JP2006269577A

JP2006269577A - 半導体装置

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Publication number: JP2006269577A
Application number: JP2005082985A
Authority: JP
Inventors: Tatsuji Yamamoto; 達治山本
Original assignee: NEC Electronics Corp
Current assignee: NEC Electronics Corp
Priority date: 2005-03-23
Filing date: 2005-03-23
Publication date: 2006-10-05

Abstract

【課題】バリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離を抑制し、半導体装置の性能および信頼性を向上させることができる。
【解決手段】半導体基板（シリコン基板１０１）と、半導体基板の上部に設けられたシリサイド抵抗１０４と、シリサイド抵抗１０４上に設けられたバリアメタル１０６と、バリアメタル１０６上に設けられたコンタクト１１０と、コンタクト１１０上に設けられた配線（金属配線１１２）と、を備え、配線の面積をＳ_１、コンタクト１１０の面積をＳ_２としたときに、Ｓ_１／Ｓ_２の値が４以上である。また、配線の幅をＷ_１、コンタクト１１０の幅をＷ_２としたときに、Ｗ_１／Ｗ_２の値が４以上である。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置に関する。

従来のシリサイド抵抗を用いた半導体装置としては、例えば特許文献１に記載されたものがある。同文献に記載された半導体装置において、シリサイド抵抗は、コンタクトを介して配線と電気的に接続されている。

特開２００４−７１９９１号公報

シリサイド抵抗を用いた半導体装置の例として図１１に示す半導体装置５０がある。図１１に示すように、半導体装置５０は、シリコン基板１上に酸化膜２が設けられ、酸化膜２上にシリサイド抵抗４が設けられている。シリサイド抵抗４は、バリアメタル６、コンタクト１０、バリアメタル８を介して金属配線１２に電気的に接続されている。また、酸化膜２、シリサイド抵抗４、バリアメタル６、コンタクト１０は層間絶縁膜１６内に設けられており、バリアメタル８はコンタクト１０上に設けられている。図３（ａ）は、図１１に示す半導体装置５０を上面から見た切り欠き平面透視図である。授３（ａ）において金属配線１２の一部は切り欠いて図示されており、バリアメタル８が透視されて図示されている。

以下、図１２（ａ）〜（ｅ）を用いて、シリサイド抵抗４を用いた半導体装置５０の作成方法を説明する。

まず、ＣＶＤ法を用いてシリコン基板１に酸化膜２を成長させ、次に、酸化膜２上にシリサイド抵抗４を形成する(図１２（ａ）)。ついで、フォトリソグラフィー技術により、シリサイド抵抗４のパターンを形成した後、層間絶縁膜１６を形成する(図１２（ｂ）)。続いて、ＣＭＰ法およびフォトリソグラフィー技術により、コンタクトホールを形成する(図１２（ｃ）)。バリアメタル６を形成した後、コンタクト１０を成長させて、ＣＭＰ法を用いてコンタクト１０を平坦化する(図１２（ｄ）)。次に、バリアメタル８を形成した後、金属配線１２をスパッタリングにより形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて、金属配線１２のパターン形成を行う(図１２（ｅ）)。

シリサイド抵抗４を用いた半導体装置５０において、シリサイド抵抗４と金属配線１２とを結ぶコンタクト１０の抵抗値が上昇し、半導体装置５０の性能や信頼性に悪影響を与えることがあるという課題を有していた。また、配線パターンの微細化の要求により、配線幅が小さくなる傾向にあった。

本発明者は、コンタクト１０の抵抗値が上昇する原因を突き止めるため鋭意検討した結果、コンタクト底面のバリアメタルとシリサイド抵抗とが剥離していることに気づいた。ここで、コンタクト底面に設けられたバリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離は、コンタクトが形成された後に発生するストレスの影響によるものと考えられる。

