱を必要とすることなく、着火部分より同時多発的に化学反応が進行し、各種の不定比化合物が合成される。このため、本発明においては、4族金属粉末、2族炭酸塩、および酸素発生物質の配合割合が重要となる。
上述した配合割合で燃焼合成反応させることにより、比誘電率が15以上、誘電正接が0.01未満である誘電体セラミックスが得られる。
上述した配合割合で燃焼合成反応させることにより、比誘電率が15以上、誘電正接が0.01未満である誘電体セラミックスが得られる。
得られる誘電体セラミックスは、高周波帯で使用されることが多い。そのとき、比誘電率が15以上あれば、コンデンサ、誘電体アンテナ等の電子部品の小型化に対して有効であるので特に好ましい。誘電正接が0.01以上の場合、誘電体内の損失が多くなるので好ましくない。誘電体アンテナに使用する場合、誘電正接は0.005以下がさらに好ましい。
実施例1〜実施例6
表1に示す比表面積の異なる4族金属粉末、2族炭酸塩、酸素発生物質をそれぞれ表1に示すモル比でボールミルを用いて5時間混合することにより混合粉末を得た。合成装置内のチャンバー内にカーボンるつぼを設置し、混合粉末(100g)をカーボンるつぼ内に敷き詰め、着火用のカーボンフイルムを混合粉の一部と接触させて、チャンバーを閉じた。真空ポンプを用いて、チャンバー内の残留酸素を減少させた後、アルゴン(Ar)ガスを封入し、チャンバーの内圧を0.1MPaとした。
表1に示す比表面積の異なる4族金属粉末、2族炭酸塩、酸素発生物質をそれぞれ表1に示すモル比でボールミルを用いて5時間混合することにより混合粉末を得た。合成装置内のチャンバー内にカーボンるつぼを設置し、混合粉末(100g)をカーボンるつぼ内に敷き詰め、着火用のカーボンフイルムを混合粉の一部と接触させて、チャンバーを閉じた。真空ポンプを用いて、チャンバー内の残留酸素を減少させた後、アルゴン(Ar)ガスを封入し、チャンバーの内圧を0.1MPaとした。
実施例1〜6のすべての組成物について燃焼波が伝播し、燃焼合成法により合成粉末と副生成物(NaCl)が得られた。アルミナ製乳鉢を用いて合成粉末を粉砕し、平均粒子径が1μmの未洗浄誘電体セラミックス粉末を得た。
得られた未洗浄誘電体セラミックス粉末を十分水洗し、この粉末に付着したNaClを除去して誘電体セラミックスを得た。
得られた誘電体セラミックス粉末の結晶相の同定をX線回折装置を用いて行なった。結果を表2に示す。
また、比誘電率および誘電正接を以下の方法で測定した。
得られた誘電体セラミックス粉末に成形用バインダ(ポリビニルブチラール樹脂)を1質量%添加して混合した。次に混合粉末を10mmx80mmの金型に投入し、1.5トン/cm2の圧力を加えてグリーン体(10mmx90mmx3mm)を得た。このグリーン体を600℃で1時間保持し、有機分を除去した後、1300℃で3時間焼成した。得られた焼結体を70mmxl.5mmxl.5mmの試験片に加工し、空洞共振器法を用いて、1、3、5GHzの周波数帯で比誘電率および誘電正接を測定した。結果を表2に示す。
得られた未洗浄誘電体セラミックス粉末を十分水洗し、この粉末に付着したNaClを除去して誘電体セラミックスを得た。
得られた誘電体セラミックス粉末の結晶相の同定をX線回折装置を用いて行なった。結果を表2に示す。
また、比誘電率および誘電正接を以下の方法で測定した。
得られた誘電体セラミックス粉末に成形用バインダ(ポリビニルブチラール樹脂)を1質量%添加して混合した。次に混合粉末を10mmx80mmの金型に投入し、1.5トン/cm2の圧力を加えてグリーン体(10mmx90mmx3mm)を得た。このグリーン体を600℃で1時間保持し、有機分を除去した後、1300℃で3時間焼成した。得られた焼結体を70mmxl.5mmxl.5mmの試験片に加工し、空洞共振器法を用いて、1、3、5GHzの周波数帯で比誘電率および誘電正接を測定した。結果を表2に示す。
比較例1
表3に示す比表面積のTi金属粉末、炭酸塩、過酸化物をそれぞれ所定のモル比でボールミルを用いて5時間混合することで混合粉末を得た。合成装置内のチャンバー内にカーボンるつぼを設置し、混合粉末(100g)をカーボンるつぼ内に敷き詰め、着火用のカーボンフイルムを混合粉の一部と接触させて、チャンバーを閉じた。真空ポンプを用いて、チャンバー内の残留酸素を減少させた後、Arガスを封入し、チャンバーの内圧を0.1MPaとした。合成実験の結果を表4に示す。Ti金属粉の比表面積が0.01より小さいため、燃焼波が伝播せず、合成粉を得ることができなかった。
表3に示す比表面積のTi金属粉末、炭酸塩、過酸化物をそれぞれ所定のモル比でボールミルを用いて5時間混合することで混合粉末を得た。合成装置内のチャンバー内にカーボンるつぼを設置し、混合粉末(100g)をカーボンるつぼ内に敷き詰め、着火用のカーボンフイルムを混合粉の一部と接触させて、チャンバーを閉じた。真空ポンプを用いて、チャンバー内の残留酸素を減少させた後、Arガスを封入し、チャンバーの内圧を0.1MPaとした。合成実験の結果を表4に示す。Ti金属粉の比表面積が0.01より小さいため、燃焼波が伝播せず、合成粉を得ることができなかった。
比較例2
表3に示す比表面積のTi金属粉末と断熱火炎温度を下げるためにTiO2を併用し、炭酸塩、過酸化物をそれぞれ所定のモル比でボールミルを用いて5時間混合することで混合粉末を得た。合成装置内のチャンバー内にカーボンるつぼを設置し、混合粉末(100g)をカーボンるつぼ内に敷き詰め、着火用のカーボンフイルムを混合粉の一部と接触させて、チャンバーを閉じた。真空ポンプを用いて、チャンバー内の残留酸素を減少させた後、Arガスを封入し、チャンバーの内圧を0.1MPaとした。合成実験の結果を表4に示す。断熱火炎温度が1500℃より低いため、燃焼波が伝播せず、合成粉を得ることができなかった。
表3に示す比表面積のTi金属粉末と断熱火炎温度を下げるためにTiO2を併用し、炭酸塩、過酸化物をそれぞれ所定のモル比でボールミルを用いて5時間混合することで混合粉末を得た。合成装置内のチャンバー内にカーボンるつぼを設置し、混合粉末(100g)をカーボンるつぼ内に敷き詰め、着火用のカーボンフイルムを混合粉の一部と接触させて、チャンバーを閉じた。真空ポンプを用いて、チャンバー内の残留酸素を減少させた後、Arガスを封入し、チャンバーの内圧を0.1MPaとした。合成実験の結果を表4に示す。断熱火炎温度が1500℃より低いため、燃焼波が伝播せず、合成粉を得ることができなかった。
本発明の誘電体セラミックスは、比表面積が0.01〜2m2/gの4族金属粉末と、2族炭酸塩と、酸素発生物質とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られ、比誘電率が15以上、誘電正接が0.01未満であるので、優れた誘電特性を有する酸化物系誘電体セラミックスが省エネルギーの方法で得られる。その結果、アンテナ、コンデンサ、共振器等の分野で高誘電体セラミックスの用途が拡大する。
