JP2006256937A5 - 炭化ケイ素生成用前駆体 - Google Patents
炭化ケイ素生成用前駆体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006256937A5 JP2006256937A5 JP2005079841A JP2005079841A JP2006256937A5 JP 2006256937 A5 JP2006256937 A5 JP 2006256937A5 JP 2005079841 A JP2005079841 A JP 2005079841A JP 2005079841 A JP2005079841 A JP 2005079841A JP 2006256937 A5 JP2006256937 A5 JP 2006256937A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon carbide
- precursor
- silicon
- source
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Description
本発明は、炭化ケイ素、または、炭化ケイ素と炭素が均質に混合分散された混合物を、簡便に製造する方法のための前駆体に関する。
炭化ケイ素セラミックスは常温及び高温での化学的性質が安定で、高温における機械的強度にも優れているため、高温構造材料として利用されている。最近では、半導体製造分野において、耐熱性、耐クリープ性に優れた高純度の炭化ケイ素セラミックス焼結体が、ウエハーを熱処理したり、微量元素を熱拡散したりする工程でのボートやプロセスチューブなどに利用されるようになっている。ここで、用いられる炭化ケイ素材料に不純物元素が含まれていると、ウエハーの加熱中にこの不純物元素が侵入して汚染されるという問題が生じるため、これらの用途に用いられる炭化ケイ素材料は、できるだけ高純度であることが好ましい。
発明1は、炭素源とケイ素源との加熱反応により炭化ケイ素を生成する方法に用いる前駆体であって、炭素源に混合されたケイ素源が有機ケイ素化合物のオリゴマーであることを特徴とする。
発明2は、発明1の炭化ケイ素生成用前駆体において、前記有機ケイ素化合物がエチルシリケートであることを特徴とする。
発明3は、発明1又は2の炭化ケイ素生成用前駆体において、その炭素源が、炭素を含む樹脂であることを特徴とする。
発明2は、発明1の炭化ケイ素生成用前駆体において、前記有機ケイ素化合物がエチルシリケートであることを特徴とする。
発明3は、発明1又は2の炭化ケイ素生成用前駆体において、その炭素源が、炭素を含む樹脂であることを特徴とする。
本発明者は、液状のケイ素化合物、および、熱硬化性樹脂から炭化ケイ素粉末を作製する手法を詳細に検討した結果、原料の液状のケイ素化合物として有機ケイ素化合物のオリゴマーを用いることにより、酸触媒を用いなくても原料混合物にゲル化が生じてゲル状前駆体物質を作製できることを見出した。
液状ケイ素化合物として有機ケイ素化合物のオリゴマーを用いることにより、トルエンスルホン酸などの酸触媒を用いなくても混合したゾル溶液前駆体がゲル化する。ゲル化において、超音波照射は不要である。触媒非存在下で反応を行うことができるため、酸触媒に関連した工程とコストを削減できる利点があることに加え、酸触媒に不可避の元素を含まずに炭化ケイ素の前駆体物質を生成することができ、この前駆体物質を焼成することにより、半導体製造装置部品や単結晶原料など、酸触媒に起因する不純物元素の含有が好ましくない用途にも利用できる高純度の炭化ケイ素を製造することができる。
液状ケイ素化合物として有機ケイ素化合物のオリゴマーを用いることにより、トルエンスルホン酸などの酸触媒を用いなくても混合したゾル溶液前駆体がゲル化する。ゲル化において、超音波照射は不要である。触媒非存在下で反応を行うことができるため、酸触媒に関連した工程とコストを削減できる利点があることに加え、酸触媒に不可避の元素を含まずに炭化ケイ素の前駆体物質を生成することができ、この前駆体物質を焼成することにより、半導体製造装置部品や単結晶原料など、酸触媒に起因する不純物元素の含有が好ましくない用途にも利用できる高純度の炭化ケイ素を製造することができる。
Claims (3)
- 炭素源とケイ素源との加熱反応により炭化ケイ素を生成する方法に用いる前駆体であって、炭素源に混合されたケイ素源が有機ケイ素化合物のオリゴマーであることを特徴とする炭化ケイ素生成用前駆体。
- 請求項1に記載の炭化ケイ素生成用前駆体において、前記有機ケイ素化合物がエチルシリケートであることを特徴とする炭化ケイ素生成用前駆体。
- 請求項1又は2に記載の炭化ケイ素生成用前駆体において、その炭素源が、炭素を含む樹脂であることを特徴とする炭化ケイ素生成用前駆体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005079841A JP4788873B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 炭化ケイ素生成用前駆体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005079841A JP4788873B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 炭化ケイ素生成用前駆体 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006256937A JP2006256937A (ja) | 2006-09-28 |
