JP2008066648A - 二次イオン質量分析装置の較正用標準試料及びその製造方法 - Google Patents
二次イオン質量分析装置の較正用標準試料及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008066648A JP2008066648A JP2006245620A JP2006245620A JP2008066648A JP 2008066648 A JP2008066648 A JP 2008066648A JP 2006245620 A JP2006245620 A JP 2006245620A JP 2006245620 A JP2006245620 A JP 2006245620A JP 2008066648 A JP2008066648 A JP 2008066648A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- calibration
- layer
- concentration
- standard sample
- peak
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Other Investigation Or Analysis Of Materials By Electrical Means (AREA)
- Sampling And Sample Adjustment (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】基板1表面から5〜10nmの深さに不純物原子濃度のピークを有する不純物原子のイオン注入層2を形成し、再結晶化熱処理によりイオン注入層2を再結晶化させる。再結晶化層4は基板1側から基板1表面へと形成される。このとき、再結晶化層4と非晶質のイオン注入層2との界面に不純物原子が集積し濃度ピークを形成する。この界面の位置は、熱処理条件等により容易に制御されるので、容易に浅い位置に濃度ピークを有する標準試料を製造することができる。
【選択図】図1
Description
(付記1)5nm以上かつ10nm以下の投影飛程を有する不純物原子のイオン注入により基板表面に形成された前記不純物原子のイオン注入層を再結晶化熱処理し、前記基板側から前記基板表面側へ再結晶化させて形成された再結晶化層を有することを特徴とする二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
(付記2)前記基板は、前記試料と同一母材からなることを特徴とする付記1記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
(付記3)前記再結晶化層の上に、非晶質の前記イオン注入層を有することを特徴とする付記1又は2記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
(付記4)基板表面に、投影飛程が5nm〜10nmとなる加速エネルギーで不純物原子をイオン注入してイオン注入層を形成する工程と、
再結晶化熱処理により、前記イオン注入層を前記基板側から前記基板表面側へ再結晶化させて再結晶化層を形成する工程とを有することを特徴とする二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
(付記5)前記再結晶化熱処理は、400℃以上かつ900℃以下の温度で熱処理することを特徴とする付記4記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
(付記6)請求項3又は4記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法により複数の前記較正用標準試料を製造する工程と、
前記複数の較正用標準試料から選択された少なくとも1つの前記較正用標準試料の前記不純物原子の濃度分布を、ラザフォード後方散乱分光を用いて測定する工程とを有し、
残りの前記複数の較正用標準試料を、前記ラザフォード後方散乱分光を用いて測定された濃度分布を有する標準試料とすることを特徴とする付記4又は5記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
2 イオン注入層
3 不純物原子イオン
4 再結晶化層
Claims (5)
- 5nm以上かつ10nm以下の投影飛程を有する不純物原子のイオン注入により基板表面に形成された前記不純物原子のイオン注入層を再結晶化熱処理し、前記基板側から前記基板表面側へ再結晶化させて形成された再結晶化層を有することを特徴とする二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
- 前記再結晶化層の上に、非晶質の前記イオン注入層を有することを特徴とする請求項1記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料。
- 基板表面に、投影飛程が5nm〜10nmとなる加速エネルギーで不純物原子をイオン注入してイオン注入層を形成する工程と、
再結晶化熱処理により、前記イオン注入層を前記基板側から前記基板表面側へ再結晶化させて再結晶化層を形成する工程とを有することを特徴とする二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。 - 前記再結晶化熱処理は、400℃以上かつ900℃以下の温度で熱処理することを特徴とする請求項3記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
- 請求項3又は4記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法により複数の前記較正用標準試料を製造する工程と、
前記複数の較正用標準試料から選択された少なくとも1つの前記較正用標準試料の前記不純物原子の濃度分布を、ラザフォード後方散乱分光を用いて測定する工程とを有し、
残りの前記複数の較正用標準試料を、前記ラザフォード後方散乱分光を用いて測定された濃度分布を有する標準試料とすることを特徴とする請求項3又は4記載の二次イオン質量分析装置の較正用標準試料の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006245620A JP4797898B2 (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 二次イオン質量分析装置の較正用標準試料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006245620A JP4797898B2 (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 二次イオン質量分析装置の較正用標準試料及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008066648A true JP2008066648A (ja) | 2008-03-21 |
JP4797898B2 JP4797898B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=39289050
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006245620A Expired - Fee Related JP4797898B2 (ja) | 2006-09-11 | 2006-09-11 | 二次イオン質量分析装置の較正用標準試料及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4797898B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010112821A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析法の深さ校正用試料、その製造方法及び二次イオン質量分析方法 |
JP2014006124A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析方法及び標準試料 |
