JP2006241353A - エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 - Google Patents

エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2006241353A
JP2006241353A JP2005060590A JP2005060590A JP2006241353A JP 2006241353 A JP2006241353 A JP 2006241353A JP 2005060590 A JP2005060590 A JP 2005060590A JP 2005060590 A JP2005060590 A JP 2005060590A JP 2006241353 A JP2006241353 A JP 2006241353A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
epoxy resin
titanium dioxide
mass
epoxy
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2005060590A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4818620B2 (ja
Inventor
Kanehisa Kondo
兼央 近藤
Hitoshi Yokouchi
比斗志 横内
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Chemical Corp
Original Assignee
Kyocera Chemical Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Kyocera Chemical Corp filed Critical Kyocera Chemical Corp
Priority to JP2005060590A priority Critical patent/JP4818620B2/ja
Publication of JP2006241353A publication Critical patent/JP2006241353A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4818620B2 publication Critical patent/JP4818620B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【目的】硬化後の樹脂硬化物が高温下に置かれても、長期保管によっても黄変することのきわめて少なく、光反射性が優れて高白色性を保持できるエポキシ樹脂組成物及びこれにより封止された光半導体装置を提供する。
【構成】(A)ガードナー法による色相が4以下であるエポキシ樹脂と、(B)パラ位アルキル変性フェノール樹脂と、(C)イミダゾール系硬化促進剤と、(D)二酸化チタンと、(E)二酸化チタン以外の無機充填材と、を必須の構成成分として含有するエポキシ樹脂組成物及びこの樹脂組成物により封止された光半導体装置。
【選択図】なし

