JP2006237197A - 薄膜トランジスタの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ソース・ドレイン電極5が形成されるゲート絶縁膜3の表面で、ソース・ドレイン電極間のチャネル形成領域31の表面エネルギーが他の部分より小さくなるようパターニング処理した後、湿式プロセスでソース・ドレイン電極5を形成することを特徴。
【選択図】図1
Description
ジスタ(印刷TFT)の研究が盛んであり、有機ELや電子ペーパーなどの駆動回路や電子タグなどへの応用が期待されている。印刷TFTの形成方法としては、オフセット印刷によりレジストインキや遮光性インキを塗布し半導体パターンや回路基板を形成する方法(例えば、特許文献1)、スクリーン印刷やロールコーターにより導電ペーストを印刷し各種電極を形成する方法(例えば、特許文献2)、インクジェットにより金属微粒子溶液を塗布し各種電極を形成する方法(例えば、特許文献3)等が知られている。
どを使用することができる。
ナノチューブやフラーレンなどの炭素化合物材料、セレン化カドミウム粒子などの無機系の材料が挙げられる。半導体層6は、各種公知の方法で形成可能である。例えば、スピンコート、ディップコート、スクリーン印刷、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、インクジェット、真空蒸着などから半導体材料に応じ適宜選択して用いられる。
図1に示した方法でプレーナー型TFTを製造した。
a)ゲート電極/ゲート絶縁膜の形成
ガラス基板上にAgをマスク蒸着しゲート電極をパターン形成した。続いて、テトラメトキシシランを0.1N塩酸水溶液で加水分解しアルコールで濃度調整した塗布液を、前記ゲート電極形成基板上にスピンコート後熱硬化させ、ゲート絶縁膜を成膜した。
b)撥水層パターンの形成
オクタデシルトリクロロシランのヘキサン溶液を前記ゲート絶縁膜上にフレキソ印刷し撥水層を形成した。撥水層のパターン形状は100μ×10μmの矩形であり、膜厚は単分子層程度である。
c)ソース・ドレイン電極の形成
ソース・ドレイン電極は、前記撥水層パターン上にチャネルが位置するよう、導電ペーストをスクリーン印刷したのち熱処理することで形成した。スクリーン版はステンレスメッシュ640線/インチを用いた。また、スクリーン版におけるソース・ドレイン電極のパターンは、それぞれの電極幅が50μm、電極長(チャネルに平行な部分)が100μmおよびチャネル長が10μmに形成されている。導電ペーストは、市販のAgペースト(粘度400Pas)を用いた。このように形成したソース・ドレイン電極を顕微鏡観察したところ、チャネル長がほぼ10μmのチャネルが形成されていた。また、電極部分における印刷カスレは認められず印刷適性も良好であった。
d)半導体層の形成
ポリ(3−ヘキシルチオフェン)溶液を、前記ソース・ドレイン電極間にインクジェットで塗布した後乾燥させ半導体層を形成した。
<比較例1>
実施例1において、撥水層パターンを形成しない点以外は全て実施例1と同様の手順で、プレーナー型TFTを形成した。このように形成したソース・ドレイン電極を顕微鏡観察したところ、ソース電極とドレイン電極が短絡しておりチャネルは形成されていなかった。印刷時の導電ペーストの流動が原因と考えられる。勿論これはトランジスタとして動作するものではない。
<比較例2>
比較例1において、導電ペーストとして高粘度のもの(粘度1000Pas)を用いた点以外は全て比較例1と同様の手順でプレーナー型TFTを形成した。このように形成したソース・ドレイン電極を顕微鏡観察したところ、チャネルは形成されていたが、電極部分は印刷カスレにより連続したパターンとなっておらず、印刷適性は不良であった。これは比較例1と同様にトランジスタとして動作するものではない。
2・・・ゲート電極
3・・・ゲート絶縁膜
31・・チャネル形成部
4・・・撥水層
5・・・ソース・ドレイン電極
6・・・半導体層
Claims (5)
- ゲート電極、ゲート絶縁膜、ソース・ドレイン電極及び半導体層を有する薄膜トランジスタの製造方法において、ソース・ドレイン電極が形成されるゲート絶縁膜の表面で、ソース・ドレイン電極間のチャネル形成領域の表面エネルギーが他の部分より小さくなるようパターニング処理した後、湿式プロセスでソース・ドレイン電極を形成することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記チャンネル形成領域に表面エネルギーが他の部分より小さくなるようパターニング処理することが、チャンネル形成領域に撥水層を設けパターニング処理することであることを特徴とする請求項1記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記パターニング処理が印刷法により処理されることを特徴とする請求項1または2記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記印刷法が、フレキソ印刷またはオフセット印刷であることを特徴とする請求項3に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記ソース・ドレイン電極が、スクリーン印刷により形成されることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
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JP2008277728A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-11-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子およびその製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
JP2009060032A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 塗布法による有機トランジスタ及びその製造方法 |
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Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003518756A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-10 | プラスティック ロジック リミテッド | 溶液処理 |
JP2004006290A (ja) * | 2002-04-01 | 2004-01-08 | Canon Inc | 導電性部材の製造方法 |
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Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003518756A (ja) * | 1999-12-21 | 2003-06-10 | プラスティック ロジック リミテッド | 溶液処理 |
JP2004006290A (ja) * | 2002-04-01 | 2004-01-08 | Canon Inc | 導電性部材の製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008277728A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-11-13 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機半導体素子およびその製造方法、有機トランジスタアレイ、およびディスプレイ |
JP2009060032A (ja) * | 2007-09-03 | 2009-03-19 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 塗布法による有機トランジスタ及びその製造方法 |
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