JP2006242914A - 結晶材料の格子歪みの評価方法及びその評価装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 結晶材料に電子線を照射し,その透過波強度と回折波強度とのコントラストから前記結晶材料の格子歪みを評価する結晶材料の格子歪み評価方法において,(1)前記結晶材料の複数の結晶面に対して,格子歪みのない領域の基準コントラストに対する格子歪みのある領域のコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の工程と,(2)前記求めた複数の結晶面に対する前記コントラストの比から,最適な結晶面と,前記電子線入射方位とを選択する第2の工程と,(3)前記選択した結晶面と電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の工程とを有する。
【選択図】 図6
Description
歪みコントラスト=|(Ib0−Ibg)/(Ia0−Iag)| (4)
が,格子歪み最大領域で得られる歪みコントラストになる。したがって,この歪みコントラストが最大または極大になるような電子線入射方位を検出すれば,試料の格子歪みの二次元分布を高解像度で検出することができるようになるのが理解できる。
前記結晶材料の複数の結晶面に対して,格子歪みのない領域の基準コントラストに対する格子歪みのある領域のコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の工程と,
前記求めた複数の結晶面に対する前記コントラストの比から,最適な結晶面と,前記電子線入射方位とを選択する第2の工程と,
前記選択した結晶面と電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の工程とを有する結晶材料の格子歪み評価方法。
前記第1の工程は,結晶面に対するブラッグ条件下での前記電子線入射方位に対する透過波強度と回折波強度のプロファイルに基づいて,前記の極大値になる電子線入射方位を求めることを特徴とする結晶材料の格子歪み評価方法。
前記第1の工程において,さらに,前記透過波強度及び回折波強度の絶対値が所定の閾値以上の範囲で,前記の極大値になる電子線入射方位を求めることを特徴とする結晶材料の格子歪み評価方法。
前記第1の工程で,前記第1の工程で求めた電子線入射方位に対応する励起誤差から得られる実効消衰距離と,等厚干渉縞のプロファイルとから,透過波強度が極大になる結晶材料の膜厚を求め,
前記第2の工程で,最適な前記膜厚を選択し,
さらに,前記選択された膜厚に前記結晶材料を加工する工程を有する結晶材料の格子歪み評価方法。
前記結晶材料の表面に垂直な軸から所定の角度範囲内で電子線入射方位を変更した場合に,格子歪みのない領域の透過波強度と回折波強度の差である基準コントラストに対する,格子歪みのある領域の当該差であるコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の工程と,
前記求めた複数の前記コントラストの比から,最適な前記電子線入射方位を選択する第2の工程と,
前記選択した電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の工程とを有する結晶材料の格子歪み評価方法。
前記結晶材料の複数の結晶面に対して,格子歪みのない領域の基準コントラストに対する格子歪みのある領域のコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の処理装置と,
前記求めた複数の結晶面に対する前記コントラストの比から,最適な結晶面と,前記電子線入射方位とを選択する第2の処理装置と,
前記選択した結晶面と電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の処理装置とを有する結晶材料の格子歪み評価装置。
前記結晶材料の表面に垂直な軸から所定の角度範囲内で電子線入射方位を変更した場合に,格子歪みのない領域の透過波強度と回折波強度の差である基準コントラストに対する,格子歪みのある領域の当該差であるコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の処理装置と,
前記求めた複数の前記コントラストの比から,最適な前記電子線入射方位を選択する第2の処理装置と,
前記選択した電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の処理装置とを有する結晶材料の格子歪み評価装置。
Claims (5)
- 結晶材料に電子線を照射し,その透過波強度と回折波強度とのコントラストから前記結晶材料の格子歪みを評価する結晶材料の格子歪み評価方法において,
前記結晶材料の複数の結晶面に対して,格子歪みのない領域の基準コントラストに対する格子歪みのある領域のコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の工程と,
前記求めた複数の結晶面に対する前記コントラストの比から,最適な結晶面と,前記電子線入射方位とを選択する第2の工程と,
前記選択した結晶面と電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の工程とを有する結晶材料の格子歪み評価方法。 - 請求項1において,
前記第1の工程は,結晶面に対するブラッグ条件下での前記電子線入射方位に対する透過波強度と回折波強度のプロファイルに基づいて,前記の極大値になる電子線入射方位を求めることを特徴とする結晶材料の格子歪み評価方法。 - 結晶材料に電子線を照射し,その透過波強度または回折波強度から前記結晶材料の格子歪みを評価する結晶材料の格子歪み評価方法において,
前記結晶材料の表面に垂直な軸から所定の角度範囲内で電子線入射方位を変更した場合に,格子歪みのない領域の透過波強度と回折波強度の差である基準コントラストに対する,格子歪みのある領域の当該差であるコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の工程と,
前記求めた複数の前記コントラストの比から,最適な前記電子線入射方位を選択する第2の工程と,
前記選択した電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の工程とを有する結晶材料の格子歪み評価方法。 - 結晶材料に電子線を照射し,その透過波強度と回折波強度とのコントラストから前記結晶材料の格子歪みを評価する結晶材料の格子歪み評価装置において,
前記結晶材料の複数の結晶面に対して,格子歪みのない領域の基準コントラストに対する格子歪みのある領域のコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の処理装置と,
前記求めた複数の結晶面に対する前記コントラストの比から,最適な結晶面と,前記電子線入射方位とを選択する第2の処理装置と,
前記選択した結晶面と電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の処理装置とを有する結晶材料の格子歪み評価装置。 - 結晶材料に電子線を照射し,その透過波強度または回折波強度から前記結晶材料の格子歪みを評価する結晶材料の格子歪み評価装置において,
前記結晶材料の表面に垂直な軸から所定の角度範囲内で電子線入射方位を変更した場合に,格子歪みのない領域の透過波強度と回折波強度の差である基準コントラストに対する,格子歪みのある領域の当該差であるコントラストの比が極大値になる電子線入射方位を,前記結晶材料の表面に垂直な方向の軸から所定の角度範囲内で求める第1の処理装置と,
前記求めた複数の前記コントラストの比から,最適な前記電子線入射方位を選択する第2の処理装置と,
前記選択した電子線入射方位に前記電子線照射を設定し,前記結晶材料に当該電子線を照射して得られた透過波像または回折波像の強度に応じて,前記格子歪みの程度を評価する第3の処理装置とを有する結晶材料の格子歪み評価装置。
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