Description

本発明は、半導体素子等の電子部品を封止するために用いることができる封止用の樹脂組成物及びその樹脂組成物により封止された電子部品装置に関し、特に、その硬化物が黄色変色(黄変)せずに高白色を保持できる信頼性の高いエポキシ樹脂組成物及び電子部品装置に関するものである。
光半導体素子には、LEDランプ(発光ダイオード)、フォトトランジスタ、フォトダイオード、フォトカプラー、CCD(電荷結合素子)、EPROM(イレーザブルプログラマブルリードオンリーメモリー)、フォトセンサーとして知られる受光素子や発光素子等が知られている。
例えば、LEDランプ(発光ダイオード)は高輝度化が進み、屋外表示用パネルに広く使用され、また信号機等にも用いられるようになってきており、青色のLEDも実用化されたため、表示装置として用いることが可能となり用途が拡大している。
このような光半導体素子は、近年の電子機器セットの小型化により、例えば、SMD LEDランプのように表面実装型の光半導体デバイスとして提供され、SMD LEDの筐体には可視光領域に渡り高い反射率を有する白色の樹脂硬化物が用いられている(例えば、特許文献1参照。)。
特開2002−145993号公報
ところで、青色の光半導体素子は、発光する際に他の発光素子に比べかなり高い温度上昇を伴うものであり、このため、光半導体素子の封止に用いた樹脂封止材が高温条件下で黄色変色(黄変)を起こしやすいという問題があった。また、光半導体装置を長期間保管することにより樹脂封止材が黄変することも問題となっている。
上記の事情にあって、硬化後の樹脂硬化物が高温下に置かれても、長期保管によっても黄変することのきわめて少なく、光反射性が優れて高白色性を保持できる樹脂硬化物を与え得る速硬化性のエポキシ樹脂組成物の開発が要望されている。
本発明は、このような要望に合致した光半導体素子の封止に好適に利用できる新規なエポキシ樹脂組成物及びこれにより封止された光半導体装置を提供することを目的とする。
本発明者らは上記の目的を達成しようと鋭意研究を進めた結果、エポキシ樹脂に対して配合される硬化剤と硬化促進剤との組合せにおいて、硬化剤として所定のフェノール樹脂、硬化促進剤としてイミダゾール系硬化促進剤を選択し、これらをエポキシ樹脂に対して配合すると、その樹脂硬化物が高温下に置かれても黄変せず、高白色で高い光反射性を保持できるエポキシ樹脂組成物が得られることを見出し、本発明を完成したものである。
すなわち、本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)ガードナー法による色相が4以下であるエポキシ樹脂と、(B)次の一般式(I)で表されるパラ位アルキル変性フェノール樹脂
Figure 2006241353
(ただし、式中、Rは炭素数1〜9のアルキレン基から選択される基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、そのα位の炭素原子が水素原子を持たないものである。nは0〜10の整数である。)と、(C)イミダゾール系硬化促進剤と、(D)二酸化チタンと、(E)二酸化チタン以外の無機充填材と、を必須の構成成分として含有することを特徴とするものである。
また、本発明の電子部品装置は、本発明のエポキシ樹脂組成物を加熱硬化させて得られる樹脂硬化物により、封止されてなることを特徴とするものである。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、速硬化性を有し、その硬化物は高温下におかれても黄変を実質的に示さない高い光反射性を保持することができる。したがって、反射性を要求される光半導体素子の封止用樹脂として好適なものである。
また、本発明の電子部品装置は、本発明の硬化性エポキシ樹脂組成物で封止されたものであるため、黄変を実質的に示さない高い反射性を長期間保持することができるものであり、製品寿命を長期化できるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。まず、本発明のエポキシ樹脂組成物について、配合成分を中心に説明する。
本発明に用いる(A)エポキシ樹脂は、ガードナー法による色相が4以下であれば、特に限定されるものではなく、グリシジルエーテル型、グリシジルアミン型、グリシジルエステル型、環状脂肪族型のエポキシ樹脂が挙げられ、特に、ガードナー法による色相が2以下のものであることが好ましい。
