JP2006237281A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 各量子井戸層と各バリア層とを積層してなる多重積層構造を第1のクラッド層(n型GaN:Si)23と第2のクラッド層(p型GaN:Mg)26との間に挟んで配置する半導体装置の製造方法において、各量子井戸層2、4及び6の成長温度と各バリア層3、5及び7の成長温度とを異ならせて、各量子井戸層2、4及び6のそれぞれの成長後に、温度を上昇させて各バリア層3、5及び7をそれぞれ成長させることを特徴とする、発光素子28Aの製造方法。
【選択図】 図1
Description
3c…上部バリア層、3d…下部バリア層、4…量子井戸層、5…バリア層、
5a、5b…バリア層の一部、5c…上部バリア層、5d…下部バリア層、
6…量子井戸層、7…バリア層、7a…バリア層の一部、10…GaN層、21…基板、
22…バッファ層、23…第1クラッド層、25A、25B、25C…活性層、
26…第2クラッド層、26a、26b…第2クラッド層の一部、
28A、28B、28C…発光素子
Claims (11)
- 量子井戸層とバリア層とを積層してなる多重積層構造を第1のクラッド層と第2のクラッド層との間に挟んで配置する半導体装置の製造方法において、前記量子井戸層の成長温度と前記バリア層の成長温度とを異ならせて、前記量子井戸層の成長後に温度を上昇させて前記バリア層を成長させることを特徴とする、半導体装置の製造方法。
- 前記量子井戸層の成長に引き続き、前記バリア層の成長開始後に温度を上昇させて前記バリア層を成長させ、前記バリア層の成長中に温度を下降させてから、再び前記量子井戸層を成長させる、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記量子井戸層の成長に引き続き、前記バリア層の成長開始後に温度を上昇させて前記バリア層を成長させてから、このバリア層の成長を中断し、温度を下降させてから、上部バリア層を成長させ、続いて前記量子井戸層を成長させる、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記量子井戸層の成長に引き続き、下部バリア層を成長させてからこの成長を中断し、温度を上昇させてから、前記バリア層を成長させ、しかる後にこのバリア層の成長を中断し、温度を下降させてから、上部バリア層を成長させ、続いて前記量子井戸層を成長させる、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記バリア層の成長温度と前記量子井戸層の成長温度との差を30℃以上とする、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記量子井戸層の成長温度を600℃〜800℃とし、前記バリア層の成長温度を630℃〜950℃とする、請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記量子井戸層の形成後に、前記下部バリア層又は前記バリア層を少なくとも3nmの厚さに成長させた後にその成長を中断する、請求項3又は4に記載の半導体装置の製造方法。
- 窒化ガリウム系化合物半導体素子を製造する、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記量子井戸層の材質に、インジウムを含む混晶物質を用いる、請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記量子井戸層における前記インジウムの組成比を18%以上とする、請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 発光波長が480nm以上の発光素子を製造する、請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
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