JP2001201323A - 溝の深さ測定方法及び測定装置 - Google Patents
溝の深さ測定方法及び測定装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】複雑な測定装置を使わずに、簡単に短時間で溝
深さの合否を判定する。 【解決手段】開口幅の異なる溝を同じ深さで同時に開口
し、その光学像を観察し、暗い像（暗像）と明るい像
（明像）の境界部にある溝の暗像とそれに隣接する明像
を見つけ、その暗像の開口幅ａkと明像の開口幅ａk+1か
ら溝深さｄを求める。
深さの合否を判定する。 【解決手段】開口幅の異なる溝を同じ深さで同時に開口
し、その光学像を観察し、暗い像（暗像）と明るい像
（明像）の境界部にある溝の暗像とそれに隣接する明像
を見つけ、その暗像の開口幅ａkと明像の開口幅ａk+1か
ら溝深さｄを求める。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ等に
形成された深い溝や穴（以下、「溝」と総称する）の深
さを測定する方法及び測定装置に関するものである。
形成された深い溝や穴（以下、「溝」と総称する）の深
さを測定する方法及び測定装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置の高集積化に伴い、素
子構造は２次元的平面構造から３次元的立体構造に向か
って進歩している。例えば、近接した異なる素子間の電
気的絶縁を保つため、相隣り合う素子間に深い溝を形成
することが行われる。これらの溝の形状や深さが素子特
性に大きく影響するため、形成された溝の深さが規定値
にあるか否かを測定・検査する必要がある。
子構造は２次元的平面構造から３次元的立体構造に向か
って進歩している。例えば、近接した異なる素子間の電
気的絶縁を保つため、相隣り合う素子間に深い溝を形成
することが行われる。これらの溝の形状や深さが素子特
性に大きく影響するため、形成された溝の深さが規定値
にあるか否かを測定・検査する必要がある。
【０００３】従来、半導体装置などに用いられている微
小な溝の深さを測る手段として、光の干渉や、回折を利
用した測定方法が用いられてきた。しかし、これらの技
術を用いた測定装置は複雑な機構を有しており、装置が
高価になる、測定に時間がかかる等の問題があり、迅速
性を要求される溝深さの検査には不適であった。
小な溝の深さを測る手段として、光の干渉や、回折を利
用した測定方法が用いられてきた。しかし、これらの技
術を用いた測定装置は複雑な機構を有しており、装置が
高価になる、測定に時間がかかる等の問題があり、迅速
性を要求される溝深さの検査には不適であった。
【０００４】一方、光の干渉を利用しないで、安価な測
定装置で溝の深さを測定する簡便な測定方法が、例え
ば、特開昭６１‐０９９８０６号公報に記載されてい
る。図８は、その測定装置の一例を示す構成図である。
図８の装置においては、レーザ光源１１から発したレー
ザ光１１１は、レンズ１２により光ファイバ１３の端面
に集光されて光フアイバ１３によつて送受光ヘッド１４
に導かれ、送受光ヘッド１４内に搭載したレンズにより
平行光線１１２に変換され、深さを測定する溝１０があ
る試料１７に照射される。送受光ヘツド１４は，試料１
７における入射光に逆行する方向の反射光を受け，この
反射光を送受光ヘッド１４内の半透明鏡プリズムで反射
して光電変換素子１８により電気信号に変換する。光電
変換素子１８からの電気信号は電圧計１９により測定
し、試料からの反射光強度を検知する。なお、２０は光
電変換素子１８の電源である。
定装置で溝の深さを測定する簡便な測定方法が、例え
ば、特開昭６１‐０９９８０６号公報に記載されてい
る。図８は、その測定装置の一例を示す構成図である。
図８の装置においては、レーザ光源１１から発したレー
ザ光１１１は、レンズ１２により光ファイバ１３の端面
に集光されて光フアイバ１３によつて送受光ヘッド１４
に導かれ、送受光ヘッド１４内に搭載したレンズにより
平行光線１１２に変換され、深さを測定する溝１０があ
る試料１７に照射される。送受光ヘツド１４は，試料１
７における入射光に逆行する方向の反射光を受け，この
反射光を送受光ヘッド１４内の半透明鏡プリズムで反射
して光電変換素子１８により電気信号に変換する。光電
変換素子１８からの電気信号は電圧計１９により測定
し、試料からの反射光強度を検知する。なお、２０は光
電変換素子１８の電源である。
【０００５】送受光ヘツド１４に取付けられたスライダ
２１は，目盛を付した円弧状のア−ム２２に沿つて移動
し，試料１７に照射するレーザ光１１２の入射角をこの
目盛によつて読取ることができる。溝１０の深さｄを測
定するには、試料１７にレーザ光１１２を照射しながら
アーム２２に沿って送受光ヘッド１４をスライドさせ、
反射光強度を電圧計１９で測定し、電圧計１９の指示が
最も小さな値になったときの入射角θRをアーム２２の
目盛りから読み取る。このときの入射角θRと、顕徴鏡
等で測定した溝の開口部の幅ａを下記の（２）式に代入
することにより，微細な溝の深さｄを測定することがで
きる。
２１は，目盛を付した円弧状のア−ム２２に沿つて移動
し，試料１７に照射するレーザ光１１２の入射角をこの
目盛によつて読取ることができる。溝１０の深さｄを測
定するには、試料１７にレーザ光１１２を照射しながら
アーム２２に沿って送受光ヘッド１４をスライドさせ、
反射光強度を電圧計１９で測定し、電圧計１９の指示が
最も小さな値になったときの入射角θRをアーム２２の
目盛りから読み取る。このときの入射角θRと、顕徴鏡
