JP2006269991A - 検査方法及び半導体基板製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本検査方法においては、まず、設定したドーズ量で酸化膜に砒素を注入し、この酸化膜を回収しICP−MSにより分析して実際に打ち込まれた砒素の量(注入量)を検出し、ドーズ量と注入量との関係を求める。実際のアンチモンのイオン注入の際には、酸化膜を介して所望のドーズ量(イオン注入条件)でアンチモンのイオン注入を行い、この酸化膜を回収しICP−MSにより分析して、アンチモンのイオン注入の際に同時に打ち込まれた砒素の量(濃度)を検出する。次に、先に求めたドーズ量と注入量との関係に基づいて、分析値(注入量)をドーズ量に換算し、イオン注入条件としてのドーズ量という指標において、本来のイオン注入元素であるアンチモンのドーズ量と、意図せずに注入された砒素のドーズ量の比率を検出し、これが許容範囲か否か検出する。
【選択図】 図1
Description
なお、このようなイオン注入装置は、1台の装置が複数の試料の打ち込みに使用される場合が多い。1台の装置により、例えば、砒素(As)、アンチモン(Sb)、リン(P)あるいはボロン(B)等の不純物の打ち込みが行われる。
このような状態を避けるためには、打ち込む不純物に応じてイオン注入装置を変更することが考えられるが、それでは製造効率が低下する。また、ディスク等の装置構成部を交換することも考えられるが、煩雑な作業を行わなければならない上に、チャンバ内を再度高真空に引くまでに時間がかかり、やはり製造効率が低下する。
従って、イオン注入の際に意図しないで打ち込まれた元素の濃度を検出し、これを検査することが望まれている。
また、SIMSによる分析は、測定のための装置が非常に高価な上に、調整が面倒であると言う問題もある。
また、本発明の他の目的は、そのような検査方法を適用して意図しない不純物の量(濃度)が許容範囲内か否か効率よく検査することにより、高性能で信頼性の高い電子デバイスを製造することができる半導体基板製造方法を提供することにある。
また、本発明によれば、意図しない不純物の量(濃度)が許容範囲内か否か効率よく検査することにより、所望の高性能で信頼性の高い電子デバイスを製造することができる半導体基板製造方法を提供することができる。
本実施形態においては、例えば砒素(As)のイオン注入を以前に行ったイオン注入装置を用いて、シリコンウエーハにアンチモン(Sb)をイオン注入する際に、シリコンウエーハに意図せずに注入される不純物たる砒素の濃度を検出し、これが適切か否かを検査する方法について説明する。その際、本実施形態の濃度検査方法においては、誘導結合プラズマ質量分析法(ICP−MS)を用いて実際に打ち込まれた砒素の濃度を検出する。
なお、以下の説明において、イオン注入の条件としてのドーズ量、及び、イオン注入の結果実際に基板に注入される元素の量(注入量)は、主に、単位面積あたりドーズ量及び注入量、すなわち濃度で示す。従って、意図せずに注入された砒素の濃度を検査する本実施形態の濃度検査方法が、すなわち本発明に係る意図せずに注入された砒素の量を検査する検査方法の一実施形態となる。
この濃度検査処理においては、実際に製造工程に投入されているウエーハにおける前述した砒素濃度の検出を行う前に、まず、砒素を意図してイオン注入するとした場合に設定される注入条件としての砒素のドーズ量(濃度)と、その条件でイオン注入が行われた結果、基板に実際に打ち込まれた砒素の注入量(濃度)との関係を検量線として検出する処理を行う(ステップS10)。
このような処理を所定回数繰り返したら、イオン注入の条件としての砒素ドーズ量と、ICP−MSの分析値として得られる実際に打ち込まれた砒素注入量とに基づいて、例えば図3に示すような検量線を検出する。また、砒素ドーズ量と砒素注入量(ICP−MS分析値)との関係式を求める。これにより、イオン注入条件としての砒素ドーズ量と実際に打ち込まれた砒素注入量(ICP−MS分析値)との関係が検出される(ステップS16)。
ここでは、以前に砒素のイオン注入処理が行われたイオン注入装置において、アンチモンのイオン注入を行う際に、意図せずにウエーハに注入される砒素の濃度を検査する処理について説明する。
なお、この許容範囲は、イオン注入の本来の対象である不純物の種類、イオン注入により形成する構造部に対する特性及びその許容誤差等に応じて決定される。
このように砒素濃度の検査を行うことにより、信頼性が高く高性能な半導体デバイスを製造することができる。
シリコンウエーハ上に200×10-10〔m〕(200オングストローム)のシリコン酸化膜(SiO2)層を形成し、これに対して、10KeVのエネルギーにより、3.0×1011、3.0×1012、1.0×1013及び3.0×1013〔atoms/cm2〕のドーズ量(イオン注入条件)で各々砒素(As)をイオン注入した。
次に、各ドーズ量の処理について、SiO2膜をフッ化水素(HF)により溶解し、その溶液をICP−MSにより分析し、実際に打ち込まれた砒素の注入量を検出した。
砒素ドーズ量とICP−MS分析値である砒素注入量との関係の一例を図5に示す。また、図5に示す砒素ドーズ量とICP−MS分析値とを、両対数グラフにプロットして得られる検量線を図6(A)に示す(図6(A)に、プロット「○」で示す)。砒素ドーズ量とICP−MSの分析値である砒素注入量とは、図示のような直線関係にあることがわかる。
そして、SiO2膜をフッ化水素(HF)により溶解し、その溶液をICP−MSにより分析し、このアンチモンのイオン注入の際にSiO2膜に打ち込まれた砒素の量(濃度)を検出した。その結果、6.1×1011〔atoms/cm2〕の濃度で、砒素が検出された。
前述したように、本来のイオン注入対象の元素であるアンチモンは、4.0×1015〔atoms/cm2〕のドーズ量でイオン注入されている。従って、砒素のドーズ量のアンチモンのドーズ量に対する比率は、約1/1000であることが検出される。そして、この比率が所定の閾値と比較され、許容範囲か否か判定される。これにより砒素注入量(濃度)の検査が行われる。
この結果から明らかなように、SIMSによる計測結果でも、意図せず注入された砒素の量は、アンチモンのドーズ量の約1/1000となっている。
従って、本実施形態に係るICP−MSを用いた砒素濃度検査方法は、従来のSIMSによる方法と同様の精度で砒素濃度が検出できることがわかり、検査が適切に行えることがわかる。
また、この方法による砒素濃度の検査に要する時間は30分程度であり、従来のSIMSによる検出よりも大幅に時間を短縮することができる。
その結果、検査結果の生産へのフィードバックを迅速に行うことができ、半導体デバイスの製造工程における装置非稼動時間を低減し、半導体デバイスの製造効率を向上させることのできる検査方法を提供することができる。
例えば、本実施形態においては意図しないで打ち込まれた砒素の濃度検査を行う場合を例示したが、砒素に限らず任意の不純物(元素)の検出が可能である。検出対象の不純物を適切にトラップできるように、ウエーハ表面に形成するSiO2膜の膜厚を調整すれば、任意の元素の検出が可能である。
Claims (3)
- 基板に第1の元素をイオン注入する際に当該基板に注入される前記第1の元素とは異なる第2の元素の量を検査する検査方法であって、
基板に形成された酸化膜に前記第2の元素を所定のドーズ量条件でイオン注入し、当該イオン注入した前記酸化膜を誘導結合プラズマ質量分析して当該酸化膜中に実際に注入された前記第2の元素の注入量を検出し、当該第2の元素の前記注入条件としての前記ドーズ量と前記分析結果の前記注入量との関係を検出し、
基板に酸化膜を形成して当該基板に対して前記第1の元素を所定のドーズ量条件でイオン注入し、
前記基板の前記酸化膜を誘導結合プラズマ質量分析し、前記第1の元素のイオン注入の際に前記酸化膜中に実際に注入された前記第2の元素の注入量を検出し、
前記検出された前記第2の元素の注入量を、前記予め検出された当該第2の元素の前記注入条件としての前記ドーズ量と前記分析結果の前記注入量との関係に基づいて、前記注入条件としてのドーズ量に換算し、
前記換算して得られた前記第2の元素の前記注入条件としてのドーズ量と、前記第1の元素のイオン注入の際の当該第1の元素の前記注入条件としてのドーズ量とを比較することにより前記第1の元素のイオン注入の際に注入された前記第2の元素の注入量を検査する
ことを特徴とする検査方法。 - 前記第1の元素は所望の第1の不純物であり、
前記第2の元素は意図しない第2の不純物であって、
半導体基板に対する所望の第1の不純物のイオン注入処理の際に、前記半導体基板に注入される意図しない第2の不純物の量を検査する
ことを特徴とする請求項1に記載の検査方法。 - イオン注入により所望の第1の元素を半導体基板に導入する不純物導入工程を有する半導体基板製造方法であって、前記不純物導入工程においては、
基板に酸化膜を形成し、
前記酸化膜を形成した前記基板に前記第1の元素を所定のドーズ量条件でイオン注入し、
前記酸化膜を溶解した試料溶液を誘導結合プラズマ質量分析して前記第1の元素のイオン注入の際に前記酸化膜中に実際に注入された前記第2の元素の注入量を検出し、
予め検出された当該第2の元素を所定のドーズ量条件でイオン注入した時の当該注入条件としてのドーズ量と当該イオン注入により実際に注入された当該第2の元素の注入量との関係に基づいて、前記検出された前記第1の元素のイオン注入の際に前記酸化膜中に実際に注入された前記第2の元素の注入量を、当該第2の元素の前記注入条件としてのドーズ量に換算し、
前記換算して得られた前記第2の元素の前記注入条件としてのドーズ量と、前記第1の元素のイオン注入の際の当該第1の元素の前記注入条件としてのドーズ量とを比較することにより前記第1の元素のイオン注入の際に注入された前記第2の元素の注入量を検査する
ことを特徴とする半導体基板製造方法。
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Cited By (1)
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---|---|---|---|---|
JP2008244231A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | イオン注入量測定方法、およびイオン注入量推定方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183249A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Yamagata Ltd | イオン注入工程管理方法 |
JPH10208686A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Sony Corp | イオン注入装置 |
JP2000021803A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 不純物量の測定方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
JP2003194747A (ja) * | 1994-11-22 | 2003-07-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 固体中元素の濃度分布の測定方法 |
-
2005
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07183249A (ja) * | 1993-12-22 | 1995-07-21 | Nec Yamagata Ltd | イオン注入工程管理方法 |
JP2003194747A (ja) * | 1994-11-22 | 2003-07-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | 固体中元素の濃度分布の測定方法 |
JPH10208686A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-07 | Sony Corp | イオン注入装置 |
JP2000021803A (ja) * | 1998-06-30 | 2000-01-21 | Toshiba Corp | 不純物量の測定方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
JPN6011000181, TAYLOR MC, et al., ""A DETAILED STUDY OF ELEMENTAL CONTAMINATION IN A VARIAN−180XP HIGH−CURRENT IMPLANTER"", NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B, 199104, Vol. 55, No. 1−4, pp. 20−24 * |
JPN6011000182, Santiesteban RS, et al., ""In−fab techniques for baselining implant dose, contamination"", SOLID STATE TECHNOLOGY, 200208, Vol. 45, No. 8, pp. 63−68 * |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244231A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd | イオン注入量測定方法、およびイオン注入量推定方法 |
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