この(A)エポキシ樹脂としては、例えば、エポキシ当量が2000以下のビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、N,N−ジグリシジル−o−トルイジン、N,N−ジグリシジルアニリン、フェニルグリシジルエーテル、レゾルシノールジグリシジルエーテル、1,6−ヘキサンジオールジグリシジルエーテル、トリメチロールプロパントリグリシジルエーテル、ポリプロピレングリコールジグリシジルエーテル、ヘキサヒドロ無水フタル酸ジグリシジルエステル、水添ビスフェノールA型ジグリシジルエーテル、テトラブロモビスフェノールA型エポキシ樹脂、臭素化クレジルグリシジルエーテル、ε−カプロラクトン変性のビスフェノールA型エポキシ樹脂等のエポキシ樹脂を挙げることができる。またノボラック型のエポキシ樹脂としてはフェノール類、クレゾール類、エチルフェノール類、ブチルフェノール類、オクチルフェノール類、ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、ナフトール類等の各種フェノールを原料とするノボラック樹脂、キシリレン骨格含有フェノールノボラック樹脂、フルオレン骨格含有フェノールノボラック樹脂等の各種ノボラック樹脂のグリシジルエーテル化物等の一般に製造、販売されているエポキシ樹脂を挙げることができ、エポキシ当量が250以下のものであることが好ましい。これらのエポキシ樹脂は、単独又は2種以上を併せて用いることができる。
本発明に用いる(B)パラ位アルキル変性フェノール樹脂は、成形後の加熱による変色(黄変)を抑えるために、次の一般式(I)
Figure 2006241353
(ただし、式中、Rは炭素数1〜9のアルキレン基から選択される基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、そのα位の炭素原子が水素原子を持たないものである。nは0〜10の整数である。)で表されるフェノール樹脂である。
この(B)パラ位アルキル変性フェノール樹脂のパラ位に置換したRは直鎖状、分枝鎖状、環状のいずれのアルキレン基でもよく、また、その炭素数は2〜8であることが好ましい。このアルキレン基のα位の炭素原子は水素原子を持っておらず、メチル基、エチル基等のアルキル基、フェニル基等で置換されたものである。このような化合物としては、
Figure 2006241353
(ただし、式中nは0〜10の整数である。)等を挙げることができる。
この(B)成分のフェノール樹脂としては、パラ位アルキル変性フェノール樹脂の他に、必要に応じて他のフェノール樹脂を併用することもでき、併用するフェノール樹脂としては、前記(A)エポキシ樹脂のエポキシ基と反応し得るフェノール水酸基を分子中に2個以上有し、ガードナー法による色相が4以下であれば、特に限定されずに用いることができる。
このようなフェノール樹脂としては、例えば、
Figure 2006241353
(ただし、式中mは0以上の整数である。)等が挙げられ、これらは単独または2種以上混合して使用することができる。
本発明で用いるフェノール樹脂の配合割合は、前述したエポキシ樹脂のエポキシ基(a)とフェノール樹脂のフェノール性水酸基(b)との比[(a)/(b)]が0.05〜0.7の範囲内であることが好ましく、0.05〜0.5であることが特に好ましい。この比が0.05未満では成形作業性および硬化物の電気特性が悪くなり、また、0.7を超えると樹脂硬化物の黄変が起きるので、いずれの場合も好ましくない。
本発明に用いる(C)イミダゾール系硬化促進剤は、エポキシ樹脂−フェノール樹脂の硬化系において用いられる一般的なイミダゾール系硬化促進剤、例えば、2−メチルイミダゾール、2−ウンデシルイミダゾール、2−ヘプタデシルイミダゾール、1,2−ジメチルイミダゾール、2−エチル−4−メチルイミダゾール、2−フェニルイミダゾール、2−フェニル−4−メチルイミダゾール、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾール、1−ベンジル−2−メチルイミダゾール、2,4−ジアミノ−6−[2´−ウンデシルイミダゾリル−(1´)]−エチル−S−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2´−メチルイミダゾリル−(1´)]−エチル−s−トリアジン、2、4−ジアミノ−6−[2´−エチル−4−メチルイミダゾリル−(1´)]−エチル−s−トリアジン、2,4−ジアミノ−6−[2´−イミダゾリル−(1´)]−s−トリアジンイソシアヌル酸付加物、2−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、2−フェニル−4,5−ジヒドロキシメチルイミダゾール等を挙げることができ、これらは単独又は2種以上を混合して用いることができる。中でも2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールを用いることが好ましい。
本発明に用いる(D)二酸化チタンは、白色顔料として用いることができるものであれば特に限定されず、ルチル型、アナターゼ型のいずれも用いることができるが、ルチル型であることが好ましい。
また、この二酸化チタンとしては、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム、チタニア有機物、アルミナ及びシリカから選ばれる少なくとも1種の化合物で表面処理されていることが好ましく、中でもアルミナ及び/又はシリカで表面処理されたものであることがより好ましい。
この二酸化チタンは、最大粒径が5μm以下であって、平均粒径が0.2〜1μmのものであることが好ましい。
本発明に用いる(E)酸化チタン以外の無機充填材としては、シリカ粉末、アルミナ粉末、窒化ケイ素粉末、窒化アルミ粉末、ガラス繊維、ウイスカー等を挙げることができ、シリカ粉末であることが好ましい。
これらの配合成分は、(A)エポキシ樹脂は樹脂組成物中に5〜20質量%、好ましくは5〜15質量%、(B)パラ位アルキル変性フェノール樹脂は樹脂組成物中に0.1〜30質量%、好ましくは0.5〜10質量%(ここで、(B)パラ位アルキル変性フェノール樹脂は、(A)エポキシ樹脂 1化学当量に対して0.05〜0.5当量の割合で配合される。)、(C)イミダゾール系硬化促進剤は樹脂組成物中に0.1〜10質量%、好ましくは0.2〜5質量%、(D)二酸化チタンは樹脂組成物中に10〜50質量%、好ましくは10〜40質量%、(E)二酸化チタン以外の無機充填材は樹脂組成物中に20〜80質量%、好ましくは30〜80質量%の範囲の割合で配合されることが好ましい。
このとき、(D)二酸化チタンと(E)二酸化チタン以外の無機充填剤との合計した全無機充填材の配合割合は、樹脂組成物中に40〜90質量%の割合で含有することが好ましい。その配合割合が40質量%未満では耐熱性、信頼性が悪くなり、90質量%を超えるとカサバリが大きくなり成形性に劣り実用に適さない。
さらに、全無機充填剤における(D)二酸化チタンの割合は、樹脂組成物の硬化物が十分に実用的な白色度を有するために10〜50質量%であることが好ましい。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、(A)〜(E)の各成分を必須のものとするが、本発明の目的に反しない限度において、また必要に応じて、他の成分を配合することもできる。
配合することができる他の成分としては、難燃剤、難燃助剤、離型剤、低応力化剤、着色剤、無機充填剤の処理剤、硬化促進剤等が挙げられ、難燃剤としては、例えば、臭素化エポキシに代表される臭素系難燃剤、縮合リン酸エステルに代表されるリン系難燃剤、無機系難燃剤等が挙げられ、離型剤としては、天然ワックス類、合成ワックス類、エステル類等が挙げられ、低応力化剤としてはエラストマー等が挙げられ、無機充填剤の処理剤としてはシランカップリング剤等が挙げられる。
さらに、酸化防止剤、紫外線吸収剤を添加配合することもでき、これらは、フェノール樹脂等へ予備添加することにより配合することも有効である。この酸化防止剤としては、2,6−ジブチル−p−クレゾール等のフェノール系酸化防止剤、N,N´−ジフェニル−p−フェニレンジアミン等のアミン系酸化防止剤等が挙げられる。また、紫外線吸収剤としては、2−ヒドロキシ−4−メトキシベンゾフェノン等のベンゾフェノン系紫外線吸収剤等が挙げられる。
これらの追加成分は、得られる樹脂硬化物の反射率に実質的に影響を与えない範囲の割合量で配合される。
本発明の樹脂組成物を成形材料として調整する場合の一般的な方法は、前述した各成分を配合し、ミキサー等によって充分均一に混合した後、さらに熱ロールによる溶融混合処理またはニーダ等による混合処理を行い、次いで冷却固化させ適当な大きさに粉砕して成形材料とする方法が挙げられる。このようにして得られた成形材料は、半導体装置をはじめとする電子部品の筐体として、又は電子部品の封止、被覆、絶縁等に適用すれば優れた特性と信頼性を付与することが出来る。
得られたエポキシ樹脂成形材料を、成形型内に入れて、例えば、150〜180℃の温度に加熱すると、硬化剤および硬化促進剤の作用により速やかに、例えば、0.5分間〜5分間で硬化して、これによりエポキシ樹脂硬化物である成形品を製造することができる。
また、本発明のエポキシ樹脂組成物を用いた電子部品装置は、上述の成形材料を用いて電子部品を成形、封止することにより容易に製造することができる。成形、封止の最も一般的な方法としては低圧トランスファー成形法があるが、射出成形、圧縮成形、注形等による成形、封止も可能である。樹脂組成物を成形、封止の際に加熱して硬化させ、最終時にはこの硬化物によって成形、封止された電子部品装置が得られる。
加熱による硬化は150℃以上に加熱して硬化させることが望ましく、電子部品としては、集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、コンデンサ、光半導体等の半導体素子が挙げられるが、特に光半導体素子であることが好ましい。また、電子部品としては、これらに限定されるものではなく、その他の電子部品も用いることもできる。