Claims (4)
- 比表面積が0.01〜2m2/gの4族元素を含む金属粉末と、2族元素を含む元素の炭酸塩と、1族元素またはNH4を含む加熱により酸素を発生する物質とを少なくとも含む反応原料をそれぞれ所定割合で配合し、断熱火炎温度が1500℃以上である燃焼合成法により得られ、比誘電率が15以上、誘電正接が0.01未満である誘電体セラミックス。
- 前記4族元素がチタンであることを特徴とする請求項1記載の誘電体セラミックス。
- 前記2族元素がストロンチウム、バリウムおよびカルシウムから選ばれた少なくとも1つの元素であることを特徴とする請求項1または請求項2記載の誘電体セラミックス。
- 前記加熱により酸素を発生する物質が過塩素酸ナトリウムであることを特徴とする請求項1、請求項2または請求項3記載の誘電体セラミックス。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005099073A JP2006273696A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 誘電体セラミックス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005099073A JP2006273696A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 誘電体セラミックス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006273696A true JP2006273696A (ja) | 2006-10-12 |
Family
ID=37208792
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005099073A Pending JP2006273696A (ja) | 2005-03-30 | 2005-03-30 | 誘電体セラミックス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2006273696A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006327902A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Ntn Corp | ペロブスカイト型セラミックスおよびその製造方法 |
JP2006347820A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Ntn Corp | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
JP2008110881A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Ntn Corp | 誘電体セラミックスの製造方法 |
-
2005
- 2005-03-30 JP JP2005099073A patent/JP2006273696A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006327902A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Ntn Corp | ペロブスカイト型セラミックスおよびその製造方法 |
JP2006347820A (ja) * | 2005-06-16 | 2006-12-28 | Ntn Corp | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 |
JP2008110881A (ja) * | 2006-10-27 | 2008-05-15 | Ntn Corp | 誘電体セラミックスの製造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4874574B2 (ja) | ペロブスカイト型セラミックスの製造方法 | |
JP4533209B2 (ja) | 酸化物系セラミックスおよびその製造方法 | |
JP5327677B2 (ja) | BaTi2O5系強誘電性セラミックス製造方法 | |
JP2006327890A (ja) | チタン酸バリウム粉末の製法およびチタン酸バリウム粉末、並びにチタン酸バリウム焼結体 | |
JP2006273696A (ja) | 誘電体セラミックス | |
JP2006274179A (ja) | 高誘電性エラストマー組成物および高周波用電子部品 | |
JP4766931B2 (ja) | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 | |
JP5114013B2 (ja) | 誘電体セラミックスの製造方法 | |
JP4789286B2 (ja) | 誘電体セラミックスの製造方法 | |
JP5069444B2 (ja) | 誘電体セラミックスの製造方法 | |
JP2007063337A (ja) | 高誘電性エラストマー組成物およびその製造方法 | |
JP2006347823A (ja) | 燃焼合成方法および誘電体セラミックス | |
JP5128782B2 (ja) | 誘電体セラミックスの製造方法 | |
JP2002047010A (ja) | バリウム系複合金属酸化物粉末の製造方法 | |
JP4989044B2 (ja) | 誘電体セラミックスの製造方法 | |
JP2006347824A (ja) | 燃焼合成方法および酸化物系セラミックス | |
JP2008105915A (ja) | 燃焼合成方法および燃焼合成装置 | |
JP2007261891A (ja) | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2008056530A (ja) | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2006347819A (ja) | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2007261889A (ja) | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2007063036A (ja) | 誘電体セラミックスおよびその製造方法 | |
JP2007141531A (ja) | 燃焼合成方法および誘電体セラミックス | |
JP2006347821A (ja) | 反応装置材および燃焼合成方法 | |
JP2007091523A (ja) | 燃焼合成方法および誘電体セラミックス |