等で測定した溝の開口部の幅ａを下記の（２）式に代入
することにより，微細な溝の深さｄを測定することがで
きる。
【０００６】 θR＝ｔａｎ-1（ａ／ｄ） （２）
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の測
定方法は送受光ヘッドを動かす必要があるため、光の干
渉を利用した測定方法程ではないが、やはり測定に時間
がかかるという問題があり、短時間で溝深さを検査する
には不適である。
定方法は送受光ヘッドを動かす必要があるため、光の干
渉を利用した測定方法程ではないが、やはり測定に時間
がかかるという問題があり、短時間で溝深さを検査する
には不適である。
【０００８】本発明は、上記の問題点を解決し、短時間
で溝の深さを判定できる測定方法と測定装置を提供する
ことを目的としている。
で溝の深さを判定できる測定方法と測定装置を提供する
ことを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】溝の深さを測定する本発
明の測定方法は、深さｄ0の測定対象溝を基板に形成す
ると同時に、互いに異なり、定められた開口幅ａi（ａi
＜ａi+1、ｉ＝１、２…ｎ）の溝を測定対象溝と同じ深
さｄ0で基板に複数形成する工程と、前記複数の溝を形
成した基板に対して角度θで平行光を入射して得られ
る、或る開口幅を境に明像と暗像に分かれた前記溝の光
学観察像から、明像と暗像の境界部分における暗像の開
口幅ａkと明像の開口幅ａk+1（１≦ｋ≦ｎ）を抽出する
工程と、前記抽出された開口幅ａk、ａk+1を用いて下記
（１）式により前記測定対象溝の深さｄ0を求める工程
とを有することを特徴とする測定方法である。
明の測定方法は、深さｄ0の測定対象溝を基板に形成す
ると同時に、互いに異なり、定められた開口幅ａi（ａi
＜ａi+1、ｉ＝１、２…ｎ）の溝を測定対象溝と同じ深
さｄ0で基板に複数形成する工程と、前記複数の溝を形
成した基板に対して角度θで平行光を入射して得られ
る、或る開口幅を境に明像と暗像に分かれた前記溝の光
学観察像から、明像と暗像の境界部分における暗像の開
口幅ａkと明像の開口幅ａk+1（１≦ｋ≦ｎ）を抽出する
工程と、前記抽出された開口幅ａk、ａk+1を用いて下記
（１）式により前記測定対象溝の深さｄ0を求める工程
とを有することを特徴とする測定方法である。
【００１０】 （ａk／２）ｔａｎθ＜ｄ0≦（ａk+1／２）ｔａｎθ （１） 上記測定方法において、基板と入射光の成す角度θを４
５度とすると、ｔａｎθ＝１となり計算が簡単になり、
測定時間が更に短縮される利点がある。また、（（ａ
i+1−ａi）／２）ｔａｎθを測定対象溝深さの許容幅以
下とすれば、誤差が小さくなり判定精度が向上する。
５度とすると、ｔａｎθ＝１となり計算が簡単になり、
測定時間が更に短縮される利点がある。また、（（ａ
i+1−ａi）／２）ｔａｎθを測定対象溝深さの許容幅以
下とすれば、誤差が小さくなり判定精度が向上する。
【００１１】本発明のもう１つの測定方法は、深さｄh
と開口幅ａj（ｄh＜ｄh+1、ａj＜ａj +1、ｈ＝１、２…
Ｍ、ｊ＝１、２…Ｎ、Ｍ≠Ｎ又はＭ＝Ｎ）が既知の複数
の溝の基準光学観察像を予め用意する工程と、深さｄ0
の測定対象溝を基板に形成すると同時に、互いに異な
り、定められた開口幅ａi（ａi＜ａi+1，ｉ＝１、２…
ｎ、ｎ≠Ｎ又はｎ＝Ｎ）の溝を測定対象溝と同じ深さｄ
0で基板に複数形成する工程と、前記複数の溝を形成し
た基板に対して、前記基準光学観察像形成時と同じ角度
θで平行光を入射して得られる、或る開口幅を境に明像
と暗像に分かれた前記複数の溝の光学観察像から、明像
と暗像の境界部分における暗像の開口幅ａkと明像の開
口幅ａk+1（１≦ｋ≦ｎ）を抽出する工程と、前記抽出
された開口幅ａk、ａk+1を前記基準光学観察像と比較
し、前記基準光学観察像の明像と暗像の境界部分におけ
る暗像の開口幅と明像の開口幅が、前記抽出された開口
幅ａk、ａk+1と等しい開口幅における基準光学観察像の
深さを測定対象溝の深さｄ0と判定する工程とを有する
ことを特徴とする測定方法である。なお、この測定方法
においては、基準光学観察像の深さｄhは予め公知の方
法で測定しておく。
と開口幅ａj（ｄh＜ｄh+1、ａj＜ａj +1、ｈ＝１、２…
Ｍ、ｊ＝１、２…Ｎ、Ｍ≠Ｎ又はＭ＝Ｎ）が既知の複数
の溝の基準光学観察像を予め用意する工程と、深さｄ0
の測定対象溝を基板に形成すると同時に、互いに異な
り、定められた開口幅ａi（ａi＜ａi+1，ｉ＝１、２…
ｎ、ｎ≠Ｎ又はｎ＝Ｎ）の溝を測定対象溝と同じ深さｄ
0で基板に複数形成する工程と、前記複数の溝を形成し
た基板に対して、前記基準光学観察像形成時と同じ角度
θで平行光を入射して得られる、或る開口幅を境に明像
と暗像に分かれた前記複数の溝の光学観察像から、明像
と暗像の境界部分における暗像の開口幅ａkと明像の開
口幅ａk+1（１≦ｋ≦ｎ）を抽出する工程と、前記抽出
された開口幅ａk、ａk+1を前記基準光学観察像と比較
し、前記基準光学観察像の明像と暗像の境界部分におけ
る暗像の開口幅と明像の開口幅が、前記抽出された開口
幅ａk、ａk+1と等しい開口幅における基準光学観察像の
深さを測定対象溝の深さｄ0と判定する工程とを有する
ことを特徴とする測定方法である。なお、この測定方法
においては、基準光学観察像の深さｄhは予め公知の方
法で測定しておく。
【００１２】溝の深さを測定する本発明の測定装置は、
互いに異なり、定められた開口幅ａ i（ａi＜ａi+1，ｉ
＝１、２、…、ｎ）の複数の溝が測定対象溝と同じ深さ
ｄ0で形成された基板に角度θで平行光を照射する光源
