JPH07183249A - イオン注入工程管理方法 - Google Patents
イオン注入工程管理方法Info
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- JPH07183249A JPH07183249A JP5324992A JP32499293A JPH07183249A JP H07183249 A JPH07183249 A JP H07183249A JP 5324992 A JP5324992 A JP 5324992A JP 32499293 A JP32499293 A JP 32499293A JP H07183249 A JPH07183249 A JP H07183249A
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- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 18
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/26—Bombardment with radiation
- H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/265—Bombardment with radiation with high-energy radiation producing ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/48—Ion implantation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
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Abstract
(57)【要約】
【目的】イオン注入工程において、設定注入量に対する
実行注入量の誤差を求め、異常を早期に発見し大量の不
良品の発生を防止する。 【構成】実行された注入時のデーターを元に、注入量の
計算を行い、設定注入量に対する誤差を求める。その誤
差が、指定された誤差許容範囲Ｚより大きければ、ロッ
ト停止，範囲内であれば続行とし、異常の早期発見を行
う。
実行注入量の誤差を求め、異常を早期に発見し大量の不
良品の発生を防止する。 【構成】実行された注入時のデーターを元に、注入量の
計算を行い、設定注入量に対する誤差を求める。その誤
差が、指定された誤差許容範囲Ｚより大きければ、ロッ
ト停止，範囲内であれば続行とし、異常の早期発見を行
う。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、コンピュータを利用し
イオン注入装置における設定ドーズ量に対する実行ドー
ズ量の誤差により半導体ウェーハのロット及びイオン注
入工程を管理するイオン注入工程管理方法に関する。
イオン注入装置における設定ドーズ量に対する実行ドー
ズ量の誤差により半導体ウェーハのロット及びイオン注
入工程を管理するイオン注入工程管理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３はイオン注入工程における従来のシ
ステムの一例の構成を示す図である。従来、イオン注入
工程におけるシステムは、図３に示すように、イオン注
入機４の実行データを収集するデータロガー３と、これ
らデータロガー３の出力デ一タを入力するとともに個別
の入出力を行なうブロックコントローラ２と、ブロック
コントローラ２の個別の入出力を受けイオン注入機４と
データロガー３およびブロックコントローラ２を管理す
るホストコンピュータ１で構成されていた。
ステムの一例の構成を示す図である。従来、イオン注入
工程におけるシステムは、図３に示すように、イオン注
入機４の実行データを収集するデータロガー３と、これ
らデータロガー３の出力デ一タを入力するとともに個別
の入出力を行なうブロックコントローラ２と、ブロック
コントローラ２の個別の入出力を受けイオン注入機４と
データロガー３およびブロックコントローラ２を管理す
るホストコンピュータ１で構成されていた。
【０００３】このシステムを用いたイオン注入工程は、
イオン注入機４でイオン注入量データをロット毎にデー
タロガー３が収集し、これらデータをロット毎分類し製
造データとして記録していた。
イオン注入機４でイオン注入量データをロット毎にデー
タロガー３が収集し、これらデータをロット毎分類し製
造データとして記録していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のイオン注入工程管理方法では、製造処理条件に
対する結果の記録は残るが、結果の判断はチェック工程
にて異常が発生した時に遡ってチェックしなければ確認
することができなかった。このため次のロットがそのま
まの条件で次工程へ流れ処理されるので大量の不良品を
発生するという問題があった。
た従来のイオン注入工程管理方法では、製造処理条件に
対する結果の記録は残るが、結果の判断はチェック工程
にて異常が発生した時に遡ってチェックしなければ確認
することができなかった。このため次のロットがそのま
まの条件で次工程へ流れ処理されるので大量の不良品を
発生するという問題があった。
【０００５】従って、本発明の目的は、イオン注入条件
を即時確認し注入異常を知ることのできるイオン注入工
程管理方法を提供することである。
を即時確認し注入異常を知ることのできるイオン注入工
程管理方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、半導体
基板にイオンを注入するイオン注入工程におけるイオン
注入工程管理方法において、イオン注入機の注入量デー
タを収集しドーズ量を計算するデータロガーと、必要な
ドーズ量とその許容範囲と前記ドーズ量と比較し許容範
囲にあるか否かを判定する比較判定部とを備え、１ロッ
ト毎に前記ドーズ量の比較判定し、次工程へのロット送
りの停止の是非を行なうイオン注入工程管理方法であ
る。
基板にイオンを注入するイオン注入工程におけるイオン
注入工程管理方法において、イオン注入機の注入量デー
タを収集しドーズ量を計算するデータロガーと、必要な
ドーズ量とその許容範囲と前記ドーズ量と比較し許容範
囲にあるか否かを判定する比較判定部とを備え、１ロッ
ト毎に前記ドーズ量の比較判定し、次工程へのロット送
りの停止の是非を行なうイオン注入工程管理方法であ
る。
【０００７】
【実施例】本発明について図面を参照して説明する。
【０００８】図１は本発明のイオン注入工程管理方法の
一実施例を説明するためのシステムの構成を示す図、図
２は図１のシステムの動作を説明するための流れ図であ
る。このイオン注入工程管理方法におけるシステムは、
図１に示すように、従来例で示したシステムに加えイオ
ン注入条件パラメータからドーズ量を試算しイオン注入
機により注入されるイオンドーズ量と比較し注入条件の
良否を判定する比較判定部５を設けたことである。
一実施例を説明するためのシステムの構成を示す図、図
２は図１のシステムの動作を説明するための流れ図であ
る。このイオン注入工程管理方法におけるシステムは、
図１に示すように、従来例で示したシステムに加えイオ
ン注入条件パラメータからドーズ量を試算しイオン注入
機により注入されるイオンドーズ量と比較し注入条件の
良否を判定する比較判定部５を設けたことである。
【０００９】このシステムは、従来例と同じように、ま
ず、ブロックコントローラ２にて作業開始の報告を行
い、ポストコンピュータ１から処理条件を呼び出す。呼
び出された処理条件はブロックコントローラ２からデー
タロガー３へ送り、さらにイオン注入機４で設定が行わ
れイオン注入作業が開始される。
ず、ブロックコントローラ２にて作業開始の報告を行
い、ポストコンピュータ１から処理条件を呼び出す。呼
び出された処理条件はブロックコントローラ２からデー
タロガー３へ送り、さらにイオン注入機４で設定が行わ
れイオン注入作業が開始される。
【００１０】そして、注入作業開始後は半導体基板１枚
毎に注入結果がイオン注入機４からデータロガー３へ送
られる。全ての半導体基板が処理終了後、ブロックコン
トローラ２にて終了報告を行うとデータロガー３にて注
入結果を元に注入時間の平均、注入時のビーム電流量の
平均を計算し、データロガー３→ブロックコントローラ
２→ホストコンピュータ１の順で送信される。
毎に注入結果がイオン注入機４からデータロガー３へ送
られる。全ての半導体基板が処理終了後、ブロックコン
トローラ２にて終了報告を行うとデータロガー３にて注
入結果を元に注入時間の平均、注入時のビーム電流量の
平均を計算し、データロガー３→ブロックコントローラ
２→ホストコンピュータ１の順で送信される。
【００１１】ホストコンピュータ１はその結果を図２に
示めすように比較判定部５に送信し、比較判定部５にて
注入誤差の計算を行い設定に対し誤差が許容範囲外であ
れば比較判定部５からホストコンピュータ１に報告され
ロットストップの指示が出力される。
示めすように比較判定部５に送信し、比較判定部５にて
注入誤差の計算を行い設定に対し誤差が許容範囲外であ
れば比較判定部５からホストコンピュータ１に報告され
ロットストップの指示が出力される。
【００１２】ここで、データロガー２から比較判定部に
おける次工程への流れについて説明する。まず、ステッ
プＡで、計算に必要なＡ＝注入面積，ｑ＝電荷数，Ｅ＝
１．６０２×１０-19 クーロンを入力する。次に、ステ
ップＢで入力されたパラメータでドーズ量を計算する。
そして、予じめステップＣで入力した設定注入量および
誤差許容範囲とステップＤで比較する。誤差の許容範囲
より越えればステップＦによりロットの停止し、範囲内
であればステップＥの続行を行う。
おける次工程への流れについて説明する。まず、ステッ
プＡで、計算に必要なＡ＝注入面積，ｑ＝電荷数，Ｅ＝
１．６０２×１０-19 クーロンを入力する。次に、ステ
ップＢで入力されたパラメータでドーズ量を計算する。
そして、予じめステップＣで入力した設定注入量および
誤差許容範囲とステップＤで比較する。誤差の許容範囲
より越えればステップＦによりロットの停止し、範囲内
であればステップＥの続行を行う。
【００１３】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、１ロット
終了毎にイオン注入機に設定されたイオンドーズ量を計
算し、必要のドーズ量と誤差許容範囲を設定した値と前
記ドーズ量とを比較判定する比較判定部を設けることに
よって、注入異常を次工程へ流す前に知ることができる
ので大量の不良品を発生させることが無くなるという効
果がある。
終了毎にイオン注入機に設定されたイオンドーズ量を計
算し、必要のドーズ量と誤差許容範囲を設定した値と前
記ドーズ量とを比較判定する比較判定部を設けることに
よって、注入異常を次工程へ流す前に知ることができる
ので大量の不良品を発生させることが無くなるという効
果がある。
【図１】本発明のイオン注入工程管理方法の一実施例を
説明するためのシステムの構成を示す図である。
説明するためのシステムの構成を示す図である。
【図２】図１のシステムの動作を説明するための流れ図
である。
である。
【図３】イオン注入工程における従来のシステムの一例
の構成を示す図である。
の構成を示す図である。
１ ホストコンピュータ ２ ブロックコントローラ ３ データロガー ４ イオン注入機 ５ 比較判定部
Claims (1)
- 【請求項１】 半導体基板にイオンを注入するイオン注
入工程におけるイオン注入工程管理方法において、イオ
ン注入機の注入量データを収集しドーズ量を計算するデ
ータロガーと、必要なドーズ量とその許容範囲と前記ド
ーズ量と比較し許容範囲にあるか否かを判定する比較判
定部とを備え、１ロット毎に前記ドーズ量の比較判定
し、次工程へのロット送りの停止の是非を行なうことを
特徴とするイオン注入工程管理方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324992A JPH07183249A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | イオン注入工程管理方法 |
| US08/358,594 US5496592A (en) | 1993-12-22 | 1994-12-14 | Method and apparatus for controlling ion implantation unit for early detection of ion implantation error |
| KR1019940035587A KR0161061B1 (ko) | 1993-12-22 | 1994-12-21 | 이온 주입 에러의 조기 검출을 위해 이온 주입 유니트를 제어하기 위한 방법 및 장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5324992A JPH07183249A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | イオン注入工程管理方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07183249A true JPH07183249A (ja) | 1995-07-21 |
Family
ID=18171926
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5324992A Pending JPH07183249A (ja) | 1993-12-22 | 1993-12-22 | イオン注入工程管理方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5496592A (ja) |
| JP (1) | JPH07183249A (ja) |
| KR (1) | KR0161061B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269991A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sumco Corp | 検査方法及び半導体基板製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2043658B1 (en) * | 2006-07-07 | 2012-04-25 | Gilead Sciences, Inc. | Antiviral phosphinate compounds |
-
1993
- 1993-12-22 JP JP5324992A patent/JPH07183249A/ja active Pending
-
1994
- 1994-12-14 US US08/358,594 patent/US5496592A/en not_active Expired - Fee Related
- 1994-12-21 KR KR1019940035587A patent/KR0161061B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006269991A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Sumco Corp | 検査方法及び半導体基板製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR0161061B1 (ko) | 1999-02-01 |
| US5496592A (en) | 1996-03-05 |
| KR950021019A (ko) | 1995-07-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20010703 |