次に本発明を実施例によって説明するが、本発明はこれらの実施例によって限定されるものではない。
(実施例1)
エポキシ樹脂A(日本化薬株式会社製、商品名:N−670 EXPS;色相2.0、エポキシ当量 205) 16.9質量%、臭素化エポキシ樹脂(DIC製、商品名:エピクロン−153;エポキシ当量 400) 2.0質量%、フェノール樹脂A(明和化成株式会社製、商品名:MEP−6309;色相1.0、水酸基当量 120) 1.1質量%、硬化促進剤A(四国化成株式会社製、商品名:2P4MHZ) 0.5質量%、二酸化チタンA(石原産業株式会社製、商品名:CR−58) 30質量%、三酸化アンチモン(三国精錬株式会社製、商品名:MSE) 2質量%、溶融シリカ粉末(電気化学工業株式会社製、商品名:FB−60) 46.5質量%、カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、商品名:A−187) 0.6質量%、カルナバワックス 0.4質量%を配合し、室温で混合してエポキシ樹脂組成物とした後、さらに90〜95℃で混練、冷却した後、粉砕して成形材料とした。
こうして得られた成形材料を175℃に加熱した金型内にトランスファー注入し、硬化させて成形品(封止品)を製造した。この成形品について反射率等の試験を行い、その結果を表1に示した。
(実施例2〜10、比較例1〜5)
表1、表2の配合割合にしたがって、実施例1と同様の操作を行い、それぞれエポキシ樹脂組成物を製造し、得られた成形材料を用いて成形品を製造した。得られた成形品について反射率等の試験を行い、その結果を表1及び表2に示した。
Figure 2006241353
Figure 2006241353
なお、このとき用いた配合材料及び試験方法は、次の通りのものである。
[配合材料]
エポキシ樹脂A(日本化薬株式会社製、商品名:N−670 EXPS;色相2.0、エポキシ当量 205)
エポキシ樹脂B(日本化薬株式会社製、商品名:NC−6000;色相1.0、エポキシ当量 210)
エポキシ樹脂C(日本化薬株式会社製、商品名:EPPN−502H;色相6.0、エポキシ当量 167)
臭素化エポキシ樹脂(DIC製、商品名:エピクロン−153;エポキシ当量 400)
フェノール樹脂A(明和化成株式会社製、商品名:MEP−6309;色相1.0、水酸基当量 120)
フェノール樹脂B(明和化成株式会社製、商品名:MEH−1085;色相1.0、水酸基当量 106)
硬化促進剤A(四国化成株式会社製、商品名:2P4MHZ)
硬化促進剤B(四国化成株式会社製、商品名:2MZ−P)
硬化促進剤C(北興化学株式会社製、商品名:TPP)
二酸化チタンA(石原産業株式会社製、商品名:CR−58)
二酸化チタンB(チタン産業株式会社製、商品名:KA−80)
二酸化チタンC(ケーシー工業株式会社製、商品名:KA−100)
三酸化アンチモン(三国精錬株式会社製、商品名:MSE)
溶融シリカ粉末(電気化学工業株式会社製、商品名:FB−60)
カップリング剤(日本ユニカー株式会社製、商品名:A−187)
[試験方法]
スパイラルフロー:EMMI−1−66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用いて、金型温度175℃、注入圧力6.9MPa、硬化時間120秒で測定した。
ゲルタイム:混合物を0.5g取って、150℃のヒートプレートの凹み穴に置き、ゲル化に必要とする時間を測定した。
ガラス転移温度:エポキシ樹脂組成物を175℃×120秒で成形し、その後、175℃×8時間の加熱処理を行った成形品を3mm×3mm×17mmの大きさに成形したものをサンプルとした。このサンプルをTMA/SS150(セイコー電子工業株式会社製、商品名)にセットし、昇温5℃/min、荷重10gの条件で測定した。
高温曲げ強度、高温曲げ弾性率:エポキシ樹脂組成物を175℃×120秒で成形し、その後、175℃×8時間の加熱処理を行った成形品を長さ80mm以上、幅10mm、厚さ4mmの大きさに成形したものをサンプルとした。空気を媒体として所定の温度に保たれ、かつ槽内で試験を行える恒温槽を有したオートグラフAG−D1000(株式会社島津製作所製、商品名)の装置を用い、175℃雰囲気下にてサンプルの強度及び弾性率を測定した。
反射率:エポキシ樹脂組成物を170℃×90秒で硬化した後、15×30×0.5mmの帯状に形成し、反射率測定サンプルを作製した。このサンプルを日立製作所製分光光度計U−4001にセットして、450nmの光反射率を測定した(処理前反射率)。次いで、150℃×24時間の加熱処理を行った後の反射率を同様に測定した(処理後反射率)。

Claims (5)

  1. (A)ガードナー法による色相が4以下であるエポキシ樹脂と、
    (B)次の一般式(I)で表されるパラ位アルキル変性フェノール樹脂
    Figure 2006241353
    (ただし、式中、Rは炭素数1〜9のアルキレン基から選択される基であり、互いに同一であっても異なっていてもよく、そのα位の炭素原子が水素原子を持たないものである。nは0〜10の整数である。)と、
    (C)イミダゾール系硬化促進剤と、
    (D)二酸化チタンと、
    (E)二酸化チタン以外の無機充填材と、
    を必須の構成成分として含有することを特徴とするエポキシ樹脂組成物。
  2. 前記(C)イミダゾール系硬化促進剤が、2−フェニル−4−メチル−5−ヒドロキシメチルイミダゾールであることを特徴とする請求項1記載のエポキシ樹脂組成物。
  3. 前記(D)二酸化チタンが、アルミナ及び/又はシリカで表面処理されていることを特徴とする請求項1又は2記載のエポキシ樹脂組成物。
  4. 前記(A)エポキシ樹脂は樹脂組成物中に5〜20質量%、前記(B)フェノール樹脂は樹脂組成物中に0.1〜30質量%〔ここで、(B)フェノール樹脂は、(A)エポキシ樹脂 1化学当量に対して0.05〜0.5当量の割合で配合される。〕、前記(C)イミダゾール系硬化促進剤は樹脂組成物中に0.1〜10質量%、前記(D)二酸化チタンは樹脂組成物中に10〜50質量%、前記(E)二酸化チタン以外の無機充填材は樹脂組成物中に20〜80質量%の範囲の割合で配合されることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項記載のエポキシ樹脂組成物。
  5. 請求項1乃至4のいずれか1項記載のエポキシ樹脂組成物を加熱硬化して得られる樹脂硬化物により、電子部品が封止されてなることを特徴とする電子部品装置。
JP2005060590A 2005-03-04 2005-03-04 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置 Expired - Fee Related JP4818620B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005060590A JP4818620B2 (ja) 2005-03-04 2005-03-04 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005060590A JP4818620B2 (ja) 2005-03-04 2005-03-04 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2006241353A true JP2006241353A (ja) 2006-09-14
JP4818620B2 JP4818620B2 (ja) 2011-11-16