と、基板からの反射光を受光して画像信号に変換するＣ
ＣＤカメラと、前記ＣＣＤカメラからの画像信号を画像
に変換して表示するモニタと、前記ＣＣＤカメラからの
画像信号に基づいて溝の深さを算出・判定し、その結果
を出力する演算装置とを備え、前記演算装置が、ＣＣＤ
カメラからの画像信号から明像と暗像を判別し、最も開
口幅の広い暗像と、この暗像に隣接した明像を抽出し、
抽出した暗像の開口幅ａkと明像の開口幅ａk+1から上記
（１）式より溝の深さｄ0を計算する演算処理を行うこ
とを特徴とする測定装置である。
互いに異なり、定められた開口幅ａ i（ａi＜ａi+1，ｉ
＝１、２、…、ｎ）の複数の溝が測定対象溝と同じ深さ
ｄ0で形成された基板に角度θで平行光を照射する光源
と、基板からの反射光を受光して画像信号に変換するＣ
ＣＤカメラと、前記ＣＣＤカメラからの画像信号を画像
に変換して表示するモニタと、前記ＣＣＤカメラからの
画像信号に基づいて溝の深さを算出・判定し、その結果
を出力する演算装置とを備え、前記演算装置が、ＣＣＤ
カメラからの画像信号から明像と暗像を判別し、最も開
口幅の広い暗像と、この暗像に隣接した明像を抽出し、
抽出した暗像の開口幅ａkと明像の開口幅ａk+1から上記
（１）式より溝の深さｄ0を計算する演算処理を行うこ
とを特徴とする測定装置である。
【００１３】本発明のもう１つの測定装置は、互いに異
なり、定められた開口幅ａi（ａi＜ａi+1，ｉ＝１、
２、…、ｎ）の複数の溝が測定対象溝と同じ深さｄ0で
形成された基板に角度θで平行光を照射する光源と、基
板からの反射光を受光して画像信号に変換するＣＣＤカ
メラと、前記ＣＣＤカメラからの画像信号を画像に変換
して表示するモニタと、前記ＣＣＤカメラからの画像信
号に基づいて溝の深さを算出・判定し、その結果を出力
する演算装置とを備え、前記演算装置が、ＣＣＤカメラ
からの画像信号から明像と暗像を判別し、最も開口幅の
広い暗像と、この暗像に隣接した明像を抽出し、抽出し
た暗像の開口幅ａkと明像の開口幅ａk+1を、予め記憶し
た、深さｄhと開口幅ａj（ｄh＜ｄh+1、ａj＜ａj+1、ｈ
＝１、２…Ｍ、ｊ＝１、２…Ｎ、Ｍ≠Ｎ又はＭ＝Ｎ、Ｎ
＝ｎまたはＮ≠ｎ）の複数の溝の基準の溝光学像と比較
し、前記基準光学像の明像と暗像の境界部分における暗
像の開口幅と明像の開口幅が、前記抽出された開口幅ａ
k、ａk+1と等しい開口幅における基準光学像の深さを測
定対象溝の深さｄ0と判定する演算処理を行うことを特
徴とする測定装置である。
なり、定められた開口幅ａi（ａi＜ａi+1，ｉ＝１、
２、…、ｎ）の複数の溝が測定対象溝と同じ深さｄ0で
形成された基板に角度θで平行光を照射する光源と、基
板からの反射光を受光して画像信号に変換するＣＣＤカ
メラと、前記ＣＣＤカメラからの画像信号を画像に変換
して表示するモニタと、前記ＣＣＤカメラからの画像信
号に基づいて溝の深さを算出・判定し、その結果を出力
する演算装置とを備え、前記演算装置が、ＣＣＤカメラ
からの画像信号から明像と暗像を判別し、最も開口幅の
広い暗像と、この暗像に隣接した明像を抽出し、抽出し
た暗像の開口幅ａkと明像の開口幅ａk+1を、予め記憶し
た、深さｄhと開口幅ａj（ｄh＜ｄh+1、ａj＜ａj+1、ｈ
＝１、２…Ｍ、ｊ＝１、２…Ｎ、Ｍ≠Ｎ又はＭ＝Ｎ、Ｎ
＝ｎまたはＮ≠ｎ）の複数の溝の基準の溝光学像と比較
し、前記基準光学像の明像と暗像の境界部分における暗
像の開口幅と明像の開口幅が、前記抽出された開口幅ａ
k、ａk+1と等しい開口幅における基準光学像の深さを測
定対象溝の深さｄ0と判定する演算処理を行うことを特
徴とする測定装置である。
【００１４】図１に示すように、決められた開口幅
ａ1、ａ2、ａ3（ａ1＜ａ2＜ａ3）の溝１０を深さｄ1、
ｄ2、ｄ3（ｄ1＜ｄ2＜ｄ3）で基板１に形成し、基板１
に開口された溝１０に、平行光２を基板１に対して角度
θ（鋭角の方を用いる）で入射し、その反射光３を観察
すると、図１の溝断面図の下に描いた溝の光学観察像か
ら分るように、溝の深さｄ1では観察像はすべて明るく
なっているが、溝の深さｄ2では開口幅ａ1の観察像が暗
くなっており、溝の深さｄ3では開口幅ａ1及びａ2の観
察像が暗くなっている。観察像の明暗は溝の開口幅、深
さ、平行光の入射角度によって決定されるため、平行光
の入射角度を一定にする事で、溝の深さを測定すること
が可能となる。
ａ1、ａ2、ａ3（ａ1＜ａ2＜ａ3）の溝１０を深さｄ1、
ｄ2、ｄ3（ｄ1＜ｄ2＜ｄ3）で基板１に形成し、基板１
に開口された溝１０に、平行光２を基板１に対して角度
θ（鋭角の方を用いる）で入射し、その反射光３を観察
すると、図１の溝断面図の下に描いた溝の光学観察像か
ら分るように、溝の深さｄ1では観察像はすべて明るく
なっているが、溝の深さｄ2では開口幅ａ1の観察像が暗
くなっており、溝の深さｄ3では開口幅ａ1及びａ2の観
察像が暗くなっている。観察像の明暗は溝の開口幅、深
さ、平行光の入射角度によって決定されるため、平行光
の入射角度を一定にする事で、溝の深さを測定すること
が可能となる。
【００１５】図１に示す溝の開口幅ａiと溝深さｄh（ｉ
＝１、２、３、ｈ＝１、２、３）は、下記不等式に示す
関係にあり、深さｄ1のときの観察像は開口幅ａ1、
ａ2、ａ3の溝すべてが明るくなる。
＝１、２、３、ｈ＝１、２、３）は、下記不等式に示す
関係にあり、深さｄ1のときの観察像は開口幅ａ1、
ａ2、ａ3の溝すべてが明るくなる。
【００１６】ｄ1≦（ａ1／２）ｔａｎθ （ａ1／２）ｔａｎθ＜ｄ2≦（ａ2／２）ｔａｎθ （ａ2／２）ｔａｎθ＜ｄ3≦（ａ3／２）ｔａｎθ しかし、深さｄ2のときは開口幅ａ1が、深さｄ3のとき