コンタクトには、コンタクトが形成された後にコンタクト内部に生じる収縮方向への応力と金属配線の重みによる下向きの圧力とが働いている。ここで、従来の技術においては、配線パターンの微細化の要求によって配線幅を小さくすることが求められていた。そのため、従来の技術においては、配線の面積をコンタクトの面積で除した数値が３以下であることが通常であった。また、図１１および図３（ａ）に示す従来技術に係る半導体装置のように、配線幅をコンタクトの幅で除した数値が３程度であり、配線の面積をコンタクト底部の面積で除した数値が３程度である半導体装置においては、配線と層間膜との間に働く密着力が小さかった。ここで、本発明者は、鋭意検討した結果、配線幅を大きくすること、および配線の面積を大きくすることによって配線と層間膜との間に働く密着力を向上させる考えに至った。

本発明によれば、
半導体基板と、
前記半導体基板の上部に設けられたシリサイド抵抗と、
前記シリサイド抵抗上に設けられたバリアメタルと、
前記バリアメタル上に設けられたコンタクトと、
前記コンタクト上に設けられた配線と、
を備え、
前記配線の面積をＳ_１、前記コンタクトの面積をＳ_２としたときに、Ｓ_１／Ｓ_２の値が４以上であることを特徴とする半導体装置、
が提供される。

本発明によれば、配線の面積をＳ_１、コンタクトの面積をＳ_２としたときに、Ｓ_１／Ｓ_２の値が４以上であるため、コンタクトにかかる配線と層間膜との間に働く接着力は大きくなる。また、コンタクトの収縮方向への応力の大きさは配線の面積にはほとんど影響されない。そのため、配線の面積をコンタクトの面積で除した数値が大きいほど、コンタクト底面のバリアメタルに加わる下向きの圧力が増加する。したがって、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の密着力を向上させることができ、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離を抑制することができる。この結果、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

本発明によれば、
半導体基板と、
前記半導体基板の上部に設けられたシリサイド抵抗と、
前記シリサイド抵抗上に設けられたバリアメタルと、
前記バリアメタル上に設けられたコンタクトと、
前記コンタクト上に設けられた配線と、
を備え、
前記配線の幅をＷ_１、前記コンタクトの幅をＷ_２としたときに、Ｗ_１／Ｗ_２の値が４以上であることを特徴とする半導体装置、
が提供される。

本発明によれば、配線の幅をＷ_１、コンタクトの幅をＷ_２としたときに、Ｗ_１／Ｗ_２の値が４以上であるため、コンタクトにかかる配線と層間膜との間に働く接着力は大きくなる。また、コンタクトの収縮方向への応力の大きさは配線の面積にはほとんど影響されない。そのため、配線の幅をコンタクトの幅で除した数値が大きいほど、コンタクト底面に設けられたバリアメタルに加わる下向きの圧力が増加する。したがって、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の密着力を向上させることができ、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離を抑制することができる。この結果、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

本発明によれば、コンタクトとシリサイド抵抗との間に設けられたバリアメタルに加わる下向きの圧力を大きくすることができる。したがって、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の密着力を向上させることができ、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離を抑制し、半導体装置の信頼性を向上させることができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。

図１に示す半導体装置１００は、半導体基板（シリコン基板１０１）と、半導体基板の上部に設けられたシリサイド抵抗１０４と、シリサイド抵抗１０４上に設けられたバリアメタル１０６と、バリアメタル１０６上に設けられたコンタクト１１０と、コンタクト１１０上に設けられた配線（金属配線１１２）と、を備え、配線の面積をＳ_１、コンタクト１１０の面積をＳ_２としたときに、Ｓ_１／Ｓ_２の値が４以上である。また、配線の幅をＷ_１、コンタクト１１０の幅をＷ_２としたときに、Ｗ_１／Ｗ_２の値が４以上である。

（第１の実施の形態）
図１は、半導体装置１００の構造を説明するための断面図である。

半導体装置１００は、シリコン基板１０１上にシリコン酸化膜である酸化膜１０２が設けられ、酸化膜１０２上にシリサイド抵抗１０４が設けられている。シリサイド抵抗１０４上にバリアメタル１０６が設けられ、バリアメタル１０６上にコンタクト１１０が設けられている。コンタクト１１０上にバリアメタル１０８が設けられ、バリアメタル１０８上に金属配線１１２が設けられている。

図３（ｂ）を用いて、半導体装置１００の平面構造の一例を示す。図３（ｂ）は、図１に示す半導体装置１００を上面から見た切り欠き平面透視図である。図３（ｂ）においては、金属配線１１２の一部は切り欠いて図示されており、バリアメタル１０８が透視されて図示されている。

シリサイド抵抗１０４は、シリコンと金属とが結合した抵抗素子であり、本実施形態においては、Ｗ（タングステン）とＳｉとが結合した抵抗素子が用いられる。また、本実施形態においては、長手方向の長さが、たとえば３μｍ〜５μｍ程度である。シリサイド抵抗１０４は、その両端に設けられた電極部（不図示）においてコンタクト１１０と電気的に接続している。

バリアメタル１０６およびバリアメタル１０８は、たとえば、ＴｉＮ／Ｔｉ（上層／下層）などにより構成されている。バリアメタル１０６は、コンタクト１１０から金属成分がシリサイド抵抗１０４に入り込むことを抑制し、バリアメタル１０８は、金属配線１１２から金属成分がコンタクト１１０に入り込むことを抑制する機能を有する。また、バリアメタル１０６およびバリアメタル１０８は、反射防止膜としての機能も有する。

コンタクト１１０は、たとえば、Ｗ（タングステン）などにより構成される。本実施形態においては、コンタクト１１０の形状は矩形状である。本実施形態においては、コンタクト１１０は、シリサイド抵抗１０４の両端部に設けられた電極部（不図示）に配置され、コンタクト１１０の幅は０．２２μｍ、長さは２．６μｍである。そのため、コンタクト１１０の面積Ｓ_２は０．５７２μｍ^２である。また、コンタクト１１０の高さは０．４４μｍである。

コンタクトの高さをコンタクトの径で割ったものをアスペクト比とする。ここで、コンタクトの径とは、コンタクトが円形の場合は直径、楕円形の場合は短軸、正方形の場合は一辺の長さ、長方形の場合は短い辺のほうの長さとする。コンタクト１１０の形状は平面視では、ほぼ長方形のため、径は短い辺の長さである０．２２μｍである。したがって、コンタクト１１０のアスペクト比は２である。コンタクト１１０の径および高さは、アスペクト比が、好ましくは１．２以上４以下となる範囲、より好ましくは１．７以上２．２以下となる範囲で適宜選択することができ、たとえば、径を０．２μｍ以上０．２５μｍ以下とすることができ、高さが０．３８μｍ以上０．４８μｍ以下とすることができる。

金属配線１１２は、本実施形態においては、ＡｌＳｉにより構成されており、ビア（不図示）を介して上部の配線（不図示）に接続されている。本実施形態においては、金属配線１１２の形状は、幅が０．９μｍ、長さが２．６２μｍの矩形状である。そのため、金属配線１１２の面積Ｓ_１は２．３５８μｍ^２であり、Ｓ_１／Ｓ_２の値は４．１２である。金属配線１１２は、平面方向に引き出されて別の配線と接続していてもよい。なお、金属配線１１２は、銅により構成されていてもよい。

コンタクト１１０の幅、長さ、および金属配線１１２の幅、長さは、Ｓ_１／Ｓ_２の値および金属配線１１２の幅Ｗ_１をコンタクトの幅Ｗ_２で除した数値（Ｗ_１／Ｗ_２）が４以上となる範囲で適宜選択される。たとえば、コンタクト１１０の幅Ｗ_２は、０．２μｍ以上０．２５μｍ以下とすることができ、長さは２μｍ以上３μｍ以下とすることができる。また、たとえば、金属配線１１２の幅Ｗ_１は０．９μｍ以上とすることができ、長さは２．２μｍ以上とすることができる。

層間絶縁膜１１６は、たとえば、ＳｉＯ_２などにより構成される。

半導体装置１００は、たとえば、図２（ａ）〜（ｅ）に示すプロセスによって製造される。

まず、ＣＶＤ法を用いてシリコン基板１０１に酸化膜１０２を成長させる。次に、酸化膜１０２上に、スパッタリング法やＣＶＤ法などを用いて、シリサイド抵抗１２２を形成する（図２（ａ））。ついで、フォトリソグラフィー技術によりパターンを形成し、シリサイド抵抗１２２の不要な部分を除去してシリサイド抵抗１０４を形成した後、シリサイド抵抗１０４上に層間絶縁膜１１６を形成する(図２（ｂ）)。続いて、ＣＭＰ法およびフォトリソグラフィー技術により、層間絶縁膜１１６にコンタクトホール１２０を形成する(図２（ｃ）)。次に、コンタクトホール１２０内にバリアメタル１０６を形成した後、バリアメタル１０６上にコンタクト１１０を成長させる。次に、ＣＭＰ法を用いて、コンタクト１１０を平坦化する(図２（ｄ）)。次に、層間絶縁膜１１６の一部およびコンタクト１１０の上面と接するようにバリアメタル１０８を形成する。次に、バリアメタル１０８の上面と接するように金属配線１１２をスパッタリングにより形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて、金属配線１１２のパターン形成を行う(図２（ｅ）)。以上のプロセスによって、半導体装置１００が完成する。

以下、半導体装置１００の効果を説明する。

コンタクトには、コンタクトが形成された後にコンタクト内部に生じる収縮方向への応力と金属配線の存在による下向きの圧力とが働いている。そのため、図３（ａ）に示す従来の半導体装置５０のように、配線パターンの微細化要求によって配線幅が小さくなり、金属配線１２の面積をコンタクト１０底部の面積で除した数値が約３．１の場合には、金属配線１２と層間絶縁膜１６との間に生じる密着力が小さい。また、コンタクト１０にかかる金属配線１２の重みによる下向きの圧力も小さい。一方、図１および図３（ｂ）に示す半導体装置１００のように、金属配線１１２の幅Ｗ_１を０．９μｍ以上とし、Ｓ_１／Ｓ_２の値およびＷ_１／Ｗ_２の値が４以上である場合には、金属配線１１２と層間絶縁膜１１６との間に生じる密着力が大きくなる。また、コンタクト１１０にかかる金属配線１１２の重みによる下向きの圧力は大きくなる。また、コンタクト１１０の収縮方向（図１中上方向）への応力の大きさは金属配線１１２の面積にはほとんど影響されない。そのため、コンタクト１１０とバリアメタル１０６との間において、収縮方向の応力よりも金属配線１１２による下向きの圧力の方が大きくなる（支配的となる）。したがって、バリアメタル１０６とシリサイド抵抗１０４との間の密着力を向上させることができ、バリアメタル１０６とシリサイド抵抗１０４との間の剥離を抑制することができる。

半導体装置１００においてはコンタクト１１０のアスペクト比は２である。ここで、コンタクト１１０のアスペクト比が、好ましくは１．２以上、より好ましくは１．７以上の場合、コンタクト１１０の底面において、コンタクト１１０の収縮方向（図１中上方向）への力が集中しにくくなる。そのため、コンタクト１１０の底面において、局所的に収縮方向への力が加わることが抑制される。したがって、バリアメタル１０６が局所的に図１中上方向へ持ち上げられにくくなり、バリアメタル１０６とシリサイド抵抗１０４との間の剥離の発生を、より抑制しやすくなる。また、コンタクト１１０のアスペクト比が、好ましくは４以下、より好ましくは２．２以下の場合、コンタクト１１０の埋め込み性を向上させることができる。