JP2006256937A5 true JP2006256937A5 (ja) | 2008-06-05 |
JP4788873B2 JP4788873B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=37096584
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005079841A Expired - Fee Related JP4788873B2 (ja) | 2005-03-18 | 2005-03-18 | 炭化ケイ素生成用前駆体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4788873B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5177793B2 (ja) * | 2007-12-27 | 2013-04-10 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 炭化ケイ素の製造方法 |
KR101413653B1 (ko) | 2012-03-14 | 2014-07-01 | 엘지이노텍 주식회사 | 고순도 탄화규소 분말의 제조방법 |
JP2013232602A (ja) * | 2012-05-01 | 2013-11-14 | Ibiden Co Ltd | 蓄電デバイス用電極材料の製造方法、蓄電デバイス用電極、及び、蓄電デバイス |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62297204A (ja) * | 1986-06-18 | 1987-12-24 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | 炭化けい素または窒化けい素粉末もしくはこれらの複合体粉末の製造法 |
JP3934695B2 (ja) * | 1995-05-31 | 2007-06-20 | 株式会社ブリヂストン | 炭化ケイ素単結晶製造用高純度炭化ケイ素粉体の製造方法 |
-
2005
- 2005-03-18 JP JP2005079841A patent/JP4788873B2/ja not_active Expired - Fee Related
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103608312B (zh) | 陶瓷烧结体和制造陶瓷烧结体的方法 | |
CN1241237C (zh) | 半导体或液晶制造装置 | |
JP6452873B2 (ja) | 窒化硼素粉末及びその製造方法 | |
JPS5891005A (ja) | 窒化ケイ素粉末の製造方法 | |
JP2006256937A5 (ja) | 炭化ケイ素生成用前駆体 | |
US7939044B2 (en) | Method of manufacturing sub-micron silicon-carbide powder | |
WO2021193046A1 (ja) | 六方晶窒化ホウ素粉末の製造方法 | |
JP2012041253A (ja) | 窒化アルミニウム系粒子、窒化アルミニウム系粒子の製造方法、及び窒化アルミニウム系粒子の製造装置 | |
KR20100128777A (ko) | 졸-젤 공정으로 제조된 탄화규소/카본/실리카 복합분말과, 이 복합분말을 사용한 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소의 제조방법 | |
JP6560796B2 (ja) | 球状窒化ケイ素粉体の製造方法 | |
JP5303103B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 | |
KR101084711B1 (ko) | 고순도 베타상 탄화규소 미세 분말의 저온 제조 방법 | |
KR20100115992A (ko) | 탄화규소/카본 복합분말과 그 복합분말을 이용하여 제조된 고순도 및 고강도의 반응소결 탄화규소 | |
KR101293606B1 (ko) | 보헤마이트 슬러리를 이용한 질화알루미늄의 제조방법 | |
JP4788873B2 (ja) | 炭化ケイ素生成用前駆体 | |
CN106187203B (zh) | 一种基于碳化铝制备氮化铝粉体的方法及其产品 | |
JP6382621B2 (ja) | シリコーン樹脂組成物 | |
JP2010138011A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
JP2006156119A (ja) | ヒータユニット | |
JP2006124257A5 (ja) | SiC粉末の生成に用いる固形原料とその製造方法並びにSiC合成方法 | |
JP2000044223A (ja) | 炭化珪素の製造方法 | |
JP2007277030A (ja) | ヒータ用炭化ケイ素焼結体及びその製造方法 | |
JP5130099B2 (ja) | 炭化ケイ素焼結体の製造方法 | |
JP5586018B2 (ja) | 窒化アルミニウム粒子の製造方法、及び窒化アルミニウム粒子の製造装置 | |
JP5351426B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の処理方法 |