CN111595813A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-08-28 | 四川长虹电器股份有限公司 | 一种基于空腔校正板的光谱数据校准方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05188020A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-07-27 | Sony Corp | 2次イオン質量分析法による定量分析方法及び2次イオン質量分析装置 |
JPH06273289A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 標準試料 |
JPH1123498A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Nec Corp | 二次イオン質量分析方法 |
-
2006
- 2006-09-11 JP JP2006245620A patent/JP4797898B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05188020A (ja) * | 1991-09-17 | 1993-07-27 | Sony Corp | 2次イオン質量分析法による定量分析方法及び2次イオン質量分析装置 |
JPH06273289A (ja) * | 1993-03-19 | 1994-09-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 標準試料 |
JPH1123498A (ja) * | 1997-07-09 | 1999-01-29 | Nec Corp | 二次イオン質量分析方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010112821A (ja) * | 2008-11-06 | 2010-05-20 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析法の深さ校正用試料、その製造方法及び二次イオン質量分析方法 |
JP2014006124A (ja) * | 2012-06-22 | 2014-01-16 | Fujitsu Ltd | 二次イオン質量分析方法及び標準試料 |
CN111595813A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-08-28 | 四川长虹电器股份有限公司 | 一种基于空腔校正板的光谱数据校准方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4797898B2 (ja) | 2011-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Hönicke et al. | Depth profile characterization of ultra shallow junction implants | |
Felch et al. | Plasma doping for the fabrication of ultra-shallow junctions | |
EP2952883B1 (en) | Calibration curve formation method, impurity concentration measurement method, and semiconductor wafer manufacturing method | |
Gao et al. | Interaction of deuterium plasma with sputter-deposited tungsten nitride films | |
EP1865544A1 (en) | Plasma doping method and apparatus | |
JP6724852B2 (ja) | エピタキシャルシリコンウェーハのエピタキシャル層厚の測定方法、及びエピタキシャルシリコンウェーハの製造方法 | |
US20100075489A1 (en) | Method for producing semiconductor device and semiconductor producing apparatus | |
JP4797898B2 (ja) | 二次イオン質量分析装置の較正用標準試料及びその製造方法 | |
US7972944B2 (en) | Process simulation method, semiconductor device manufacturing method, and process simulator | |
JP2007019173A (ja) | 不純物拡散シミュレーション方法、不純物拡散シミュレーション装置、及び、不純物拡散シミュレーションプログラム | |
US20110065266A1 (en) | Method for manufacturing semiconductor device | |
US20060121707A1 (en) | Ion implantation system and method of monitoring implant energy of an ion implantation device | |
JP2007311444A (ja) | イオン照射効果評価方法、プロセスシミュレータ及びデバイスシミュレータ | |
JP5439793B2 (ja) | 二次イオン質量分析法の深さ校正用試料、その製造方法及び二次イオン質量分析方法 | |
JP5407274B2 (ja) | イオン注入分布発生方法及びシミュレータ | |
Bohne et al. | Compositional analysis of amorphous SiNx: H films by ERDA and infrared spectroscopy | |
JP2006253659A (ja) | ドーピング方法及び電界効果型トランジスタの作製方法 | |
JP2013040835A (ja) | 試料分析方法及び試料分析装置 | |
JP5346424B2 (ja) | 検査方法及び半導体基板製造方法 | |
KR100908653B1 (ko) | 기울임 이온주입에 의한 원자의 깊이방향 균일 분포 방법 | |
JP2004226229A (ja) | Iv族半導体中のv族元素の深さ方向分布の分析方法 | |
JP2008215989A (ja) | 深さ方向元素濃度分析方法 | |
Demenev | Evolution of Arsenic nanometric distributions in Silicon under advanced ion implantation and annealing processes | |
JP3166152B2 (ja) | 不純物測定方法 | |
Hönicke et al. | X-Ray induced depth profiling of ion implantations into various semiconductor materials |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20090519 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100201 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110412 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110609 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110705 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110718 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |