JP2013040835A - 試料分析方法及び試料分析装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 シリコンを主成分とし、表面に中間酸化物を含む酸化膜を有する被分析試料の表面に90eV以下のエネルギー範囲で酸素イオンを供給して前記中間酸化物を含む酸化膜を改質させる前処理工程と、前記前処理工程の後に、二次イオン質量分析を行う工程とを設ける。
【選択図】 図1
Description
11 シリコンを主成分とする基板
12 酸化膜
13 酸素イオン
14 SiO2膜
15 酸素イオン
20 試料分析装置
21 真空処理室
22 試料ステージ
23 前処理用酸素ガン
24 一次酸素イオンガン
25 一次セシウムイオンガン
26 質量分析器
27 真空排気系
28 コントロールユニット
Claims (5)
- シリコンを主成分とし、表面に中間酸化物を含む酸化膜を有する被分析試料の表面に90eV以下のエネルギー範囲で酸素イオンを供給して前記中間酸化物を含む酸化膜を改質させる前処理工程と、
前記前処理工程の後に、二次イオン質量分析を行う工程と
を含むことを特徴とする試料分析方法。 - 前記前処理工程の際の酸素イオンの供給量は、4.6×1022atoms/cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載の試料分析方法。
- 前記シリコンを主成分とする被分析試料が、シリコン、シリコンゲルマニウム、導電型決定不純物を含むシリコン或いは導電型決定不純物を含むシリコンゲルマニウムのいずれかであることを特徴とする請求項1または請求項2に記載の試料分析方法。
- シリコンを主成分とし、表面に中間酸化物を含む酸化膜を有する被分析試料の表面に90eV以下のエネルギー範囲で酸素イオンを供給して中間酸化物を含む酸化膜を改質させる前処理用イオン供給機構と、
前記前処理用イオン供給機構よりも高いエネルギー範囲で一次イオンを供給して前記被分析試料の表面をスパッタして二次イオンを発生させる一次イオン供給機構と、
前記二次イオンを取得する質量分析機構と
を備えることを特徴とする試料分析装置。 - 前記一次イオン供給機構として、酸素イオンを供給する第1の一次イオン供給機構と、負の二次イオンを発生させやすいイオンを供給する第2の一次イオン供給機構とを有していることを特徴とする請求項4に記載の試料分析装置。
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Citations (1)
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JP2007256200A (ja) * | 2006-03-24 | 2007-10-04 | Fujitsu Ltd | 深さ方向元素分析方法 |
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Title |
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