Family

ID=37048072

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2005060590A Expired - Fee Related JP4818620B2 (ja) 2005-03-04 2005-03-04 エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP4818620B2 (ja)

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007131677A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd エポキシ樹脂接着組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤
JP2007297601A (ja) * 2006-04-06 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP2008050573A (ja) * 2006-07-25 2008-03-06 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
US20080187762A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Masaki Hayashi Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part
CN102911478A (zh) * 2011-08-02 2013-02-06 日东电工株式会社 环氧树脂组合物、光学半导体装置用引线框和光学半导体装置用衬底、及光学半导体装置
JP2013077795A (ja) * 2011-09-16 2013-04-25 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置
WO2013145607A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 住友ベークライト株式会社 光反射用樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板および光半導体装置
JP2016088995A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 日立化成株式会社 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置
US9387608B2 (en) 2006-11-15 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07224145A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Matsushita Electric Works Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH11269253A (ja) * 1998-03-20 1999-10-05 Matsushita Electric Works Ltd 光半導体用エポキシ樹脂組成物および光半導体装置
JP2000351888A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Nippon Kayaku Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2002145993A (ja) * 2000-11-09 2002-05-22 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
JP2002265756A (ja) * 2001-03-12 2002-09-18 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2003253091A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Kyocera Chemical Corp 外装用封止樹脂組成物および電子部品装置
JP2004303875A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止樹脂組成物及びその設計方法、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2005023230A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Kyocera Chemical Corp 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07224145A (ja) * 1994-02-14 1995-08-22 Matsushita Electric Works Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JPH11269253A (ja) * 1998-03-20 1999-10-05 Matsushita Electric Works Ltd 光半導体用エポキシ樹脂組成物および光半導体装置
JP2000351888A (ja) * 1999-06-14 2000-12-19 Nippon Kayaku Co Ltd 光半導体封止用エポキシ樹脂組成物
JP2002145993A (ja) * 2000-11-09 2002-05-22 Toshiba Chem Corp 封止用樹脂組成物および電子部品封止装置
JP2002265756A (ja) * 2001-03-12 2002-09-18 Toshiba Chem Corp エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2003253091A (ja) * 2002-02-28 2003-09-10 Kyocera Chemical Corp 外装用封止樹脂組成物および電子部品装置
JP2004303875A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Sumitomo Bakelite Co Ltd 液状封止樹脂組成物及びその設計方法、並びに半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP2005023230A (ja) * 2003-07-03 2005-01-27 Kyocera Chemical Corp 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007131677A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Sumitomo Metal Mining Co Ltd エポキシ樹脂接着組成物及びそれを用いた光半導体用接着剤
JP2007297601A (ja) * 2006-04-06 2007-11-15 Hitachi Chem Co Ltd 光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
JP2008050573A (ja) * 2006-07-25 2008-03-06 Hitachi Chem Co Ltd 熱硬化性光反射用樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板とその製造方法および光半導体装置
US10381533B2 (en) 2006-11-15 2019-08-13 Hitachi Chemical Company, Ltd. Optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using thermosetting resin composition for light reflection
US9387608B2 (en) 2006-11-15 2016-07-12 Hitachi Chemical Company, Ltd. Thermosetting resin composition for light reflection, method for manufacturing the resin composition and optical semiconductor element mounting substrate and optical semiconductor device using the resin composition
US8900710B2 (en) * 2007-02-06 2014-12-02 Nichia Corporation Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part
US20130249127A1 (en) * 2007-02-06 2013-09-26 Nichia Corporation Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part
US9808970B2 (en) 2007-02-06 2017-11-07 Nichia Corporation Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part
US20080187762A1 (en) * 2007-02-06 2008-08-07 Masaki Hayashi Light-emitting device, method for manufacturing same, and molded part
JP2013032442A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Nitto Denko Corp 光半導体装置用エポキシ樹脂組成物およびそれを用いて得られる光半導体装置用リードフレームまたは光半導体装置用基板、ならびに光半導体装置
CN102911478A (zh) * 2011-08-02 2013-02-06 日东电工株式会社 环氧树脂组合物、光学半导体装置用引线框和光学半导体装置用衬底、及光学半导体装置
JP2013077795A (ja) * 2011-09-16 2013-04-25 Sekisui Chem Co Ltd 光半導体装置
WO2013145607A1 (ja) * 2012-03-27 2013-10-03 住友ベークライト株式会社 光反射用樹脂組成物、光半導体素子搭載用基板および光半導体装置
CN104204024A (zh) * 2012-03-27 2014-12-10 住友电木株式会社 光反射用树脂组合物、光半导体元件搭载用基板和光半导体装置
JP2016088995A (ja) * 2014-10-31 2016-05-23 日立化成株式会社 光半導体封止用樹脂組成物及び光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4818620B2 (ja) 2011-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4818620B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
TWI494342B (zh) 光半導體密封用環氧組成物及其製造方法,以及硬化物
JP6099584B2 (ja) 白色熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び光半導体装置
JP2014095063A (ja) 封止用エポキシ樹脂無機複合シート
JP2018039956A (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2016180071A (ja) Ledリフレクター用白色熱硬化性エポキシ樹脂組成物
TWI671325B (zh) 白色熱固性環氧樹脂組合物及以該組合物所形成的光半導體元件用反光罩以及具有該反光罩的光半導體裝置
JP2005023230A (ja) 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置
JP6307352B2 (ja) 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置
JP2005171187A (ja) 光半導体封止用樹脂組成物および光半導体装置
JP2002212450A (ja) 封止用樹脂組成物および半導体封止装置
JPH09241483A (ja) エポキシ樹脂組成物
WO1997003129A1 (en) Epoxy resin composition
JP6094450B2 (ja) Ledリフレクター用白色熱硬化性エポキシ樹脂組成物、及び該組成物の硬化物を含む光半導体装置
JP2002003577A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006124420A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP6985613B2 (ja) 硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び半導体装置
JP2013213133A (ja) Led素子用接着性組成物
JP6724817B2 (ja) 光半導体用熱硬化性エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH10182941A (ja) エポキシ樹脂組成物
JP2016184751A (ja) Led素子用封止材料
JP2005112965A (ja) 封止用樹脂組成物および電子部品装置
JP2011256296A (ja) 熱硬化性エポキシ樹脂組成物、プレモールドパッケージ、led装置及び半導体装置
JPH0977958A (ja) エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2002097344A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20080213

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100830

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101124

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110124

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821

Effective date: 20110124

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110628

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110706

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110830

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110831

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140909

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees