JP2017199881A - イオン注入用マスクの形成方法及び半導体デバイス製造方法 - Google Patents
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(a)粒子、及び分散媒を少なくとも含有している粒子分散体を、直接に又は転写基材を介して上記半導体層又は基材の全面又は一部に適用することによって、粒子膜を形成する工程;並びに
(b)上記粒子膜の一部に光照射を行って、上記粒子膜の光照射された部分を除去することによって、上記開口部を形成する工程。
〈2〉上記光照射がレーザー照射である、上記〈1〉項に記載の方法。
〈3〉上記イオン注入用マスクが、粒子、及び耐熱性バインダーを含有している、上記〈1〉又は〈2〉項に記載の方法。
〈4〉上記イオン注入用マスクのシート抵抗が、1012Ω/□以下である、上記〈1〉〜〈3〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈5〉上記粒子分散体が耐熱性バインダー形成成分を含有している、上記〈1〉〜〈4〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈6〉上記耐熱性バインダー形成成分が、シロキサンである、上記〈5〉項に記載の方法。
〈7〉上記粒子分散体が一時的バインダー形成成分を更に含有している、上記〈1〉〜〈6〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈8〉上記一時的バインダー形成成分が、ポリマーである、上記〈7〉項に記載の方法。
〈9〉上記粒子が、導電性及び/又は半導体粒子であり、かつ/又は
上記導電性及び/又は半導体粒子の材料の抵抗率が1×103Ωcm以下である、
上記〈1〉〜〈8〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈10〉上記粒子が、シリコン粒子である、上記〈9〉項に記載の方法。
〈11〉上記シリコン粒子が、ホウ素又はリンをドーパントとして含有している、上記〈10〉項に記載の方法。
〈12〉上記粒子分散体のうち上記粒子の占める割合が、1重量%〜90重量%の範囲である、上記〈1〉〜〈11〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈13〉上記イオン注入用マスクの上記粒子膜に40keVの運動エネルギーを有するAl+イオンを1×1014cm−2の数密度で入射した際に、粒子膜を通過するAl+イオンが、入射したイオンの数の1%以下である、上記〈1〉〜〈12〉項のいずれか一項に記載の方法。
〈14〉上記〈1〉〜〈13〉項のいずれか一項に記載の方法で形成したイオン注入用マスクの開口部を通じて、上記半導体層又は基材にイオンを注入する工程を含む、半導体デバイスの製造方法。
本発明のイオン注入用マスク形成用分散体は、分散媒、及び分散媒中に分散している粒子を含有している。
イオン注入工程におけるパターン形状を安定にする観点から、本発明で用いられる粒子は、イオン注入工程における半導体層又は基材の温度を超える融点を有する材料の粒子であることが好ましい。
本発明の分散体は分散媒を含有する。分散媒の種類に特に制限はないが、本発明で用いる粒子を均一に分散できる分散媒を選択することが好ましい。また、この分散媒は、分散体に含まれる随意の他の成分、例えば耐熱性バインダー形成成分を溶解させることが好ましい。
本発明の分散体は、粒子同士を結着させ、安定なイオン注入用マスクを形成することを目的として、耐熱性バインダー形成成分を更に含有してもよい。
本発明の分散体は、形成される分散体の膜のパターンを安定に形成することを目的として、一時的バインダー形成成分を更に含有してもよい。
本発明のイオン注入用マスクは、粒子、及び随意の耐熱性バインダーを含有している。
イオン注入用マスクを形成する本発明の方法は、粒子分散体を、例えば塗布法によって、直接に又は転写基材を介して半導体層又は基材に適用して分散体に含有されている粒子膜を得た後、この粒子膜に対して光照射、特にレーザー照射を行って、粒子膜の一部を除去することによって、粒子膜のパターンを半導体層又は基材上に形成する工程を含む。この方法では、半導体層又は基材上に形成された粒子膜、及び/又は転写基材上に形成された粒子膜を、乾燥及び/又は焼成する工程を更に含むことができる。
イオン注入用マスクを形成する本発明の方法で半導体層又は基材上にイオン注入用マスクを形成する工程、又は本発明のイオン注入用マスクを半導体層又は基材上に提供する工程、
イオン注入用マスクのパターン開口部を通して、半導体層又は基材にイオンを注入する工程、及び
イオン注入用マスクを除去する工程。
半導体層又は基材としては、ドーパントを拡散させることを意図した任意の半導体層又は基材を用いることができる。
