JP2006269522A - 半導体装置の製法及びマスク - Google Patents
半導体装置の製法及びマスク Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006269522A JP2006269522A JP2005081996A JP2005081996A JP2006269522A JP 2006269522 A JP2006269522 A JP 2006269522A JP 2005081996 A JP2005081996 A JP 2005081996A JP 2005081996 A JP2005081996 A JP 2005081996A JP 2006269522 A JP2006269522 A JP 2006269522A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- semiconductor wafer
- semiconductor substrate
- resin
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】マスク(4)は、半導体ウエハ(1)の少なくとも一方の主面(1a)に塗布される基材樹脂(10)と、基材樹脂(10)内に配合され且つ電子線(5)を遮蔽する粒子状の放射線遮蔽材(9)とにより構成されるため、半導体ウエハ(1)の所望の位置に且つ所望の厚さで容易に形成でき、電子線(5)を遮蔽して、半導体ウエハ(1)のキャリアのライフタイムを制御することができる。また、基材樹脂(10)を主成分とするマスク(4)は、半導体ウエハ(1)に設けられた電極(3)又は配線導体等の金属部材を損傷せずに、良好に除去することができる。
【選択図】図1
Description
Claims (6)
- 粒子状の放射線遮蔽材を含有する樹脂により構成されるマスクを半導体基板の少なくとも一方の主面に形成する工程と、
前記マスクを介して前記半導体基板の一方の主面に放射線を照射して、前記半導体基板のキャリアのライフタイムを制御する工程と、
前記マスクの少なくとも一部を前記半導体基板から除去する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製法。 - 前記マスクは、孔部を有し、
前記半導体基板のキャリアのライフタイムを制御する工程は、前記孔部を通じて前記半導体基板の一方の主面に放射線を照射する工程を含む請求項1に記載の半導体装置の製法。 - 前記樹脂は、感光剤を含有し、
前記樹脂を前記半導体基板に形成した後、開口部を有するエッチングマスクを前記樹脂の表面に形成し、露光及び現像により前記樹脂をエッチングして、前記マスクに前記孔部を形成する工程を含む請求項2に記載の半導体装置の製法。 - 前記半導体基板は、一方の主面に電極又は配線導体を有し、
前記マスクを除去する工程は、前記電極又は配線導体の上に形成された前記マスクを溶剤により除去する工程を含む請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置の製法。 - 半導体基板の少なくとも一方の主面に塗布される樹脂と、該樹脂内に配合され且つ放射線を遮蔽する粒子状の放射線遮蔽材とを備え、
前記放射線遮蔽材により半導体基板に照射される放射線の侵入深度又は侵入量を制御することを特徴とするマスク。 - 前記樹脂は、フェノール系樹脂により形成され、
前記放射線遮蔽材は、鉛(Pb)、銅(Cu)、プラチナ(Pt)及びそれらの合金から選択された金属粒子により形成される請求項5に記載のマスク。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005081996A JP4775539B2 (ja) | 2005-03-22 | 2005-03-22 | 半導体装置の製法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005081996A JP4775539B2 (ja) | 2005-03-22 | 2005-03-22 | 半導体装置の製法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006269522A true JP2006269522A (ja) | 2006-10-05 |
JP4775539B2 JP4775539B2 (ja) | 2011-09-21 |
Family
ID=37205201
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005081996A Expired - Fee Related JP4775539B2 (ja) | 2005-03-22 | 2005-03-22 | 半導体装置の製法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4775539B2 (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152670A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 帝人株式会社 | イオン注入マスク形成用分散体及び半導体デバイス製造方法 |
WO2017146110A1 (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 帝人株式会社 | イオン注入マスク形成用分散体、イオン注入マスクの形成方法及び半導体デバイス製造方法 |
JP2017199881A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 帝人株式会社 | イオン注入用マスクの形成方法及び半導体デバイス製造方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52113686A (en) * | 1976-03-17 | 1977-09-22 | Westinghouse Electric Corp | Method of producing semiconductor device |
JPS59195822A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 不純物領域の形成方法 |
JPH06333864A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 低温拡散方法及び拡散装置 |
JPH08227895A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
JP2000188405A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001135831A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2001223257A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
JP2003004855A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
-
2005