は開口幅ａ1、ａ2がそれぞれ暗くなる。従って、開口幅
の異なる溝を同じ深さで同時に開口し、その光学像を観
察し、暗い像（暗像）と明るい像（明像）の境界部にあ
る溝の暗像の開口幅ａkとそれに隣接する明像の開口幅
ａk+1から、溝深さｄは下記の式で求めることができ
る。
は開口幅ａ1、ａ2がそれぞれ暗くなる。従って、開口幅
の異なる溝を同じ深さで同時に開口し、その光学像を観
察し、暗い像（暗像）と明るい像（明像）の境界部にあ
る溝の暗像の開口幅ａkとそれに隣接する明像の開口幅
ａk+1から、溝深さｄは下記の式で求めることができ
る。
【００１７】 （ａk／２）ｔａｎθ＜ｄ≦（ａk+1／２）ｔａｎθ （１） ここで、溝の開口幅をａ1、ａ2、ａ3、．．．．ａnとす
ることで、より広い範囲の溝深さを測定することが可能
となる。また、開口幅ａiの差Δａi（Δａi＝ａi +1−ａ
i）を小さくすることでより詳細な溝深さを測定するこ
とが可能となる。
ることで、より広い範囲の溝深さを測定することが可能
となる。また、開口幅ａiの差Δａi（Δａi＝ａi +1−ａ
i）を小さくすることでより詳細な溝深さを測定するこ
とが可能となる。
【００１８】溝の深さｄの許容値がｄ±α以下とする
と、 ｄ−α≦ｄ≦ｄ＋α （３） であれば、実質的に溝深さはｄと判定してもよい。従っ
て、（３）式と上記（１）式を比較すると、 ｄ＋α＝（ａk+1／２）ｔａｎθ （４） ｄ−α＝（ａk／２）ｔａｎθ （５） であれば実質的に溝深さはｄと判定してもよい。ここ
で、（４）式と（５）式から α＝（（ａk+1−ａk）／４）ｔａｎθ ｄ＝（（ａk+1＋ａk）／４）ｔａｎθ となるから、（（ａk+1−ａk）／４）ｔａｎθが深さｄ
の許容幅α以下になるように開口幅の差Δａi（Δａi＝
ａi+1−ａi）を定めると、上記（１）式で求まる深さに
（ａk／２）ｔａｎθ〜（ａk+1／２）ｔａｎθの不確定
性があっても実質的に溝の深さはｄと判定でき、規定値
にあると判定できる。また、上限をとって、ｄ＝（ａ
k+1／２）ｔａｎθ（ｄ＋αに相当する）としてもよ
い。
と、 ｄ−α≦ｄ≦ｄ＋α （３） であれば、実質的に溝深さはｄと判定してもよい。従っ
て、（３）式と上記（１）式を比較すると、 ｄ＋α＝（ａk+1／２）ｔａｎθ （４） ｄ−α＝（ａk／２）ｔａｎθ （５） であれば実質的に溝深さはｄと判定してもよい。ここ
で、（４）式と（５）式から α＝（（ａk+1−ａk）／４）ｔａｎθ ｄ＝（（ａk+1＋ａk）／４）ｔａｎθ となるから、（（ａk+1−ａk）／４）ｔａｎθが深さｄ
の許容幅α以下になるように開口幅の差Δａi（Δａi＝
ａi+1−ａi）を定めると、上記（１）式で求まる深さに
（ａk／２）ｔａｎθ〜（ａk+1／２）ｔａｎθの不確定
性があっても実質的に溝の深さはｄと判定でき、規定値
にあると判定できる。また、上限をとって、ｄ＝（ａ
k+1／２）ｔａｎθ（ｄ＋αに相当する）としてもよ
い。
【００１９】図１に示した開口幅ａjと溝深さｄhの異な
る溝の光学像（基準光学像と記す）を予め用意してお
き、深さｄの測定対象溝を基板に形成すると同時に、定
められた開口幅ａi（ａi＜ａi+1、ｉ＝１、２…ｎ）で
測定対象溝と同じ深さで形成した計測用の溝を観測した
光学像と基準光学像と比較し、計測用溝の暗像と明像の
境界部にある溝の暗像の開口幅ａkとそれに隣接する明
像の開口幅ａk+1と同じ暗像開口幅、明像開口幅の基準
光学像の深さが求める深さとなり（例えば、計測用溝の
光学像における暗像の開口幅がａ1、明像の開口幅がａ2
の時、基準光学像の図１から深さはｄ2となる）、上記
の方法のように計算する必要がなく、即座に深さを判定
することができる。なお、この場合、深さｄhは公知の
方法、例えば、光の干渉を利用した方法等、で予め測定
しておき、既知としておく必要がある。
る溝の光学像（基準光学像と記す）を予め用意してお
き、深さｄの測定対象溝を基板に形成すると同時に、定
められた開口幅ａi（ａi＜ａi+1、ｉ＝１、２…ｎ）で
測定対象溝と同じ深さで形成した計測用の溝を観測した
光学像と基準光学像と比較し、計測用溝の暗像と明像の
境界部にある溝の暗像の開口幅ａkとそれに隣接する明
像の開口幅ａk+1と同じ暗像開口幅、明像開口幅の基準
光学像の深さが求める深さとなり（例えば、計測用溝の
光学像における暗像の開口幅がａ1、明像の開口幅がａ2
の時、基準光学像の図１から深さはｄ2となる）、上記
の方法のように計算する必要がなく、即座に深さを判定
することができる。なお、この場合、深さｄhは公知の
方法、例えば、光の干渉を利用した方法等、で予め測定
しておき、既知としておく必要がある。
【００２０】
【発明の実施の形態】（第１の実施の形態）図面を参照
して本発明を説明する。ここで、図２（ａ）は溝の断面
図、図２（ｂ）は溝の観察像、図２は溝の光学像を観察
する測定系の構成図である。図３の測定系は、平行光を
出射する光源４（例えばレーザ光源）と顕微鏡光学系５
から成っている。
して本発明を説明する。ここで、図２（ａ）は溝の断面
図、図２（ｂ）は溝の観察像、図２は溝の光学像を観察
する測定系の構成図である。図３の測定系は、平行光を
出射する光源４（例えばレーザ光源）と顕微鏡光学系５
から成っている。
【００２１】半導体装置に使用される深さｄ0の溝（深
さ測定対象溝）を半導体基板１に形成すると同時に、図
２（ａ）に示すように、予め決められた開口幅ａ1〜ａ5
（ａ i＜ａi+1、Δａi＝ａi+1−ａi＝一定、ｉ＝１、２
…）の計測用溝１０1〜１０5を深さ測定対象溝に使用さ
れる溝と同じ深さｄ0で半導体基板１の素子形成領域
外、例えば、スクライブ線上のようにチップ化した際に
削り取られて消失してしまう領域やテストパターン形成
領域等、半導体装置の動作に影響しない領域に形成す
る。この溝１０1〜１０5を形成した半導体基板１に対し
て角度θ（鋭角の方をとる）で平行光２を入射し、図３
に示す測定系で溝の光学像を観察する。この時、溝の観
察像は、図２（ｂ）に示すように、或る開口幅を境に明
像と暗像に分かれる。この境界部分の暗像と明像の開口
幅（この実施の形態では開口幅ａ3、ａ4）から溝の深さ
ｄ0を求め、深さが規定値の許容範囲にあるか否かを判
定する。
さ測定対象溝）を半導体基板１に形成すると同時に、図
２（ａ）に示すように、予め決められた開口幅ａ1〜ａ5
（ａ i＜ａi+1、Δａi＝ａi+1−ａi＝一定、ｉ＝１、２
…）の計測用溝１０1〜１０5を深さ測定対象溝に使用さ
れる溝と同じ深さｄ0で半導体基板１の素子形成領域
外、例えば、スクライブ線上のようにチップ化した際に
削り取られて消失してしまう領域やテストパターン形成
領域等、半導体装置の動作に影響しない領域に形成す
る。この溝１０1〜１０5を形成した半導体基板１に対し
て角度θ（鋭角の方をとる）で平行光２を入射し、図３
に示す測定系で溝の光学像を観察する。この時、溝の観
察像は、図２（ｂ）に示すように、或る開口幅を境に明
像と暗像に分かれる。この境界部分の暗像と明像の開口
幅（この実施の形態では開口幅ａ3、ａ4）から溝の深さ
ｄ0を求め、深さが規定値の許容範囲にあるか否かを判
定する。
【００２２】溝の開口幅ａ、深さｄ、入射光２と基板表
面との成す角度θの関係が、 ｄ＞（ａ／２）ｔａｎθ となるときは反射光３は溝側面に遮られるため溝の観察
像は暗くなる。一方、 ｄ≦（ａ／２）ｔａｎθ となるときには反射光３は溝側面に遮られることがない
ため、溝の観察像は明るくなる。従って、図２の場合、
最も開口幅ａiの広い暗像の開口幅ａ3と、この暗像に隣
接した明像の開口幅ａ4から溝の深さｄ0は、 （ａ3／２）ｔａｎθ＜ｄ0≦（ａ4／２）ｔａｎθ となる。角度θと開口幅ａi（溝形成時に決める）は予
め分かっているから上式から溝の深さが求まる。ここ
で、角度θを４５度とすると、ｔａｎθ＝１となるので
計算が簡単になる。また、溝の深さは不等式で表され不
確定性が残るが、製品検査においては正確な深さを知る
必要はなく、深さが規定値の許容範囲にあるかどうかを
判定できればよいので、深さに不確定性があっても問題
はない。
面との成す角度θの関係が、 ｄ＞（ａ／２）ｔａｎθ となるときは反射光３は溝側面に遮られるため溝の観察
像は暗くなる。一方、 ｄ≦（ａ／２）ｔａｎθ となるときには反射光３は溝側面に遮られることがない
ため、溝の観察像は明るくなる。従って、図２の場合、
最も開口幅ａiの広い暗像の開口幅ａ3と、この暗像に隣
接した明像の開口幅ａ4から溝の深さｄ0は、 （ａ3／２）ｔａｎθ＜ｄ0≦（ａ4／２）ｔａｎθ となる。角度θと開口幅ａi（溝形成時に決める）は予
め分かっているから上式から溝の深さが求まる。ここ
で、角度θを４５度とすると、ｔａｎθ＝１となるので
計算が簡単になる。また、溝の深さは不等式で表され不
確定性が残るが、製品検査においては正確な深さを知る
必要はなく、深さが規定値の許容範囲にあるかどうかを
判定できればよいので、深さに不確定性があっても問題
はない。
【００２３】（第２の実施の形態）次に、発明の他の実
施の形態について説明する。
施の形態について説明する。
【００２４】図４に本発明の測定方法を実現する測定装
置の構成を示す。この測定装置は、光源４と、ＣＣＤカ
メラ３０と、モニタ３１と、演算装置３２から構成され
ている。
置の構成を示す。この測定装置は、光源４と、ＣＣＤカ
メラ３０と、モニタ３１と、演算装置３２から構成され
ている。
【００２５】光源４、例えばレーザ光源、から出射した
光は、レンズで平行光に変換されて、図２（ａ）に示す
ように、深さが同じで開口幅が異なる複数の溝１０
i（ｉ＝１，２，…，ｎ）が形成された半導体基板１に
対してθの角度で入射し、反射する。この反射光３をＣ
ＣＤカメラ３０で受光して画像信号に変換し、溝の画像
（図２（ｂ））としてモニタ３１に表示する。演算装置
３２、例えばパーソナルコンピュータ等、はＣＣＤカメ
ラ３０からの画像信号に基づいて溝の深さを算出・判定
し、その結果をプリンタ（図示省略）に出力、或いは、
モニタ３１に出力・表示する。
光は、レンズで平行光に変換されて、図２（ａ）に示す
ように、深さが同じで開口幅が異なる複数の溝１０
i（ｉ＝１，２，…，ｎ）が形成された半導体基板１に
対してθの角度で入射し、反射する。この反射光３をＣ
ＣＤカメラ３０で受光して画像信号に変換し、溝の画像
（図２（ｂ））としてモニタ３１に表示する。演算装置
３２、例えばパーソナルコンピュータ等、はＣＣＤカメ
ラ３０からの画像信号に基づいて溝の深さを算出・判定
し、その結果をプリンタ（図示省略）に出力、或いは、
モニタ３１に出力・表示する。
【００２６】演算装置３２は、図５に示すフローチャー
トに従って演算処理を行う。先ず、ＣＣＤカメラ３０か
らの画像信号から明像と暗像を判別し、最も開口幅の広
い暗像（開口幅ａi、図２（ｂ）の像の場合、開口幅は
ａ3となる）と、この暗像に隣接した明像（開口幅
ａi+1、図２（ｂ）の像の場合、開口幅はａ4となる）を
抽出する（ステップ１）。次に、抽出した暗像の開口幅
ａkと明像の開口幅ａk+1（予め入力されて記憶されてい
る）から下記の（１）式より深さｄ0を計算し（ステッ
プ２）、その深さが規定値の許容範囲内にあるか否かを
判定して、計算結果と判定結果を出力する（ステップ
３）。
トに従って演算処理を行う。先ず、ＣＣＤカメラ３０か
らの画像信号から明像と暗像を判別し、最も開口幅の広
い暗像（開口幅ａi、図２（ｂ）の像の場合、開口幅は
ａ3となる）と、この暗像に隣接した明像（開口幅
ａi+1、図２（ｂ）の像の場合、開口幅はａ4となる）を
抽出する（ステップ１）。次に、抽出した暗像の開口幅
ａkと明像の開口幅ａk+1（予め入力されて記憶されてい
る）から下記の（１）式より深さｄ0を計算し（ステッ
プ２）、その深さが規定値の許容範囲内にあるか否かを
判定して、計算結果と判定結果を出力する（ステップ
３）。
【００２７】 （ａk／２）ｔａｎθ＜ｄ0≦（ａk+1／２）ｔａｎθ （１） （第３の実施の形態）図６（ａ）に溝の断面図、図６
（ｂ）に溝の観察像を示す。
（ｂ）に溝の観察像を示す。
【００２８】先ず、図６（ａ）に示すように、深さｄh
と開口幅ａj（ｄh＜ｄh+1、ａj＜ａj +1、ｈ＝１、２…
Ｍ，ｊ＝１、２…Ｎ、Ｍ＝ＮまたはＭ≠Ｎ、この実施の
形態ではＭ＝５、Ｎ＝６とした）が既知の溝を多数形成
し、その観察像（図６（ｂ））を予め用意する。次に、
第１の実施の形態と同様に、半導体装置に使用される深
さｄ0の溝（深さ測定対象溝）を半導体基板１に形成す
ると同時に、図２（ａ）に示すように、開口幅がａ1〜
ａ5（ａi＜ａi+1，ｉ＝１、２…４）の計測用溝１０1〜
１０5を半導体装置に使用される溝と同じ深さｄ0で半導
体基板１の素子形成領域外、例えば、スクライブ線上の
ようにチップ化した際に削り取られて消失してしまう領
域やテストパターン形成領域等、半導体装置の動作に影
響しない領域に形成して、図３に示す測定系で溝の光学
像を観察し、図６（ｂ）の観察像と比較する。深さｄ0
の計測用溝の観察像が、例えば図２（ｂ）に示す像とす
ると、明像と暗像の境界部、則ち、明像と暗像が互いに
隣接する部分にある明像の開口幅がａ4、暗像の開口幅
がａ3である。これと同じく、明像の開口幅がａ4、暗像
の開口幅がａ3である図６（ｂ）における観察像は、溝
の深さがｄ3の場合である。従って、ｄ0＝ｄ3となり、
溝の深さｄ0はｄ3であると判定できる。
と開口幅ａj（ｄh＜ｄh+1、ａj＜ａj +1、ｈ＝１、２…
Ｍ，ｊ＝１、２…Ｎ、Ｍ＝ＮまたはＭ≠Ｎ、この実施の
形態ではＭ＝５、Ｎ＝６とした）が既知の溝を多数形成
し、その観察像（図６（ｂ））を予め用意する。次に、
第１の実施の形態と同様に、半導体装置に使用される深
さｄ0の溝（深さ測定対象溝）を半導体基板１に形成す
ると同時に、図２（ａ）に示すように、開口幅がａ1〜
ａ5（ａi＜ａi+1，ｉ＝１、２…４）の計測用溝１０1〜
１０5を半導体装置に使用される溝と同じ深さｄ0で半導
体基板１の素子形成領域外、例えば、スクライブ線上の
ようにチップ化した際に削り取られて消失してしまう領
域やテストパターン形成領域等、半導体装置の動作に影
響しない領域に形成して、図３に示す測定系で溝の光学
像を観察し、図６（ｂ）の観察像と比較する。深さｄ0
の計測用溝の観察像が、例えば図２（ｂ）に示す像とす
ると、明像と暗像の境界部、則ち、明像と暗像が互いに
隣接する部分にある明像の開口幅がａ4、暗像の開口幅
がａ3である。これと同じく、明像の開口幅がａ4、暗像
の開口幅がａ3である図６（ｂ）における観察像は、溝
の深さがｄ3の場合である。従って、ｄ0＝ｄ3となり、
溝の深さｄ0はｄ3であると判定できる。
【００２９】（第４の実施の形態）第３の実施の形態の
測定方法を実現する測定装置について説明する。この実
施の形態の測定装置は、光源４と、ＣＣＤカメラ３０
と、モニタ３１と、演算装置３２から構成されている点
は図４に示す第２の実施の形態と同じであるが、演算装
置の演算処理が第２の実施の形態と異なる。以下、図
２、図４、図６及び図７を参照して本実施の形態を説明
する。
測定方法を実現する測定装置について説明する。この実
施の形態の測定装置は、光源４と、ＣＣＤカメラ３０
と、モニタ３１と、演算装置３２から構成されている点
は図４に示す第２の実施の形態と同じであるが、演算装
置の演算処理が第２の実施の形態と異なる。以下、図
２、図４、図６及び図７を参照して本実施の形態を説明
する。
【００３０】光源４、例えばレーザ光源、から出射した
光は、レンズで平行光に変換されて、図２（ａ）に示す
ように、深さ（ｄ0）が同じで開口幅が異なる複数の溝
１０i（ｉ＝１，２，…，ｎ）が形成された半導体基板
１に対して角度θで入射し、反射する。この反射光３を
ＣＣＤカメラ３０で受光して画像信号に変換し、溝の画
像（図２（ｂ））としてモニタ３１に表示する。パーソ
ナルコンピュータ等の演算装置３２はＣＣＤカメラ３０
から画像信号を取り込んで、図７に示すフローチャート
に従って演算処理を行い、溝の深さを算出・判定し、そ
の結果をプリンタ（図示省略）に出力、或いは、モニタ
３１に出力・表示する。
光は、レンズで平行光に変換されて、図２（ａ）に示す
ように、深さ（ｄ0）が同じで開口幅が異なる複数の溝
１０i（ｉ＝１，２，…，ｎ）が形成された半導体基板
１に対して角度θで入射し、反射する。この反射光３を
ＣＣＤカメラ３０で受光して画像信号に変換し、溝の画
像（図２（ｂ））としてモニタ３１に表示する。パーソ
ナルコンピュータ等の演算装置３２はＣＣＤカメラ３０
から画像信号を取り込んで、図７に示すフローチャート
に従って演算処理を行い、溝の深さを算出・判定し、そ
の結果をプリンタ（図示省略）に出力、或いは、モニタ
３１に出力・表示する。
【００３１】演算装置３２は、図７に示すように、先
ず、図６（ｂ）に示す基準の観察像のパターンを予め記