イオン注入用マスクを形成する本発明の方法は、粒子分散体を、例えば塗布法によって、直接に又は転写基材を介して半導体層又は基材に適用した後、光照射を粒子膜に行うことによって分散体粒子の除去を行い、粒子膜のパターンを半導体層又は基材上に形成する工程を含む。
分散体に含有されている粒子で構成されている粒子膜を半導体層又は基材上に形成する工程は、この膜を半導体層又は基材上に形成することが可能な任意の手段で行うことができる。このような手段としては、例えば、スピンコート法、グラビアオフセットコート法、インクジェット法、スクリーンイン印刷法、スリットダイコート法、スクリーン印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷、平板オフセット印刷、平版印刷法、樹脂凸版印刷法、フレキソ印刷法、マイクロコンタクト印刷法等が挙げられる。また、このような手段としては、予め別の基材上に任意の手法で形成した作製した粒子膜を半導体基材上に転写するラミネート法等を挙げることもできる。ただし、このような手段としては、これらに限定されない任意の手法を選択できる。
その後、光照射を粒子膜の任意の部分に行うことによって、光照射がなされた部分の粒子膜を除去する。これによれば、イオン注入用マスク形成工程は、従来のパターニングに用いられてきたに用いられてきた感光性樹脂等の取り扱いが難しい成分を含有しなくてもよく、従来のパターニングに用いられてきたフォトリソグラフィー法等、複雑で高コストなプロセスを含まなくてもよい。
イオン注入用マスクを構成する粒子膜の膜厚は、任意の厚さを選択することができる。膜厚は、分散体の組成、印刷条件、印刷方法などによって異なるが、例えば、粒子膜の膜厚が0.1μm〜100μmとなるように塗布することできる。
粒子組成物に一時的バインダーが含まれる場合には、一時的バインダーの除去を目的として、半導体基板、又は半導体層を、一時的バインダーの除去が可能な温度に加熱することができる。
本発明の方法では次に、イオン注入用マスクのパターン開口部を通して、半導体層又は基材にイオンを注入する。
イオン注入用マスクは、イオン注入工程後に除去される。除去法としては、フッ化水素酸、バッファードフッ酸、フッ硝酸、又はTMAHなどを用いたウェットプロセス、プラズマ処理などのドライプロセスなどが挙げられるが、これらに限定されない。低コストという観点から、ウェットプロセスが好ましい。
以下の実施例1〜5では、分散媒及び分散媒中に分散している粒子を含有している粒子分散体を調製し、スクリーン印刷法を用いて、SiC基材上に粒子膜を形成し、加熱して分散媒を除去した後、光照射を粒子膜の一部に行うことによってイオン注入用マスクのパターンを形成した。また、これらの実施例及び比較例について、粒子膜のパターン形成の可否、イオン注入時の帯電による問題の有無、及び粒子膜のイオン遮蔽性能について評価した。
(ホウ素(B)ドープシリコン粒子の作製)
シリコンナノ粒子は、モノシランガスを原料として、二酸化炭素レーザーを用いたレーザー熱分解(LP:Laser pyrolysis)法により作製した。このとき、モノシランガスと共に、ジボラン(B2H6)ガスを導入して、ホウ素ドープシリコン粒子を得た。得られたホウ素ドープシリコン粒子のドーピング濃度は1×1021atom/cm3であった。また、得られたホウ素ドープシリコン粒子の金属不純物含有量を誘導結合プラズマ質量分析計(ICP−MS)を用いて測定したところ、Feの含有量は15ppb、Cuの含有量は18ppb、Niの含有量は10ppb、Crの含有量は21ppb、Coの含有量は13ppb、Naの含有量は20ppb、及びCaの含有量は10ppbであった。
プロピレングリコール90重量%と、上記手法で作製したシリコンナノ粒子10重量%とを混合することにより、ホウ素ドープシリコン粒子含有分散体を調製した。
SiC基材上に、上記ホウ素ドープシリコン粒子含有分散体をスクリーン印刷法によって印刷することにより、1.5μmの厚さを有する、ホウ素ドープシリコン粒子膜を得た。
光照射の光源として、波長532nmであり、4.0J/cm2のエネルギー密度を有し、パルス幅が100nsのレーザー光を、ホウ素ドープシリコン粒子膜に照射することにより、この膜のレーザー照射された部分を除去して、ホウ素ドープシリコン粒子膜のパターンを得た。
イオン注入用マスクパターンを、光学顕微鏡を用いて観察し、5μmラインアンドスペースのパターン形成の可否を確認した。
下記の条件で、イオン注入用マスクのマスクパターン開口部を通してSiC基材にイオン注入を行った:
イオン種:Al、
エネルギー量:40keV、
注入温度:400℃、
ドーズ量:1×1014Ions/cm2
分散体として、プロピレングリコール90重量%、シリコンナノ粒子10重量%を混合する代わりに、プロピレングリコール90重量%、シリコン粒子5重量%、耐熱性バインダー形成成分としての有機シロキサン化合物5重量%を混合したことを除いて、実施例1と同様にして、分散体を調製し、粒子膜パターンを得た。さらに、実施例1と同様に、粒子膜パターン形成の可否、イオン注入時の帯電による問題の有無、及び粒子膜パターンのイオン遮蔽性能について評価した。
分散体として、プロピレングリコール90重量%、シリコンナノ粒子10重量%を混合する代わりに、プロピレングリコール90重量%、シリコン粒子5重量%、一時的バインダー形成成分としてのエチルセルロース5重量%を混合したこと、
分散体粒子膜の形成工程の後の粒子分散体からの分散媒除去を目的とした加熱の温度を250℃としたこと、
さらに、レーザー光照射による分散体粒子膜のパターニング後、一時的バインダー除去を目的として600℃の大気中で焼成を行ったこと
を除いて、実施例1と同様にして、分散体を調製し、粒子膜パターンを得た。
SiC基材上に、スピンオングラス(東京応化製、12000−T)をイソプロピルアルコールで希釈した溶液をスピンコートし、800℃での焼成を行うことによって、SiC基材上に50nmの厚みを有するスピンオングラス膜を予め形成したこと除いて、実施例1と同様にして、粒子膜パターンを得た。さらに、実施例1と同様に、粒子膜パターン形成の可否、イオン注入時の帯電による問題の有無、及び粒子膜パターンのイオン遮蔽性能について評価した。
光照射の光源として、波長532nmであり、4.0J/cm2のエネルギー密度を有するレーザー光を用いる代わりに、波長532nmであり、0.5J/cm2のエネルギー密度を有し、パルス幅が1.0nsのレーザー光を用いたことを除いて、実施例1と同様にして、分散体を調製し、粒子膜パターンを得た。さらに、実施例1と同様に、粒子膜パターン形成の可否、イオン注入時の帯電による問題の有無、及び粒子膜パターンのイオン遮蔽性能について評価した。
実施例6では、分散媒及び分散媒中に分散している粒子を含有している粒子分散体を調製し、スクリーン印刷法を用いて、ガラス基材上に粒子膜を形成し、加熱して分散媒を除去した後、光照射を粒子膜の一部に行うことによって粒子膜パターンを形成し、粒子膜パターンのシート抵抗の測定を行った。
実施例1〜5の結果からは、形成した粒子膜のパターンが、帯電の問題なくイオン注入用マスク層としての利用が可能であることが理解できる。
2 SiC基材
3 SiO2膜
4 感光性レジスト
5 レーザー光
6 イオン注入領域
7 ドーパントイオンのビーム
11 イオン注入用マスク/粒子膜
12 マスクパターン開口部
Claims (14)
- 下記工程を少なくとも含む、開口部を有するイオン注入用マスクを半導体層又は基材上に形成する方法:
(a)粒子、及び分散媒を少なくとも含有している粒子分散体を、直接に又は転写基材を介して前記半導体層又は基材の全面又は一部に適用することによって、粒子膜を形成する工程;並びに
(b)前記粒子膜の一部に光照射を行って、前記粒子膜の光照射された部分を除去することによって、前記開口部を形成する工程。 - 前記光照射がレーザー照射である、請求項1に記載の方法。
- 前記イオン注入用マスクが、粒子、及び耐熱性バインダーを含有している、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記イオン注入用マスクのシート抵抗が、1012Ω/□以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の方法。
- 前記粒子分散体が耐熱性バインダー形成成分を含有している、請求項1〜4のいずれか一項に記載の方法。
- 前記耐熱性バインダー形成成分が、シロキサンである、請求項5に記載の方法。
- 前記粒子分散体が一時的バインダー形成成分を更に含有している、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
- 前記一時的バインダー形成成分が、ポリマーである、請求項7に記載の方法。
- 前記粒子が、導電性及び/又は半導体粒子であり、かつ/又は
上記導電性及び/又は半導体粒子の材料の抵抗率が1×103Ωcm以下である、
請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。 - 前記粒子が、シリコン粒子である、請求項9に記載の方法。
- 前記シリコン粒子が、ホウ素又はリンをドーパントとして含有している、請求項10に記載の方法。
- 前記粒子分散体のうち前記粒子の占める割合が、1重量%〜90重量%の範囲である、請求項1〜11のいずれか一項に記載の方法。
- 前記イオン注入用マスクの前記粒子膜に40keVの運動エネルギーを有するAl+イオンを1×1014cm−2の数密度で入射した際に、粒子膜を通過するAl+イオンが、入射したイオンの数の1%以下である、請求項1〜12のいずれか一項に記載の方法。
- 請求項1〜13のいずれか一項に記載の方法で形成したイオン注入用マスクの開口部を通じて、前記半導体層又は基材にイオンを注入する工程を含む、半導体デバイスの製造方法。
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