（第２の実施の形態）
図４は、半導体装置１５０を上面から見た切り欠き平面透視図である。図４においては、金属配線１１２の一部を切り欠いて図示しており、また、バリアメタル１０８が透視されて図示されている。本実施形態における半導体装置１５０の構造は半導体装置１００の構造とほぼ同様であるが、矩形状のコンタクト１１８を複数個配置した点で半導体装置１００と異なる。

半導体装置１５０においては、シリサイド抵抗１０４の両端部に、コンタクト１１８が１２個配置されている。ここで、本実施形態においてはシリサイド抵抗１０４の長さは４μｍであるが、３μｍ以上５μｍ以下とすることもできる。

コンタクト１１８の高さは０．４４μｍ、径は０．２２μｍである。そのため、コンタクト１１８のアスペクト比は２である。また、１個のコンタクト１１８の面積は、０．０４８４μｍ^２であり、コンタクト１１８の総面積は、約０．５８１μｍ^２である。

コンタクト１１８の互いの距離Ａは、たとえば、０．２４μｍとすることができる。距離Ａは、０．２μｍ以上とすることができ、また、コンタクト１１８を４個以上配置できる範囲とすることができる。

コンタクト１１８の高さ、径は、アスペクト比が１．２以上４以下となる範囲で適宜選択することができ、たとえば、径を０．２μｍ以上０．２５μｍ以下とすることができ、高さを０．３８μｍ以上０．４８μｍ以下とすることができる。

コンタクト１１８の一辺と金属配線１１２の端との距離Ｂ（オーバーラップ距離）は、本実施形態においては、たとえば、０．０７５μｍ程度とすることができる。

金属配線１１２は、１２個のコンタクト１１８の上面と接するように設けられている。

本実施形態においては、金属配線１１２の幅は０．９μｍであり、長さは２．６２μｍである。そのため、金属配線１１２の面積は、２．３５８μｍ^２であり、金属配線１１２の面積をコンタクト１１８の総面積で除した数値は、４．０６である。

半導体装置１５０は以下のようにして作成される。

まず、ＣＶＤ法を用いてシリコン基板１０１に酸化膜１０２を成長させる。次に、酸化膜１０２上に、スパッタリング法を用いて、シリサイド抵抗１２２を形成する(図５（ａ）)。ついで、フォトリソグラフィー技術によりパターンを形成し、シリサイド抵抗１２２の不要な部分を除去してシリサイド抵抗１０４を形成した後、シリサイド抵抗１０４上に層間絶縁膜１１６を形成する(図５（ｂ）)。続いて、ＣＭＰ法およびフォトリソグラフィー技術により、層間絶縁膜１１６に複数のコンタクトホール１３０を形成する(図５（ｃ）)。次に、それぞれのコンタクトホール１３０内にバリアメタル１０６を形成した後、バリアメタル１０６上に複数のコンタクト１１８を成長させる。次に、ＣＭＰ法を用いて、コンタクト１１８を平坦化する(図５（ｄ）)。次に、層間絶縁膜１１６の一部およびコンタクト１１８の上面と接するようにバリアメタル１０８を形成する。次に、バリアメタル１０８の上面と接するように金属配線１１２をスパッタリングにより形成し、フォトリソグラフィー技術を用いて、金属配線１１２のパターン形成を行う(図５（ｅ）)。以上のプロセスにより半導体装置１５０が作成される。

半導体装置１５０においては、第１の実施形態の効果に加えて以下の効果を奏することができる。

半導体装置１５０においては、コンタクト１１８が１２個設けられている。ここで、コンタクトをレイアウトする際、コンタクトの総面積が同じ場合、コンタクトを複数に分割した方が、バリアメタル１０６とコンタクト１１８との接合面において、コンタクト１１８の収縮方向（図５（ｅ）中上方向）への応力の集中を抑制できる。そのため、バリアメタル１０６とコンタクト１１８との接合面において局所的に収縮方向への大きな力が加わることが抑制される。したがって、バリアメタル１０６が局所的に図５（ｅ）中上方向へ持ち上げられにくくなり、シリサイド抵抗１０４とバリアメタル１０６との間の剥離の発生を、より抑制することができる。また、コンタクトの互いの距離が離れている方が、バリアメタル１０６とコンタクト１１８との接合面において、コンタクト１１８の収縮方向への応力の集中を抑制できる。そのため、バリアメタル１０６とコンタクト１１８との接合面において局所的に収縮方向への大きな力が加わることが抑制される。したがって、バリアメタル１０６が局所的に図５（ｅ）中上方向へ持ち上がられにくくなり、シリサイド抵抗１０４とバリアメタル１０６との間の剥離の発生を、より抑制することができる。この結果、図４に示すように、コンタクト１１８を１２個配置し、互いの距離Ａを０．２４μｍとすることによって、剥離の発生を、より抑制することができる。

また、半導体装置１５０においては、コンタクトを複数に分割して粒状のコンタクト１１８にすることによって、ＣＶＤ法を用いてコンタクト１１８を形成することもできる。こうすることにより、コンタクト１１８を形成する時間を短縮することができる。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することもできる。

たとえば、半導体装置１５０においては、コンタクト１１８が互いに０．２４μｍ離れて１２個設けられている形態について説明したが、互いに０．２μｍ以上離れていればよい。こうすることにより、剥離の発生を、より抑制することができる。

また、半導体装置１５０においては、コンタクト１１８が１２個配置される形態について説明したが、コンタクト１１８が４個以上配置されていればよい。こうすることにより、剥離の発生を、より抑制することができる。

金属配線の幅を変化させた半導体装置のサンプルを作成して、コンタクトの抵抗値の変動率およびバリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離の有無を調べる実験（実験例１〜実験例４）を行った。図６〜図９はその結果を示すグラフであり、保管時間（ｈ）を横軸に、コンタクトの抵抗率の変動値（％）を縦軸にしている。本実施例に用いた半導体装置は、第２の実施の形態に記載された半導体装置と同様のプロセスで作成された。正方形の形状を有するコンタクトの数は１２個であり、それぞれ幅は０．２２μｍ、高さは０．４４μｍであった。金属配線の長さは２．６２μｍであった。

（実験例１）
幅が０．６８μｍの金属配線を１５０℃の温度で保管した後、コンタクトの抵抗値を測定したところ、図６に示すように、保管時間（ｈ）が長くなるほどコンタクトの抵抗変動率（％）が上昇することがわかった。本実験例において、金属配線の面積をコンタクトの面積で除した数値は約３．１であった。

（実験例２）
幅が０．９０μｍの金属配線を使用した以外は実験例１と同じ条件で実施した。図７に示すように、保管時間（ｈ）が長くなっても、コンタクトの抵抗変動率（％）はほとんど変化せず、コンタクトの抵抗値がほとんど上昇しないことがわかった。また、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離もみられなかった。本実験例において、金属配線の面積をコンタクトの面積で除した数値は約４．１であった。

（実験例３）
幅が１．２４μｍの金属配線を使用した以外は実験例１と同じ条件で実施した。図８に示すように、保管時間（ｈ）が長くなっても、コンタクトの抵抗変動率（％）はほとんど変化せず、コンタクトの抵抗値がほとんど上昇しないことがわかった。また、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離もみられなかった。本実験例において、金属配線の面積をコンタクトの面積で除した数値は約５．６であった。

（実験例４）
幅が１．４０μｍの金属配線を使用した以外は実験例１と同じ条件で実施した。図９に示すように、保管時間（ｈ）が長くなっても、コンタクトの抵抗変動率（％）はほとんど変化せず、コンタクトの抵抗値がほとんど上昇しないことがわかった。また、バリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離もみられなかった。本実験例において、金属配線の面積をコンタクトの面積で除した数値は約６．３であった。

以上、実験例１〜実験例４に示すように、配線の幅をコンタクトの幅で除した値が４以上となり、配線面積をコンタクト底部の面積で除した値が４以上となる幅が０．９０ｕｍ以上の金属配線のサンプルを用いた半導体装置においてはコンタクトの抵抗値の上昇がほとんどみられないことがわかった。また、コンタクト底面のバリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離もみられなかった。

（実験例５）
金属配線の幅を変化させた半導体装置のサンプルを作成して、シリサイド抵抗の抵抗値の変動率およびバリアメタルとシリサイド抵抗との間の剥離の有無を調べる実験を行った。図１０にその結果を示す。本実施例に用いた半導体装置は、第２の実施の形態に記載された半導体装置と同様のプロセスで作成された。正方形の形状を有するコンタクトの数は１２個であり、それぞれ幅は０．２２μｍ、高さは０．４４μｍであった。金属配線の長さは２．６２μｍであった。

金属配線を形成してから１５０℃で保管した。保管時間が、１６８時間、３３６時間、６６８時間、１０００時間のそれぞれについて、配線面積をコンタクト底部の総面積で除した値を横軸に、コンタクトの抵抗変動率（％）を縦軸にとってグラフ化したものが図１０である。

図１０に示すように、保管した時間が長いほど、金属配線の面積をコンタクトの面積で除した数値が４以上である金属配線のサンプルを用いた半導体装置におけるコンタクトの抵抗変動率（％）が小さいことがわかった。

実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。実施の形態に係る半導体装置の製造プロセスを模式的に示した工程断面図である。図３（ａ）は従来の技術に係る半導体装置を模式的に示した平面図であり、図３（ｂ）は実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した平面図である。実施の形態に係る半導体装置を模式的に示した平面図である。実施の形態に係る半導体装置の製造プロセスを模式的に示した工程断面図である。実施例の結果を示すグラフである。実施例の結果を示すグラフである。実施例の結果を示すグラフである。実施例の結果を示すグラフである。実施例の結果を示すグラフである。従来の技術に係る半導体装置を模式的に示した断面図である。従来の技術に係る半導体装置の製造プロセスを模式的に示した工程断面図である。

符号の説明

１００半導体装置
１０１シリコン基板
１０２酸化膜
１０４シリサイド抵抗
１０６バリアメタル
１０８バリアメタル
１１０コンタクト
１１２金属配線
１１６層間絶縁膜
１１８コンタクト
１２０コンタクトホール
１２２シリサイド抵抗
１３０コンタクトホール
１５０半導体装置

Claims

半導体基板と、
前記半導体基板の上部に設けられたシリサイド抵抗と、
前記シリサイド抵抗上に設けられたバリアメタルと、
前記バリアメタル上に設けられたコンタクトと、
前記コンタクト上に設けられた配線と、
を備え、
前記配線の面積をＳ_１、前記コンタクトの面積をＳ_２としたときに、Ｓ_１／Ｓ_２の値が４以上であることを特徴とする半導体装置。
半導体基板と、
前記半導体基板の上部に設けられたシリサイド抵抗と、
前記シリサイド抵抗上に設けられたバリアメタルと、
前記バリアメタル上に設けられたコンタクトと、
前記コンタクト上に設けられた配線と、
を備え、
前記配線の幅をＷ_１、前記コンタクトの幅をＷ_２としたときに、Ｗ_１／Ｗ_２の値が４以上であることを特徴とする半導体装置。
請求項１または２に記載の半導体装置において、
前記コンタクトの形状が矩形状であり、前記配線の形状が矩形状であることを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至３いずれかに記載の半導体装置において、
前記コンタクトのアスペクト比が、１．２以上４以下である関係を満たすことを特徴とする半導体装置。
請求項１乃至４いずれかに記載の半導体装置において、
前記コンタクトは複数のコンタクトからなり、
複数の前記コンタクトは、互いに０．２ｕｍ以上離れていることを特徴とする半導体装置。
請求項５に記載の半導体装置において、
複数の前記コンタクトが４個以上配置されていることを特徴とする半導体装置。