憶しておく。則ち、各溝の深さｄh毎に明像と暗像の境
界部における暗像の開口幅ａjと明像の開口幅ａj+1（ｄ
h＜ｄh+1，ａj＜ａj+1，ｈ＝１、２…Ｍ、ｊ＝１、２…
Ｎ、Ｎ＝ｎまたはＮ≠ｎ）を予め記憶しておく。次に、
ＣＣＤカメラ３０から画像信号を取り込み、明像と暗像
を判別し、明像と暗像の境界部における暗像の開口幅ａ
kと明像の開口幅ａk+1（図２（ｂ）の像の場合、暗像の
開口幅はａ3、明像の開口幅はａ4となる）を抽出する
（ステップ１）。次に、抽出した暗像と明像の開口幅ａ
k、ａk+1と、予め記憶した図６（ｂ）の開口幅を比較
し、抽出した暗像と明像の開口幅ａk、ａk+1と同じ開口
幅を図６（ｂ）から探し、該当する開口幅ａk、ａk+1に
対応する深さ（この実施の形態ではｄ3となる）を被測
定溝の深さと判定し（ステップ２）、結果をプリンタ
（図示省略）に出力、或いは、モニタ３１に出力・表示
する（ステップ３）。
ず、図６（ｂ）に示す基準の観察像のパターンを予め記
憶しておく。則ち、各溝の深さｄh毎に明像と暗像の境
界部における暗像の開口幅ａjと明像の開口幅ａj+1（ｄ
h＜ｄh+1，ａj＜ａj+1，ｈ＝１、２…Ｍ、ｊ＝１、２…
Ｎ、Ｎ＝ｎまたはＮ≠ｎ）を予め記憶しておく。次に、
ＣＣＤカメラ３０から画像信号を取り込み、明像と暗像
を判別し、明像と暗像の境界部における暗像の開口幅ａ
kと明像の開口幅ａk+1（図２（ｂ）の像の場合、暗像の
開口幅はａ3、明像の開口幅はａ4となる）を抽出する
（ステップ１）。次に、抽出した暗像と明像の開口幅ａ
k、ａk+1と、予め記憶した図６（ｂ）の開口幅を比較
し、抽出した暗像と明像の開口幅ａk、ａk+1と同じ開口
幅を図６（ｂ）から探し、該当する開口幅ａk、ａk+1に
対応する深さ（この実施の形態ではｄ3となる）を被測
定溝の深さと判定し（ステップ２）、結果をプリンタ
（図示省略）に出力、或いは、モニタ３１に出力・表示
する（ステップ３）。
【００３２】尚、本実施の形態では、図６（ｂ）に示す
基準の観察像のパターンを予め記憶しておいたが、溝深
さを測定する都度基準の観察像のデータを入力するよう
に構成してもよい。この場合フローチャート（図７）の
最初に基準の観察像のデータを入力するステップを加え
ればよい。
基準の観察像のパターンを予め記憶しておいたが、溝深
さを測定する都度基準の観察像のデータを入力するよう
に構成してもよい。この場合フローチャート（図７）の
最初に基準の観察像のデータを入力するステップを加え
ればよい。
【００３３】上記第２、第４の実施の形態では、溝１０
iの開口幅ａiは予め記憶しておくものとしたが、溝深さ
を測定する度に入力するように構成してもよい。この場
合フローチャート（図５、図７）の最初に開口幅を入力
するステップを加えればよい。
iの開口幅ａiは予め記憶しておくものとしたが、溝深さ
を測定する度に入力するように構成してもよい。この場
合フローチャート（図５、図７）の最初に開口幅を入力
するステップを加えればよい。
【００３４】
【発明の効果】本発明は、開口幅の異なる溝を同じ深さ
で同時に開口し、その光学像を観察し、暗い像（暗像）
と明るい像（明像）の境界部にある溝の暗像とそれに隣
接する明像を見つけるだけで、溝深さｄが求まるので、
複雑な測定装置を必要とせず、簡単に短時間で溝深さの
合否が判定できる。
で同時に開口し、その光学像を観察し、暗い像（暗像）
と明るい像（明像）の境界部にある溝の暗像とそれに隣
接する明像を見つけるだけで、溝深さｄが求まるので、
複雑な測定装置を必要とせず、簡単に短時間で溝深さの
合否が判定できる。
【図１】 本発明の測定原理を示す溝断面図と溝光学
観察像を示す図。
観察像を示す図。
【図２】 溝深さ測定方法の第１の実施の形態を示す
測定用溝断面図（ａ）と溝の光学観察像を示す図
（ｂ）。
測定用溝断面図（ａ）と溝の光学観察像を示す図
（ｂ）。
【図３】 溝の光学像を観察する光学観測系の構成
図。
図。
【図４】 本発明の溝深さ測定装置の構成図。
【図５】 本発明の溝深さ測定装置の演算処理を示す
フローチャート。
フローチャート。
【図６】 第２の溝深さ測定方法を示す測定用溝断面
図（ａ）と溝の光学観察像を示す図（ｂ）。
図（ａ）と溝の光学観察像を示す図（ｂ）。
【図７】 第２の溝深さ測定装置の演算処理を示すフ
ローチャート。
ローチャート。
【図８】 従来の測定装置の構成図。
１ 半導体基板 ２ 平行光 ３ 反射光 ４ 光源 ５ 顕微鏡光学系 １０ 溝 １０1 溝 １０2 溝 １０3 溝 １０4 溝 １０5 溝 １１ レーザ光源 １２ レンズ １３ 光ファイバ １４ 送受光ヘッド １７ 試料 １８ 光電変換素子 １９ 電圧計 ２０ 光電変換素子用電源 ２１ スライダ ２２ アーム ３０ ＣＣＤカメラ ３１ モニタ ３２ 演算装置 １１１ レーザ光 １１２ 平行光線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2F065 AA25 BB01 CC17 DD06 FF44 GG04 HH03 JJ03 JJ08 KK01 LL04 LL46 MM13 MM28 PP22 QQ25 RR05 TT02 4M106 AA01 AB20 BA04 CA48 DH03 DH12 DH32 DH38 DJ18 DJ20 DJ24
Claims (6)
- 【請求項１】 深さｄ0の測定対象溝を基板に形成する
と同時に、互いに異なり、定められた開口幅ａi（ａi＜
ａi+1、ｉ＝１、２…ｎ）の溝を測定対象溝と同じ深さ
ｄ0で基板に複数形成する工程と、前記複数の溝を形成
した基板に対して角度θで平行光を入射して得られる、
或る開口幅を境に明像と暗像に分かれた前記溝の光学観
察像から、明像と暗像の境界部分における暗像の開口幅
ａkと明像の開口幅ａk+1（１≦ｋ≦ｎ）を抽出する工程
と、前記抽出された開口幅ａk、ａk+1を用いて下記
（１）式により前記測定対象溝の深さｄ0を求める工程
とを有することを特徴とする溝の深さ測定方法。 （ａk／２）ｔａｎθ＜ｄ0≦（ａk+1／２）ｔａｎθ （１） - 【請求項２】 基板と入射光の成す角度θが４５度であ
る請求項１記載の溝の深さ測定方法。 - 【請求項３】 （（ａi+1−ａi）／４）ｔａｎθが測定
対象溝深さ規定値の許容幅以下である請求項１記載の溝
の深さ測定方法。 - 【請求項４】 深さｄhと開口幅ａj（ｄh＜ｄh+1、ａj
＜ａj+1、ｈ＝１、２…Ｍ、ｊ＝１、２…Ｎ、Ｍ≠Ｎ又
はＭ＝Ｎ）が既知の複数の溝の基準光学観察像を予め用
意する工程と、深さｄ0の測定対象溝を基板に形成する
と同時に、互いに異なり、定められた開口幅ａi（ａi＜
ａi+1，ｉ＝１、２…ｎ、ｎ≠Ｎ又はｎ＝Ｎ）の溝を測
定対象溝と同じ深さｄ0で基板に複数形成する工程と、
前記複数の溝を形成した基板に対して、前記基準光学観
察像形成時と同じ角度θで平行光を入射して得られる、
或る開口幅を境に明像と暗像に分かれた前記複数の溝の
光学観察像から、明像と暗像の境界部分における暗像の
開口幅ａkと明像の開口幅ａk+1（１≦ｋ≦ｎ）を抽出す
る工程と、前記抽出された開口幅ａk、ａk+1を前記基準
光学観察像と比較し、前記基準光学観察像の明像と暗像
の境界部分における暗像の開口幅と明像の開口幅が、前
記抽出された開口幅ａk、ａk+1と等しい開口幅における
基準光学観察像の深さを測定対象溝の深さｄ0と判定す
る工程とを有することを特徴とする溝の深さ測定方法。 - 【請求項５】 互いに異なり、定められた開口幅ａ
i（ａi＜ａi+1，ｉ＝１、２、…、ｎ）の複数の溝が測
定対象溝と同じ深さｄ0で形成された基板に角度θで平
行光を照射する光源と、基板からの反射光を受光して画
像信号に変換するＣＣＤカメラと、前記ＣＣＤカメラか
らの画像信号を画像に変換して表示するモニタと、前記
ＣＣＤカメラからの画像信号に基づいて溝の深さを算出
・判定し、その結果を出力する演算装置とを備え、前記
演算装置が、ＣＣＤカメラからの画像信号から明像と暗
像を判別し、最も開口幅の広い暗像と、この暗像に隣接
した明像を抽出し、抽出した暗像の開口幅ａkと明像の
開口幅ａk+1から下記（１）式より溝の深さｄ0を計算す
る演算処理を行うことを特徴とする溝の深さ測定装置。 （ａk／２）ｔａｎθ＜ｄ0≦（ａk+1／２）ｔａｎθ （１） - 【請求項６】 互いに異なり、定められた開口幅ａ
i（ａi＜ａi+1，ｉ＝１、２、…、ｎ）の複数の溝が測
定対象溝と同じ深さｄ0で形成された基板に角度θで平
行光を照射する光源と、基板からの反射光を受光して画
像信号に変換するＣＣＤカメラと、前記ＣＣＤカメラか
らの画像信号を画像に変換して表示するモニタと、前記
ＣＣＤカメラからの画像信号に基づいて溝の深さを算出
・判定し、その結果を出力する演算装置とを備え、前記
演算装置が、ＣＣＤカメラからの画像信号から明像と暗
像を判別し、最も開口幅の広い暗像と、この暗像に隣接
した明像を抽出し、抽出した暗像の開口幅ａkと明像の
開口幅ａk+1を、予め記憶した、深さｄhと開口幅ａ
j（ｄh＜ｄh+1、ａj＜ａj+1、ｈ＝１、２…Ｍ、ｊ＝
１、２…Ｎ、Ｍ≠Ｎ又はＭ＝Ｎ、Ｎ≠ｎ又はＮ＝ｎ）の
複数の溝の基準の溝光学像と比較し、前記基準光学像の
明像と暗像の境界部分における暗像の開口幅と明像の開
口幅が、前記抽出された開口幅ａk、ａk+1と等しい開口
幅における基準光学像の深さを測定対象溝の深さｄ0と
判定する演算処理を行うことを特徴とする溝の深さ測定
装置。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000011298A JP2001201323A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 溝の深さ測定方法及び測定装置 |
| US09/766,002 US6646751B2 (en) | 2000-01-20 | 2001-01-19 | Apparatus and method for measuring trench depth |
| GB0101595A GB2363195A (en) | 2000-01-20 | 2001-01-22 | Apparatus and method for measuring trench depth |
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|---|---|---|---|
| JP2000011298A JP2001201323A (ja) | 2000-01-20 | 2000-01-20 | 溝の深さ測定方法及び測定装置 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|---|---|
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|---|---|
| US (1) | US6646751B2 (ja) |
| JP (1) | JP2001201323A (ja) |
| GB (1) | GB2363195A (ja) |
Cited By (2)
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