- 2005-03-22 JP JP2005081996A patent/JP4775539B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS52113686A (en) * | 1976-03-17 | 1977-09-22 | Westinghouse Electric Corp | Method of producing semiconductor device |
JPS59195822A (ja) * | 1983-04-20 | 1984-11-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 不純物領域の形成方法 |
JPH06333864A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 低温拡散方法及び拡散装置 |
JPH08227895A (ja) * | 1995-02-20 | 1996-09-03 | Rohm Co Ltd | 半導体装置およびその製法 |
JP2000188405A (ja) * | 1998-12-22 | 2000-07-04 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2001135831A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-05-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2001223257A (ja) * | 2000-02-10 | 2001-08-17 | Ibiden Co Ltd | 半導体製造・検査装置用セラミック基板 |
JP2003004855A (ja) * | 2001-06-26 | 2003-01-08 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出器 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017152670A (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 帝人株式会社 | イオン注入マスク形成用分散体及び半導体デバイス製造方法 |
WO2017146110A1 (ja) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | 帝人株式会社 | イオン注入マスク形成用分散体、イオン注入マスクの形成方法及び半導体デバイス製造方法 |
JP2017199881A (ja) * | 2016-04-28 | 2017-11-02 | 帝人株式会社 | イオン注入用マスクの形成方法及び半導体デバイス製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4775539B2 (ja) | 2011-09-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3774713B2 (ja) | コンタクトホールの形成方法 | |
JP2007036249A (ja) | 半導体素子のウェルフォトレジストパターン及びその形成方法 | |
EP1562077B1 (en) | Chemically amplified positive photosensitive resin composition | |
JP4775539B2 (ja) | 半導体装置の製法 | |
KR100287130B1 (ko) | 포토레지스트막 및 그의 패턴형성방법 | |
US6218082B1 (en) | Method for patterning a photoresist | |
EP0348962B1 (en) | Fine pattern forming method | |
US6544903B2 (en) | Resist pattern forming method and semiconductor device manufacturing method | |
KR100313326B1 (ko) | 전자빔셀투영어퍼쳐 형성방법 | |
GB2101161A (en) | Masking portions of a substrate | |
US6777172B2 (en) | Method and apparatus for using an excimer laser to pattern electrodeposited photoresist | |
US9410261B2 (en) | Two mask process for electroplating metal employing a negative electrophoretic photoresist | |
JPS588129B2 (ja) | 放射感応層をx線に露出する方法 | |
JP2000206675A (ja) | 転写マスク用ブランクスおよび転写マスク | |
EP0104235A4 (en) | METHOD OF FORMING A HYBRID LITHOGRAPHIC PROTECTION MATERIAL WITH ELECTRONIC / OPTICAL RADIUS. | |
JPH0744147B2 (ja) | アスペクト比の高い吸収体パターンを含む解像力の高いx線マスク | |
US20100119982A1 (en) | Etching method and manufacturing method of semiconductor device | |
KR20010070115A (ko) | 대전된 빔 처리 장치용 부재, 마스크, 전자 빔 노광 장치,반도체 소자 제조 방법, 및 마스크 제조방법 | |
KR100352492B1 (ko) | 미세회로 형성방법 | |
KR19990045253A (ko) | 반도체 디바이스 제조 방법 | |
JPS61185750A (ja) | イオンビ−ム露光用マスク | |
JPS59119820A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2003133313A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20050009571A (ko) | 반도체 소자의 인덕터 제조 방법 | |
JPH07140675A (ja) | パターン形成方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080213 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110302 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110303 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110601 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110614 |
|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140708 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |